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岩室 憲幸

所属

筑波大学
数理物質系
物理工学域

役職

教授

学位

博士 (工学)

専門

  • 半導体工学
  • IGBT、ダイオードの開発
  • SiCパワー半導体開発

経歴

  • 1984年 早稲田大学 理工学部 卒業
  • 1984年 富士電機入社
  • 1988年から現在までパワーデバイスシミュレーション技術、IGBT、ならびにWBGデバイス開発に従事。
  • 1992年、North Carolina State Univ. Visiting Scholar. MOS-gate thyristorの研究に従事。
  • 1998年 博士 (工学) (早稲田大学)
  • 2009年5月 (独)産業技術総合研究所 先進パワーエレクトロニクス研究センター (ADPERC) に出向
  • 2013年4月～ 国立大学法人 筑波大学 数理物質系 電子・物理工学専攻 教授

学協会

  • IEEE Senior Member
  • IEEE Electron Device Society Power Device & IC Technical Committee Member
  • 電気学会 パワーデバイス性能改善・高機能化技術調査専門委員会 幹事
  • パワー半導体国際シンポジウム (ISPSD) 2010 Vice Program Chair

著書

受賞

  • 2011年 電気学会 優秀技術活動賞 グループ著作賞
  • 2020年4月 電気学会 第23回優秀活動賞 技術報告賞
  • 2020年12月 日経エレクトロニクス パワーエレクトロニクスアワード2020 最優秀賞

専門

  • パワーデバイス研究開発

講演するセミナー

会場 開催方法
2026/8/3 次世代パワーデバイスの開発と市場動向 オンライン
2026/8/17 次世代パワーデバイスの開発と市場動向 オンライン