はじめに

Chapter 1 FPD (Flat Panel Display) 技術動向

• はじめに
• 1. Society 5.0と第5世代移動通信システム (5G)
• 2. 30V型4KフレキシブルOLEDディスプレイ開発
• 3. 高精細VR用TFT-LCD
• 4. Human Machine Interface
• 5. グリーンプロセス
• おわりに

Chapter 2 究極のディスプレイを目指すTFT-LCD

• 1. IGZO-TFT
• 2. 大型8Kディスプレイ用光配向技術による新規液晶ディスプレイモード“UV2 AⅡ”
  • 2.1 はじめに
  • 2.2 UV2 A (Ultra-Violet induced multi-domain Vertical Alignment)
    • 2.2.1 UV2 Aとは
    • 2.2.2 UV2 A製造プロセス
  • 2.3 UV2 AⅡ製造プロセス
  • 2.4 ディスプレイ特性
    • 2.4.1 透過率
    • 2.4.2 応答時間
    • 2.4.3 視野角
  • 2.5 結論
  • 2.6 著者見解
• 3. BT.2020仕様を満たす17型レーザーバックライト8K液晶ディスプレイ
  • 3.1 はじめに
  • 3.2 レーザーバックライト
  • 3.3 120 Hz駆動用SLC-IPS-LCD
  • 3.4 著者見解
• 4. 集積化インセル電磁共鳴センサーと静電容量式タッチセンサー
  • 4.1 はじめに
  • 4.2 インセルEMR技術の原理と背景
    • 4.2.1 インセルEMRペンセンシング
    • 4.2.2 従来のEMRセンサーとインセルEMRセンサーの構造比較
  • 4.3 インセルEMRを用いた9.7インチ反射型LCDのプロトタイプ
  • 4.4 結果
    • 4.4.1 ディスプレイ画像に関連するSNR
    • 4.4.2 LCD表面の手のひらでのSNR評価
  • 4.5 結論
  • 4.6 著者所見
• 5. タッチセンサーと触覚センサーを集積化した8.4型TFT-LCD
  • 5.1 はじめに
  • 5.2 システム構成
  • 5.3 触覚強度安定化のための駆動スキーム
  • 5.4 プロトタイプのデモ
  • 5.5 結論
  • 5.6 著者所見
• 6. ギラツキとその評価
  • 6.1 はじめに
  • 6.2 ギラツキとは
  • 6.3 ギラツキ評価システム
    • 6.3.1 ギラツキ測定法
    • 6.3.2 ギラツキの定義
    • 6.3.3 測定結果
  • 6.4 解像度の測定評価法
  • 6.5 反射分布の測定評価法
  • 6.6 透過分布の測定評価法
  • 6.7 まとめ
  • 6.8 著者所見

