ダイヤモンドは、極めて高い電子及び正孔の移動度、熱伝導率、そして絶縁破壊電界を持つことから、省エネ・低炭素社会の実現に資する革新的なパワーデバイス材料として期待されています。また、近年ではダイヤモンド中の窒素 – 空孔 (NV) 中心を用いた室温動作の量子デバイス/センサへの応用が期待されています。
　本講演では、半導体材料としてのダイヤモンドの魅力、そしてダイヤモンド半導体研究の歴史について概説し、ダイヤモンドウェハ、ダイオード、トランジスタ、そしてその他のデバイス応用に関する研究開発状況、課題および展望について、我々の研究成果 (例:世界で初めて実現した反転層チャネルダイヤモンドMOSFET 等) を中心に解説します。

1. はじめに
   1. 半導体材料としてのダイヤモンドの魅力
   2. ダイヤモンド半導体研究の歴史
2. ダイヤモンドウェハ製造技術
   1. 成長技術
      • 高温高圧
      • プラズマCVD
      • 熱フィラメントCVD
   2. 不純物ドーピング技術
   3. スライス・カット技術
   4. 研磨技術
3. ダイヤモンドダイオード
   1. ショットキーバリアダイオード
   2. PN接合ダイオード
   3. ショットキーPNダイオード (SPND)
4. ダイヤモンドトランジスタ
   1. MESFET
   2. JFET
   3. BJT
   4. MOSFET
5. その他のデバイス応用
   1. 励起子を用いた深紫外線発光デバイス
   2. 負の電子親和力を用いた電子放出デバイス
   3. ダイヤモンド中 窒素 – 空孔 (NV) 中心を用いた量子デバイス/センサ
6. まとめと今後の展開
• 質疑応答・名刺交換