第1章 めっき皮膜構造・物性および無電解めっきの基礎

第1節 金属結晶構造と物性

• 1. 金属の結晶構造
  • 1.1 体心立方構造、面心立方構造、最密六方構造
  • 1.2 単結晶、多結晶、アモルファス
  • 1.3 結晶性欠陥
    • 1.3.1 点欠陥
    • 1.3.2 線状欠陥
    • 1.3.3 界面欠陥
• 2. 金属材料の機械的性質
  • 2.1 弾性変形
  • 2.2 塑性変形
  • 2.3 引張り特性
  • 2.4 残留応力と応力除去
• 3. 金属材料の物理的性質
  • 3.1 熱的性質
  • 3.2 電気的性質
  • 3.3 磁気的性質
  • 3.4 光学的性質

第2節 基材のバルク・表面物性および金属皮膜との密着性

• 1. 基材の結合の種類
  • 1.1 イオン結合
  • 1.2 共有結合
  • 1.3 金属結合
  • 1.4 水素結合
  • 1.5 ファンデルワールス結合
  • 1.6 配位結合
• 2. 基材の表面物性
  • 2.1 金属材料表面
  • 2.2 半導体表面
  • 2.3 セラミックス表面
  • 2.4 高分子材料表面
• 3. 界面の密着強度
  • 3.1 金属-金属の結合
  • 3.2 無機物-金属、有機物-金属の結合

第3節 無電解めっき皮膜構造・物性および残留応力と密着性

• 1. 無電解めっき皮膜構造
• 2. めっき皮膜の物性
  • 2.1 機械的特性
  • 2.2 電気的特性
  • 2.3 磁気的特性
  • 2.4 耐食性
• 3. めっき皮膜の残留内部応力
• 4. めっき皮膜の密着性

第4節 無電解めっきの溶液化学

• 1. めっきに用いる緩衝液の基礎
  • 1.1 緩衝作用の原理
  • 1.2 緩衝作用の大きさ
  • 1.3 緩衝剤の種類
• 2. めっき液における錯形成反応の基礎
  • 2.1 金属と配位子の錯形成能力
  • 2.2 錯形成反応の速度
  • 2.3 錯形成平衡
    • 2.3.1 生成定数
    • 2.3.2 配位子の副反応と条件生成定数
    • 2.3.3 金属イオンの副反応と条件生成定数

第5節 無電解めっきの電気化学

• 1. 電極電位
  • 1.1 標準電極電位
  • 1.2 錯体の標準電極電位
  • 1.3. ネルンスト式
  • 1.4. 電位-pH図(プールベ線図)
• 2. 電極反応速度
  • 2.1 電荷移動過程の速度式
  • 2.2 ターフェル式
  • 2.3 電極触媒作用
    • 2.3.1 水素電極反応
    • 2.3.2 酸素電極反応
    • 2.3.3 還元物質の酸化反応
    • 2.3.4 金属析出反応
    • 2.3.5 金属の析出電位と水素過電圧の関係
• 3. 析出メカニズム
• 4. 無電解めっきの原理
  • 4.1 ボルタ電池と局部電池
  • 4.2 局部電池反応と混成電位
  • 4.3 無電解めっき反応と混成電位
• 5. 無電解めっきの析出過程

第2章 各種無電解めっき技術

第1節 無電解金めっき(Au)技術

• 1. 分類
  • 1.1 硬度による析出膜の分類
  • 1.2 金めっき液の分類
• 2. 基本的な浴の構成とその問題点
• 3. 各論
  • 3.1 シアン系無電解金めっき
  • 3.2 ノーシアン無電解金めっき
• 4. 新しい無電解金めっき
  • 4.1 無電解硬質金めっき
  • 4.2 マイクロバンプ形成用ノーシアン無電解金めっき

第2節 無電解金めっき浴および白金族の無電解めっき浴の種類とその特性

• 1. 無電解金めっき浴の分類
• 2. 無電解金めっき浴の成分の働き
  • 2.1 金塩
  • 2.2 金の錯化剤
  • 2.3 還元剤
  • 2.4 他の添加剤
• 3. 置換型無電解金めっき
  • 3.1 置換金(正式名称:酸性シアン系置換型無電解金めっき)
    • 3.1.1 析出機構
    • 3.1.2 浴組成
    • 3.1.3 半導体パッケージ(無電解Ni/Au)への適用
  • 3.2 下地触媒金(正式名称:中性ノンシアン系下地触媒型無電解金めっき)
    • 3.2.1 析出機構
    • 3.2.2 浴組成
• 4. 自己触媒型無電解金めっき
  • 4.1 析出機構
  • 4.2 アルカリシアン還元金(正式名称:アルカリシアン系自己触媒型無電解金めっき)
    • 4.2.1 概要
    • 4.2.2 浴組成
    • 4.2.3 鉛塩とタリウム塩による促進効果
    • 4.2.4 空気攪拌による浴安定化
  • 4.3 ノンシアン還元金(正式名称:中性ノンシアン系自己触媒型無電解金めっき)
    • 4.3.1 概要
    • 4.3.2 浴組成
    • 4.3.3 亜硫酸金錯体浴の安定性に及ぼす影響
    • 4.3.4 金マイクロバンプ形成への適用
  • 4.4 置換還元金(正式名称:中性シアン系自己触媒型無電解金めっき)
    • 4.4.1 概要
    • 4.4.2 浴組成
    • 4.4.3 半導体パッケージ(無電解Ni/Pd/薄Au)への適用
• 5. 他の無電解めっき
  • 5.1 無電解パラジウムめっき
    • 5.1.1 概要
    • 5.1.2 浴組成
  • 5.2 無電解白金めっき
    • 5.2.1 概要
    • 5.2.2 浴組成

