井上 健一
経歴
- 2016年3月 東京大学 工学部 マテリアル工学科 卒業
- 2018年3月 東京大学 大学院 新領域創成科学研究科 物質系専攻修了
- 2022年9月 東京大学 大学院 新領域創成科学研究科 物質系専攻修了、博士 (科学)
- 2023年10月〜2024年3月 東京大学 大学院 新領域創成科学研究科 特別研究員 (学振PD)
- 2024年4月〜 名古屋大学 低温プラズマ科学研究センター 特別研究員 (学振PD)
- 名古屋大学 低温プラズマ科学研究センター 助教
受賞
- 2016年9月 第10 回インキュベーションホール 優秀ポスター賞, 応用物理学会プラズマエレクトロニクス分科会
- 2022年3月 Short Presentation Award, Carbon layer formation on boron nitride via a plasma in hydroquinone solution, ISPlasma2022/IC – PLANTS2022
- 2022年12月 第32回 日本MRS年次大会講演奨励賞, ヒドロキノン水溶液中プラズマによって形成したカーボン層を有する六方晶窒化ホウ素の表面電荷, 第32回日本MRS年次大会
- 2024年3月 Best Presentation Award, In situ electron spin resonance for measurement of defect formation on hexagonal boron nitride by plasma processing, ISPlasma2024/IC-PLANTS2024/APSPT-13