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ALD (原子層堆積法) の基礎と高品質膜化および最新動向
ALD (原子層堆積法) の基礎と高品質膜化および最新動向
～反応機構、モニタリング、材料選択、プロセス設計、低温化、応用事例～
東京都 開催
会場 開催
本セミナーは終了いたしました。
開催日
- 2017年10月18日(水) 12時30分 ～ 16時30分
受講対象者
- 原子層堆積法 (ALD) に関連する技術者、開発者
- LSI
- MEMS
- 太陽電池
- 機械部品
- PETボトルへのコーティング 等
- 原子層堆積法 (ALD) で課題を抱えている方
修得知識
- 吸着反応機構
- 表面酸化
- モニタリング技術
- プロセス調整
プログラム
原子層堆積法は、ナノの酸化物薄膜を複雑形状にもコンフォーマルで形成できることから、LSI製造に利用されています。近年では、LSIのみならず、MEMS、太陽電池、機械部品、PETボトルへのコーティングにも活用が検討されています。原子層堆積での高品質膜の達成のため、表面反応を中心とした反応機構の理解と、モニタリング、そして適切な材料選択、プロセス調整の知識が欠かせません。
山形大学ではこれまで原子層堆積法のその場観察と低温化研究を進めてまいりましたが、我々の研究成果を題材に、原子層堆積法の特に表面反応を中心とした機構理解の達成を目標とします。さらに最新研究成果として3D – CoolALD (室温三次元成膜ALD) による各種酸化物膜の室温形成技術について解説いたします。
- 原子層堆積法の基礎
- 原子層堆積法とは
- 原子層堆積の開発の歴史
- 熱ALDとプラズマALD
- 事例紹介
- 原子層堆積における表面反応機構
- 原料分子の吸着反応 ～ラングミュア – 型解離吸着～
- 飽和吸着のモニタリング手法
- プリカーサーの選択
- 吸着表面の酸化反応
- 酸化種の選択
- 酸化物表面と水の反応
- 酸化物表面と水素脱離
- フォーミングアニールと界面層の問題
- 不純物モニタリング法
- 山形大学開発3D – CoolALD (室温三次元成膜ALD) の解説
- SiO2の室温形成事例とペットボトル・アクリル樹脂コーティング
- 生体親和膜TiO2の室温形成事例とペットボトルコーティング
- Al2O3の室温形成事例と防蝕 (防食) コーティング応用
- HfO2の室温形成事例
- 質疑応答・名刺交換
会場
主催
お支払い方法、キャンセルの可否は、必ずお申し込み前にご確認をお願いいたします。
受講料
1名様
:
46,278円 (税別) / 49,980円 (税込)
割引特典について
- R&D支援センターからの案内登録をご希望の方は、割引特典を受けられます。
- 1名でお申込みいただいた場合、1名につき 43,750円 (税別) / 47,250円 (税込)
- 複数名で同時にお申し込みいただいた場合、1名につき 23,139円 (税別) / 24,990円 (税込)
- 案内登録をされない方は、1名につき 46,278円 (税別) / 49,980円 (税込)
本セミナーは終了いたしました。
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