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レジスト材料・プロセスの最適化ノウハウとトラブル対策

レジスト材料・プロセスの最適化ノウハウとトラブル対策

東京都 開催 会場 開催

概要

本セミナーでは、レジスト材料、レジストプロセスについて基礎から解説し、レジストに関わるトラブルの原因、発生メカニズムとその対策・未然防止策について詳解いたします。

開催日

  • 2019年2月26日(火) 10時00分 17時00分

受講対象者

  • レジストを使用して製品・開発を生産する方
  • レジスト分野の技術指導をする方
  • これからレジスト材料を扱う方

修得知識

  • レジストを使用する上での基本的な考え方
  • レジストを使用する際のノウハウ
  • レジストプロセスの最適化
  • レジストに関わるトラブルの原因と対処法、未然防止策

プログラム

 現在、フォトレジストは、産業の様々な分野で広く利用されています。しかし、その高度化に伴い、フォトレジストの品質が製品に与える影響も深刻化しています。また、フォトレジストユーザーの要求も幅広くなり、フォトレジスト材料および装置メーカー側は対応に追われる状況です。
 本セミナーでは、これからレジスト材料を使用するユーザー、レジスト材料開発、処理装置開発、リソグラフィでトラブルを抱えている方々を対象に、フォトレジスト材料の特性、プロセスの最適化、付着・濡れ・欠陥といった各種トラブルに注目し、評価・解決のアプローチを丁寧に説明します。また、研究開発・トラブルフォローといった実務上での取り組み方について、豊富な実例を交えながら解説します。初心者にも分かりやすく、基礎から学べる内容となっています。
 また、最近の傾向として、レジスト材料メーカーおよび装置メーカーにおいても、デバイス作製のノウハウと知識が求められてきています。レジストユーザーの視点とは何かを講師の経験も含めて詳述します。受講者が抱えている日々のトラブルやノウハウ相談にも個別に応じます。

