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半導体露光技術の発展、およびEUV露光装置の現状と将来展望

admin — Sat, 12 Apr 2025 07:04:49 +0000

半導体露光技術の発展、およびEUV露光装置の現状と将来展望

～EUV露光装置、DUV・EUV光源開発の最前線～

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視聴期間は2025年6月3日〜16日を予定しております。
お申し込みは2025年6月3日まで承ります。

概要

本セミナーでは、EUVリソグラフィ用光源開発の最新動向から最先端のハイブリッドDUVレーザーの高密度実装への応用の現状について解説いたします。
また、半導体製造プロセス全体におけるリソグラフィから、各露光装置について、レジスト材料の原理までを解説いたします。

開催日

2025年6月3日(火) 13時00分～ 2025年6月16日(月) 16時30分

修得知識

半導体リソグラフィ技術の進化
露光技術の歴史と進化の流れ、半導体製造プロセス全体におけるリソグラフィの役割
半導体露光装置の構成や特徴
投影露光装置の構成や性能、解像度パラメータや露光波長の概要と数式による理解
EUV露光装置の最新技術と展望
EUV露光技術 (光源や多層膜反射光学系、EUVマスクなど) やレジスト材料、EUV露光装置の高NA化

プログラム

　半導体製造プロセス全体におけるリソグラフィの位置づけ、パターン微細化に伴う半導体露光方式の進化の流れを、専門外の方々にもわかりやすく説明する。次に、投影露光装置の構成、主要性能と要素性能の関係について述べ、露光装置についての定性的理解を深めてもらう。更に、解像度に対する投影光学系、照明光学系のパラメータと露光波長の寄与について数式を用いて詳しく説明し、専門の方には計算の仕方を、専門外の方には計算結果の意味するところを理解してもらう。
　そして、多層膜反射光学系を含むEUV露光装置とその関連技術の特徴、最新状況、今後の展望について説明する。最後に、露光装置によって形成される光学像強度分布からレジスト像への転写原理、レジスト材料の原理について述べる。

半導体高集積化のトレンドと露光装置の位置づけ
露光装置概観
1. 半導体露光装置の露光方式の進化
2. 露光装置の性能と要素機能、露光技術の発展
  - 部分的コヒーレンス理論
  - 解像度
  - 解像度向上策
  - 重ね合わせ精度
  - スループット etc.
EUV露光装置
1. EUV露光装置の特徴
  - 光源
  - 多層膜反射光学系
  - 真空ステージ
  - EUVマスク etc.
2. EUV露光装置の高NA化と将来展望
3. レジスト材料の原理
4. Cost of Ownership

質疑応答

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講師

鈴木一明氏
国立大学法人東京科学大学総合研究院ゼロカーボンエネルギー研究所

研究員

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主催

サイエンス＆テクノロジー株式会社

お支払い方法、キャンセルの可否は、必ずお申し込み前にご確認をお願いいたします。

お問い合わせ

本セミナーに関するお問い合わせは tech-seminar.jpのお問い合わせからお願いいたします。

(主催者への直接のお問い合わせはご遠慮くださいませ。)

受講料

1名様

: 34400円 (税別) / 37,840円 (税込)

複数名

: 22500円 (税別) / 24,750円 (税込)

複数名受講割引

2名様以上でお申込みの場合、1名あたり 22,500円(税別) / 24,750円(税込) で受講いただけます。
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 34,400円(税別) / 37,840円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 45,000円(税別) / 49,500円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 67,500円(税別) / 74,250円(税込)
同一法人内 (グループ会社でも可) による複数名同時申込みのみ適用いたします。
請求書は、代表者にご送付いたします。
請求書および領収書は1名様ごとに発行可能です。
申込みフォームの通信欄に「請求書1名ごと発行」とご記入ください。
他の割引は併用できません。
サイエンス&テクノロジー社の「2名同時申込みで1名分無料」価格を適用しています。

アカデミー割引

教員、学生および医療従事者はアカデミー割引価格にて受講いただけます。

1名様あたり 10,000円(税別) / 11,000円(税込)
企業に属している方(出向または派遣の方も含む)は、対象外です。
お申込み者が大学所属名でも企業名義でお支払いの場合、対象外です。

アーカイブ配信セミナー

「ビデオグ」を使ったアーカイブ配信セミナーとなります。
当日のセミナーを、後日にお手元のPCなどからご視聴ができます。
お申し込み前に、視聴環境をご確認いただき、視聴テストにて動作確認をお願いいたします。
別途、ID,パスワードをメールにてご連絡申し上げます。
視聴期間は2025年6月3日〜16日を予定しております。
ご視聴いただけなかった場合でも期間延長いたしませんのでご注意ください。
セミナー資料は印刷・送付いたします。
ご自宅への書類送付を希望の方は、通信欄にご住所・宛先などをご記入ください。
ご視聴は、お申込み者様ご自身での視聴のみに限らせていただきます。不特定多数でご覧いただくことはご遠慮下さい。
講義の録音、録画などの行為や、権利者の許可なくテキスト資料、講演データの複製、転用、販売などの二次利用することを固く禁じます。

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半導体露光技術の発展、およびEUV露光装置の現状と将来展望

admin — Sat, 12 Apr 2025 07:03:37 +0000

半導体露光技術の発展、およびEUV露光装置の現状と将来展望

～EUV露光装置、DUV・EUV光源開発の最前線～

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概要

開催日

2025年5月20日(火) 13時00分～ 16時30分

修得知識

半導体リソグラフィ技術の進化
露光技術の歴史と進化の流れ、半導体製造プロセス全体におけるリソグラフィの役割
半導体露光装置の構成や特徴
投影露光装置の構成や性能、解像度パラメータや露光波長の概要と数式による理解
EUV露光装置の最新技術と展望
EUV露光技術 (光源や多層膜反射光学系、EUVマスクなど) やレジスト材料、EUV露光装置の高NA化

プログラム

半導体高集積化のトレンドと露光装置の位置づけ
露光装置概観
1. 半導体露光装置の露光方式の進化
2. 露光装置の性能と要素機能、露光技術の発展
  - 部分的コヒーレンス理論
  - 解像度
  - 解像度向上策
  - 重ね合わせ精度
  - スループット etc.
EUV露光装置
1. EUV露光装置の特徴
  - 光源
  - 多層膜反射光学系
  - 真空ステージ
  - EUVマスク etc.
2. EUV露光装置の高NA化と将来展望
3. レジスト材料の原理
4. Cost of Ownership

質疑応答

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講師

鈴木一明氏
国立大学法人東京科学大学総合研究院ゼロカーボンエネルギー研究所

研究員

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受講料

1名様

: 34400円 (税別) / 37,840円 (税込)

複数名

: 22500円 (税別) / 24,750円 (税込)

