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圧電MEMS用PZT薄膜の形成と評価、及びデバイス応用
圧電MEMS用PZT薄膜の形成と評価、及びデバイス応用
東京都 開催
会場 開催
本セミナーは終了いたしました。
概要
本セミナーでは、圧電MEMSについて基礎事項から解説し、圧電MEMS用薄膜形成、評価方法、デバイスプロセス、応用展開事例までを解説いたします。
開催日
- 2014年12月4日(木) 13時00分 ～ 16時30分
受講対象者
- 圧電MEMSに関連する技術者、研究者、開発者
- 圧電MEMS用PZT薄膜の応用製品に関連する技術者、研究者、開発者
- インクジェットヘッド
- ジャイロセンサ
- RFスイッチ
- 振動発電素子
- 無線センサ 等
修得知識
- 圧電MEMSの基礎
- 圧電MEMSの薄膜形成
- 圧電MEMS用薄膜の評価方法
- 圧電MEMS用薄膜のデバイスプロセス
- 圧電MEMS用薄膜の応用展開事例
プログラム
チタン酸ジルコン酸鉛 (Pb (Zr,Ti) O3, PZT) 薄膜を用いた圧電MEMSデバイスは、インクジェットヘッド、ジャイロセンサなどが製品化されており、今後はRFスイッチ、振動発電素子、無線センサへの応用に向けた需要増大が予想されています。これに呼応するように、ファウンダリ事業も国内で立ち上がりつつあり、圧電MEMSデバイスは研究、開発から製品化までさまざまなフェーズで活況を呈しています。
本セミナーでは、このような状況にある圧電MEMSについて、基礎事項から薄膜形成、評価方法、デバイスプロセス、応用展開事例までを網羅的に解説します。
- MEMS・圧電薄膜・圧電MEMSデバイスの基礎事項
- 実用化されている圧電MEMSデバイス
- MEMSについて
- 圧電体について
- PZT薄膜の組成、結晶配向性と圧電特性
- 圧電MEMSデバイス研究開発のポイント
- 圧電薄膜の形成と評価方法
- 様々なPZT薄膜形成方法
- 配向性制御
- ゾルゲル法による配向性PZT薄膜の形成
- PZT薄膜の圧電特性評価
- 圧電MEMSデバイス作製プロセスと評価方法
- 圧電MEMSデバイスの作製プロセス
- アクチュエータ、センサ、振動発電特性の評価
- パルス電圧印加による高速ポーリング
- 応用展開事例
- 光スキャナ
- マイクロ静電気センサ
- 無線センサデバイス
- ヒューマンインターフェースデバイス
- 今後の課題と将来展望
- 質疑応答
講師
会場
主催
お支払い方法、キャンセルの可否は、必ずお申し込み前にご確認をお願いいたします。
受講料
1名様
:
38,000円 (税別) / 41,040円 (税込)
複数名
:
20,000円 (税別) / 21,600円 (税込)
複数名同時受講の割引特典について
- 2名様以上でお申込みの場合、
1名あたり 20,000円(税別) / 21,600円(税込) で受講いただけます。- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 38,000円(税別) / 41,040円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 40,000円(税別) / 43,200円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 60,000円(税別) / 64,800円(税込)
- 受講者全員が会員登録をしていただいた場合に限ります。
- 同一法人内(グループ会社でも可)による複数名同時申込みのみ適用いたします。
- 受講券、請求書は、代表者にご郵送いたします。
- 請求書および領収書は1名様ごとに発行可能です。
申込みフォームの通信欄に「請求書1名ごと発行」と記入ください。 - 他の割引は併用できません。
本セミナーは終了いたしました。
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