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CVD/ALDプロセスの反応解析、メカニズムとプロセス最適化

CVD/ALDプロセスの反応解析、メカニズムとプロセス最適化

~成膜装置内の流れ、熱の解析から化学反応機構を理解する / 良好な薄膜を得るためのプロセス最適化の考え方を解説~
オンライン 開催

アーカイブ配信で受講をご希望の場合、視聴期間は2024年8月5日〜15日を予定しております。
アーカイブ配信のお申し込みは2024年8月5日まで承ります。

概要

本セミナーでは、反応工学と熱流体解析法の基礎から解説し、CVD装置で起きている化学反応、原子層堆積 (ALD) 法について解説いたします。
また、化学反応の様子を実験的に観察・測定する方法、気相化学種や得られた膜の様子から反応の推定する方法、プラズマCVDの反応を観察し整理した例、副生成物から見えることについて解説いたします。

開催日

  • 2024年8月5日(月) 10時30分 2024年8月15日(木) 16時30分

受講対象者

  • 薄膜形成の反応プロセスと装置を理解し、改善したい技術者
  • 新たな薄膜形成手法とプロセスを開発したい技術者
  • CVDとALDの装置を設計・開発したい技術者
  • 化学反応を自由に捉えたい研究者・技術者
  • これからCVDとALDに取り組む技術者

修得知識

  • CVD法の基礎
  • CVD法の基本現象
  • 熱流体と反応場の捉え方
  • 気相化学種から反応を推定する方法
  • 膜質から反応を推定する方法
  • 成膜結果の関数化表現
  • 副生成物の挙動と影響
  • 最適化の考え方

プログラム

 化学気相堆積 (CVD) 法と原子層堆積 (ALD) 法は、様々な薄膜を形成する際に広く用いられている方法です。これは、流れ、熱、反応物質の輸送に気相・表面の化学反応が絡む現象であるため、難しく見えて来ます。
 そこで成膜装置で起きている化学反応を解析するために、化学反応の基礎と熱れの解析、その場観察法、膜の分析法を紹介します。次に、それらを用いて成膜機構を解析し、設計し、検証した事例を紹介します。複雑に見えるプラズマ成膜の解析事例、排ガス管内堆積物から見える成膜現象、なども紹介します。最後に、CVDプロセスを最適化するために考えるべきことについて議論します。

  1. 序論
    1. CVD法とALD法の原理、成膜理由、装置、事例、条件と要因
    2. 微細化と成膜方法の使い分け
  2. 化学反応速度の基礎
    1. 反応速度式の考え方
    2. 律速過程
  3. 表面反応・気相反応
    1. 表面反応・気相反応
    2. 反応の場所と膜質の関係
  4. その場観察方法
    1. その場観察で得られる情報の例
    2. ガス採取場所の選択と注意
    3. 四重極質量分析法、圧電性結晶振動子法、赤外分光法
  5. 膜の分析方法
    1. 膜厚・反応・膜質に関わる測定方法
    2. X線光電子分光法、赤外分光法・ラマン分光法、二次イオン質量分析法、エネルギー分散型X線分光法
    3. 分析結果の解釈に困った時
  6. 反応の場を考慮した反応解析事例
    1. 流れを把握する必要性
    2. CVD装置内のガス流れなど:観察例と数値計算例
    3. 圧電性結晶振動子による観察例
      • 水晶
      • ランガサイト
    4. 装置の形とドーパント濃度分布 (実測と解析)
    5. 基板回転の効果
      • 膜厚平均化
      • 流れの引寄せ
    6. CVD装置の操作と膜厚・膜質 (数値解析)
    7. ALD装置内の流れと熱 (数値解析例)
  7. 膜分析とガス分析の活用事例
    1. 排ガス分析と数値解析による成膜反応とドーピング反応のモデル構築
    2. 前駆体の組合せによる反応設計と検証の例
      • クロロシラン
      • メチルシラン
      • 三塩化ホウ素
    3. 炭化ケイ素成膜機構の例
    4. 窒化ガリウム成膜機構の例
    5. プラズマCVDによる多元系成膜の解析例
  8. 副生成物から推定される反応機構
    1. 排ガス管内堆積物
    2. クロロシランによるSiとSiCの成膜時の堆積物
  9. 最適化の考え方
    1. 装置内全体の反応と堆積物
    2. 副生成物から推定される成膜反応状態
    3. 装置クリーニング
    4. 諸成膜要因の効果と活用
    5. 解析・モデル化の進め方
  10. まとめ
    • 質疑応答

講師

主催

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お問い合わせ

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(主催者への直接のお問い合わせはご遠慮くださいませ。)

受講料

1名様
: 50,000円 (税別) / 55,000円 (税込)
複数名
: 45,000円 (税別) / 49,500円 (税込)

複数名同時受講割引について

  • 2名様以上でお申込みの場合、1名あたり 45,000円(税別) / 49,500円(税込) で受講いただけます。
    • 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 50,000円(税別) / 55,000円(税込)
    • 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 90,000円(税別) / 99,000円(税込)
    • 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 135,000円(税別) / 148,500円(税込)
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  • 1名様あたり 30,000円(税別) / 33,000円(税込)

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  • 文部科学省、経済産業省が設置した独立行政法人に勤務する研究者。理化学研究所、産業技術総合研究所など
  • 公設試験研究機関。地方公共団体に置かれる試験所、研究センター、技術センターなどの機関で、試験研究および企業支援に関する業務に従事する方
  • 支払名義が企業の場合は対象外とさせていただきます。
  • 企業に属し、大学、公的機関に派遣または出向されている方は対象外とさせていただきます。

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