複数名受講割引

2名様以上でお申込みの場合、1名あたり 22,500円(税別) / 24,750円(税込) で受講いただけます。
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 34,400円(税別) / 37,840円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 45,000円(税別) / 49,500円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 67,500円(税別) / 74,250円(税込)
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お申し込み前に、 Zoomのシステム要件とテストミーティングへの参加手順をご確認いただき、テストミーティングにて動作確認をお願いいたします。
開催日前に、接続先URL、ミーティングID、パスワードを別途ご連絡いたします。
セミナー開催日時に、視聴サイトにログインしていただき、ご視聴ください。
セミナー資料は郵送にて前日までにお送りいたします。
開催まで4営業日を過ぎたお申込みの場合、セミナー資料の到着が、開講日に間に合わない可能性がありますこと、ご了承下さい。
ライブ配信の画面上でスライド資料は表示されますので、セミナー視聴には差し支えございません。
印刷物は後日お手元に届くことになります。
ご自宅への書類送付を希望の方は、通信欄にご住所・宛先などをご記入ください。
タブレットやスマートフォンでも受講可能ですが、機能が制限される場合があります。
ご視聴は、お申込み者様ご自身での視聴のみに限らせていただきます。不特定多数でご覧いただくことはご遠慮下さい。
講義の録音、録画などの行為や、権利者の許可なくテキスト資料、講演データの複製、転用、販売などの二次利用することを固く禁じます。
Zoomのグループにパスワードを設定しています。お申込者以外の参加を防ぐため、パスワードを外部に漏洩しないでください。
万が一、部外者が侵入した場合は管理者側で部外者の退出あるいはセミナーを終了いたします。

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ご視聴は、お申込み者様ご自身での視聴のみに限らせていただきます。不特定多数でご覧いただくことはご遠慮下さい。
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リソグラフィ技術・レジスト材料の基礎と微細化・高解像度に向けた応用技術、今後の展望

admin — Thu, 20 Feb 2025 02:51:10 +0000

リソグラフィ技術・レジスト材料の基礎と微細化・高解像度に向けた応用技術、今後の展望

～フォトリソグラフィプロセスの理解とレジスト材料の開発指針～

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視聴期間は2025年5月13日〜26日を予定しております。
お申し込みは2025年5月13日まで承ります。

概要

本セミナーでは、レジスト・リソグラフィ技術・材料開発の事例を学びながら今後の効率的な技術開発・不良防止・トラブル対策への応用を丁寧に解説いたします。

開催日

2025年5月13日(火) 10時30分～ 2025年5月26日(月) 16時30分

修得知識

レジスト・リソグラフィ技術の基礎と技術開発の必然性
マイクロエレクトロニクスの高密度化・高速化
低コスト化に伴うリソグラフィ技術の微細化・レジストの高解像度化などの高品位化の歴史的変遷とイノベーションの創出過程
技術・レジスト材料開発の実例
効率的な技術開発・不良防止・トラブル対策への応用

プログラム

　今日の情報化社会は、マイクロエレクトロニクス (ME) の発展に支えられている。その先端技術ともいえる人工知能 (AI) は医療分野、自動運転技術への展開から社会への浸透をはじめており、人間に代わるから超えるところまで議論されている。
　MEは、1950年代に集積回路 (IC) が開発されて以来、大規模集積回路 (LSI) のパターンの微細化、高集積化、すなわちメモリー大容量化、システムLSIの高性能化の方向で、一貫して発展してきている。あわせて情報処理の高速化、低価格化も実現してきた。今後もメモリーの大容量化およびシステムLSIの高性能化の流れは止まりそうにないと予測されている。このような流れの中で、フォトリソグラフィの進歩はフォトレジストなどの材料開発が中心軸となってMEの発展に寄与してきたが、これらの材料をうまく使いこなす露光装置を中心としたハードウェア、プロセス技術の進歩も著しいものがある。
　レジスト材料の開発はパターンの微細化、高解像度化が中心で、これは主として露光に用いる光の波長を短くすることで実現されてきた。ここまではさまざまな選択肢、さまざまな試行など、紆余曲折はあったものの、結果として振り返ってみれば、それまでの技術の延長線上で進んできている。1970年代から40年余りの短い時間に次のような大きな技術変革を経験している。

コンタクトアライナーによるリソグラフィ技術の確立
投影露光方式の導入
化学増幅型レジスト/エキシマレーザ光源の採用
EUV光源の採用など

　それぞれのステップで多くのイノベーションが実現され課題を克服してきたわけである。ここでは、これまでの技術・材料開発の事例をまとめ、今後の効率的な技術開発・不良防止・トラブル対策への応用への指針とする。あわせて、日本の今後の半導体関連産業の在り方についても考察する。

技術パラダイムシフトと半導体集積回路
1. 科学技術の発展
2. 技術パラダイムシフト
3. マイクロエレクトロニクス (ME) と社会〜AI技術の展開〜
4. MEの黎明期とフォトレジスト
フォトレジストの本流
1. ゴム系ネガ型フォトレジスト
  1. リソグラフィプロセスの確立
  2. 基本的構造及び製造法
2. ノボラック系ポジ型レジスト
  1. 基本的組成
  2. マトリックス樹脂製法、感光性化合物
  3. レジストの透明性と解像度
  4. i – 線レジスト
  5. リソグラフィプロセスでの化学と工程管理
  6. レジストの溶剤と環境への影響
  7. 高性能化への工夫と新たなイノベーション
フォトレジストの裏街道
1. X線レジスト
2. Top Surface Imaging:DESIRE
3. Deep UVリソグラフィ
  1. 黎明期のレジスト
  2. 化学増幅型レジスト
  3. 光酸発生剤
エキシマレーザリソグラフィ
1. KrFレジスト
  1. エキシマレーザリソグラフィ実現への課題
  2. 光源・光学系の課題
  3. 化学増幅型レジストの課題
  4. 材料からの改良
  5. プロセス面からの改良
  6. 実用化されたレジスト材料
2. ArFレジスト
  1. ArFレジスト実現への課題
3. 液浸リソグラフィ
EUVリソグラフィ
1. 光源・露光機の開発
2. レジスト開発
  - 開発現状と課題
  - LERの要因と対応
3. 無機レジスト
  - 感度・解像度
  - 保存安定性
4. EUVLの課題
  - 光源
  - 露光装置
  - マスク
  - レジスト
  - 評価装置
今後の展望
1. 高解像度化と現像プロセス
  - 現像過程での膨潤と解像度
2. 今後のパターン形成プロセス
3. ナノインプリント技術の実用化
科学技術と社会 (半導体と人間)
1. 実装材料 (ポリイミド)
2. フラットパネルディスプレイ材料
3. ブレインマシンインターフェイス (BMI)
4. 科学技術と社会 (地球規模の課題と科学技術/半導体)
国の安全保障の根幹を担う半導体産業
1. 半導体産業の重要性
2. 日本および世界の半導体産業の現状
3. 経産省の戦略
4. 再生のための論点
効率的にイノベーションを創出するために
- 知的財産戦略とMOT
まとめ

質疑応答

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講師

鴨志田洋一氏
鴨志田技術事務所

代表

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主催

サイエンス＆テクノロジー株式会社

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1名様

: 38200円 (税別) / 42,020円 (税込)

複数名

: 25000円 (税別) / 27,500円 (税込)

