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ALD (原子層堆積法) の基礎とプロセス最適化および最新技術動向

ALD (原子層堆積法) の基礎とプロセス最適化および最新技術動向

東京都 開催 会場 開催
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    • 概要

    本セミナーは、 ALD , CVD の基礎から解説し、CVD/ALDプロセスの開発・解析能力を養うことを目標とします。

    開催日

    • 2025年2月28日(金) 10時30分 ～ 16時30分

    受講対象者

    • CVD/ALDに関連する技術者
      • 高誘電膜
      • 機能性膜
      • 電極
      • バリアメタル
      • 絶縁膜
      • 化合物半導体
      • リチウム電池 など

    修得知識

    • ALDプロセスの基本的な特徴
    • ALDプロセスの最適化
    • 各種のALDプロセスの応用事例
    • QCM (Quartz Crystal Microbalance) によるその場観察の手法
    • 最先端半導体作製へのALD応用など最新技術動向

    プログラム

    　最先端半導体集積回路の作製に必須となっているALD (Atomic Layer Deposition、原子層堆積法) は、数ナノメートル程度の極薄膜作製手法として膜厚の制御性や再現性に優れ、3次元立体構造への均一製膜なども可能であるという特徴を持っています。そのため、ULSIゲート酸化膜形成、メモリキャパシタ形成などに応用展開されています。また、簡単な装置構成でも薄膜形成が可能であることから、各種コーティング用途にも利用されるようになりました。
    　しかし、そのプロセスは原料の供給、パージ、反応性ガスの供給、パージなどからなり、各段階での条件設定はかなり複雑であり、速度論の基礎的知識なしには容易に最適化を達成できません。本講座では、まずALDの基礎知識を養い、プロセスの最適化の指針を理解することを目標とします。また、ALDプロセスの理想と実際について、原理およびメカニズムから詳しく解説を行い、新たにALDプロセス開発・製品応用に関わる方の一助となるよう配慮した講義を行います。
    　ALDプロセスの基本的な特徴と応用範囲の基本を習得できます。また、各種のALDプロセスの応用事例や、最先端半導体デバイスへの応用など最新の研究開発動向について学びます。その他に、原料ガスや反応ガス選択の指針や、その場観察手法として利用されているQCM (Quartz Crystal Microbalance) などの解析手法についても学習できます。

    1. 薄膜作製プロセス概論とALD活用への展開
      1. 薄膜の種類と用途
      2. 薄膜ドライプロセスとウェットプロセス
      3. CVD (Chemical Vapor Deposition) プロセスの速度論と活用
      4. 半導体集積回路 (ULSI) の微細化・高集積化とALDプロセス採用の流れ
    2. ALDプロセスの概要と特徴
      1. ALD (Atomic Layer Deposition) プロセスの概要と製膜特性
      2. ALDプロセスの歴史的発展
      3. ALDプロセスの応用事例
        • 最先端ULSI
        • DRAM
        • 3D NAND等
      4. ALD装置形態と装置・材料市場
      5. ALD製膜可能な材料と原料ガス
      6. ALE (Atomic Layer Etching) (原子層エッチング)
      7. AS (Area Selective) – ALD (選択成長)
    3. ALDプロセスの理想と現実、最適化方針
      1. ALD Windowとは?
      2. 物理吸着の影響と対策
      3. 反応律速の影響と対策
      4. 原料ガス熱分解の影響と対策
      5. 原料ガス脱離の影響と対策
    4. Ni薄膜のHW (Hot Wire)-ALD
      1. Ni原料ガスと反応ガスの選定
      2. HW-ALDの製膜特性
      3. 物理吸着の影響と対策
      4. ラジカルの反応性評価
    5. ALDプロセスの高スループット化と課題
      1. GPC (Growth per Cycle) とCT (Cycle Time) の最適化
      2. GPCに対する原料ガス吸着の立体障害効果
      3. ALD理想特性を発現させるための条件 (蒸気圧と吸着特性)
    6. 原料ガスの蒸気圧推算
      1. 蒸気圧推算の基礎
      2. COSMO-SAC法による蒸気圧推算
      3. COSMO-SAC法の修正と原料ガス蒸気圧推算結果
    7. QCM (Quartz Crystal Microbalance) を用いたALDその場観察
      1. QCM (Quartz Crystal Microbalance) の基礎
      2. QCM測定の高精度化・高速化
      3. QCMによるTMA (トリメチルアルミニウム) の吸着特性評価 (実例紹介)
    8. ALDプロセスの初期核発生・成長と選択成長
      1. 初期核発生とインキュベーションサイクル
      2. インキュベーションサイクルと選択成長
      3. 光反射を利用した初期核発生・成長のその場観察、表面処理の影響
    9. ULSI金属多層配線形成におけるALDの活用
      1. ULSI金属多層配線の課題と対策
      2. 高信頼性多層配線形成へのASD (Area Selective Deposition) の活用
      3. Co薄膜のALD成長 (原料ガス吸着特性と表面反応)
      4. 高選択性ASD実現の基本方針
      5. 表面処理とALEを活用した高選択性Co-ASDプロセス
    10. ALD関連国際学会の最新情報
      1. ASD2024 (2024年4月)
      2. ALD/ALE2024 (2024年8月)
      • 質疑応答・名刺交換
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    講師

    • 霜垣 幸浩 氏
      東京大学 大学院 工学系研究科 マテリアル工学専攻
      教授
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    会場

    品川区立総合区民会館 きゅりあん

    5F 第4講習室

    東京都 品川区 東大井5丁目18-1
    品川区立総合区民会館 きゅりあんの地図
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    主催

    サイエンス＆テクノロジー 株式会社
    お支払い方法、キャンセルの可否は、必ずお申し込み前にご確認をお願いいたします。

    お問い合わせ

    本セミナーに関するお問い合わせは tech-seminar.jpのお問い合わせからお願いいたします。
    (主催者への直接のお問い合わせはご遠慮くださいませ。)

    受講料

    1名様
    : 47,500円 (税別) / 52,250円 (税込)
    複数名
    : 25,000円 (税別) / 27,500円 (税込)

    複数名受講割引

    • 2名様以上でお申込みの場合、1名あたり 25,000円(税別) / 27,500円(税込) で受講いただけます。
      • 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 47,500円(税別) / 52,250円(税込)
      • 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 50,000円(税別) / 55,000円(税込)
      • 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 75,000円(税別) / 82,500円(税込)
    • 同一法人内 (グループ会社でも可) による複数名同時申込みのみ適用いたします。
    • 受講券、請求書は、代表者にご郵送いたします。
    • 請求書および領収書は1名様ごとに発行可能です。
      申込みフォームの通信欄に「請求書1名ごと発行」とご記入ください。
    • 他の割引は併用できません。
    • サイエンス&テクノロジー社の「2名同時申込みで1名分無料」価格を適用しています。

    アカデミー割引

    教員、学生および医療従事者はアカデミー割引価格にて受講いただけます。

    • 1名様あたり 10,000円(税別) / 11,000円(税込)
    • 企業に属している方(出向または派遣の方も含む)は、対象外です。
    • お申込み者が大学所属名でも企業名義でお支払いの場合、対象外です。
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    開始日時 会場 開催方法
    2025/1/22 CVD・ALD装置の反応プロセス解析事例と展開 オンライン
    2025/1/28 CVD・ALD装置の反応プロセス解析事例と展開 オンライン
    2025/1/29 薄膜作製の基礎とトラブル対策 オンライン
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    2025/2/5 先端半導体デバイスの多層配線技術と2.5D/3Dデバイス集積化 オンライン
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