酸化ガリウム (Ga2O3) は、次世代パワーデバイス用途の新半導体材料として期待されるに足る、優れた材料物性を有する。また、原理的に大口径かつ高品質な単結晶基板を、融液成長法により安価かつ簡便に作製することができるという、産業上の大きな魅力も合わせ持つ。こういった特徴から、SiC, GaNに続く次世代パワーデバイス材料候補として現在注目を集めている。
　本講演では、Ga2O3パワーデバイスの位置づけ・魅力、現在までのバルク・基板、エピタキシャル薄膜成長、デバイス (トランジスタ、ショットキーバリアダイオード) の研究開発状況、今後に向けた課題および展望などについて解説する。

1. はじめに
   1. Ga2O3の材料的特徴 (SiC, GaNとの比較から)
   2. 将来的なGa2O3デバイスの用途
2. Ga2O3バルク融液成長技術、ウェハー製造
   1. 単結晶バルク融液成長
   2. 単結晶Ga2O3ウェハー
3. Ga2O3エピタキシャル薄膜成長技術
   1. オゾンMBE成長
   2. プラズマMBE成長
   3. HVPE成長
4. Ga2O3トランジスタ開発
   1. 横型MESFET
   2. 横型DモードMOSFET
   3. 横型フィールドプレートMOSFET
   4. 横型EモードMOSFET
   5. 縦型DモードMOSFET (CAVET)
   6. 海外のGa2O3トランジスタ開発動向
5. Ga2O3ショットキーバリアダイオード (SBD) 開発
   1. HVPE成長したドリフト層を有する縦型SBD
   2. 縦型フィールドプレートSBD
6. まとめ、今後の課題
• 質疑応答