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ドライエッチングにおけるプロセス制御と形状制御

ドライエッチングにおけるプロセス制御と形状制御

東京都 開催 会場 開催
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概要

本セミナーでは、ドライエッチングの基礎から解説し、エッチングにおける劣化トラブルと抑制技術、プロセス制御によるCD安定化について解説いたします。

開催日

  • 2011年10月31日(月) 13時00分 ～ 16時30分

受講対象者

  • ドライエッチングに関連する技術者
    • 半導体のエッチング
    • ボーイング制御
    • マイクロローディング
    • ゲートCDの安定化
    • ゲートCDのプロセス制御 など

修得知識

  • ドライエッチングの基礎
  • SiO2エッチングにおけるボーイング・レジストの劣化と抑制
  • ゲートCDのプロセス制御技術

プログラム

　半導体のプラズマエッチング工程におけるSiおよびAlのエッチングレートの疎密差、寸法シフト、アンダーカット、およびSiO2エッチングにおけるボーイングおよびレジストの劣化現象について、エッチングメカニズムを含め概説する。
　さらに、エッチング寸法モデルをベースにした、プロセス制御によるCD安定化 (APC) について概説する。

  1. 背景
    1. 半導体のトレンド
    2. エッチングの多様化、多層化
    3. エッチング装置の概略
  2. SiおよびAlのエッチング
    1. 反応生成物付着を考慮したイオンアシストエッチング
    2. 付着および反応の温度依存性
    3. SiおよびAlのマイクロローディング解析
    4. CDシフト (加工寸法) のメカニズム
    5. 温度制御によるSiおよびAlの加工CD均一化
  3. SiO2エッチング
    1. ナローギャップエッチング装置と選択性
    2. HARC加工におけるボーイング制御技術
    3. ArFレジスト劣化の抑制
  4. ゲートCDのプロセス制御技術
    1. CDシフトのメカニズム解析をベースにした加工CDのモデル化
    2. モデルベースのプロセス制御によるCDの安定化
    3. モデルの可搬性の検証
    4. 実デバイス部 (SRAM) 部のCDモデル
  • 質疑応答・名刺交換
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講師

  • 伊澤 勝 氏
    株式会社 日立ハイテク ナノテクノロジーソリューション事業統括本部
    主管技師長
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会場

品川区立総合区民会館 きゅりあん

5階 第1講習室

東京都 品川区 東大井5丁目18-1
品川区立総合区民会館 きゅりあんの地図
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主催

サイエンス＆テクノロジー 株式会社
お支払い方法、キャンセルの可否は、必ずお申し込み前にご確認をお願いいたします。

お問い合わせ

本セミナーに関するお問い合わせは tech-seminar.jpのお問い合わせからお願いいたします。
(主催者への直接のお問い合わせはご遠慮くださいませ。)

受講料

1名様
: 40,000円 (税別) / 42,000円 (税込)
複数名
: 33,000円 (税別) / 34,650円 (税込)

複数名同時受講の割引特典について

  • 2名で参加の場合、1名につき 7,350円割引
  • 3名で参加の場合、1名につき 10,500円割引 (同一法人に限ります)
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