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林 俊雄

所属

名古屋大学
大学院工学研究科
プラズマナノ工学研究センター

役職

特任教授

学位

博士 (理学)

経歴

  • 1976年3月 東北大学・大学院・理学研究科・博士課程修了
    (博士論文; 分子軌道法を用いた芳香族及び過フッ化芳香族化合物の電子物性)
  • 1977年1月 日本真空技術 株式会社 (現・ 株式会社 アルバック) 入社
    • CF3ラジカルの測定 (世界初)
    • GaAs系MOCVD装置の開発 (初の国内市販装置)
    • Heリークディテクター分析管の開発 (世界最高感度・特許取得)
    • NLDエッチング装置の実用化開発 (MEMS用途・特許多数)
    • RF印加基板に入射するイオンエネルギー分析 (特許取得)
    • CF3IによるArFレジストに優しいエッチング技術開発 (特許取得)
    • NLD・RFスパッタ装置の開発 (特許取得)
  • 2006年1月 名古屋大学・プラズマナノ工学研究センター 特任教授
    • NO+F2によるSiのガスエッチング技術開発 (XeF2の代替技術、特許取得)
    • RF印加基板で発生する負イオンの測定 (エッチングでは初めての計測)
    • Chemical dry etching (CDE) 技術ついての解析
    • 計算化学によるプロセスガスの解離過程解析
      • SiH4, c – C4F8, c – C5F8, C4F6, C3F6O, HBr+Cl2, NF3, 等の解離過程の解析
  • 2016年4月 名古屋大学・プラズマナノ工学研究センター 客員教授
    • 計算化学によるプロセスガスの解離過程解析 (継続)
    • CHxFy, C2HxFy, c – C4F8, 等の解離過程の解析
    • プロセスレシピ構成を容易にする目的