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MSAP工法におけるエッチング技術と微細回路形成

MSAP工法におけるエッチング技術と微細回路形成

東京都 開催 会場 開催
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概要

本セミナーでは、次期iPhoneで話題のMSAPについて、基礎から最新動向、可能性について解説いたします。
また、30μm L/S以下を目指したプロセス技術、関連部材の開発動向と課題を解説いたします。

開催日

  • 2017年11月28日(火) 10時30分 ～ 16時30分

プログラム

第1部 MSAP工法向けダイレクトイメージング技術

(2017年11月28日 10:30〜12:10)

次世代に求められる高周波、高速応答性の要望に基づき、高精度かつコスト競争力があるとされるMSAP工法が採用されつつある。本稿では、胴体形成精度のカギを握る露光プロセス装置の技術、プロセスを述べる。またプリプロセスとしてのエッチングファクターも考えたCAMの役割、およびポストプロセスとして、胴体形成の品質精度の確認を行う画像検査装置 (AOI) と導体欠陥の修正装置 (AOS) を加えて説明する。

  1. MSAP用途の市場概観
  2. 回路形成プロセス概要とMSAPプロセスの課題
  3. CAMの役割
  4. 回路形成用ダイレクト露光装置のご紹介
  5. 外観検査装置 (AOI) と欠陥修正装置 (AOS) のご紹介
  6. まとめと次に向けての課題
    • 質疑応答

第2部 エッチングの基礎とMSAPによる微細銅回路形成の可能性

(2017年11月28日 13:00〜14:40)

　溶解現象を論じる上で、速度を決定している過程を知り、制御することが重要であり、本講演ではそのことを踏まえ、固-液系溶解反応について、速度論的立場から説明を行う。

  1. 固-液系溶解反応の基礎
    1. 溶解プロセスの考え方
    2. 溶解速度の律速段階
    3. 溶解速度の考え方
  2. 銅溶解工程を含む微細回路形成
    1. サブストラクティブ法
    2. セミアディティブ法
    3. MSAP法
  3. 各プロセス中のエッチングに対する速度論的研究例
    1. サブストラクティブ法
    2. セミアディティブ法
    3. MSAP法
  4. 今後の展望
    • 質疑応答

第3部 MSAP用回路形成エッチングプロセス

(2017年11月28日 14:50〜16:30)

　近年、電子機器に搭載されるプリント配線板は、小型・薄型・高密度化に向け、配線の更なるファインピッチ化が要求されている。それに伴い、非回路部をエッチング除去するサブトラクティブ法に対し、必要な箇所にのみ電解銅めっきにて配線を形成する Semi-Additive Process (SAP) がより微細な配線形成には有利である。その中でも近年はMSAPが注目されており、微細配線形成にはSAPに劣るものの、サブトラクティブ法よりもファインピッチ化が可能な事により、スマートフォンに搭載されるマザーボードへの展開が進められている。
　本講演では、MSAPの中でもエッチングプロセスに焦点を当て、基本的な技術から不良や解決策、弊社の新プロセスなどを交ぜて紹介する。

  1. はじめに
    1. 電子回路基板について
    2. MSAPの現状と対応
  2. MSAPプロセスの概要
    1. シード層形成
    2. ドライフィルムラミネート前処理
    3. ドライフィルム露光・現像
    4. 電解銅めっき
    5. ドライフィルム剥離
  3. MSAP用回路形成におけるエッチングプロセス
    1. MSAP回路形成に要求されること
    2. 回路形成に向けたエッチングプロセス
  4. MSAP用回路形成エッチングにおける課題と対策
    1. 不良および原因
    2. 対策
    3. 弊社提案新プロセス
  5. MSAPに関わるその他のエッチングプロセス
  6. まとめ
    • 質疑応答
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講師

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会場

株式会社 技術情報協会
東京都 品川区 西五反田2-29-5 日幸五反田ビル8F
株式会社 技術情報協会の地図
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主催

株式会社 技術情報協会
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(主催者への直接のお問い合わせはご遠慮くださいませ。)

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: 55,000円 (税別) / 59,400円 (税込)
複数名
: 50,000円 (税別) / 54,000円 (税込)

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