半導体デバイスの微細化・高集積化が進むにつれ、ドライエッチングに課せられる要求はますます厳しくなってきています。ロジックデバイスでは3nmノードからGAA (Gate ALL Around) 構造が採用され、また1.4nmノード以降の配線は、これまでのCuダマシンから、Ruなどの金属材料をエッチングして形成する方式に変わると予想されています。フラッシュメモリは3次元化され、既に200層以上の3D NANDが量産されています。また、10nmノード以降のデバイスでは原子レベルで表面反応を制御するアトミックレイヤーエッチング (ALE) が必要となってきています。半導体のスマートファクトリでは、装置自身が自己診断してメインテナンス時期を知ったり、プロセス条件のずれを修正するような、いわゆるインテリジェントツールが求められています。本セミナーでは、ドライエッチングの最新技術動向、ALEおよびインテリジエントツールについて分かりやすく解説します。
　セミナーでは、最初に本講座を理解する上で必要とされるドライエッチングの基礎について解説します。次に最先端ドライエッチング技術として、マルチパターニング、FinFETやGAAなどのロジックFEOLエッチング、1.4nm以降のロジック配線エッチング、さらには3D NANDのHARエッチングについて具体的なプロセスフローを用いて詳細に解説します。3D NANDのHARエッチングでは、最近話題になっている超低温 (クライオ) エッチングについても解説します。ALEに関しては最初に原理と特徴について解説し、次にALEで実際にその特徴が実現できることを示します。さらには10nmロジックデバイスから量産適用が始まったSiO2のALEや、GAAや3D NANDのような3次元構造デバイスで必要とされる等方性ALEについて詳細に解説します。インテリジェントツールに関しては、チャンバーモニタリング、セルフメインテナンス、フィードフォワード/フィードバック制御やバーチャルメトロロジー (VM) を中心に解説します。
　本セミナーは、長年半導体の製造現場に近い所で仕事をしていた講師の体験に基づいておりますので、実践的で密度の濃い内容になっており、ドライエッチングのプロを目指す方に最適な講座となっています。また、半導体装置メーカー、コンポーネントメーカー、材料メーカーのエンジニアの方々がドライエッチングの最新技術動向を理解し、また自分たちの技術が先端デバイスの中でどのように使われているのかを理解するのにも役立つセミナーです。

1. ドライエッチングの基礎
   1. デバイスの微細化・高集積化のトレンドとドライエッチング技術の進展
   2. ドライエッチングの概要
   3. 異方性エッチングのメカニズム
   4. SiエッチングとSiO2エッチング
   5. ドライエッチング装置
2. マルチパターニング
   1. SADP
   2. SAQP
3. ロジックFEOLエッチング
   1. メタルゲート/ High-kエッチング
   2. FinFETエッチング
   3. GAAエッチング
4. ロジックBEOLエッチング
   1. Low-k Cuダマシンエッチング
   2. 1.4nm以降の配線エッチング
   3. D NAND用HARエッチング
   4. HARエッチングのキーパラメータ
   5. クライオエッチング
5. アトミックレイヤーエッチング (ALE)
   1. ALEの原理と特徴
   2. EPCのイオンエネルギー依存性
   3. EPCとスパッタ閾値を決めるファクター
   4. 表面平滑性
   5. SiO2 ALEのSACプロセスへの応用
   6. 等方性サーマルALEとその応用
6. スマートファクトリ対応インテリジェントツール
   1. スマートファクトリとインテリジェントツール
   2. チャンバーモニタリング
   3. セルフメインテナンス
   4. フィードフォワード/フィードバック制御
   5. バーチャルメトロロジー (VM)
   6. インテリジェントサブシステム
7. おわりに – 今後の課題と展望
• 質疑応答・名刺交換