技術セミナー・研修・出版・書籍・通信教育・eラーニング・講師派遣の テックセミナー ジェーピー
技術セミナー・研修・出版・書籍・通信教育・eラーニング・講師派遣の テックセミナー ジェーピー
本セミナーでは、シリコン、SiC、GaNデバイスと比較しながら、酸化ガリウムパワーデバイスの最新技術と課題について、学会等での内容を紹介しながら丁寧に解説いたします。
シリコンパワーデバイスは超接合型MOSFETならびにトレンチFS-IGBT型の誕生で特性限界に近づきつつあるといわれており、いよいよワイドバンドギャップパワー半導体の登場も現実となってきた。最近のSiCならびにGaNデバイスの製品化発表が相次いでいる。オン抵抗に代表される低損失特性は目を見張るものの、長期信頼性に関しては特有の課題があり未だ解決の余地があるようである。また、SiCやGaNよりもさらにバンドギャップが大きい酸化ガリウムを使ったパワー半導体の研究開発も最近盛んになってきた。酸化ガリウムの特徴な何か、SiCやGaNに比べて何がいいのか、課題はなにか。また素子設計をする上でのポイントは何かあるのか?など、シリコン、SiC、GaNデバイスと比較しながら、酸化ガリウムパワーデバイスの最新技術と課題について、学会等での内容を紹介しながら丁寧に解説したい。
開始日時 | 会場 | 開催方法 | |
---|---|---|---|
2024/9/4 | オフライン電源の設計 (2日間) | オンライン | |
2024/9/4 | オフライン電源の設計 (1) | オンライン | |
2024/9/13 | オフライン電源の設計 (2) | オンライン |
発行年月 | |
---|---|
1999/2/26 | ソフトスイッチング電源技術 |
1993/3/1 | 電源系統における高調波歪規制と対策/測定技術 |
1991/6/1 | 高周波スイッチングコンバータ高性能化技術 |