技術セミナー・研修・出版・書籍・通信教育・eラーニング・講師派遣の テックセミナー ジェーピー
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無欠陥で均一な金属被覆が形成可能、ポリマーに高い密着性を有する金属薄膜が析出可能とった利点を有し、半導体配線・MEMS形成・ウェアラブルデバイスへの応用が期待される「超臨界ナノプレーティング法」。
本セミナーでは、超臨界ナノプレーティング法の原理や特長から、無電解めっき法への応用、銅埋め込みやフィルム・繊維への金属析出といった半導体配線・ウェアラブルデバイスへの応用、今後の展開など、基礎から応用・最新情報までを解説いたします。
講演者は、超臨界二酸化炭素を電解めっき法に応用することを提案し、長年研究を続けている。詳細には、超臨界二酸化炭素は電解質溶液と混合しないが界面活性剤を添加することにより乳濁化が可能であることに着目し、超臨界二酸化炭素/電解質溶液のエマルション状態を電気化学反応の反応場に応用することを提案している。
この乳濁化により液面が上昇して系全体が通電し、電気化学反応を行うことができる。電気めっき反応は極めて制御性の高い高効率な電気化学反応であり、超臨界流体という低粘性媒体で行うことができれば様々な利点が生まれることは明白である。この超臨界二酸化炭素を含むエマルションを反応場として用いた新規めっき反応を、超臨界ナノプレイティング (SNP) と命名した。SNP法によりピンホールが無い高品質めっき皮膜が得られ、その皮膜のレベリング効果が高いことが明らかになった。ピンホールは、めっき浴中の水の電気分解により陰極板表面に発生した水素ガスが原因であることが知られている。ピンホールが無い理由としては、SNP法では、電気化学反応場は超臨界二酸化炭素とめっき液のエマルションであることから、金属の析出反応と同時に発生する水素が超臨界二酸化炭素に相溶することが考えられる。この析出反応とほぼ同時に行われる基板上の水素気泡の洗浄により、ピンホール及びクラックの発生が抑えられたものと考えられている。電解めっき反応において、ピンホールを無くすことにより、無欠陥のめっきが得られることで様々な技術的展開が得られる。
講演者は、このSNP法を用いて様々な金属の無欠陥の高速金属被膜析出技術、ボイドフリーの半導体銅配線技術を開発した。また、無電解めっき方法にこのSNP法を利用することで、ノジュール発生の抑制、高分子皮膜への均一金属被覆、更に最近には、糸一本への金属被覆を実現している。これらの技術は、半導体配線技術、MEMS形成技術、ウェアラブルデバイスへの応用が期待される。
本講演では、このSNP法でどのようなことができるのかについて述べる。
教員、学生および医療従事者はアカデミー割引価格にて受講いただけます。
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