技術セミナー・研修・出版・書籍・通信教育・eラーニング・講師派遣の テックセミナー ジェーピー
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本セミナーではHigh-k膜の基礎から解説し、高誘電率化のための材料設計、閾値シフトの原因と制御、Ge熱酸化機構と制御、SiC熱酸化機構と制御について詳解いたします。
かつてSi上の熱酸化の緻密な制御によって支えられてきたゲート絶縁膜技術は、高誘電率ゲート絶縁膜 (High-k膜) の導入によって複雑化している。本講演ではHigh-k膜の基礎的な理解と、その導入に伴って新たに生じる諸現象について解説する。また、ゲート絶縁膜形成プロセスはCMOS用の高移動度チャネルとなるGeや、パワーMOSFET用のSiCにおいて重要な役割を担っている。これら2つの新たなMOS界面について、その特性制御のための技術の展開を紹介する。
開始日時 | 会場 | 開催方法 | |
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発行年月 | |
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