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東脇 正高

所属

大阪公立大学
大学院 工学研究科
電子物理工学分野

役職

教授

学位

博士 (工学)

専門

  • マイクロ・ナノデバイス
  • 電子・電気材料工学
  • 電子デバイス・電子機器

経歴

  • 1994年3月 大阪大学 基礎工学部 物性物理工学科 卒業
  • 1998年3月 大阪大学 大学院 基礎工学研究科 博士後期課程 修了
  • 1998年4月 日本学術振興会 博士特別研究員
  • 2000年4月 郵政省通信総合研究所 入所 (2004年情報通信研究機構 (NICT) に改組)
  • 2004年10月 情報通信研究機構 主任研究員
  • 2007年9月 Department of Electrical and Computer Engineering, University of California, Santa Barbara, Project Scientist (NICTより転籍出向)
  • 2010年4月 情報通信研究機構 主任研究員 (転籍出向より復帰)
  • 2010年4月 JSTさきがけ「革新的次世代デバイスを目指す材料とプロセス」研究員兼務
  • 2011年4月 工学院大学 大学院 電気電子工学専攻 非常勤講師 兼務
  • 2011年4月 大阪大学 大学院 基礎工学研究科 非常勤講師 兼務
  • 2013年12月 情報通信研究機構 未来ICT研究所 統括 兼 グリーンICTデバイス先端開発センター長
  • 2016年4月 情報通信研究機構 未来ICT研究所 グリーンICTデバイス先端開発センター長
  • 2021年4月 情報通信研究機構 未来ICT研究所 小金井フロンティア研究センター グリーンICTデバイス研究室 室長 (2022年4月からは兼務)
  • 2022年4月 大阪公立大学 大学院工学研究科 電子物理工学分野 教授 (本務)

学協会

  • 応用物理学会
  • 電子情報通信学会
  • 米国電気電子学会 (IEEE)

受賞

  • 2004年 第16回応用物理学会講演奨励賞
  • 2005年 第27回応用物理学会論文賞（JJAP論文奨励賞）
  • 2006年 第28回応用物理学会論文賞（JJAP論文賞）
  • 2007年 The Young Scientist Award of the International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS)
  • 2009年 平成20年度 丸文研究奨励賞
  • 2013年 第27回フジサンケイビジネスアイ 先端技術大賞 特別賞
  • 2015年 第11回日本学術振興会賞
  • 2018年 Nakamura Lecturer Award, Materials Department, University of California, Santa Barbara (UCSB)
  • 2021年 Clarivate Highly Cited Researcher 2021 (クラリベイト 2021年 高被引用論文著者)
  • 2022年 第54回市村学術賞 貢献賞
  • 2023年 IEEE Fellow

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会場 開催方法
2026/6/23 酸化ガリウムパワーデバイスの開発動向と今後の展望 オンライン