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酸化ガリウムパワーデバイスの概要、開発動向と今後の展望
酸化ガリウムパワーデバイスの概要、開発動向と今後の展望
東京都 開催
会場 開催
本セミナーは終了いたしました。
開催日
- 2017年8月25日(金) 10時30分 ～ 16時30分
プログラム
酸化ガリウム (Ga2O3) は、次世代パワーデバイス用途の新半導体材料として期待されるに足る、優れた材料物性を有する。
また、原理的に大口径かつ高品質な単結晶基板を、融液成長法により安価かつ簡便に作製することができるという、産業上の大きな魅力も合わせ持つ。
本講演では、最初に現状の半導体パワーデバイス研究開発の背景について述べた後、Ga2O3パワーデバイスの位置づけ、魅力、現在までの研究開発状況、課題、および今後の展望などについて解説する。
- はじめに
- パワーエレクトロニクスとは?
- 次世代パワーデバイスが求められる社会的背景
- パワーエレクトロニクスについて基礎知識
- 酸化ガリウムの材料物性、結晶成長技術
- 酸化ガリウムの特徴 (SiC, GaNとの比較から)
- 単結晶バルク融液成長
- エピタキシャル薄膜成長
- 酸化ガリウムデバイス開発動向
- トランジスタ
- ショットキーバリアダイオード
- 光デバイス (LED、紫外受光素子など)
- 酸化ガリウムパワーデバイスへの期待と展望
- 海外における酸化ガリウムデバイスの開発状況
- 今後の課題、展望
- 質疑応答
講師
会場
主催
お支払い方法、キャンセルの可否は、必ずお申し込み前にご確認をお願いいたします。
受講料
1名様
:
50,000円 (税別) / 54,000円 (税込)
複数名
:
45,000円 (税別) / 48,600円 (税込)
複数名同時受講割引について
- 2名様以上でお申込みの場合、
1名あたり 45,000円(税別) / 48,600円(税込) で受講いただけます。- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 50,000円(税別) / 54,000円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 90,000円(税別) / 97,200円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 135,000円(税別) / 145,800円(税込)
- 同一法人内による複数名同時申込みのみ適用いたします。
- 受講券、請求書は、代表者にご郵送いたします。
- 他の割引は併用できません。
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