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山口 浩一

所属

電気通信大学
大学院 情報理工学研究科
基盤理工学専攻

役職

教授

学位

博士 (工学)

専門

  • 半導体工学
  • 光・電子物性
  • 半導体デバイス

経歴

  • 1986年3月 電気通信大学大学院 修士課程修了
  • 1986年4月 電気通信大学 電気通信学部助手
  • 1991年6月 安藤博記念学術奨励賞受賞
  • 1993年12月 博士 (工学) (東京大学)
  • 1995年 電気通信大学 電気通信学部 助教授
  • 2008年4月 電気通信大学 電気通信学部 教授
  • 2016年4月 電気通信大学 大学院 情報理工学研究科 基盤理工学専攻 教授

MOCVDによるⅢ-Ⅴ族半導体の選択エピタキシャル成長に関する研究、走査型プローブ顕微鏡の自作開発、MBEによる半導体量子ナノ構造に関する研究に従事。特に量子ドットの自己形成法の研究では、高均一・高密度化の作製技術を開発し、量子ドットの精密な形成制御およびその光電子デバイスへの応用展開を推進。

学協会

  • 2013年~ JEITA 電子材料・デバイス専門委員会 委員
  • 2013年〜2015年 量子ドット利用デバイス技術分科会 委員長

著書

  • 「量子ドット太陽電池の最前線」(分担)シーエムシー出版 (2012年)
  • 「Progress in Nanophotonics 1」(Chapter 3) Springer-Verlag (2011年)
  • 「量子ドットエレクトロニクスの最前線」 (分担)エヌ・ティ―・エス (2011年) 他