電界制御による金属スピントロニクス研究の現状と将来展望
~材料の基礎物理・材料開発指針~
東京都 開催
会場 開催
概要
本セミナーでは、金属スピントロニクス材料の基礎物理、開発研究の現状と将来展望について詳解いたします。
開催日
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2014年11月7日(金) 13時00分
~
16時30分
修得知識
- 金属スピントロニクス材料の基礎物理
- 金属スピントロニクス材料の開発指針
プログラム
- 電気磁気効果
- MRAM (Magnetic Random Access Memory) :スピントロニクス
- 磁化の動的制御の駆動源、メモリ書き換え、磁化反転
- 電流磁界
- スピン偏極電流注入
- 電界 (電圧) 制御
- 局在スピン系、遍歴スピン系
- 磁気異方性、スピン軌道相互作用、磁気双極子-双極子相互作用
- 磁性の電界制御
- 希薄磁性半導体の電界効果
- 磁気異方性:界面磁気異方性
- 金属磁性体の保磁力における電界効果
- 電界駆動によるスピンダイナミクス制御
- 磁化反転制御
- 強磁性転移
- 磁性金属系と希薄磁性半導体系
- 電界 (電圧) 効果の増強化
- 高電界の基礎物理
- 新奇素子構造
講師
小田 竜樹 氏
金沢大学 理工学研究域 数物科学系
教授
主催
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お問い合わせ
(主催者への直接のお問い合わせはご遠慮くださいませ。)
受講料
1名様
:
43,000円 (税別) / 46,440円 (税込)
1口
:
57,000円 (税別) / 61,560円 (税込)
(3名まで受講可)
割引特典について
- 複数名 同時受講:
1口 57,000円(税別) / 61,560円(税込) (3名まで受講可能)