複数名受講割引

2名様以上でお申込みの場合、1名あたり 25,000円(税別) / 27,500円(税込) で受講いただけます。
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 38,200円(税別) / 42,020円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 50,000円(税別) / 55,000円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 75,000円(税別) / 82,500円(税込)
同一法人内 (グループ会社でも可) による複数名同時申込みのみ適用いたします。
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リソグラフィ技術・レジスト材料の基礎と微細化・高解像度に向けた応用技術、今後の展望

admin — Thu, 20 Feb 2025 02:50:37 +0000

リソグラフィ技術・レジスト材料の基礎と微細化・高解像度に向けた応用技術、今後の展望

～フォトリソグラフィプロセスの理解とレジスト材料の開発指針～

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概要

開催日

2025年4月22日(火) 10時30分～ 16時30分

修得知識

レジスト・リソグラフィ技術の基礎と技術開発の必然性
マイクロエレクトロニクスの高密度化・高速化
低コスト化に伴うリソグラフィ技術の微細化・レジストの高解像度化などの高品位化の歴史的変遷とイノベーションの創出過程
技術・レジスト材料開発の実例
効率的な技術開発・不良防止・トラブル対策への応用

プログラム

コンタクトアライナーによるリソグラフィ技術の確立
投影露光方式の導入
化学増幅型レジスト/エキシマレーザ光源の採用
EUV光源の採用など

技術パラダイムシフトと半導体集積回路
1. 科学技術の発展
2. 技術パラダイムシフト
3. マイクロエレクトロニクス (ME) と社会〜AI技術の展開〜
4. MEの黎明期とフォトレジスト
フォトレジストの本流
1. ゴム系ネガ型フォトレジスト
  1. リソグラフィプロセスの確立
  2. 基本的構造及び製造法
2. ノボラック系ポジ型レジスト
  1. 基本的組成
  2. マトリックス樹脂製法、感光性化合物
  3. レジストの透明性と解像度
  4. i – 線レジスト
  5. リソグラフィプロセスでの化学と工程管理
  6. レジストの溶剤と環境への影響
  7. 高性能化への工夫と新たなイノベーション
フォトレジストの裏街道
1. X線レジスト
2. Top Surface Imaging:DESIRE
3. Deep UVリソグラフィ
  1. 黎明期のレジスト
  2. 化学増幅型レジスト
  3. 光酸発生剤
エキシマレーザリソグラフィ
1. KrFレジスト
  1. エキシマレーザリソグラフィ実現への課題
  2. 光源・光学系の課題
  3. 化学増幅型レジストの課題
  4. 材料からの改良
  5. プロセス面からの改良
  6. 実用化されたレジスト材料
2. ArFレジスト
  1. ArFレジスト実現への課題
3. 液浸リソグラフィ
EUVリソグラフィ
1. 光源・露光機の開発
2. レジスト開発
  - 開発現状と課題
  - LERの要因と対応
3. 無機レジスト
  - 感度・解像度
  - 保存安定性
4. EUVLの課題
  - 光源
  - 露光装置
  - マスク
  - レジスト
  - 評価装置
今後の展望
1. 高解像度化と現像プロセス
  - 現像過程での膨潤と解像度
2. 今後のパターン形成プロセス
3. ナノインプリント技術の実用化
科学技術と社会 (半導体と人間)
1. 実装材料 (ポリイミド)
2. フラットパネルディスプレイ材料
3. ブレインマシンインターフェイス (BMI)
4. 科学技術と社会 (地球規模の課題と科学技術/半導体)
国の安全保障の根幹を担う半導体産業
1. 半導体産業の重要性
2. 日本および世界の半導体産業の現状
3. 経産省の戦略
4. 再生のための論点
効率的にイノベーションを創出するために
- 知的財産戦略とMOT
まとめ

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講師

鴨志田洋一氏
鴨志田技術事務所

代表

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1名様

: 38200円 (税別) / 42,020円 (税込)

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: 25000円 (税別) / 27,500円 (税込)

複数名受講割引

2名様以上でお申込みの場合、1名あたり 25,000円(税別) / 27,500円(税込) で受講いただけます。
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 38,200円(税別) / 42,020円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 50,000円(税別) / 55,000円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 75,000円(税別) / 82,500円(税込)
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半導体用レジストの基礎と材料設計および環境配慮型の新規レジスト除去技術

admin — Wed, 30 Oct 2024 15:28:17 +0000

半導体用レジストの基礎と材料設計および環境配慮型の新規レジスト除去技術

～レジストの特性や光化学反応、評価手法、EUVレジストや化学増幅型レジストなどを丁寧に解説～

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視聴期間は2025年3月5日〜18日を予定しております。
お申し込みは2025年3月5日まで承ります。

概要

本セミナーでは、半導体用レジスト技術の基礎から解説し、特にレジスト材料 (感光性樹脂) ・プロセス、ノボラック系ポジ型レジスト、及び化学増幅系3成分 (ベース樹脂、溶解抑制剤、酸発生剤) ポジ型レジストのそれぞれの化学成分とレジスト特性との関係について解説いたします。

開催日

2025年3月5日(水) 10時30分～ 2025年3月18日(火) 16時30分

受講対象者

レジスト材料・プロセスの研究や開発に関わる方
半導体、ディスプレイ、MEMSなどのデバイス開発、製造、販売に携わる方
レジストメーカー、およびレジストメーカーに原料を提供する素材メーカーの方

修得知識

レジストを製造するための基礎知識、材料設計指針
レジストを使用する際の留意事項
リソグラフィープロセスについて
素材メーカー、レジストメーカーとしてのデバイスメーカー対応能力
レジスト材料
- ノボラック系ポジ型レジスト
- 化学増幅型レジスト
レジスト評価法について
レジスト除去 (剥離) 技術について

プログラム

　半導体用レジスト技術の基礎から解説し、特にレジスト材料 (感光性樹脂) ・プロセス、ノボラック系ポジ型レジスト、及び化学増幅系3成分 (ベース樹脂、溶解抑制剤、酸発生剤) ポジ型レジストのそれぞれの化学成分とレジスト特性との関係について解説します。
　半導体、LCD等の電子デバイス製造では、成膜、パターン作製 (レジスト塗布、露光、現像) 、エッチング、レジスト剥離、洗浄等のプロセスを複数回繰り返すことにより、基板上に微細素子がパターンニングされたトランジスタが形成される。これらの工程はリソグラフィー工程と呼ばれ、おおよそ20回から30回繰り返されることになる。
　本講演では、特にレジスト材料 (感光性樹脂) ・プロセスについて解説するとともに、ノボラック系ポジ型レジスト、及び化学増幅系3成分 (ベース樹脂、溶解抑制剤、酸発生剤) ポジ型レジストのそれぞれの化学成分とレジスト特性との関係について解説する。レジスト剥離 (除去) 技術については、環境に優しい新規な技術として、活性種として水素ラジカル、湿潤オゾン、マイクロバブル水を用いた技術について解説する。
　また、元デバイスメーカーにいた者の視線で、レジストメーカーに原料を提供する素材メーカーにおけるレジスト評価法の具体的な手法について丁寧に解説したい。