第3節 無電解ニッケル(Ni)めっき技術

• 1. 無電解Niプロセス
  • 1.1 無電解Niめっき液の構成
    • 1.1.1 金属塩
    • 1.1.2 還元剤
    • 1.1.3 pH調整剤
    • 1.1.4 錯化剤・緩衝剤
    • 1.1.5 安定剤
    • 1.1.6 その他の添加剤
  • 1.2 無電解Niめっき浴の運用条件
    • 1.2.1 pHの影響
    • 1.2.2 温度の影響
  • 1.3 めっき浴の連続運用
  • 1.4 熱処理
• 2. 無電解Niめっき皮膜の物性
  • 2.1 Ni-Pめっき皮膜のリン含有量による分類
  • 2.2 Ni-Bめっき皮膜の特性
  • 2.3 無電解Niめっきの各種物性
    • 2.3.1 硬さ
    • 2.3.2 耐摩耗性
    • 2.3.3 耐食性
    • 2.3.4 電気抵抗値
    • 2.3.5 はんだ特性
    • 2.3.6 磁気特性
• 3. 無電解Ni合金めっき
• 4. 無電解Ni複合めっき
• 5. 無電解Niめっきの応用
• 6. 最近のトレンド
  • 6.1 Pbフリー無電解ニッケルめっき液
  • 6.2 長寿命化技術とリサイクル技術

第4節 プラスチックへの無電解めっき技術

• 1. プラスチックめっきの特徴
• 2. めっき工程
  • 2.1 ABS樹脂
  • 2.2 前処理工程
    • 2.2.1 脱脂
    • 2.2.2 整面
    • 2.2.3 エッチング
    • 2.2.4 中和
    • 2.2.5 コンディショナー
    • 2.2.6 触媒付与および活性化
  • 2.3 無電解めっき
  • 2.4 電気めっき工程
    • 2.4.1 ストライクめっき
    • 2.4.2 硫酸銅めっき
    • 2.4.3 ニッケルめっき
    • 2.4.4 クロムめっき
• 3. その他のプラスチックめっきで用いられる樹脂
  • 3.1 ポリアミド樹脂
  • 3.2 変性ポリフェニレンエーテル樹脂
  • 3.3 ポリカーボネート樹脂,およびPC-ABSアロイ樹脂
  • 3.4 ポリブチレンテレフタレート樹脂
  • 3.5 ポリアセタール樹脂
  • 3.6 スーパーエンプラ
  • 3.7 エポキシ樹脂
• 4. フィラー(充填剤)
• 5. 今後の展開
  • 5.1 直接電気めっき法
  • 5.2 エッチング方法

第3章 高密着性無電解めっきに向けた金属触媒の調整と評価

• 1. コロイドの固定化・吸着
• 2. 貴金属コロイドの無電解めっき触媒への応用
  • 2.1 白金コロイドによるシアンフリー無電解金めっき
  • 2.2 高効率パラジウムコロイド触媒の開発
  • 2.3 無電解白金めっき
• 3. 密着強度測定
  • 3.1 無電解めっき薄膜の密着強度測定
  • 3.2 厚付け後の銅めっき膜の剥離強度強化
• 4. めっきメカニズムの解析
• 5. まとめ

第4章 無電解ニッケルめっき廃液の処理とリサイクル技術

• 1. 溶媒抽出と抽出剤の発展
• 2. 分離係数と抽出等温線
• 3. レアメタルリサイクルのための溶媒抽出
  • 3.1 コバルトのリサイクルの動向
  • 3.2 ニッケルのリサイクルの動向
  • 3.3 無電解ニッケルめっき廃液のリサイクル技術
• 4. リサイクルの展望

第5章 無電解めっき膜の分析・信頼性評価

• 1. 無電解めっき膜に利用される表面解析法の種類と特徴
• 2. 無電解めっき膜の分析例
  • 2.1 表面形態の観察
  • 2.2 めっき膜の断面観察
  • 2.3 皮膜の元素分析
• 3. めっき膜の密着性の指針