技術セミナー・研修・出版・書籍・通信教育・eラーニング・講師派遣の テックセミナー ジェーピー
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本セミナーでは、深紫外LED高出力化、デバイスの開発状況と不活性化メカニズムなどの殺菌応用技術を解説いたします。
(2020年12月18日 10:00〜14:45)
ワット級の高出力化を実現する方法として、p-GaNコンタクト層反射フォトニック結晶による低駆動電圧化、LED素子の発光面積増大化、無機コーテイング膜付きパッケージへの実装による熱効率ドループ対策などに取り組んでいる。
そこで、光取り出し効率向上へ取り組んできた経緯と現在研究開発中の高出力化並びに高効率化の現状を紹介する。
(2020年12月18日 15:00〜17:00)
新型コロナウイルスの蔓延により、深紫外LEDを用いた殺菌技術への期待が非常に大きくなっています。DNAやタンパク質等の吸収波長帯に合わせたLEDの開発も行われ、細菌など不活化に関する研究も進んでいます。一方で、深紫外LEDを用いた殺菌では、装置コストに大きな課題が有り、低コストな作製、高効率化が実現の鍵となっています。三重大学では、スパッタ法によるAlN膜の堆積と高温アニールにより、サファイアを基板に用いたAlNテンプレート (下地基板) で、世界で最も高い結晶性 (転位密度107 cm-2) を実現しました。このAlNテンプレート上では、MOVPE法によるAlNのホモエピタキシャル膜の表面は、螺旋成分の転位が大幅に低減していることに由来して、乱れのない原子ステップ構造が形成されます。一方、一般的に用いられているMOVPE法では、高密度な貫通転位が発生し、その密度を109 cm-2以下に低減するためには、パルス法などのバッファ層を用いた場合でも2-3 μm以上の厚いAlN層が不可欠です。
講演では、スパッタ法AlNの高温アニールによる結晶性良化メカニズムを透過電子顕微鏡観察より明らかにし、AlGaN成長における課題と発光波長260 nm帯のLED試作結果についても述べます。
日本国内に所在しており、以下に該当する方は、アカデミック割引が適用いただけます。
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