感光性レジストの基礎とリソグラフィー工程の解説
1. 感光性レジストとは?
2. リソグラフィーについて
3. フォトレジストの塗布、露光、露光後ベーク (PEB) 、現像工程の概要
レジスト設計の変遷とその作用メカニズム
1. 半導体・電子デバイスの進化とレジスト設計の変遷
2. レジストの基本原理
3. レジストの現像特性
ノボラック系ポジ型レジストの材料設計
1. レジスト現像アナライザ (RDA) を用いた現像特性評価
2. ノボラック系ポジ型レジストの分子量とレジスト特性の関係
3. ノボラック系ポジ型レジストのプリベーク温度を変えたレジスト特性評価
4. PACのエステル化率を変化させたノボラック系ポジ型レジストのレジスト特性
5. ノボラック系ポジ型レジストの現像温度とレジスト特性との関係
化学増幅ポジ型レジストの材料設計
1. 化学増幅ポジ型3成分レジストのベース樹脂とレジスト特性
  - ベース樹脂
  - 溶解抑制剤
  - 酸発生剤
2. 化学増幅ポジ型3成分レジストの溶解抑制剤とレジスト特性
3. 化学増幅ポジ型3成分レジストの酸発生剤とレジスト特性
4. EUVレジストへの展開
5. i線厚膜レジストへの展開
環境に優しい新規なレジスト除去技術について
1. 活性種として水素ラジカルを用いた場合
2. 活性種として湿潤オゾンを用いた場合
3. 活性種としてオゾンバブル水を用いた場合
4. イオン注入工程を経たレジストの化学構造とレジスト除去技術

質疑応答

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講師

堀邊英夫氏
大阪公立大学大学院工学研究科物質化学生命系専攻化学バイオ分野

教授, 学長特別補佐

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主催

サイエンス＆テクノロジー株式会社

お支払い方法、キャンセルの可否は、必ずお申し込み前にご確認をお願いいたします。

お問い合わせ

本セミナーに関するお問い合わせは tech-seminar.jpのお問い合わせからお願いいたします。

(主催者への直接のお問い合わせはご遠慮くださいませ。)

受講料

1名様

: 38200円 (税別) / 42,020円 (税込)

複数名

: 25000円 (税別) / 27,500円 (税込)

複数名受講割引

2名様以上でお申込みの場合、1名あたり 25,000円(税別) / 27,500円(税込) で受講いただけます。
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 38,200円(税別) / 42,020円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 50,000円(税別) / 55,000円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 75,000円(税別) / 82,500円(税込)
同一法人内 (グループ会社でも可) による複数名同時申込みのみ適用いたします。
受講券、請求書は、代表者にご郵送いたします。
請求書および領収書は1名様ごとに発行可能です。
申込みフォームの通信欄に「請求書1名ごと発行」とご記入ください。
他の割引は併用できません。
サイエンス&テクノロジー社の「2名同時申込みで1名分無料」価格を適用しています。

アカデミー割引

教員、学生および医療従事者はアカデミー割引価格にて受講いただけます。

1名様あたり 10,000円(税別) / 11,000円(税込)
企業に属している方(出向または派遣の方も含む)は、対象外です。
お申込み者が大学所属名でも企業名義でお支払いの場合、対象外です。

アーカイブ配信セミナー

「ビデオグ」を使ったアーカイブ配信セミナーとなります。
当日のセミナーを、後日にお手元のPCなどからご視聴ができます。
お申し込み前に、視聴環境をご確認いただき、視聴テストにて動作確認をお願いいたします。
別途、ID,パスワードをメールにてご連絡申し上げます。
視聴期間は2025年3月5日〜18日を予定しております。
ご視聴いただけなかった場合でも期間延長いたしませんのでご注意ください。
セミナー資料は、PDFファイルをダウンロードいただきます。
ご自宅への書類送付を希望の方は、通信欄にご住所・宛先などをご記入ください。
ご視聴は、お申込み者様ご自身での視聴のみに限らせていただきます。不特定多数でご覧いただくことはご遠慮下さい。
講義の録音、録画などの行為や、権利者の許可なくテキスト資料、講演データの複製、転用、販売などの二次利用することを固く禁じます。

本セミナーは終了いたしました。

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半導体用レジストの基礎と材料設計および環境配慮型の新規レジスト除去技術

admin — Wed, 30 Oct 2024 15:27:17 +0000

半導体用レジストの基礎と材料設計および環境配慮型の新規レジスト除去技術

～レジストの特性や光化学反応、評価手法、EUVレジストや化学増幅型レジストなどを丁寧に解説～

オンライン開催

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アーカイブ配信で受講をご希望の場合、視聴期間は2025年3月5日〜18日を予定しております。
アーカイブ配信のお申し込みは2025年3月5日まで承ります。

概要

開催日

2025年2月20日(木) 10時30分～ 16時30分

受講対象者

レジスト材料・プロセスの研究や開発に関わる方
半導体、ディスプレイ、MEMSなどのデバイス開発、製造、販売に携わる方
レジストメーカー、およびレジストメーカーに原料を提供する素材メーカーの方

修得知識

レジストを製造するための基礎知識、材料設計指針
レジストを使用する際の留意事項
リソグラフィープロセスについて
素材メーカー、レジストメーカーとしてのデバイスメーカー対応能力
レジスト材料
- ノボラック系ポジ型レジスト
- 化学増幅型レジスト
レジスト評価法について
レジスト除去 (剥離) 技術について

プログラム

感光性レジストの基礎とリソグラフィー工程の解説
1. 感光性レジストとは?
2. リソグラフィーについて
3. フォトレジストの塗布、露光、露光後ベーク (PEB) 、現像工程の概要
レジスト設計の変遷とその作用メカニズム
1. 半導体・電子デバイスの進化とレジスト設計の変遷
2. レジストの基本原理
3. レジストの現像特性
ノボラック系ポジ型レジストの材料設計
1. レジスト現像アナライザ (RDA) を用いた現像特性評価
2. ノボラック系ポジ型レジストの分子量とレジスト特性の関係
3. ノボラック系ポジ型レジストのプリベーク温度を変えたレジスト特性評価
4. PACのエステル化率を変化させたノボラック系ポジ型レジストのレジスト特性
5. ノボラック系ポジ型レジストの現像温度とレジスト特性との関係
化学増幅ポジ型レジストの材料設計
1. 化学増幅ポジ型3成分レジストのベース樹脂とレジスト特性
  - ベース樹脂
  - 溶解抑制剤
  - 酸発生剤
2. 化学増幅ポジ型3成分レジストの溶解抑制剤とレジスト特性
3. 化学増幅ポジ型3成分レジストの酸発生剤とレジスト特性
4. EUVレジストへの展開
5. i線厚膜レジストへの展開
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2. 活性種として湿潤オゾンを用いた場合
3. 活性種としてオゾンバブル水を用いた場合
4. イオン注入工程を経たレジストの化学構造とレジスト除去技術

質疑応答

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講師

堀邊英夫氏
大阪公立大学大学院工学研究科物質化学生命系専攻化学バイオ分野

教授, 学長特別補佐

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1名様

: 38200円 (税別) / 42,020円 (税込)

複数名

: 25000円 (税別) / 27,500円 (税込)

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開催日前に、接続先URL、ミーティングID、パスワードを別途ご連絡いたします。
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セミナー資料は、PDFファイルをダウンロードいただきます。
タブレットやスマートフォンでも受講可能ですが、機能が制限される場合があります。
ご視聴は、お申込み者様ご自身での視聴のみに限らせていただきます。不特定多数でご覧いただくことはご遠慮下さい。
講義の録音、録画などの行為や、権利者の許可なくテキスト資料、講演データの複製、転用、販売などの二次利用することを固く禁じます。
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万が一、部外者が侵入した場合は管理者側で部外者の退出あるいはセミナーを終了いたします。

