半導体デバイスの微細化・高集積化が進むにつれ、ドライエッチングに課せられる要求はますます厳しくなってきており、10nmノード以降では原子レベルで表面反応を制御するアトミックレイヤーエッチング (ALE) が必要となってきています。本セミナーでは、ドライエッチングの最新技術動向、プラズマダメージ、およびALEについて分かりやすく解説します。
　最新技術動向では、Low-k Cuダマシンエッチング、メタルゲート/High-kエッチング、FinFETエッチング、3D IC用エッチング技術、さらには最近注目されているマルチパターニングや3D NANDのHARCエッチングについて具体的なプロセスフローを用いて詳細に解説します。
　プラズマダメージに関してはチャージアップの発生メカニズム、各種エッチング装置のチャージアップアップ評価について解説し、プロセス面、ハードウェア面、デバイスデザインルール面からの対策方法を明らかにします。ここでは、生産現場で実際に起こった不良事例も紹介します。
　アトミックレイヤーエッチング (ALE) に関しては最初に原理と特徴について解説し、次にSi やGaN、AlGaNのALEで実際にその特徴が実現できることを示します。さらには10nmロジックデバイスへの適用が始まったSiO2のALEについて詳細に解説します。
　本セミナーは、長年半導体の製造現場に近い所で仕事をしていた講師の体験に基づいておりますので、実践的で密度の濃い内容になっており、ドライエッチングのプロを目指す方に最適な講座となっています。また、半導体材料メーカーのエンジニアの方々がドライエッチングの最新技術動向を理解し、また自分たちの技術が先端デバイスの中でどのように使われているのかを理解するのにも役立つセミナーです。

1. 最新技術動向
   1. Low-k Cuダマシンエッチング
   2. メタルゲート/ High-kエッチング
   3. FinFETエッチング
   4. マルチパターニング
      1. SADP
      2. SAQP
   5. 3D NAND/DRAM用HARCエッチング
   6. 3D IC用エッチング技術
2. ドライエッチングダメージ
   1. Si表面に導入されるダメージ
   2. チャージアップダメージ
      1. チャージアップダメージの評価方法
      2. チャージアップの発生メカニズム
      3. 各種エッチング装置のチャージアップ評価とその低減法
      4. パターンに起因したゲート酸化膜破壊
      5. デバイスデザインルールによるチャージアップダメージ対策
      6. チャージアップダメージによる不良事例
3. アトミックレイヤーエッチング (ALE)
   1. ALEの歴史
   2. 今なぜALEが必要か
   3. ALEの原理と特徴
   4. SiのALE
   5. GaN,AlGaNのALE
   6. SiO2のALE
4. おわりに ～ドライエッチング技術の今後の課題と展望～
• 質疑応答・名刺交換