技術セミナー・研修・出版・書籍・通信教育・eラーニング・講師派遣の テックセミナー ジェーピー
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(2023年6月12日 10:00〜11:30)
半導体デバイスは微細化が限界に近づいていることにより、パッケージ技術にもその性能向上の役割分担をさせるようになり、パッケージ技術も多様化複雑化してきた。ダイシングは、ウエハからチップを切り出す基本的な工程であるが、パッケージ技術の複雑化に伴い、切断材料の多様化、チップの極薄化、積層化、小チップ化などの要求に答える必要が出てきた。
本講では、パッケージ技術の進化とダイシング技術の関係について俯瞰的に解説する。
(2023年6月12日 12:30〜13:30)
半導体製造プロセスや各種電子部品製造プロセスでは切断個片化の手法の一つとしてブレードダイシングが多く用いられている。ブレードの選択、加工条件の選択によって、加工品位や加工効率は大きく異なってくるため、最適化を行うことは品質向上とコストダウンには非常に重要である。
本講演では加工結果に影響をおよぼすブレード構成要素を加工結果と合わせて紹介する。
(2023年6月12日 13:40〜14:40)
パワー半導体におけるエネルギーロスの低減やデバイス小型化の実現のため化合物半導体を使用した次世代パワー半導体 (SiC) が注目されている。しかしながらSiCウェハは高硬度のため、従来加工技術では多大な時間がかかることが課題であり、その改善要求が高まっている。 本セミナーでは高速切断が可能、カーフロスが発生しない、完全ドライプロセスであるスクライブ&ブレイクを応用したSiCウェハのチップ化について加工原理から説明し、加工品質に関する分析結果までを述べる。(2023年6月12日 14:50〜15:50)
ステルスダイシング技術について理解し、他工法に対する優位性について理解することができる。 現状の実績など市場動向について把握することができる。
(2023年6月12日 16:00〜17:00)
近年、モバイル端末の高性能化や薄型化、軽量化に伴い機器内部に搭載されるICパッケージの高密度化が追及されている。そのため、パッケージ内部のチップは薄型化し、その安定生産を実現するための材料開発が重要となっている。本講演では近年のダイシングテープに要求される性能やウェハ以外の特殊デバイスへの応用例についても紹介する。
日本国内に所在しており、以下に該当する方は、アカデミック割引が適用いただけます。
| 開始日時 | 会場 | 開催方法 | |
|---|---|---|---|
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| 2026/6/11 | 半導体 (IC) の製造工程と半導体用素部材の基本情報 | オンライン | |
| 2026/6/11 | 世界半導体産業への羅針盤 | オンライン | |
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| 2026/6/25 | 半導体デバイス・プロセス開発の実際 (2日間) | オンライン | |
| 2026/6/25 | 半導体デバイス・プロセス開発の実際 (前編) | オンライン | |
| 2026/6/25 | 半導体デバイス・プロセス開発の実際 (後編) | オンライン |
| 発行年月 | |
|---|---|
| 1988/2/1 | 半導体の故障モードと加速試験 |
| 1985/12/1 | アナログIC/LSIパターン設計 (Ⅰ) |
| 1985/11/1 | アナログIC/LSIパターン設計 (Ⅱ) |