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ブロック共重合体 (BCP) を用いた自己組織化リソグラフィ技術の基礎と動向・展望

admin — Sat, 21 Dec 2024 12:15:10 +0000

ブロック共重合体 (BCP) を用いた自己組織化リソグラフィ技術の基礎と動向・展望

～DSAパターニングの基礎、必要な材料、パターニング方法、開発動向など～

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ライブ配信セミナーには、特典としてアーカイブ配信が付きます。
アーカイブ配信の視聴期間は、2025年2月14日〜20日を予定しております。
ライブ配信を欠席し、アーカイブ配信のみ受講をご希望の場合は、通信欄に「ライブ欠席、アーカイブのみ受講」とご記入ください。

概要

本セミナーでは、ブロック共重合体 (BCP) の基礎から、DSA技術の基礎・メリット・課題、DSAパターン形成に必要な材料、誘導自己組織化技術、BCPの次世代微細加工用レジストへの展開を見据えた最近の研究例など、90分で同技術の基礎・課題・動向を解説いたします。

開催日

2025年2月13日(木) 10時20分～ 12時00分

修得知識

ブロック共重合体の基礎
リソグラフィの基礎
誘導自己組織化のリソグラフィへの展開

プログラム

　フォトリソグラフィにおいて解像可能な最小の配線幅は露光光源の波長に比例するため、微細化に向け露光光源の短波長化が進んでいる。Sub-10nmの解像性を実現するため既存フォトリソグラフィに代わる技術開発が期待され、EUV露光技術を中心とし量産適用に向け研究開発が進んでいる。一方で分子の自己組織化などのボトムアップ技術を用い極微細パターンを形成する技術して注目を浴びているのがブロック共重合体 (BCP) の自己組織化構造を利用したDSAによるリソグラフィ技術であり、研究レベルから工業化に向け大きな進歩を遂げている。
　本講演ではBCPを用いたDSAパターニング技術について紹介するとともに、BCPの次世代微細加工用レジストへの展開を見据えた最近の研究例について紹介する。

半導体市場の概況
DSA技術の基礎
1. より大きなものから削り出す:半導体集積回路半導体の進化
2. より小さなものから組み立てる:自己組織化
3. フォトリソグラフィとDSAリソグラフィの違い
DSAパターン形成に必要な材料
1. ブロック共重合体の特徴
2. 周期構造
3. 精密重合
4. 中性化膜
自己組織化から誘導自己組織化へ
1. 秩序性を持たせるためには
2. DSAリソグラフィを半導体プロセスへ用いるために
DSA技術のメリットと課題
1. フォトリソグラフィとの比較
2. 課題
今後の展望
1. さらなる微細化に向けて
2. 次世代DSA技術: High-chi材料
まとめ

質疑応答

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講師

太宰尚宏氏
東京応化工業株式会社開発本部リソグラフィープロセス材料研究課

課長

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主催

サイエンス＆テクノロジー株式会社

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お問い合わせ

本セミナーに関するお問い合わせは tech-seminar.jpのお問い合わせからお願いいたします。

(主催者への直接のお問い合わせはご遠慮くださいませ。)

受講料

1名様

: 23700円 (税別) / 26,070円 (税込)

複数名

: 12500円 (税別) / 13,750円 (税込)

複数名受講割引

2名様以上でお申込みの場合、1名あたり 12,500円(税別) / 13,750円(税込) で受講いただけます。
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 12,500円(税別) / 13,750円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 25,000円(税別) / 27,500円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 37,500円(税別) / 41,250円(税込)
同一法人内 (グループ会社でも可) による複数名同時申込みのみ適用いたします。
請求書は、代表者にご送付いたします。
請求書および領収書は1名様ごとに発行可能です。
申込みフォームの通信欄に「請求書1名ごと発行」とご記入ください。
他の割引は併用できません。
サイエンス&テクノロジー社の「2名同時申込みで1名分無料」価格を適用しています。

アカデミー割引

教員、学生および医療従事者はアカデミー割引価格にて受講いただけます。

1名様あたり 10,000円(税別) / 11,000円(税込)
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レジスト/EUVレジスト・微細加工用材料の基礎と具体的なトラブル対策

admin — Sat, 21 Dec 2024 09:46:56 +0000

要求特性・課題・トラブル対策までを習得するための

レジスト/EUVレジスト・微細加工用材料の基礎と具体的なトラブル対策

オンライン開催

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ライブ配信セミナーには、特典としてアーカイブ配信が付きます。
アーカイブ配信の視聴期間は2025年2月13日〜19日を予定しております。
ライブ配信を受講しない場合は、「アーカイブ配信」をご選択ください。

概要

本セミナーでは、リソグラフィの基礎知識・最新技術、レジスト材料・微細加工用材料の基礎、微細加工用材料の特性、レジスト材料・微細加工用材料の課題・対策、レジスト材料の最新技術・ビジネス動向まで、具体的に分かりやすく解説いたします。

開催日

2025年2月6日(木) 10時00分～ 16時00分

修得知識

レジスト/EUVレジスト・微細加工用材料の基礎
リソグラフィの基礎
レジスト/EUVレジスト・微細加工用材料のトラブル対策
レジスト/EUVレジスト・微細加工用材料の最新技術・ビジネス動向

プログラム

　本講演では、リソグラフィの基礎を解説した後、デバイスの微細化を支えるレジストの基礎をEUVレジスト (化学増幅型EUVレジスト、EUVネガレジストプロセス、EUVメタルレジスト、EUVメタルドライレジストプロセス) の詳細を含めて述べます。
　レジスト・微細加工用材料のトラブル対策をその要求特性、課題をふまえて解説します。EUVレジストの課題と対策についても述べます。最後に最新のロードマップと先端デバイスの動向を解説し、今後のレジスト・微細加工用材料の技術展望、市場動向についてまとめます。

リソグラフィの基礎
1. 露光
2. 照明方法
  1. 輪帯照明
3. マスク
  1. 位相シフトマスク
  2. 光近接効果補正 (OPC)
  3. マスクエラーファクター (MEF)
レジストの基礎
1. 溶解阻害型レジスト
  1. g線レジスト
  2. i線レジスト
2. 化学増幅型レジスト
  1. KrFレジスト
  2. ArFレジスト
3. ArF液浸レジスト/トップコート
4. EUVレジスト
  1. 化学増幅型EUVレジスト
  2. EUVネガレジストプロセス
  3. EUVメタルレジスト
  4. EUVメタルドライレジストプロセス
レジスト・微細加工用材料のトラブル対策
1. レジストパターン形成不良への対応
  1. パターン倒れ
  2. パターン密着性不良
  3. パターン形状不良
  4. チップ内のパターン均一性不良
2. 化学増幅型レジストのトラブル対策
  1. レジスト材料の安定性
  2. パターン形成時の基板からの影響
  3. パターン形成時の大気からの影響
3. ArF液浸レジストのトラブル対策
4. ダブルパターニング、マルチパターニングのトラブル対策
  1. リソーエッチ (LE) プロセス用材料
  2. セルフアラインド (SA) プロセス用材料
5. EUVレジストの課題と対策
  1. 感度/解像度/ラフネスのトレードオフ
  2. ランダム欠陥 (Stochastic Effects)
6. 自己組織化 (DSA) リソグラフィのトラブル対策
  1. グラフォエピタキシー用材料
  2. ケミカルエピタキシー用材料
7. ナノインプリントリソグラフィのトラブル対策
  1. 加圧方式ナノインプリントリソグラフィ
  2. 光硬化方式ナノインプリントリソグラフィ
最新のロードマップと先端デバイスの動向
レジスト・微細加工用材料の技術展望、市場動向

