第1部 SiCパワーデバイスの開発動向と周辺材料・部品への要求特性

(2020年7月31日 11:00〜13:00)

1. 先進パワー半導体を適用したパワーエレクトロニクス技術への期待
   1. パワーエレクトロニクスの役割
   2. Siパワーエレクトロニクスの現状
   3. 先進パワー半導体の特徴
   4. 先進パワー半導体適用の効果
2. SiCパワーデバイスの技術開発動向
   1. SiCパワーデバイス技術の現状
   2. SiCパワーモジュール技術の現状
   3. SiCパワーデバイスの使いこなし技術
3. 周辺材料および部品の技術開発動向
   1. 周辺材料技術の現状と要求される特性
   2. 周辺部品技術の現状と要求される特性
4. まとめ
   1. 先進パワーエレクトロニクス技術の展望
   2. 関連する技術領域の連携の重要性
• 質疑応答

第2部 GaN-on-Siパワーデバイスの開発動向と、求められる材料の要求特性

(2020年7月31日 14:00〜16:00)

　最近、Si基板上のAlGaN/GaN HEMTを用いたパワーデバイスの研究開発が注目を浴びており、民生用エレクトロニクス分野で実用化されつつある。本講座では、MOCVD法を用いて成長した大口径Si基板上のAlGaN/GaN HEMT構造の結晶成長、デバイス特性及び研究開発動向に関して解説する。また、最新の研究としてSi基板上の縦型GaN p-nダイオード及びMOSFETについて紹介する。

1. MOCVDを用いたヘテロエピタキシャル成長
   1. ヘテロエピタキシャル成長の原理
   2. Si基板上のGaAs結晶成長
   3. Si基板上のGaN結晶成長 ～反りの制御、厚膜化および高品質化～
   4. 各種基板上のGaNの比較 ～Si基板の利点～
2. GaN-on-Siのパワーデバイスへの適用
   1. 研究開発の動向
   2. GaN-on-Siパワーデバイスの応用分野
   3. Si基板上AlGaN/GaN HEMT構造
   4. 静特性、耐圧、オン抵抗
   5. V型ピットの与える影響
3. 課題と将来展望
   1. GaN-on-Siの8インチ化
   2. ALD法を用いた絶縁膜形成技術
   3. ノーマリオフ特性
   4. InAlN/GaN HEMT
   5. 縦型GaN p-nダイオード
   6. 縦型GaN MOSFET
4. GaN-on-Siのまとめ
• 質疑応答