Chapter 3 日進月歩のAMOLED

• 1. OLEDの動向と材料開発
  • 1.1 はじめに
  • 1.2 OLEDデバイス構造と材料
    • 1.2.1 OLED発光材料
    • 1.2.2 新発光方式向け蛍光発光材料
  • 1.3 絶縁層・平坦化層用感光性ポリイミド
  • 1.4 フレキシブル基板ポリイミド
  • 1.5 有機波長変換材料
  • 1.6 OLED分析技術 (東レリサーチセンター)
    • 1.6.1 分析ロードマップ
    • 1.6.2 OLED分析例
  • 1.7 おわりに
  • 1.8 著者所見
• 2. i3 -opera (アイ・キューブオペラ) 事業紹介
  • 2.1 はじめに
  • 2.2 i3 -operaの事業内容
    • 2.2.1 OLED素子製作と評価プラットフォーム
    • 2.2.2 企業様の目的に応じた共同研究・共同開発
    • 2.2.3 材料開発・プロセス開発におけるコンサルティング
  • 2.3 i3 -operaのコア技術
    • 2.3.1 OLED素子製作技術
    • 2.3.2 量子ドット (QD) 材料評価
    • 2.3.3 材料評価技術
    • 2.3.4 IHを利用した新規蒸着装置の開発
  • 2.4 おわりに
  • 2.5 著者所見
• 3. 山形大学有機エレクトロニクスイノベ—ションセンター (INOEL)
  • 3.1 はじめに
  • 3.2 フレキシブル基盤技術研究グループ
  • 3.3 高機能ステンレス箔を用いたフレキシブルOLED
  • 3.4 ロールtoロール (R2R) 法による電極付きバリアフィルム作製
  • 3.5 印刷法によるOLEDパッケージ (IonT)
  • 3.6 3次元PCBの製造プロセスおよび用途開発 (F2E)
  • 3.7 印刷型フレキシブル有機薄膜太陽電池
  • 3.8 OLED用無機バリア層形成技術
  • 3.9 著者所見
• 4. インピーダンス分光法による有機半導体,有機デバイスの電子物性評価
  • 4.1 はじめに
  • 4.2 インピーダンス分光
    • 4.2.1 インピーダンス分光とは
    • 4.2.2 ISの測定
    • 4.2.3 ISの解析
    • 4.2.4 キャリア移動度測定法
  • 4.3 二重注入デバイス (OLED)
    • 4.3.1 低分子型と高分子型
    • 4.3.2 PLEDの作製と特性
    • 4.3.3 負のキャパシタンス
    • 4.3.4 デバイス特性とISの相関性
  • 4.4 おわりに
  • 4.5 著者所見
• 5. フラスク社
  • 5.1 はじめに
  • 5.2 フラスクの事業モデル
  • 5.3 有機ELの特徴と製品リスト
  • 5.4 有機ELの応用例
  • 5.5 有機ELの歴史と山形大学の取り組み
  • 5.6 まとめ
  • 5.7 著者所見
• 6. ブイ・テクノロジー社
  • 6.1 はじめに
  • 6.2 縦型蒸着装置
  • 6.3 ファインハイブリッドマスク (FHM)
  • 6.4 BLDA (Blue Laser Diode Annealing)
  • 6.5 まとめ

Chapter 4 レーザーディスプレイと周辺技術

• 1. レーザーディスプレイ・照明の課題と展望
  • 1.1 はじめに
  • 1.2 半導体レーザーダイオードとは
  • 1.3 LDのディスプレイおよび照明への応用
  • 1.4 3原色レーザー光源
  • 1.5 レーザーヘッドランプ
  • 1.6 IoTステーション
    • 1.6.1 NEDO「エネルギー・環境新技術先導プログラム/更なる省エネ照明社会の実現に資するIoTステーション」
    • 1.6.2 IoTステーションの基本原理検証
    • 1.6.3 高速光走査デバイスの実現
    • 1.6.4 高効率多色可視光半導体レーザーの方向付け
  • 1.7 LDの機能要素実証
  • 1.8 まとめ
  • 1.9 著者所見
• 2. オキサイド社のレーザー用蛍光体と関連装置
  • 2.1 はじめに
  • 2.2 EPOCH
    • 2.2.1 EPOCHの特徴
  • 2.3 ファイバー出力レーザー励起光源装置
  • 2.4 蛍光体評価装置
  • 2.5 まとめ
  • 2.6 著者所見
• 3. カラースペックル測定装置
  • 3.1 はじめに
  • 3.2 スペックルノイズとは
  • 3.3 スペックル測定装置
    • 3.3.1 Dr.SPECKLE Model:SM01VS09
    • 3.3.2 Dr.SPECKLE Model:SM01VS11
    • 3.3.3 Dr.SPECKLE Series Optional Software「M-Speckle」
  • 3.4 画質評価装置
  • 3.5 まとめ
  • 3.6 著者所見