質疑応答

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講師

遠藤政孝氏
大阪大学産業科学研究所

招聘教授

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主催

株式会社TH企画 (TH企画セミナーセンター)

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お問い合わせ

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受講料

1名様

: 45000円 (税別) / 49,500円 (税込)

複数名

: 40000円 (税別) / 44,000円 (税込)

複数名同時申込割引について

複数名で同時に申込いただいた場合、1名様につき 40,000円(税別) / 44,000円(税込) で受講いただけます。

1名様でお申し込みの場合 : 1名で 45,000円(税別) / 49,500円(税込)
2名様でお申し込みの場合 : 2名で 80,000円(税別) / 88,000円(税込)
3名様でお申し込みの場合 : 3名で 120,000円(税別) / 132,000円(税込)

テキスト送付に係る配送料

ライブ配信・アーカイブ配信受講の場合、別途テキストの送付先1件につき、配送料 1,100円(税別) / 1,210円(税込) を頂戴します。

ライブ配信対応セミナー / アーカイブ配信対応セミナー

「Zoom」を使ったライブ配信またはアーカイブ配信セミナーのいずれかをご選択いただけます。
お申し込み前に、視聴環境とテストミーティングへの参加手順をご確認いただき、テストミーティングにて動作確認をお願いいたします。
開催日前に、接続先URL、ミーティングID、パスワードを別途ご連絡いたします。
セミナー開催日時に、視聴サイトにログインしていただき、ご視聴ください。
ご自宅への書類送付を希望の方は、通信欄にご住所・宛先などをご記入ください。
タブレットやスマートフォンでも受講可能ですが、機能が制限される場合があります。
ご視聴は、お申込み者様ご自身での視聴のみに限らせていただきます。不特定多数でご覧いただくことはご遠慮下さい。
講義の録音、録画などの行為や、権利者の許可なくテキスト資料、講演データの複製、転用、販売などの二次利用することを固く禁じます。

ライブ配信セミナーをご希望の場合

セミナー資料は、郵送にて前日までにお送りいたします。
開催まで4営業日を過ぎたお申込みの場合、セミナー資料の到着が、開講日に間に合わない可能性がありますこと、ご了承下さい。
ライブ配信の画面上でスライド資料は表示されますので、セミナー視聴には差し支えございません。
印刷物は後日お手元に届くことになります。
Zoomのグループにパスワードを設定しています。お申込者以外の参加を防ぐため、パスワードを外部に漏洩しないでください。
万が一、部外者が侵入した場合は管理者側で部外者の退出あるいはセミナーを終了いたします。

アーカイブ配信セミナーをご希望の場合

当日のセミナーを、後日にお手元のPCやスマホ・タブレッドなどからご視聴・学習することができます。
配信開始となりましたら、改めてメールでご案内いたします。
視聴サイトにログインしていただき、ご視聴いただきます。
アーカイブ配信の視聴期間は2025年2月13日〜19日を予定しております。
ご視聴いただけなかった場合でも期間延長いたしませんのでご注意ください。
セミナー資料は別途、送付いたします。

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フォトレジスト材料の基本的な構成構造、材料設計および高感度化

admin — Tue, 10 Dec 2024 06:06:39 +0000

フォトレジスト材料の基本的な構成構造、材料設計および高感度化

～新しい材料開発の動き、フォトレジスト評価の測定機器の使い方、経済安全保障との関連性～

オンライン開催

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概要

本セミナーでは、高分子・低分子化合物のレジスト材料に関する基礎や評価方法を解説いたします。

開催日

2025年1月31日(金) 10時30分～ 16時30分

受講対象者

フォトレジストに関連する技術者、開発者、研究者
フォトレジストで課題を抱えている方
これからフォトレジストに携わる方

修得知識

レジスト材料の基礎
レジスト材料の開発方法
レジスト材料の評価方法

プログラム

　フォトレジスト材料は、化学増幅型システムを基盤として、露光システムの変遷と共に進化をしてきた。
　本セミナーでは、フォトレジストの進化の変遷について、高分子や低分子を用いたレジスト材料の開発について解説する。さらに、KrF、ArF、EB、およびEUVレジスト材料の合成例と分子設計指針について基礎から応用までを解説する。また、レジスト材料の基礎的な評価方法を解説し、新規なレジスト材料の開発方法について解説しながら、最新のレジスト材料としてEUVレジスト材料の開発方法について解説する。

レジスト材料
1. 原理
2. 合成例
3. 最新の化学増幅型
ポジ型レジスト材料
1. 材料的な特性
2. 主な応用・用途
ネガ型レジスト材料
1. 材料的な特性
2. 主な応用・用途
高分子レジスト材料と低分子レジスト
1. 材料的な特性
2. 主な応用・用途
レジスト材料の評価方法と開発方法の実例
1. レジスト材料の評価項目、評価手法について
2. レジスト材料の評価方法と開発例
最新型レジスト材料
1. メタルレジスト
2. EB、EUV用レジスト材料
良く出る質問、ケーススタディ、Q&A
- 例1: レジスト組成物としての添加剤の使用目的とは?
- 例2: レジスト材料の機械的特性の評価法とは?
- 例3: アウトガスの発生原因とその測定方法とは?
- 例4: 光源の照射量・時間・強さの調整法とは?
- 例5: カリックスアレーンのレジスト材料への可能性は?
- 例6: レジスト材料の耐久性、寿命予測法とは?
- 例7: レジスト材料に求められる改善点、課題とは?
- 例8: レジスト材料の保存管理のポイントは?
- 例9: レジスト材料の安全性や規格規制の動きは?
- 例10: レジスト材料の海外での研究実例は?

