第1部 GaN基板の結晶育成と加工技術

(2015年3月23日 10:30〜12:00)

1. 各種GaN結晶育成方法
2. Naフラックス法の原理
   1. 窒素溶解メカニズムの解明
   2. 窒素周囲の電荷密度
   3. 窒素溶解メカニズム
3. Naフラックス法によるGaN結晶育成技術
   1. 板状種結晶上のGaN結晶育成技術
   2. 微小種結晶上のGaN結晶育成技術
      1. Naフラックス法で大型化が可能か?
      2. LPE法による大面積化
      3. 光透過特性
      4. 高導電性GaNサンプルの比抵抗評価
4. 将来展望
• 質疑応答

第2部 触媒表面基準エッチング法による単結晶SiC、GaNの原子スケール平坦化

(2015年3月23日 12:45〜14:15)

　新しい研磨法である触媒表面基準エッチング (CARE) 法の概念および特徴、 CARE平坦化によってどのような効果が期待できるのか、等を理解いただけるかと思います。
　砥粒を用いない革新的ダメージレス研磨技術であるCARE法の原理・加工装置等に ついて詳説し、単結晶SiC・GaN基板表面の原子レベル平坦化例等を紹介する。

1. 触媒表面基準エッチング (CARE) 法
   1. CARE法の概念
   2. 実証実験結果
   3. CARE平坦化加工装置と加工特性
2. SiC・GaN基板のCARE平坦化
   1. 平坦化表面の各種評価
   2. 平坦化の効果
   3. 加工機構の考察2-4 各種基板の平坦化
3. CARE法の実用化に向けて
   1. ウエハ全面平坦化加工装置
   2. SiC・GaNのウエハレベル平坦化
   3. 加工速度高速化の検討
• 質疑応答

第3部 高難加工素材GaNの研磨加工技術

(2015年3月23日 14:30〜16:00)

　近年注目を集める窒化ガリウム基板の実用化に向け重要な技術となるウエハ加工技術について、開発の歴史、基礎的な加工特性、および高効率加工に向けた最新技術を紹介する

1. 精密研磨加工の基礎
2. GaNへの精密機械研磨加工の適用と加工変質層の解析
3. 加工変質層低減に向けたアプローチ
4. 高効率精密機械研磨へのアプローチ
5. 最終仕上げ加工としてのCMPの適用とCMPにおける難加工性
6. CMP加工のメカニズム検討と高効率化にむけた最新加工技術
• 質疑応答