Chapter 5 プリンテッドデバイス と周辺技術

• 1. グリーンプロセスとは
  • 1.1 電子デバイス製造の限界
  • 1.2 現行生産方式の課題とグリーンプロセス
    • 1.2.1 投資生産性とは
    • 1.2.2 グリーンプロセスとは
  • 1.3 ダイレクト・デジタル・ファブリケーション
  • 1.4 グリーンプロセス技術を実現するための装置・部材メーカーの役割
  • 1.5 グリーンプロセスを用いたデバイスが目指す市場
  • 1.6 装置・部材メーカーの役割
    • 1.6.1 装置メーカーの役割
    • 1.6.2 部材メーカーの役割
• 2. プリンテッドデバイス技術
  • 2.1 はじめに
  • 2.2 山形大学有機エレクトロニクス研究センター
    • 2.2.1 プリンテッドデバイス技術部門
  • 2.3 印刷材料と印刷技術
    • 2.3.1 印刷材料
    • 2.3.2 印刷技術
      • 凸版反転印刷
      • 平板型反転オフセット印刷
      • R2Rフレキソ印刷
      • 大型R2Rインクジェット印刷装置
      • 3D印刷
  • 2.4 センサ
    • 2.4.1 有機TFT型バイオセンサ
    • 2.4.2 温度センサ
    • 2.4.3 歪センサ
    • 2.4.4 強誘電高分子応用
  • 2.5 有機センサと電子回路の一体化
    • 2.5.1 背景と目的
    • 2.5.2 研究内容
    • 2.5.3 マルチセンシングシステム
    • 2.5.4 フレキシブルハイブリッドエレクトロニクス (FHE)
  • 2.6 センサの社会実証と社会実装
    • 2.6.1 フューチャーインク
    • 2.6.2 圧電センサシート
• 3. 高解像度R2Rプロセス技術と応用
  • 3.1 はじめに
  • 3.2 高解像度R2Rプロセス技術
  • 3.3 メタルメッシュ型透明導電膜 (TCF: Transparent Conductive Films)
  • 3.4 反射型偏光フィルム WGFTM
    • 3.4.1 WGFT™とは
    • 3.4.2 HC & HT gradeの光学性能
    • 3.4.3 信頼性試験
    • 3.4.4 特徴
    • 3.4.5 用途
  • 3.5 おわりに
• 4. 東レ社のナノテクノロジー
  • 4.1 はじめに
  • 4.2 塗布型CNTを用いたRFID
    • 4.2.1 RFID (Radio Frequency Identifier)
    • 4.2.2 カーボンナノチューブ (CNT) TFTによるCMOS回路
    • 4.2.3 目標性能
  • 4.3 伸縮性フィルム
    • 4.3.1 柔軟性と復元性
    • 4.3.2 特徴
  • 4.4 PICASUS® VT
    • 4.4.1 PICASUS® VTの特徴
    • 4.4.2 用途
  • 4.5 PICASUS® UV
    • 4.5.1 PICASUS® UVの特徴
  • 4.6 透明アラミドフィルム
    • 4.6.1 特徴
  • 4.7 RAYBRID®
    • 4.7.1 RAYBRID®
    • 4.7.2 特徴
  • 4.8 おわりに
• 5.プリンテッドデバイス用エポキシフィルム
  • 5.1 はじめに
  • 5.2 エポキシ樹脂フィルムの可能性
    • 5.2.1 高分子エポキシフィルム
    • 5.2.2 伸縮性エポキシフィルム
  • 5.3 結論

Chapter 6 酸化物半導体のLSIへの応用

• 1. はじめに
• 2. 酸化物半導体の特徴
• 3. 酸化物半導体LSI
• 4. DOSRAM極低消費電力メモリ
• 5. N off CPU® (Normally- Off Central Processing Unit)
• 6. NOSRAM® (Nonvolatile Oxide Semiconductor Random Access Memory)
• 7. おわりに
• おわりに
  ※現在編集中のため、目次は一部変更となる場合がございます。予めご了承ください。