酸化ガリウム (Ga2O3) は、次世代パワーデバイス用途の新半導体材料として期待されるに足る、優れた材料物性を有する。
　また、原理的に大口径かつ高品質な単結晶基板を、融液成長法により安価かつ簡便に作製することができるという、産業上の大きな魅力も合わせ持つ。
　本講演では、最初に現状の半導体パワーデバイス研究開発の背景について述べた後、Ga2O3パワーデバイスの位置づけ、魅力、現在までの研究開発状況、課題、および今後の展望などについて解説する。

1. はじめに
   1. パワーエレクトロニクスとは?
   2. 次世代パワーデバイスが求められる社会的背景
   3. パワーエレクトロニクスについて基礎知識
2. 酸化ガリウムの材料物性、結晶成長技術
   1. 酸化ガリウムの特徴 (SiC, GaNとの比較から)
   2. 単結晶バルク融液成長
   3. エピタキシャル薄膜成長
3. 酸化ガリウムデバイス開発動向
   1. トランジスタ
   2. ショットキーバリアダイオード
   3. 光デバイス (LED、紫外受光素子など)
4. 酸化ガリウムパワーデバイスへの期待と展望
   1. 海外における酸化ガリウムデバイスの開発状況
   2. 今後の課題、展望
• 質疑応答