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江澤 弘和

所属

神奈川工科大学
工学部
電気電子情報工学科

役職

非常勤講師

学位

博士 (工学)

専門

  • 半導体デバイスのメタライゼーションプロセス、中間領域プロセス

経歴

  • 1985年 京都大学 修士 (金属磁性) 修了
  • 1985年 株式会社 東芝に入社。半導体材料技術部におけるSiウエーハの高品位化業務
  • 1987年からLSIプロセス開発部門において、スパッタ、メタルCVD、微細めっき等の金属成膜技術を中心に、先端デバイスの微細化プロセス開発に従事。並行して、Bump形成、Low – k CPI低減、再配線形成、TSV等の中間領域の技術開発を推進。
  • 2011年 株式会社 東芝 メモリ事業部 プロセス技術開発主幹。TSV、FOWLP等の中間領域プロセスによるフラッシュメモリ製品開発に従事。
  • 2015年 早稲田大学 大学院 情報生産システム研究科　先進材料研究室　博士後期課程修了、博士 (工学) 取得
  • 2017年 メモリ事業分社化に伴い東芝メモリ株式会社(現・キオクシア株式会社) に移籍。プロセス技術開発主幹
  • 2018年4月より 神奈川工科大学 非常勤講師 (電気電子材料担当)
  • 2019年9月 東芝メモリ株式会社 定年退職
  • 2020年5月より開発支援事業 (ezCoworks) を開始