技術セミナー・研修・出版・書籍・通信教育・eラーニング・講師派遣の テックセミナー ジェーピー
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本セミナーでは、性能とコスト・量産性のメリットから、次世代パワー半導体用材料として期待される「酸化ガリウム」について、材料の基礎から、トランジスタ、ショットキーバリアダイオードなどデバイス開発の最新事例、今後の課題と展望を解説いたします。
(2018年4月24日 11:00〜15:00)
酸化ガリウム (Ga2O3) は、次世代パワーデバイス用途の新半導体材料として期待されるに足る、優れた材料物性を有します。また、原理的に大口径かつ高品質な単結晶基板を、融液成長法により安価かつ簡便に作製することができるという、産業上の大きな魅力も合わせ持ちます。こういった特徴から、SiC, GaNに続く次世代パワーデバイス材料候補として現在注目を集めております。
本講演では、Ga2O3パワーデバイスの位置づけ・魅力、現在までのバルク・基板、エピタキシャル薄膜成長、デバイス (トランジスタ、ショットキーバリアダイオード) の研究開発状況、今後に向けた課題および展望などについて、講師グループおよび講師共同研究グループの開発成果を中心に解説いたします。
(2018年4月24日 15:10〜16:20)
酸化ガリウム (Ga2O3) は、約5eVにも及ぶ広いバンドギャップを持つ半導体であり、超低損失パワーデバイスへの応用が期待できる魅力的な新材料である。また、低コスト化への取り組みも進んでおり、次世代パワーデバイスの本命材料とも見られつつある。
本講演ではFLOSFIAと京都大学がこれまで行ってきた取り組みや最新のデバイスデータについて発表する。
開始日時 | 会場 | 開催方法 | |
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2008/9/1 | 半導体製造用炭化ケイ素 技術開発実態分析調査報告書 (PDF版) |
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1992/11/11 | VLSI試験/故障解析技術 |
1991/6/1 | 高周波スイッチングコンバータ高性能化技術 |
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1988/10/1 | 高密度表面実装 (SMT) におけるLSIパッケージング技術 |
1988/2/1 | 半導体の故障モードと加速試験 |
1985/12/1 | アナログIC/LSIパターン設計 (Ⅰ) |
1985/11/1 | アナログIC/LSIパターン設計 (Ⅱ) |