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CVDリアクタのノンプラズマクリーニング技術
CVDリアクタのノンプラズマクリーニング技術
東京都 開催
会場 開催
本セミナーは終了いたしました。
概要
本セミナーでは、CVDプロセスの基礎から解説し、リアクタクリーニングの技術・プロセスについて整理する貴重なセミナーです。
開催日
- 2011年12月13日(火) 13時00分 ～ 16時30分
受講対象者
- PVD, CVDに関連する技術者
- 金型
- 工具類
- 摺動部品
- 光学部品
- 電子機器・電子デバイス
- 装身具
- スポーツ用品
- 磁気デバイス
- 磁気センサ
- 精密機械部品
- ロール
- 真空機器部品
- 機械要素 (ねじ、ナット類)
- シリンダー・ライナー類
- シール
- 金属製品製造業
- 機械部品製造業
- 自動車部品製造業
- 金属表面処理業などの機械系技術者、材料系技術者
- 表面処理技術者など
- CVDリアクタのクリーニングに関連する技術者、品質担当者、メンテナンス担当者
- CVDプロセスに関連する技術者、品質保証担当者、メンテナンス担当者
修得知識
- CVDプロセスの基礎
- CVDリアクタクリーニングの基礎
- CVD装置クリーニングの実際
プログラム
- 成膜とクリーニング
- CVDプロセスの概要 (理想的CVDリアクタの条件)
- CVDプロセス・装置の課題 (リアクタクリーニングに求められる条件)
- リアクタ内堆積物 (サセプタ、反応容器) と発生する問題
- 排ガス管内堆積物 (油状、粉末状) と事故の例 (含、リアクタ内の反応設計)
- CVDリアクタクリーニング法
- ノンプラズマクリーニングに用いられるガスの性質
- 基本物性
- 反応性
- 取扱
- シリコンCVD装置クリーニング (1) (HCl)
- 化学反応とエッチング速度の挙動、反応速度定数
- エッチング中の表面形態
- シリコンCVD装置クリーニング (2) (ClF3)
- 化学反応とエッチング速度の挙動、反応速度定数
- エッチング中の表面形態
- 炭化珪素堆積膜除去技術 (ClF3)
- 化学反応とエッチング速度、反応速度定数
- エッチング中の表面形態
- 酸化ハフニウム堆積膜除去技術 (HCl)
- 化学反応、粉末と薄膜のエッチング速度
- その他の反応性ガス
- まとめ
- 質疑応答・名刺交換
講師
会場
主催
お支払い方法、キャンセルの可否は、必ずお申し込み前にご確認をお願いいたします。
受講料
1名様
:
40,000円 (税別) / 42,000円 (税込)
複数名
:
33,000円 (税別) / 34,650円 (税込)
複数名同時受講の割引特典について
- 2名で参加の場合、1名につき 7,350円割引
- 3名で参加の場合、1名につき 10,500円割引 (同一法人に限ります)
本セミナーは終了いたしました。
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