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次世代情報端末の実現を目指した酸化物半導体薄膜トランジスタ技術

次世代情報端末の実現を目指した酸化物半導体薄膜トランジスタ技術

~高性能化・高信頼性化技術~
大阪府 開催 会場 開催

概要

本セミナーでは、次世代情報端末の進化を支えるシリコン薄膜や酸化物半導体などの新材料の電子物性、薄膜トランジスタの動作原理、真空作製技術からプリンティング技術、最新の話題までを詳解いたします。

開催日

  • 2011年9月13日(火) 10時30分 16時30分

受講対象者

  • TFT, 酸化物TFTに関連する技術者、開発者、管理者
  • TFT, 酸化物TFTの応用製品に関連する技術者、開発者、管理者
    • 携帯電話・スマートフォン
    • 情報端末 など

修得知識

  • 薄膜トランジスタの動作原理
  • 薄膜トランジスタの評価技術
  • 薄膜トランジスタの作製技術
  • 薄膜トランジスタの信頼性技術
  • シリコン薄膜の電子物性
  • 酸化物半導体の電子物性

プログラム

 iPodやスマートフォンの出現など、ディスプレイの進化は止まることがありません。
 ここでは、次世代情報端末の進化を支えるシリコン薄膜や酸化物半導体などの新材料について、詳しく解説します。
 材料の電子物性、薄膜トランジスタの動作原理、真空作製技術からプリンティング技術、最新の話題まで幅広く紹介します。
 さらに、量産化技術にかかわった経験を通して、素子の高性能化、高信頼性化技術についても議論します。

  1. 透明酸化物薄膜の基礎物性
    1. 薄膜材料の歴史
    2. 酸化物材料の電気伝導
  2. 薄膜トランジスタの動作原理
    1. デバイス構造
    2. 酸化物TFTの性能評価技術
  3. 薄膜トランジスタの製造プロセス
    1. 薄膜形成技術
    2. 製造プロセス
  4. 高性能化技術
    1. 界面制御技術
    2. レーザ照射法
  5. 信頼性評価技術
    1. 劣化メカニズム
      • 電気的劣化
      • 発熱劣化
      • 光劣化
    2. 評価手法
    3. 高信頼性化技術
  6. 酸化物半導体の将来展望
    1. 酸化物TFTの今後
    2. 新規応用技術
  • 質疑応答・名刺交換・個別相談

会場

大阪市立中央区民センター

第2会議室

大阪府 大阪市 中央区久太郎町1丁目2-27
大阪市立中央区民センターの地図

主催

お支払い方法、キャンセルの可否は、必ずお申し込み前にご確認をお願いいたします。

お問い合わせ

本セミナーに関するお問い合わせは tech-seminar.jpのお問い合わせからお願いいたします。
(主催者への直接のお問い合わせはご遠慮くださいませ。)

受講料

1名様
: 47,600円 (税別) / 49,980円 (税込)

割引特典について

  • R&D支援センターからの案内登録をご希望の方は、割引特典を受けられます。
    • 1名でお申込みいただいた場合、1名につき47,250円 (税込)
    • 2名同時にお申し込みいただいた場合、2人目は無料 (2名で49,980円)
    • 案内登録をされない方は、1名につき49,980円 (税込)
本セミナーは終了いたしました。