半導体のプラズマエッチング工程におけるSiおよびAlのエッチングレートの疎密差、寸法シフト、アンダーカット、およびSiO2エッチングにおけるボーイングおよびレジストの劣化現象について、エッチングメカニズムを含め概説する。
　さらに、エッチング寸法モデルをベースにした、プロセス制御によるCD安定化 (APC) について概説する。

1. 背景
   1. 半導体のトレンド
   2. エッチングの多様化、多層化
   3. エッチング装置の概略
2. SiおよびAlのエッチング
   1. 反応生成物付着を考慮したイオンアシストエッチング
   2. 付着および反応の温度依存性
   3. SiおよびAlのマイクロローディング解析
   4. CDシフト (加工寸法) のメカニズム
   5. 温度制御によるSiおよびAlの加工CD均一化
3. SiO2エッチング
   1. ナローギャップエッチング装置と選択性
   2. HARC加工におけるボーイング制御技術
   3. ArFレジスト劣化の抑制
4. ゲートCDのプロセス制御技術
   1. CDシフトのメカニズム解析をベースにした加工CDのモデル化
   2. モデルベースのプロセス制御によるCDの安定化
   3. モデルの可搬性の検証
   4. 実デバイス部 (SRAM) 部のCDモデル

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