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SiCおよびGaN基板表面の原子レベル平坦化技術

SiCおよびGaN基板表面の原子レベル平坦化技術

～砥粒を用いない革新的ダメージレス研磨技術～
東京都 開催 会場 開催
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概要

半導体基板表面の基礎から解説し、SiC基板・GaN基板表面を原子レベルで平坦化可能な「触媒表面基準エッチング法」について詳解いたします。

開催日

  • 2011年5月26日(木) 13時00分 ～ 16時30分

受講対象者

  • 生産技術の研究開発に携わる方
  • 安全保障貿易管理上、日本人のみとさせていただきます

修得知識

  • SiC半導体の・GaN半導体の基礎
  • 半導体基板表面の研磨・平坦化の基礎
  • 触媒表面基準エッチング法の基礎
  • 触媒表面基準エッチング法の平坦化事例

プログラム

　SiC/GaNパワーデバイスは、Siパワーデバイスに比べ低損失動作が可能であることから、パワーコンディショナや車載用インバータ等への実用化が期待されている。
　一般にこれらのデバイスはホモエピタキシャル薄膜上に形成されるため、原子レベルで平坦な単結晶基板が望まれる。
　本講義では、半導体基板表面の一般的な平坦化技術について紹介するとともに、SiCおよびGaN基板表面を原子レベルで平坦化可能な触媒表面基準エッチング法について研究開発状況等を紹介する。

  1. はじめに
    1. SiCの概要
    2. GaNの概要
    3. 従来研磨技術と平坦化例
  2. 触媒表面基準エッチング法によるSiC基板表面の平坦化
    1. 触媒表面基準エッチング法の基礎概念
    2. 白金触媒とフッ化水素酸を用いた平坦化基礎実験
    3. 加工メカニズムの考察
    4. ウエハ全面平坦化加工装置
    5. ウエハ全面平坦化結果
    6. 加工面の各種評価
  3. 触媒表面基準エッチング法によるGaN基板表面の平坦化
    1. 固体酸・塩基触媒と紫外線照射を用いた平坦化基礎実験
    2. バイアス電圧印加の効果
    3. 加工面の各種評価
  4. 今後の展望
    1. エピタキシャル用基板以外への応用
    2. 大口径化に向けて
  • 質疑応答・名刺交換・個別相談
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会場

タイム24ビル

4階 研修室

東京都 江東区 青海2丁目4-32
タイム24ビルの地図
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主催

株式会社 R&D支援センター
お支払い方法、キャンセルの可否は、必ずお申し込み前にご確認をお願いいたします。

お問い合わせ

本セミナーに関するお問い合わせは tech-seminar.jpのお問い合わせからお願いいたします。
(主催者への直接のお問い合わせはご遠慮くださいませ。)

受講料

1名様
: 45,000円 (税別) / 47,250円 (税込)
複数名
: 47,600円 (税別) / 49,980円 (税込) (案内をご希望の場合に限ります)

割引特典について

  • R&D支援センターからの案内登録をご希望の方は、割引特典を受けられます。
    • 1名でお申込みいただいた場合、1名につき47,250円 (税込)
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    • 案内登録をされない方、1名につき49,980円 (税込)
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