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フレキシブルディスプレイの最新トレンドとALD (原子層堆積) 技術

フレキシブルディスプレイの最新トレンドとALD (原子層堆積) 技術

～酸化物薄膜トランジスタの基礎からALD技術・応用まで～
東京都 開催 会場 開催
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開催日

  • 2019年10月29日(火) 10時30分 ～ 16時30分

修得知識

  • ディスプレイの基本原理
  • 半導体工学の基礎
  • 酸化物薄膜トランジスタの基礎
  • 低温多結晶シリコンの基礎
  • 信頼性評価技術の基礎
  • ディスプレイ材料分析技術の基礎
  • 高性能薄膜トランジスタの作製技術
    • IGZOなど酸化物半導体
    • LTPS (低温多結晶シリコン半導体) など
  • フレキシブルディスプレイに特有な信頼性劣化現象
  • 高性能化技術の最新動向

プログラム

　フレキシブルディスプレイの開発が加速されている。本セミナーでは、その発展を支えるコア技術として、IGZOなど酸化物半導体やLTPS (低温多結晶シリコン半導体) などを基本材料とした高性能薄膜トランジスタの作製技術について詳しく紹介する。また、フレキシブルディスプレイに特有な信頼性劣化現象や高性能化技術の最新動向について、プロにも初学者にもわかりやすく説明する。
　さらに、ALD (原子層堆積) 技術の基礎とその応用技術についても紹介する。

  1. ディプレイの歴史
  2. ディスプレイの基本動作原理
  3. 低温多結晶薄膜トランジスタ (LTPS) の基礎
    1. シリコン薄膜の結晶化技術
    2. 低温多結晶薄膜トランジスタのプロセス技術
    3. 低温多結晶薄膜トランジスタデバイス構造
    4. 低温多結晶薄膜トランジスタ高性能化技術
    5. 低温多結晶薄膜トランジスタの高信頼性化技術
    6. LTPSの新規応用技術
  4. 酸化物薄膜トランジスタの基礎
    1. 酸化物薄膜トランジスタの基礎物性
    2. 酸化物薄膜の低温形成技術
    3. 酸化物薄膜トランジスタのプロセス技術
      1. 真空プロセス技術
      2. 液体 (印刷) プロセス
    4. 酸化物薄膜トランジスタのデバイス構造
    5. 酸化物薄膜トランジスタの高性能化技術
    6. 酸化物薄膜トランジスタの高信頼性化技術
  5. 原子層堆積 (ALD) 技術
    1. 原子層堆積 (ALD) 技術の基礎
    2. 原子層堆積 (ALD) 技術により形成した薄膜素子の特性
  6. フレキシブルディスプレイの最新動向
    • 質疑応答・名刺交換
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講師

  • 浦岡 行治 氏
    奈良先端科学技術大学院大学 マテリアル研究プラットフォームセンター
    センター長
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会場

品川区立総合区民会館 きゅりあん

4F 研修室

東京都 品川区 東大井5丁目18-1
品川区立総合区民会館 きゅりあんの地図
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主催

サイエンス＆テクノロジー 株式会社
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お問い合わせ

本セミナーに関するお問い合わせは tech-seminar.jpのお問い合わせからお願いいたします。
(主催者への直接のお問い合わせはご遠慮くださいませ。)

受講料

1名様
: 42,750円 (税別) / 47,020円 (税込)
複数名
: 22,500円 (税別) / 24,750円 (税込)

複数名同時受講の割引特典について

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    • 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 67,500円(税別) / 74,250円(税込)
  • 同一法人内 (グループ会社でも可) による複数名同時申込みのみ適用いたします。
  • 受講券、請求書は、代表者にご郵送いたします。
  • 請求書および領収書は1名様ごとに発行可能です。
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