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• 1987年 大阪大学 基礎工学部 物性物理工学科 卒業
• 2017年 大阪大学にて応用物理で博士 (工学) を取得
• 1987年 三菱電機に入社
  2012年までパワーMOSFET、高耐圧ICプロセス、BiCMOS&DMOSプロセス、IGBT、パワーDiode開発に従事。
  BiCMOS&DMOSプロセスと高耐圧ICではそれぞれ三菱電機としての第一世代の製品化を担当し、高耐圧ICでは現在世界的に広く使われている耐圧保持構造を発案。
• 2013年〜2015年 先端技術総合研究所
  SiCデバイスと次世代パッケージの研究管理業務に携わった後、パワーデバイス製作所にてパワーデバイスと高耐圧ICの技術開発に関する統括業務を担当。
• 2024年 九州大学 大学院 システム情報科学研究院 教授

パワーデバイスとICプロセス・デバイス領域で84件の米国特許と61件の日本特許を取得