もはや産業のコメではなく、戦略物資として最重要視されている半導体に対し、政府からも積極的な投資がなされている。特に国内外で三次元実装に対する関心が高まり、チップレットとそれを集積する多様なインターポーザが牽引役となり、半導体業界はムーアの法則の新たなステージに突入している。
　東北大学では10年以上前から300mmウエハを用いた3D-IC/TSVやハイブリッド接合TEGの試作製造拠点Global INTegration Initiative (GINTI: ジンティと呼ぶ) を運用しています。国内だけではなく海外の顧客や共同研究先からも試作を依頼される中で培ったGINTIでの経験と、講演者が20年以上取り組んできた三次元集積やヘテロインテグレーションの研究を基に、本セミナーではTSV、インターポーザ、特にハイブリッド接合を中心に材料や装置に要求される特性を踏まえて技術のポイントを解説します。冒頭に、チップレットを用いた製品に関して紹介し、多様化する先端半導体パッケージの分類や特徴についても述べます。

1. 先端半導体パッケージの研究開発動向:
   • Fan-Out Wafer-Level Packaging (FOWLP) とChip-on-Wafer-on-Substrate (CoWoS) からチップレット、2.xDアーキテクチャ、ハイブリッド接合への展開を中心に。
   1. 2.xDアーキテクチャと3D-IC/チップレットのアプリケーション
      1. 2.5Dシリコンインターポーザ
      2. 2.3D有機RDLインターポーザ
      3. Siブリッジ
      4. 三次元イメージセンサ
      5. 三次元DRAM (HBM: High-Bandwidth Memory)
      6. 三次元マイクロプロセッサ
2. 3D-IC/チップレット
   1. 3D-ICの概要と歴史
   2. 3D-ICの分類
   3. TSV形成技術
   4. ウエハ薄化技術
   5. テンポラリー接着技術
   6. チップ/ウエハ接合技術
      1. マイクロバンプ接合とアンダーフィル
      2. SiO2-SiO2直接接合
      3. Cu-Cuハイブリッド接合
         1. 材料・プロセスに対する課題と要求
         2. 国際会議ECTC2021から25件
         3. 国際会議ECTC2022から35件
         4. 国際会議ECTC2023から50件
         5. 国際会議ECTC2024から48件
3. おわりに
• 質疑応答