フォトレジスト材料の開発は、G線、i線、KrFおよびArFエキシマーレーザーと、露光システムの変遷により、そのレジスト材料の骨格を変化させ、それぞれに対応したレジスト材料が開発されてきた。現在、極端紫外線 (EUV) 露光システムが実用段階として運用されようとしている。しかしながら、EUV露光システムの能力を十分に引き出せるレジスト材料が開発されていない。
　本テーマでは、これまで開発されてきたレジスト材料の基本的な構造を紹介しながら、レジスト材料の合成方法について、基本的な合成方法から最新の合成例について解説する。さらに、分子レジストや化学増幅型レジストの原理や合成方法について解説し、EUV用レジスト材料の研究開発例を紹介し、それらの問題点、および今後の分子設計方法について解説する。

1. レジスト材料
   1. 原理
   2. 合成例
   3. 最新の化学増幅型
2. ポジ型レジスト材料
   1. 材料的な特性
   2. 主な応用・用途
3. ネガ型レジスト材料
   1. 材料的な特性
   2. 主な応用・用途
4. 高分子レジスト材料と低分子レジスト
   1. 材料的な特性
   2. 主な応用・用途
5. EUV用レジスト材料の評価方法と開発方法の実例
   1. レジスト材料の評価項目,評価手法について
   2. レジスト材料の評価方法と開発例
6. 最新型EUV用レジスト材料
   1. メタルレジスト
   2. 化学増幅型レジストと非化学増幅型レジスト材料