  1. レジスト・リソグラフィ入門 (これだけは習得しておきたい)
    1. リソグラフィプロセスの基礎
      1. プロセスフロー
      2. レジスト材
      3. ポジ型レジスト
      4. ネガ型レジスト
      5. 光化学反応メカニズム
      6. パターン現像
      7. 露光システム
      8. レイリーの式
      9. 解像力
      10. 焦点深度
      11. 重ね合わせ技術
    2. レジストコントラストで制御する
      1. 光学像コントラスト
      2. 残膜曲線
      3. 溶解コントラスト
      4. 現像コントラスト
      5. パターン断面形状改善
    3. エッチングマスクとしてのレジストパターン
      1. プラズマとは
      2. 等方性と異方性エッチング
      3. RIE
      4. エッチング残差
      5. ローディング効果
      6. 選択比
      7. ウェットエッチング
      8. レジスト浸透性
    4. レジストコーティング方式の最適化
      1. 粘度
      2. スピンコート
      3. 塗布むら対策
      4. スキャンコート
      5. スプレーコート
      6. 減圧ベーク
      7. 乾燥むら
      8. インクジェットコート
    5. 先端リソグラフィ技術
      1. EUV
      2. 位相シフトマスク
      3. 多層レジストプロセス
      4. 液浸リソグラフィ
      5. ナノバブル
      6. 厚膜レジスト
      7. 光造形
      8. 感性制御パターン
      9. ナノインプリント
      10. ソルダーレジスト
      11. 積層レジスト
      12. ダブル/マルチパターニング
  2. レジストトラブルの発生メカニズムと対策 (最短でのトラブル解決のために)
    1. レジスト付着性の促進および低下要因とは
      1. 表面エネルギー
      2. 凝集力
      3. 応力緩和
      4. 応力集中
      5. 溶液浸透
      6. 検査用パターン
    2. 乾燥プロセスでのパターン剥離を検証する
      1. 毛細管現象
      2. パターン間メニスカス
      3. Lucas – Washburnの式
      4. エアートンネル
    3. 表面エネルギーからレジスト付着性が予測できる
      1. 濡れ性
      2. Youngの式
      3. 表面エネルギー
      4. 分散と極性
      5. Young – Dupreの式
      6. 付着エネルギーWa
      7. 拡張係数S
      8. 円モデル
      9. 付着性と密着性の差
    4. ドライ中での付着性は溶液中と逆の結果になる
      1. 軟化点効果
      2. 極性成分γp効果
      3. 最適条件の設定方法
    5. 過剰なHMDS処理はレジスト膜の付着性を低下させる
      1. 最適な処理温度と処理時間
      2. 装置設計
    6. Al膜上でのレジスト付着不良と解決方法
      1. 親水化
      2. 疎水化処理
      3. 酸化被膜形成
      4. WBL
    7. パターン凸部は凹部よりも剥離しやすい
      1. アンダーカット形状
      2. 応力解析
      3. 応力集中効果
      4. 熱応力
      5. 表面硬化層の影響)
    8. レジスト膜の応力をin – situ測定する
      1. 減圧処理
      2. 応力緩和と発生
      3. 溶剤乾燥
      4. 拡散モデル
    9. レジスト膜の膨潤を計測する
      1. アルカリ液の浸透
      2. クラウジウス・モソティの式
      3. 屈折率評価
      4. 導電性解析
    10. レジスト膜の欠陥発生メカニズムと対策
      1. 乾燥むら
      2. ベナールセル
      3. 環境応力亀裂
      4. ピンホール
      5. 膜はがれ
    11. ドライフィルムレジスト (DFR) の付着性
      1. メッキ時のEaves不良
      2. バブル対策
    12. ナノインプリントにおける剥離残差対策
      1. 疎水化による離型処理
      2. 付着性解析
    13. ウォーターマーク (乾燥痕) はこうして発生する
      1. 乾燥メカニズム
      2. 液体内の対流効果
      3. ピンニング
      4. パターン形状依存性)
    14. レジスト表面の微小気泡対策
      1. 気泡のピンニング効果
      2. エネルギー安定性解析
    15. レジスト欠陥対策
      1. フィルタリングの基礎
      2. ミスト
      3. 凝集異物
      4. ゲル
      5. バブル
  3. レジスト材料プロセスの高品位化 (高付加価値のレジストを目指す)
    1. 微小パターンの物性
      1. 表面サイズ効果
      2. 高分子集合体
      3. 粒子凝集モデル
      4. ナノウェット効果
    2. レジストパターン1個の付着力を実測する
      1. DPAT法
      2. 計測感度
      3. ナノサイズの付着力の実験式
    3. 高分子集合体をマニピュレーションする
      1. レジストパターンからの集合体分離
      2. Derjaguin近似
    4. レジスト膜中のナノ空間を見る
      1. vacancy
      2. ナノスティックスリップ
      3. パターン構造設計
    5. レジストパターン1個のヤング率を実測する
      1. ビームモデル
      2. 測定方法
      3. ヤング率計測
      4. 強度設計
    6. レジスト膜表面にはナノ硬化層が存在する
      1. AFMインデンテーション法
      2. 断面硬化層分布
      3. LER評価
    7. レジスト膜表面のナノ気泡を見る
      1. AFMナノバブル観察
    8. レジスト平坦性
      1. 平坦化の要因
      2. 計測評価法
    9. レジスト膜の超薄膜化
      1. シングルナノ膜厚の形成
    10. レジスト除去技術
      1. ドライ
      2. ウェット
      3. 残渣除去
  4. 技術開発および各種トラブル相談 (日頃のトラブルサポートなどに個別に応じます)
    • 質疑応答

講師

  • 河合 晃
    長岡技術科学大学
    名誉教授

会場

株式会社 技術情報協会
東京都 品川区 西五反田2-29-5 日幸五反田ビル8F
株式会社 技術情報協会の地図

主催

お支払い方法、キャンセルの可否は、必ずお申し込み前にご確認をお願いいたします。

お問い合わせ

本セミナーに関するお問い合わせは tech-seminar.jpのお問い合わせからお願いいたします。
(主催者への直接のお問い合わせはご遠慮くださいませ。)

受講料

1名様
: 50,000円 (税別) / 54,000円 (税込)
複数名
: 45,000円 (税別) / 48,600円 (税込)

複数名同時受講割引について

  • 2名様以上でお申込みの場合、
    1名あたり 45,000円(税別) / 48,600円(税込) で受講いただけます。
    • 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 50,000円(税別) / 54,000円(税込)
    • 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 90,000円(税別) / 97,200円(税込)
    • 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 135,000円(税別) / 145,800円(税込)
  • 同一法人内による複数名同時申込みのみ適用いたします。
  • 受講券、請求書は、代表者にご郵送いたします。
  • 他の割引は併用できません。
本セミナーは終了いたしました。

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