第1部 ウェットエッチングプロセスとその高機能化および エッチング特性評価

(2017年4月24日 10:30〜12:00)

1. 結晶異方性エッチングにおける基本特性
   1. エッチング速度の結晶方位依存性
   2. エッチング液濃度および温度依存性
   3. 結晶異方性エッチングモデル
   4. 表面粗さの結晶方位依存性
   5. エッチング液種の違い (KOHとTMAHの違い)
2. 結晶異方性エッチングにおける注意事項
   1. エッチピット発生メカニズムとその対策
   2. マイクロピラミッド発生メカニズムとその対策
   3. 液中不純物の影響
3. エッチング特性対する添加物の影響
   1. 金属イオンの影響
   2. 界面活性剤の影響
4. エッチング加工の高機能化
   1. アンダーカット現象のメカニズムとその対策
   2. 多層マスクによるエッチング形状の多面体化
   3. エッチング加工の高速化
   4. 異方性エッチングによるスキャロッピングの選択的除去
• 質疑応答

第2部 再現性・精度向上のためのMEMSエッチングでのエッチング液やエッチング装置の使い方、その応用

(2017年4月24日 12:40〜14:00)

1. MEMSエッチングの概論
   1. MEMSエッチングの背景や経緯
   2. 他のエッチングプロセスとの違い
2. エッチング剤の選び方・使い方
   1. 選び方、使い方 (レシピ・処方)
   2. 各種材料のウエットエッチング技術
3. ウエットエッチング装置の選び方・使い方
   1. 選び方
   2. 使い方 (レシピ・処方)
4. 応用 (特殊機能性薬剤)
   1. アルミ・アルミ合金テーパーエッチング剤
   2. アルミ防食シリコン異方性エッチング剤
   3. アルミ防食絶縁膜エッチング剤
• 質疑応答

第3部 化合物半導体およびシリコン系材料の ウェットエッチング液と半導体プロセスへの応用

(2017年4月24日 13:50〜15:20)

　化合物半導体やシリコン系材料のウェットエッチング技術は、光通信用レーザなどの半導体デバイスを開発、製造する際に不可欠な技術である。
　本講演では、これら材料のウェットエッチングの原理、各種ウェットエッチング液、そして半導体プロセスへの応用例を、メーカの開発現場を長く経験してきた講師が、実経験を交えながら分かりやすく解説する。また、ウェットエッチングの課題と、解決に向けた最新の研究成果を紹介する。

1. 光デバイスの構造、作製プロセスとエッチング技術への要求
   1. デバイス構造と材料
   2. エッチング工程への要求
2. ウェットエッチングとドライエッチングの比較
   1. 加工形状
   2. 損傷
3. 化合物半導体ウェットエッチングの基礎
   1. エッチング液の構成
   2. エッチング反応
   3. 選択エッチング
   4. 律速過程
   5. 面方位依存性
4. 各種材料のウェットエッチング液
   1. 化合物半導体 (InP、GaAs、GaN)
   2. Si系材料 (Si、SiN、SiO2)
5. ウェットエッチングの課題と新技術
   1. 半導体デバイスの微細化/三次元化動向
   2. ウェットエッチングの課題
   3. 原子層レベルドライ除去
• 質疑応答

第4部 エッチングプロセスの解析と エッチング液の選択指針

(2017年4月24日 15:30〜17:00)

　オレフィン系樹脂へのグラフト反応メカニズムおよび構造について分析結果をもとに紹介する。また、無水マレイン酸変性ポリプロピレンのグラフト率/分子量バランスに着目し、その特性について述べる。

1. ウエットエッチングとは
2. 異方性エッチングとは
3. エッチングメカニズムの概略
4. 仕上がり形状に関するエッチング実験
5. エッチングプロセスについて
6. 反応メカニズムについて
7. 仕上がり形状のシミュレーション
8. シリコン半導体ボールへの応用例など
9. エッチング液の選択指針について
• 質疑応答