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ALD (原子層堆積法) の基礎・表面反応と高品質薄膜形成

Atomic Layer Deposition

ALD (原子層堆積法) の基礎・表面反応と高品質薄膜形成

東京都 開催 会場 開催
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概要

本セミナーでは、LSI、MEMS、太陽電池、機械部品、各種製品へのコーティングなどへの応用が期待されるALD (原子層堆積法) について基礎から解説し、ALDによる薄膜形成の問題と対策について解説いたします。

開催日

  • 2018年7月20日(金) 13時00分 ～ 16時30分

受講対象者

  • ALDに関連する技術者
    • 高誘電膜
    • 機能性膜
    • 電極
    • バリアメタル
    • 絶縁膜
    • 化合物半導体
    • LSI
    • MEMS
    • リチウム電池
    • 太陽電池
    • 機械部品
    • 各種製品へのコーティングなど

修得知識

  • 原子層堆積法の基礎
  • 吸着反応機構
  • 表面酸化
  • モニタリング技術
  • プロセス調整

プログラム

　原子層堆積法は、ナノの酸化物薄膜を複雑形状にもコンフォーマルで形成できることから、LSI製造に利用されています。近年では、LSIのみならず、MEMS、太陽電池、機械部品、PETボトルへのコーティングにも活用が検討されています。原子層堆積での高品質膜の達成のため、表面反応を中心とした反応機構の理解と、モニタリング、そして適切な材料選択、プロセス調整の知識が欠かせません。
　山形大学ではこれまで原子層堆積法のその場観察と低温化研究を進めてまいりましたが、我々の研究成果を題材に、原子層堆積法の特に表面反応を中心とした機構理解の達成を目標とします。さらに最新研究成果として3D – CoolALD (室温三次元成膜ALD) による各種酸化物膜の室温形成技術について紹介いたします。

  1. 原子層堆積法の基礎
    1. 原子層堆積法とは?
    2. 原子層堆積の開発の歴史
    3. 熱ALDとプラズマALD
    4. 事例紹介
  2. 原子層堆積における表面反応機構
    1. 原料分子の吸着反応 ～ラングミュア – 型解離吸着～
    2. 飽和吸着のモニタリング手法
    3. プリカーサーの選択
    4. 吸着表面の酸化反応
    5. 酸化種の選択
    6. 酸化物表面と水の反応
    7. 酸化物表面と水素脱離
    8. フォーミングアニールと界面層の問題
    9. 不純物モニタリング法
  3. 山形大学開発3D – CoolALD (室温三次元成膜ALD) のご紹介
    1. SiO2の室温形成事例とペットボトル・アクリル樹脂コーティング
    2. 生体親和膜TiO2の室温形成事例とペットボトルコーティング
    3. Al2O3の室温形成事例と防蝕コーティング応用
    4. HfO2の室温形成事例
    • 質疑応答・名刺交換
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講師

  • 廣瀬 文彦 氏
    山形大学 大学院 理工学研究科
    教授
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会場

芝エクセレントビル KCDホール

5F 第2講習室

東京都 港区 浜松町二丁目1番13号 芝エクセレントビル
芝エクセレントビル KCDホールの地図
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主催

サイエンス＆テクノロジー 株式会社
お支払い方法、キャンセルの可否は、必ずお申し込み前にご確認をお願いいたします。

お問い合わせ

本セミナーに関するお問い合わせは tech-seminar.jpのお問い合わせからお願いいたします。
(主催者への直接のお問い合わせはご遠慮くださいませ。)

受講料

1名様
: 38,000円 (税別) / 41,040円 (税込)
複数名
: 20,000円 (税別) / 21,600円 (税込)

複数名同時受講の割引特典について

  • 2名様以上でお申込みの場合、
    1名あたり 20,000円(税別) / 21,600円(税込) で受講いただけます。
    • 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 38,000円(税別) / 41,040円(税込)
    • 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 40,000円(税別) / 43,200円(税込)
    • 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 60,000円(税別) / 64,800円(税込)
  • 同一法人内 (グループ会社でも可) による複数名同時申込みのみ適用いたします。
  • 受講券、請求書は、代表者にご郵送いたします。
  • 請求書および領収書は1名様ごとに発行可能です。
    申込みフォームの通信欄に「請求書1名ごと発行」と記入ください。
  • 他の割引は併用できません。
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