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酸化ガリウムパワーデバイスの概要、開発動向と今後の展望

酸化ガリウムパワーデバイスの概要、開発動向と今後の展望

東京都 開催 会場 開催
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開催日

  • 2017年8月25日(金) 10時30分 ～ 16時30分

プログラム

　酸化ガリウム (Ga2O3) は、次世代パワーデバイス用途の新半導体材料として期待されるに足る、優れた材料物性を有する。
　また、原理的に大口径かつ高品質な単結晶基板を、融液成長法により安価かつ簡便に作製することができるという、産業上の大きな魅力も合わせ持つ。
　本講演では、最初に現状の半導体パワーデバイス研究開発の背景について述べた後、Ga2O3パワーデバイスの位置づけ、魅力、現在までの研究開発状況、課題、および今後の展望などについて解説する。

  1. はじめに
    1. パワーエレクトロニクスとは?
    2. 次世代パワーデバイスが求められる社会的背景
    3. パワーエレクトロニクスについて基礎知識
  2. 酸化ガリウムの材料物性、結晶成長技術
    1. 酸化ガリウムの特徴 (SiC, GaNとの比較から)
    2. 単結晶バルク融液成長
    3. エピタキシャル薄膜成長
  3. 酸化ガリウムデバイス開発動向
    1. トランジスタ
    2. ショットキーバリアダイオード
    3. 光デバイス (LED、紫外受光素子など)
  4. 酸化ガリウムパワーデバイスへの期待と展望
    1. 海外における酸化ガリウムデバイスの開発状況
    2. 今後の課題、展望
    • 質疑応答
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講師

  • 東脇 正高 氏
    大阪公立大学 大学院 工学研究科 電子物理工学分野
    教授
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会場

株式会社 技術情報協会
東京都 品川区 西五反田2-29-5 日幸五反田ビル8F
株式会社 技術情報協会の地図
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主催

株式会社 技術情報協会
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お問い合わせ

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(主催者への直接のお問い合わせはご遠慮くださいませ。)

受講料

1名様
: 50,000円 (税別) / 54,000円 (税込)
複数名
: 45,000円 (税別) / 48,600円 (税込)

複数名同時受講割引について

  • 2名様以上でお申込みの場合、
    1名あたり 45,000円(税別) / 48,600円(税込) で受講いただけます。
    • 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 50,000円(税別) / 54,000円(税込)
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    • 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 135,000円(税別) / 145,800円(税込)
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  • 受講券、請求書は、代表者にご郵送いたします。
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