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酸化ガリウムの基板作製技術とパワーデバイスの開発動向、課題

酸化ガリウムの基板作製技術とパワーデバイスの開発動向、課題

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概要

本セミナーでは、酸化ガリウムのバルク製造技術、エピタキシャル膜成長技術、デバイス開発の進展について解説いたします。

開催日

  • 2023年5月30日(火) 10時30分 ～ 16時15分

修得知識

  • パワーデバイスの基礎
  • デバイス開発に向けた酸化ガリウム材料のメリット、デメリット
  • 酸化ガリウムデバイスの各種応用
  • 酸化ガリウムデバイスのデバイス作製技術
  • 酸化ガリウムデバイスのデバイス開発の進展
  • β型酸化ガリウムパワーデバイスの魅力
  • β型酸化ガリウムの結晶成長技術開発の最新動向
  • β型酸化ガリウムのパワーデバイス開発の最新動向
  • β型酸化ガリウムパワーデバイスの作り方
  • β型酸化ガリウムの課題とその解決方法

プログラム

第1部 酸化ガリウムの薄膜成長、動作原理とデバイス作製技術

(2023年5月30日 10:30〜14:30, 途中、昼休みを含む)

　喫緊の課題である地球温暖化を防ぐために世界中で低炭素社会実現を目指した取り組みが行われています。エレクトロニクス分野では、電力変換の高効率化が必要不可欠であり、そのためにはシリコンデバイスを超える高性能なパワーデバイスが必須です。日本発のパワーデバイス材料である酸化ガリウムは、その材料特性の持つ利点から炭化ケイ素デバイスや窒化ガリウムデバイスを凌ぐ高効率パワーデバイスの実現が期待されています。また、シリコン同様に融液成長法によりバルク製造が可能なため、安価に大口径単結晶基板を得られる可能性があり、コスト面においても大きなアドバンテージを持つと考えられます。さらに、酸化ガリウムデバイスは、高温、放射線、腐食性ガス環境にも耐えうる物性から極限環境におけるIoTを実現するデバイスとしての応用へも期待されています。
　本講演では、パワーデバイスの基礎から酸化ガリウムデバイス作製の要素技術と酸化ガリウムショットキーバリアダイオードとトランジスタ開発の進展について解説します。さらに、酸化ガリウムデバイスのパワーデバイス以外の応用として極限環境デバイスについても紹介します。

  1. パワーデバイスとそれを取り巻く背景
    1. パワーデバイスの役割
    2. なぜワイドバンドギャップ半導体?
    3. パワーデバイスの世界市場予測
    4. 酸化ガリウム (Ga2O3) とその他パワーデバイス材料の比較
    5. Ga2O3デバイスの応用分野
  2. Ga2O3エピタキシャル薄膜成長技術
    1. 分子線エピタキシー法 (MBE法)
    2. ハライド気相成長法 (HVPE法)
    3. 有機金属化学気相成長法 (MOCVD法)
  3. Ga2O3デバイス作製プロセスと要素技術
    1. ショットキーコンタクト
    2. イオン注入
    3. ドライ、ウェットエッチング
    4. ウエハボンディング
  4. Ga2O3ショットキーバリアダイオード (SBD) 開発
    1. SBDとは?
    2. Ga2O3 SBD開発の要件
    3. Ga2O3 SBDの高耐圧化技術
    4. 高耐圧Ga2O3 SBD
  5. 電界効果トランジスタ (MOSFET)
    1. MOSFETとは?
    2. MOSFET開発の要件
  6. 横型Ga2O3 MOSFET
    1. エンハンスメントモードGa2O3 MOSFET
    2. (AlxGa1-x) O3ヘテロ構造 Ga2O3 MOSFET
  7. 縦型Ga2O3 MOSFET
    1. 電流アパーチャ構造 Ga2O3 MOSFET
    2. エンハンスメントモードGa2O3 MOSFET
    3. 縦型Ga2O3 MOSFETの既存デバイスに対する優位性
  8. 極限環境デバイス開発
    1. 極限環境とは?
    2. Ga2O3 MOSFETの高温動作
    3. Ga2O3ガンマ線耐性
    4. 高周波Ga2O3 MOSFET
  9. まとめ
    • 質疑応答

第2部 β型酸化ガリウムの結晶成長とデバイス開発の最新動向

(2023年5月30日 14:45〜16:15)

  1. ノベルクリスタルテクノロジーの紹介
  2. β型酸化ガリウムパワーデバイスの魅力
  3. β型酸化ガリウムの結晶成長技術
    1. バルク結晶成長技術
    2. エピタキシャル成長技術
  4. β型酸化ガリウムのパワーデバイス応用
    1. ショットキーバリアダイオード
    2. トランジスタ
  5. β型酸化ガリウムパワーデバイスの課題と解決方法
    1. 熱伝導率が低い
    2. p型ドーピング
    3. ゲート絶縁膜の信頼性
  6. まとめ
    • 質疑応答
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講師

  • 上村 崇史 氏
    国立研究開発法人 情報通信研究機構 未来ICT研究所 小金井フロンティア研究センター グリーンICTデバイス研究室
    主任研究員
  • 佐々木 公平 氏
    株式会社ノベルクリスタルテクノロジー
    取締役 CTO
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主催

株式会社 技術情報協会
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お問い合わせ

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(主催者への直接のお問い合わせはご遠慮くださいませ。)

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: 50,000円 (税別) / 55,000円 (税込)
複数名
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    • 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 135,000円(税別) / 148,500円(税込)
  • 同一法人内による複数名同時申込みのみ適用いたします。
  • 受講券、請求書は、代表者にご郵送いたします。
  • 他の割引は併用できません。

アカデミック割引

  • 1名様あたり 30,000円(税別) / 33,000円(税込)

日本国内に所在しており、以下に該当する方は、アカデミック割引が適用いただけます。

  • 学校教育法にて規定された国、地方公共団体、および学校法人格を有する大学、大学院、短期大学、附属病院、高等専門学校および各種学校の教員、生徒
  • 病院などの医療機関・医療関連機関に勤務する医療従事者
  • 文部科学省、経済産業省が設置した独立行政法人に勤務する研究者。理化学研究所、産業技術総合研究所など
  • 公設試験研究機関。地方公共団体に置かれる試験所、研究センター、技術センターなどの機関で、試験研究および企業支援に関する業務に従事する方
  • 支払名義が企業の場合は対象外とさせていただきます。
  • 企業に属し、大学、公的機関に派遣または出向されている方は対象外とさせていただきます。

ライブ配信セミナーについて

  • 本セミナーは「Zoom」を使ったライブ配信セミナーとなります。
  • お申し込み前に、 視聴環境 と テストミーティングへの参加手順 をご確認いただき、 テストミーティング にて動作確認をお願いいたします。
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  • 講義の録音、録画などの行為や、権利者の許可なくテキスト資料、講演データの複製、転用、販売などの二次利用することを固く禁じます。
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    万が一、部外者が侵入した場合は管理者側で部外者の退出あるいはセミナーを終了いたします。
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