第1部 EUVレジスト材料の超高感度、超高解像度に向けた分子設計

(2017年11月29日 10:30〜12:00)

　極端紫外線 (EUV) レジスト材料は、EUVフォトレジストシステムを実用化するためには必要不可欠な研究課題である。しかしながら、未だに分子設計指針を模索中である。その中で、高解像性レジスト材料を達成させるために試行錯誤してきた方法、および今後の可能性についてまとめた。

1. EUVレジストの課題
   1. 化学増幅型レジストシステムを応用したEUVレジストシステム
   2. 解像度、ラフネス、感度の関係
2. レジストの分子サイズとレジストパタンの関係
3. 分子レジスト材料の例
   1. カリックスアレーンタイプ
   2. フェノール樹脂タイプ
   3. 特殊骨格タイプ
   4. 光酸発生剤 (PAG) 含有タイプ
   5. 金属含有ナノパーテイクルを用いた高感度化レジスト材料の開発
4. 主鎖分解型ハイパーブランチポリアセタール
• 質疑応答

第2部 EUVレジストのアウトガス制御と評価技術

(2017年11月29日 12:45〜14:15)

1. EUVLの概要
2. EUVL用のレジスト
3. アウトガス評価および制御
4. EUVレジストの評価
5. EUVL国際シンポジウムのトピックス
• 質疑応答

第3部 フォトレジスト材料を中心とした感光性ポリマーの基礎と高感度化の手法

(2017年11月29日 14:30〜16:00)

　光酸発生剤、光塩基発生剤の選択の仕方と利用法、ならびに高感度・ 高解像度化に関する方法論、分子デザインについて述べる。

1. 背景 – 酸・塩基触媒を使用した光反応性材料 –
2. 光酸発生剤
   1. 光酸発生剤の構造と特性
   2. UV硬化への応用
3. 酸増殖剤の特性と応用
   1. 酸増殖剤の構造と特性
   2. UV硬化材料への応用
   3. EUVレジストへの応用
4. 光塩基発生剤の特性と応用
   1. 非イオン性光塩基発生剤の系
   2. イオン性光塩基発生剤系の系
5. 塩基増殖剤の特性と応用
   1. 塩基増殖剤の構造と特性
   2. 光反応性材料への応用
6. まとめ
• 質疑応答