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半導体表面におけるウェットプロセスの制御、最適化技術

半導体表面におけるウェットプロセスの制御、最適化技術

～洗浄、エッチング、めっき、陽極酸化技術、処理装置～
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概要

本セミナーでは、ウェットエッチングの基礎メカニズムに重点を置きながら、エッチングの高精度化、トラブル対策についても解説いたします。
また、日頃の技術開発やトラブル相談に個別に応じます。

開催日

  • 2021年11月1日(月) 10時30分 ～ 16時30分

受講対象者

  • 半導体製造、薬剤、素材、装置メーカの技術者
  • 半導体製造、薬剤、素材、装置メーカの営業・マーケティング担当者
  • 新規技術導入、技術改良、量産部門の技術担当者など

修得知識

  • 半導体デバイス製造におけるクリーン化技術の基礎
  • ウェットエッチングの基礎
  • めっき技術の基礎
  • 陽極酸化法の基礎
  • コントロール要因
  • 加工制御技術
  • 製品の歩留まり向上や品質改善および技術開発における基盤技術

プログラム

　半導体ウェットプロセスは、処理能力の高さ、および半導体製品の歩留まりに直結しているため、重要なキーテクノロジーとして位置づけられています。
　本セミナーでは、長年、講師が先端半導体製品の開発製造に携わった経験から、半導体ウェットプロセスに注目し、ユーザー視点に基づいて、半導体洗浄、ウェットエッチング、めっき、陽極酸化技術、各処理装置の要点とノウハウを丁寧に解説します。各ウェットプロセスの基礎メカニズムに重点を置きながら、高精度化、トラブル対策について解説します。ウェットプロセスの基盤技術となる濡れ・表面エネルギーについても詳しく解説します。
　また、受講者が抱えている日頃の研究開発および現場トラブルに関する相談にも個別に対応します。

  1. ウェットプロセス技術と半導体デバイス
    1. ウェットプロセスと半導体産業 (特長と歩留まり改善効果)
    2. プロセス概論
      • 洗浄
      • エッチング
      • めっき
      • 陽極酸化
    3. 処理装置
      • 液循環
      • ディップ
      • シャワー
      • スピンエッチ
      • フィルタリング
  2. ウェットプロセスを支配する基礎理論
    1. 濡れ性の基礎
      • ピンニング現象
      • Laplace
      • Young
      • Wenzel
      • Cassie
      • Newmanの各式
    2. 表面 (付着) エネルギーと分散/極性成分マップ
      • Dupreの式
      • Fowksの式
    3. 界面への浸透機構
      • 拡張濡れエネルギーS
      • 円モデル
    4. 溶存ガス/気泡の性質
      • 脱離
      • 合一
      • 溶解
    5. 腐食溶解 (ポテンシャル – pH電位図)
    6. 機能水の性質 (液中酸化と高抵抗率化)
    7. ゼータ電位とpH制御 (溶液中の帯電)
    8. 乾燥痕対策
      • マランゴニー対流
      • IPA蒸気乾燥
  3. ウェットプロセス各論
    1. ウェット洗浄技術
      1. RCA洗浄
        • 重金属除去
        • 酸化還元電位
      2. ファイン粒子の吸着力
        • Hertz理論
        • JKR理論
        • DMT理論
      3. 微粒子間の引力
        • Derjaguin近似
        • 凝集ルール
      4. 溶液中の粒子付着と除去 (DLVO理論)
      5. 液体ラプラス力 (液膜による凝集力)
      6. DPAT技術 (AFMによる剥離力の直接測定)
    2. ウェットエッチング技術
      1. 加工技術としての位置づけ (設計値とシフト量)
      2. 基本プロセスフロー
        • 前処理
        • 表面洗浄
        • エッチング液
        • マスク除去
        • 洗浄
      3. プロセス支配要因
        • 濡れ
        • 律速
        • 反応速度
        • エッチング機構
      4. 等方性
        • 結晶異方性エッチング
        • アンダーカット
        • 結晶方位依存性
      5. マスク剤の最適化
        • エッチング耐性
        • 熱だれ
        • 応力
      6. 形状コントロール要因
        • 界面濡れ性
        • 応力集中
        • 液循環
        • マスク耐性
    3. めっき技術
      1. CuおよびNiめっき
        • 電解
        • 無電解めっき
      2. レジストマスクの変形対策
        • 熱だれ
        • 環境応力亀裂
      3. シーズ層形成 (核生成促進)
      4. 気泡対策
        • ブリスター
        • 膜剥がれ
      5. エッジ対策 (界面浸透抑制)
    4. 陽極 (アノード) 酸化技術
      1. 半導体/金属の陽極酸化
      2. プローブ法 (絶縁パターン形成)
      3. 陽極酸化被膜の性質
        • 体積膨張/ポーラス
        • バリア性
  4. 質疑応答 (日頃の疑問、トラブル、解析・技術開発相談に個別に応じます)
  5. 参考資料
    • 濡れ/乾燥トラブルQ&A事例集 (トラブルの最短解決ノウハウ)
    • 表面エネルギーによる濡れ・付着性解析 (測定方法)
    • 質疑応答
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講師