質疑応答

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講師

工藤宏人氏
関西大学化学生命工学部化学・物質工学科

教授

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主催

株式会社技術情報協会

お支払い方法、キャンセルの可否は、必ずお申し込み前にご確認をお願いいたします。

お問い合わせ

本セミナーに関するお問い合わせは tech-seminar.jpのお問い合わせからお願いいたします。

(主催者への直接のお問い合わせはご遠慮くださいませ。)

受講料

1名様

: 50000円 (税別) / 55,000円 (税込)

複数名

: 45000円 (税別) / 49,500円 (税込)

複数名同時受講割引について

2名様以上でお申込みの場合、1名あたり 45,000円(税別) / 49,500円(税込) で受講いただけます。
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 50,000円(税別) / 55,000円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 90,000円(税別) / 99,000円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 135,000円(税別) / 148,500円(税込)
同一法人内による複数名同時申込みのみ適用いたします。
受講券、請求書は、代表者にご郵送いたします。
他の割引は併用できません。

アカデミック割引

1名様あたり 30,000円(税別) / 33,000円(税込)

日本国内に所在しており、以下に該当する方は、アカデミック割引が適用いただけます。

学校教育法にて規定された国、地方公共団体、および学校法人格を有する大学、大学院、短期大学、附属病院、高等専門学校および各種学校の教員、生徒
病院などの医療機関・医療関連機関に勤務する医療従事者
文部科学省、経済産業省が設置した独立行政法人に勤務する研究者。理化学研究所、産業技術総合研究所など
公設試験研究機関。地方公共団体に置かれる試験所、研究センター、技術センターなどの機関で、試験研究および企業支援に関する業務に従事する方

支払名義が企業の場合は対象外とさせていただきます。
企業に属し、大学、公的機関に派遣または出向されている方は対象外とさせていただきます。

ライブ配信セミナーについて

本セミナーは「Zoom」を使ったライブ配信セミナーとなります。
お申し込み前に、視聴環境とテストミーティングへの参加手順をご確認いただき、テストミーティングにて動作確認をお願いいたします。
開催日前に、接続先URL、ミーティングID、パスワードを別途ご連絡いたします。
セミナー開催日時に、視聴サイトにログインしていただき、ご視聴ください。
ご自宅への書類送付を希望の方は、通信欄にご住所・宛先などをご記入ください。
タブレットやスマートフォンでも受講可能ですが、機能が制限される場合があります。
ご視聴は、お申込み者様ご自身での視聴のみに限らせていただきます。不特定多数でご覧いただくことはご遠慮下さい。
講義の録音、録画などの行為や、権利者の許可なくテキスト資料、講演データの複製、転用、販売などの二次利用することを固く禁じます。
Zoomのグループにパスワードを設定しています。お申込者以外の参加を防ぐため、パスワードを外部に漏洩しないでください。
万が一、部外者が侵入した場合は管理者側で部外者の退出あるいはセミナーを終了いたします。

本セミナーは終了いたしました。

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高感度化フォトレジスト材料の合成・設計・開発技術

admin — Fri, 06 Sep 2024 02:30:26 +0000

高感度化フォトレジスト材料の合成・設計・開発技術

～分子設計・合成方法と最新型EUV用レジスト材料の研究動向～

オンライン開催

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視聴期間は2025年1月7日〜21日を予定しております。
お申し込みは2025年1月7日まで承ります。

概要

本セミナーでは、高分子・低分子化合物のレジスト材料に関する基礎や評価方法を解説いたします。

開催日

2025年1月7日(火) 10時30分～ 2025年1月21日(火) 16時30分

受講対象者

フォトレジストに関連する技術者、開発者、研究者
フォトレジストで課題を抱えている方
これからフォトレジストに携わる方

修得知識

レジスト材料の基礎
レジスト材料の合成方法
レジスト材料の評価方法
レジスト材料の開発方法

プログラム

　フォトレジスト材料の開発は、G線、i線、KrFおよびArFエキシマーレーザーと、露光システムの変遷により、そのレジスト材料の骨格を変化させ、露光システムに対応したレジスト材料が開発されてきた。現在、極端紫外線 (EUV) 露光システムが実用段階として運用されようとしている。しかしながら、EUV露光システムの能力を十分に引き出せるレジスト材料が開発されていない。
　本テーマでは、これまで開発されてきたレジスト材料の基本的な構造を紹介しながら、レジスト材料の合成方法について、基本的な合成方法から最新の合成例について解説する。さらに、分子レジストや化学増幅型レジストの原理や合成方法について解説し、EUV用レジスト材料の研究開発例を紹介し、それらの問題点、および今後の分子設計方法について解説する。

レジスト材料
1. 原理
2. 合成例
3. 最新の化学増幅型
ポジ型レジスト材料
1. 材料的な特性
2. 主な応用・用途
ネガ型レジスト材料
1. 材料的な特性
2. 主な応用・用途
高分子レジスト材料と低分子レジスト
1. 材料的な特性
2. 主な応用・用途
EUV用レジスト材料の評価方法と開発方法の実例
1. レジスト材料の評価項目、評価手法について
2. レジスト材料の評価方法と開発例
最新型EUV用レジスト材料
1. メタルレジスト
2. 化学増幅型レジストと非化学増幅型レジスト材料
質疑応答

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講師

工藤宏人氏
関西大学化学生命工学部化学・物質工学科

教授

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主催

サイエンス＆テクノロジー株式会社

お支払い方法、キャンセルの可否は、必ずお申し込み前にご確認をお願いいたします。

お問い合わせ

本セミナーに関するお問い合わせは tech-seminar.jpのお問い合わせからお願いいたします。

(主催者への直接のお問い合わせはご遠慮くださいませ。)

受講料

1名様

: 36200円 (税別) / 39,820円 (税込)

複数名

: 25000円 (税別) / 27,500円 (税込)

複数名受講割引

2名様以上でお申込みの場合、1名あたり 25,000円(税別) / 27,500円(税込) で受講いただけます。
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 36,200円(税別) / 39,820円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 50,000円(税別) / 55,000円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 75,000円(税別) / 82,500円(税込)
同一法人内 (グループ会社でも可) による複数名同時申込みのみ適用いたします。
受講券、請求書は、代表者にご郵送いたします。
請求書および領収書は1名様ごとに発行可能です。
申込みフォームの通信欄に「請求書1名ごと発行」とご記入ください。
他の割引は併用できません。
サイエンス&テクノロジー社の「2名同時申込みで1名分無料」価格を適用しています。

アカデミー割引

教員、学生および医療従事者はアカデミー割引価格にて受講いただけます。

1名様あたり 10,000円(税別) / 11,000円(税込)
企業に属している方(出向または派遣の方も含む)は、対象外です。
お申込み者が大学所属名でも企業名義でお支払いの場合、対象外です。

アーカイブ配信セミナー

「ビデオグ」を使ったアーカイブ配信セミナーとなります。
当日のセミナーを、後日にお手元のPCなどからご視聴ができます。
お申し込み前に、視聴環境をご確認いただき、視聴テストにて動作確認をお願いいたします。
別途、ID,パスワードをメールにてご連絡申し上げます。
視聴期間は2025年1月7日〜21日を予定しております。
ご視聴いただけなかった場合でも期間延長いたしませんのでご注意ください。
セミナー資料は印刷・送付いたします。
ご自宅への書類送付を希望の方は、通信欄にご住所・宛先などをご記入ください。
ご視聴は、お申込み者様ご自身での視聴のみに限らせていただきます。不特定多数でご覧いただくことはご遠慮下さい。
講義の録音、録画などの行為や、権利者の許可なくテキスト資料、講演データの複製、転用、販売などの二次利用することを固く禁じます。

本セミナーは終了いたしました。

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半導体用レジストの特性および材料設計とその評価

admin — Mon, 28 Oct 2024 14:54:51 +0000

半導体用レジストの特性および材料設計とその評価

オンライン開催

関連するセミナー・出版物

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視聴期間は2024年12月12日〜20日を予定しております。
お申し込みは2024年12月18日まで承ります。

