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大谷 昇

所属

関西学院大学
工学部
教授

役職

教授

学位

Ph.D.

専門

  • ワイドバンドギャップ半導体
  • 結晶成長
  • 結晶欠陥

経歴

  • 1960年 東京都生まれ
  • 1984年 東京工業大学 修士課程 物理学専攻 修了
  • 1984年 新日本製鐵 株式会社 入社、中央研究本部 第一技術研究所 配属
    その後、エレクトロニクス研究所を経て、先端技術研究所に勤務。
    一貫して、半導体材料・デバイスの研究開発に従事。特に、パワーデバイス用シリコンカーバイド (SiC) 半導体の研究開発・事業化に注力。
  • 1991年〜1993年 英国Imperial College London 博士課程在学
  • 1993年 英国Imperial College London 博士課程修了 (Ph.D.取得)
  • 2008年 関西学院大学 教授

受賞

  • 1997年 日本金属学会 技術開発賞
  • 2007年 日経BP技術賞
  • 2021年 応用物理学会 フェロー表彰