技術セミナー・研修・出版・書籍・通信教育・eラーニング・講師派遣の テックセミナー ジェーピー
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本セミナーでは、SiCを中心として表面の構造・形態制御とそのメカニズム、ステップバンチング制御と結晶成長、ステップアンバンチング現象の発見などについて紹介いたします。
SiCはパワーデバイス材料としての利用が急速に進んでいる。SiCの表面は、シリコンと炭素からなる高さ0.25 nmの層が積層した構造を持ち、表面の段差はその最小単位が0.25 nmとなる。このような段差をステップと呼び、ステップを含む表面形態の制御はデバイス特性に大きな影響を及ぼす。
本講演では、SiCの構造・表面形態やその制御技術について述べた後、ステップバンチング現象と結晶成長、SiC表面におけるグラフェンやカーボンナノチューブの作製、ステップアンバンチング現象などについて紹介する。これらの現象や技術は、原子レベルで平坦な表面を効率的に得る技術として期待される。
日本国内に所在しており、以下に該当する方は、アカデミック割引が適用いただけます。
開始日時 | 会場 | 開催方法 | |
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2025/8/8 | パワーモジュールパッケージの高耐熱化・低熱抵抗化の技術動向 | 大阪府 | 会場 |
2025/8/8 | 半導体製造における後工程・実装・設計の基礎・入門講座 | オンライン | |
2025/8/8 | 多結晶半導体薄膜の基礎と応用技術 | オンライン | |
2025/8/12 | 半導体製造プロセス技術 入門講座 | オンライン | |
2025/8/18 | 半導体材料のウェットエッチング加工の基礎と動向 | オンライン |