  • 河合 晃 氏
    長岡技術科学大学
    名誉教授
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主催

株式会社 技術情報協会
お支払い方法、キャンセルの可否は、必ずお申し込み前にご確認をお願いいたします。

お問い合わせ

本セミナーに関するお問い合わせは tech-seminar.jpのお問い合わせからお願いいたします。
(主催者への直接のお問い合わせはご遠慮くださいませ。)

受講料

1名様
: 50,000円 (税別) / 55,000円 (税込)
複数名
: 45,000円 (税別) / 49,500円 (税込)

複数名同時受講割引について

  • 2名様以上でお申込みの場合、1名あたり 45,000円(税別) / 49,500円(税込) で受講いただけます。
    • 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 50,000円(税別) / 55,000円(税込)
    • 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 90,000円(税別) / 99,000円(税込)
    • 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 135,000円(税別) / 148,500円(税込)
  • 同一法人内による複数名同時申込みのみ適用いたします。
  • 受講券、請求書は、代表者にご郵送いたします。
  • 他の割引は併用できません。

アカデミック割引

  • 1名様あたり 30,000円(税別) / 33,000円(税込)

日本国内に所在しており、以下に該当する方は、アカデミック割引が適用いただけます。

  • 学校教育法にて規定された国、地方公共団体、および学校法人格を有する大学、大学院、短期大学、附属病院、高等専門学校および各種学校の教員、生徒
  • 病院などの医療機関・医療関連機関に勤務する医療従事者
  • 文部科学省、経済産業省が設置した独立行政法人に勤務する研究者。理化学研究所、産業技術総合研究所など
  • 公設試験研究機関。地方公共団体に置かれる試験所、研究センター、技術センターなどの機関で、試験研究および企業支援に関する業務に従事する方

ライブ配信セミナーについて

  • 本セミナーは「Zoom」を使ったライブ配信セミナーとなります。
  • お申し込み前に、 視聴環境 と テストミーティングへの参加手順 をご確認いただき、 テストミーティング にて動作確認をお願いいたします。
  • 開催日前に、接続先URL、ミーティングID​、パスワードを別途ご連絡いたします。
  • セミナー開催日時に、視聴サイトにログインしていただき、ご視聴ください。
  • セミナー資料は郵送にて前日までにお送りいたします。
  • 開催まで4営業日を過ぎたお申込みの場合、セミナー資料の到着が、開講日に間に合わない可能性がありますこと、ご了承下さい。
    ライブ配信の画面上でスライド資料は表示されますので、セミナー視聴には差し支えございません。
    印刷物は後日お手元に届くことになります。
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  • タブレットやスマートフォンでも受講可能ですが、機能が制限される場合があります。
  • ご視聴は、お申込み者様ご自身での視聴のみに限らせていただきます。不特定多数でご覧いただくことはご遠慮下さい。
  • 講義の録音、録画などの行為や、権利者の許可なくテキスト資料、講演データの複製、転用、販売などの二次利用することを固く禁じます。
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