メモリー、マイクロセッサ等の半導体の高集積化の要求は、携帯端末、情報機器等の高性能化に伴い益々大きくなっており、5nmロジックノードも近づいている。本講演では、これらの半導体の微細化を支えるリソグラフィの基礎、および、レジスト材料の基礎、要求特性、課題と対策、最新の動向を解説し、今後の展望、市場動向についてまとめる。

1. リソグラフィの基礎
   1. 露光
      1. コンタクト露光
      2. ステップ&リピート露光
      3. スキャン露光
   2. 照明方法
      1. 斜入射 (輪帯) 照明
   3. マスク
      1. 位相シフトマスク
      2. 光近接効果補正 (OPC)
      3. マスクエラーファクター (MEF)
   4. レジストプロセス
      1. 反射防止プロセス
      2. ハードマスクプロセス
      3. 化学機械研磨 (CMP) 技術
   5. ロードマップ
2. レジスト材料の基礎
   1. 溶解阻害型レジスト
      1. g線レジスト
      2. i線レジスト
   2. 化学増幅型レジスト
      1. KrFレジスト
      2. ArFレジスト
      3. 化学増幅型レジストの安定化技術
3. レジスト材料の展開
   1. 液浸リソグラフィ
   2. ダブル/マルチパターニング
      1. リソーエッチ (LE) プロセス
      2. セルフアラインド (SA) プロセス
   3. EUVリソグラフィ
      1. 分子レジスト
      2. ネガレジスト
      3. ポリマーバウンド酸発生剤を用いる化学増幅型レジスト
      4. 無機/メタルレジスト
   4. 自己組織化 (DSA) リソグラフィ
      1. グラフォエピタキシー
      2. ケミカルエピタキシー
      3. 高χ (カイ) ブロックコポリマー
   5. ナノインプリントリソグラフィ
      1. 加圧方式
      2. 光硬化式
4. レジスト材料の技術展望、市場動向
• 質疑応答・名刺交換