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CVD装置・ALD装置における化学反応・プロセス・流れ解析と最適化

CVD装置・ALD装置における化学反応・プロセス・流れ解析と最適化

～装置、反応とプロセス最適化 / 化学気相堆積法 (CVD) /原子層堆積法 (ALD) を基礎から解説 / 熱とプラズマの中で起きている化学反応、成膜メカニズム～
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    • 概要

    本セミナーでは、反応工学と熱流体解析法の基礎から解説し、CVD装置で起きている化学反応、原子層堆積 (ALD) 法について解説いたします。
    また、化学反応の様子を実験的に観察・測定する方法、気相化学種や得られた膜の様子から反応の推定する方法、プラズマCVDの反応を観察し整理した例、副生成物から見えることについて解説いたします。

    配信期間

    • 2026年8月17日(月) 10時30分 ～ 2026年8月28日(金) 16時30分

    お申し込みの締切日

    • 2026年8月17日(月) 10時30分

    受講対象者

    • 薄膜形成の反応プロセスと装置を理解し、改善したい技術者
    • 新たな薄膜形成手法とプロセスを開発したい技術者
    • CVDとALDの装置を設計・開発したい技術者
    • 化学反応を自由に捉えたい研究者・技術者
    • これからCVDとALDに取り組む技術者

    修得知識

    • CVD法とALD法の基本現象
    • 成膜装置全体に起こっている現象の捉え方
    • 色々な情報を用いて化学反応と流れを推定する方法
    • 成膜結果の関数化表現と活用例
    • 副生成物の挙動と影響
    • 最適化の考え方
    • 装置部材、センサーなどが晒される状態
    • 装置状態の検知と維持管理の要点

    プログラム

    　化学気相堆積 (CVD) 法と原子層堆積 (ALD) 法は、半導体をはじめとする様々な薄膜を形成する際に広く用いられている方法です。これには、流れ、熱、反応物質の輸送に気相・表面の化学反応が並行するため、複雑な印象を受けてしまいます。
    　そこで熱とプラズマの中で起きている化学反応と流れを観察し、解析することにより成膜機構を理解した事例、工夫した事例、排ガス管内堆積物から成膜機構を推定した事例などを紹介します。成膜装置全体で生じている現象の全体像を理解して実務に活かし、装置と工程の維持・管理・最適化に繋げることが可能です。装置、反応とプロセスを進歩させる入口になれば幸いです。

    1. 序論
      1. CVD法とALD法の基礎
        • CVD法とALD法の原理
        • 成膜理由
        • 装置
        • 事例
        • 条件と要因
        • 反応励起方法
      2. 微細化と成膜方法の使い分け
    2. 化学反応速度の基礎
      1. 化学反応の基礎と反応速度式の考え方
      2. 律速過程
    3. 表面反応・気相反応
      1. 表面反応・気相反応
      2. 諸要因と膜質
        • 反応の場所
        • 膜と基板
        • 温度環境
        • 格子定数
        • 熱膨張など
    4. その場観察方法
      1. ガス採取場所の選択と注意
      2. 主な方法
        • 四重極質量分析法
        • 圧電性結晶振動子法
        • 赤外分光法
    5. 膜の分析方法
      1. 膜厚・反応・膜質に関わる測定方法
        • XPS
        • SIMS
        • EDX など
      2. 分析結果の解釈に困った時
    6. 反応の場を考慮した反応解析事例
      1. 流れの方向と膜厚の関係:観察例と数値計算例
      2. 装置の形と膜質
        • ドーパント濃度分布の実測と解析
      3. 基板回転の効果
        • 膜厚平均化
        • 流れの引寄せによる成膜高速化
      4. ALD装置内の流れと熱
        • 数値解析例
    7. 膜分析とガス分析の活用事例
      1. 成膜とドーピングの反応機構構築
        • 排ガス分析
        • 数値解析
      2. 前駆体相互作用の解釈と反応設計
        • クロロシラン
        • メチルシラン
        • 三塩化ホウ素
      3. 炭化ケイ素と窒化ガリウムの成膜機構の例
      4. 多元系膜のプラズマCVD反応機構解析例
    8. 副生成物から推定される反応機構
      1. 製膜装置内の場所と副生成物の特徴
      2. クロロシランによるSiとSiCの成膜時の副生成物
        • 危険性と解消法
    9. 最適化の考え方
      1. 諸成膜要因の効果と活用
        • 温度
        • 濃度
        • 流量
        • 律速過程
        • 回転
      2. 装置内全体の反応状態と堆積物
        • 膜と副生成物
      3. 装置クリーニングと装置部材の耐腐食性
      4. 解析・モデル化の進め方
        • 要因の発見と機構の決定
    10. まとめ
      • 質疑応答
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    講師

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    主催

    サイエンス＆テクノロジー 株式会社
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    お問い合わせ

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    (主催者への直接のお問い合わせはご遠慮くださいませ。)

    受講料

    1名様
    : 38,200円 (税別) / 42,020円 (税込)
    複数名
    : 25,000円 (税別) / 27,500円 (税込)

    複数名受講割引

    • 2名様以上でお申込みの場合、1名あたり 25,000円(税別) / 27,500円(税込) で受講いただけます。
      • 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 38,200円(税別) / 42,020円(税込)
      • 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 50,000円(税別) / 55,000円(税込)
      • 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 75,000円(税別) / 82,500円(税込)
    • 同一法人内 (グループ会社でも可) による複数名同時申込みのみ適用いたします。
    • 請求書は、代表者にご送付いたします。
    • 請求書および領収書は1名様ごとに発行可能です。
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    • 他の割引は併用できません。
    • サイエンス&テクノロジー社の「2名同時申込みで1名分無料」価格を適用しています。

    アカデミー割引

    教員、学生および医療従事者はアカデミー割引価格にて受講いただけます。

    • 1名様あたり 10,000円(税別) / 11,000円(税込)
    • 企業に属している方(出向または派遣の方も含む)は、対象外です。
    • お申込み者が大学所属名でも企業名義でお支払いの場合、対象外です。

    アーカイブ配信セミナー

    • 「ビデオグ」を使ったアーカイブ配信セミナーとなります。
    • 当日のセミナーを、後日にお手元のPCなどからご視聴ができます。
    • お申し込み前に、 視聴環境 をご確認いただき、 視聴テスト にて動作確認をお願いいたします。
    • 別途、ID,パスワードをメールにてご連絡申し上げます。
    • 視聴期間は2026年8月17日〜28日を予定しております。
      ご視聴いただけなかった場合でも期間延長いたしませんのでご注意ください。
    • セミナー資料は、PDFファイルをダウンロードいただきます。
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    • ご視聴は、お申込み者様ご自身での視聴のみに限らせていただきます。不特定多数でご覧いただくことはご遠慮下さい。
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