メモリー、マイクロセッサ等のデバイスの高集積化の要求は、携帯端末、情報機器等の高性能化に伴い、益々大きくなっている。リソグラフィは現在先端の量産で用いられているArF液浸、ダブル/マルチパターニングに加えて、待ち望まれていたEUVがいよいよ用いられてくる。レジスト・微細加工用材料はこのようなリソグラフィの変革に対応して進展し続けている。
　本講演の前半では、リソグラフィの基礎、ロードマップを述べた後、半導体製造の中核で使用されているUV (g、i) 、DUV (KrF、ArF) の各レジストの詳細と化学増幅型レジスト全般の課題と対策を解説する。講演の後半では、最新のレジストであるArF液浸、EUVの各レジスト、および、微細加工用材料 (ダブル/マルチパターニング材料、自己組織化 (DSA) リソグラフィ材料、ナノインプリントリソグラフィ材料) について、基礎、要求特性、課題と対策、最新の動向を解説し、レジスト・微細加工用材料の今後の展望、市場動向についてまとめる。

1. はじめに
   1. リソグラフィの基礎
      1. 露光
      2. 照明方法
      3. マスク
      4. レジストプロセス
   2. ロードマップ
2. UVレジスト
   1. g線レジスト
   2. i線レジスト
3. DUVレジスト
   1. KrFレジスト
   2. ArFレジスト
   3. 化学増幅型レジストの課題と対策
4. ArF液浸リソグラフィレジスト
   1. ArF液浸リソグラフィの基礎
   2. ArF液浸リソグラフィレジストの要求特性と設計指針
5. ダブル/マルチパターニング
   1. ダブル/マルチパターニングの基礎と課題
   2. リソーエッチ (LE) プロセス用材料
   3. セルフアラインド (SA) プロセス用材料
6. EUVレジスト
   1. EUVリソグラフィの基礎
   2. EUVレジストの要求特性
   3. EUVレジストの設計指針
      1. EUVレジスト用ポリマー
      2. EUVレジスト用光酸発生剤
   4. EUVレジストの課題と対策
      1. 感度/解像度/ラフネスのトレードオフ
      2. Stochastic Effects
   5. 最新のEUVレジスト
      1. 分子レジスト
      2. ネガレジスト
      3. ポリマーバウンド酸発生剤を用いる化学増幅型レジスト
      4. 無機/メタルレジスト
7. 自己組織化 (DSA) リソグラフィ
   1. 自己組織化 (DSA) リソグラフィの基礎
   2. グラフォエピタキシー用材料
   3. ケミカルエピタキシー用材料
   4. 最新の高χ (カイ) ブロックコポリマー
8. ナノインプリントリソグラフィ
   1. ナノインプリントリソグラフィの基礎
   2. 加圧方式ナノインプリントリソグラフィ材料
   3. 光硬化式ナノインプリントリソグラフィ材料
9. おわりに
   1. レジスト・微細加工用材料の今後の技術展望
   2. レジスト・微細加工用材料の市場動向