概要

開催日

2024年12月18日(水) 10時30分～ 2024年12月20日(金) 16時30分

受講対象者

レジスト材料・プロセスの研究や開発に関わる方
半導体、ディスプレイ、MEMSなどのデバイス開発、製造、販売に携わる方
レジストメーカー、およびレジストメーカーに原料を提供する素材メーカーの方

修得知識

レジストを製造するための基礎知識、材料設計指針
レジストを使用する際の留意事項
リソグラフィープロセスについて
素材メーカー、レジストメーカーとしてのデバイスメーカー対応能力
レジスト材料
- ノボラック系ポジ型レジスト
- 化学増幅型レジスト
プロセスについて

プログラム

　半導体、LCD等の電子デバイス製造では、成膜、パターン作製 (レジスト塗布、露光、現像) 、エッチング、レジスト剥離、洗浄等のプロセスを複数回繰り返すことにより、基板上に微細素子がパターンニングされたトランジスタが形成される。これらの工程はリソグラフィー工程と呼ばれ、おおよそ20回から30回繰り返されることになる。
　本講演では、特にレジスト材料 (感光性樹脂) ・プロセスについて解説するとともに、ノボラック系ポジ型レジスト、及び化学増幅系3成分 (ベース樹脂、溶解抑制剤、酸発生剤) ポジ型レジストのそれぞれの化学成分とレジスト特性との関係について解説する。
　また、元デバイスメーカーにいた者の視線で、レジストメーカーに原料を提供する素材メーカーにおけるレジスト評価法の具体的な手法について丁寧に解説したい。

感光性レジストの基礎とリソグラフィー工程の解説
1. 感光性レジストとは?
2. リソグラフィーについて
3. フォトレジストの塗布、露光、露光後ベーク (PEB) 、現像工程の概要
レジスト設計の変遷とその作用メカニズム
1. 半導体・電子デバイスの進化とレジスト設計の変遷
2. レジストの基本原理
3. レジストの現像特性
4. レジストとSi基板との密着性について
ノボラック系ポジ型レジストの材料設計
1. レジスト現像アナライザ (RDA) を用いた現像特性評価
2. ノボラック系ポジ型レジストの分子量とレジスト特性の関係
3. ノボラック系ポジ型レジストのプリベーク温度を変えたレジスト特性評価
4. PACのエステル化率を変化させたノボラック系ポジ型レジストのレジスト特性
5. ノボラック系ポジ型レジストの現像温度とレジスト特性との関係
化学増幅ポジ型レジストの材料設計
1. 化学増幅ポジ型3成分レジストのベース樹脂とレジスト特性
  - ベース樹脂
  - 溶解抑制剤
  - 酸発生剤
2. 化学増幅ポジ型3成分レジストの溶解抑制剤とレジスト特性
3. 化学増幅ポジ型3成分レジストの酸発生剤とレジスト特性
4. EUVレジストへの展開
5. i線厚膜レジストへの展開

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主催

株式会社 R&D支援センター

お支払い方法、キャンセルの可否は、必ずお申し込み前にご確認をお願いいたします。

お問い合わせ

本セミナーに関するお問い合わせは tech-seminar.jpのお問い合わせからお願いいたします。

(主催者への直接のお問い合わせはご遠慮くださいませ。)

受講料

1名様

: 50000円 (税別) / 55,000円 (税込)

複数名

: 25000円 (税別) / 27,500円 (税込) (案内をご希望の場合に限ります)

案内割引・複数名同時申込割引について

R&D支援センターからの案内登録をご希望の方は、割引特典を受けられます。
案内および割引をご希望される方は、お申込みの際、「案内の希望 (割引適用)」の欄から案内方法をご選択ください。

「案内の希望」をご選択いただいた場合、1名様 45,000円(税別) / 49,500円(税込) で受講いただけます。
複数名で同時に申込いただいた場合、1名様につき 25,000円(税別) / 27,500円(税込) で受講いただけます。

R&D支援センターからの案内を希望する方
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 45,000円(税別) / 49,500円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 50,000円(税別) / 55,000円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 75,000円(税別) / 82,500円(税込)
R&D支援センターからの案内を希望しない方
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 50,000円(税別) / 55,000円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 100,000円(税別) / 110,000円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 150,000円(税別) / 165,000円(税込)

アーカイブ配信セミナー

当日のセミナーを、後日にお手元のPCやスマホ・タブレッドなどからご視聴・学習することができます。
配信開始となりましたら、改めてメールでご案内いたします。
視聴サイトにログインしていただき、ご視聴いただきます。
視聴期間は2024年12月12日〜20日を予定しております。
ご視聴いただけなかった場合でも期間延長いたしませんのでご注意ください。

本セミナーは終了いたしました。

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高感度化フォトレジスト材料の合成・設計・開発技術

admin — Fri, 06 Sep 2024 02:29:49 +0000

高感度化フォトレジスト材料の合成・設計・開発技術

～分子設計・合成方法と最新型EUV用レジスト材料の研究動向～

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アーカイブ配信で受講をご希望の場合、視聴期間は2025年1月7日〜21日を予定しております。
アーカイブ配信のお申し込みは2025年1月7日まで承ります。

概要

本セミナーでは、高分子・低分子化合物のレジスト材料に関する基礎や評価方法を解説いたします。

開催日

2024年12月17日(火) 10時30分～ 16時30分

受講対象者

フォトレジストに関連する技術者、開発者、研究者
フォトレジストで課題を抱えている方
これからフォトレジストに携わる方

修得知識

レジスト材料の基礎
レジスト材料の合成方法
レジスト材料の評価方法
レジスト材料の開発方法

プログラム

レジスト材料
1. 原理
2. 合成例
3. 最新の化学増幅型
ポジ型レジスト材料
1. 材料的な特性
2. 主な応用・用途
ネガ型レジスト材料
1. 材料的な特性
2. 主な応用・用途
高分子レジスト材料と低分子レジスト
1. 材料的な特性
2. 主な応用・用途
EUV用レジスト材料の評価方法と開発方法の実例
1. レジスト材料の評価項目、評価手法について
2. レジスト材料の評価方法と開発例
最新型EUV用レジスト材料
1. メタルレジスト
2. 化学増幅型レジストと非化学増幅型レジスト材料
質疑応答

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講師

工藤宏人氏
関西大学化学生命工学部化学・物質工学科

教授

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主催

サイエンス＆テクノロジー株式会社

お支払い方法、キャンセルの可否は、必ずお申し込み前にご確認をお願いいたします。

お問い合わせ

本セミナーに関するお問い合わせは tech-seminar.jpのお問い合わせからお願いいたします。

(主催者への直接のお問い合わせはご遠慮くださいませ。)

受講料

1名様

: 36200円 (税別) / 39,820円 (税込)

複数名

: 25000円 (税別) / 27,500円 (税込)

複数名受講割引

2名様以上でお申込みの場合、1名あたり 25,000円(税別) / 27,500円(税込) で受講いただけます。
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 36,200円(税別) / 39,820円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 50,000円(税別) / 55,000円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 75,000円(税別) / 82,500円(税込)
同一法人内 (グループ会社でも可) による複数名同時申込みのみ適用いたします。
受講券、請求書は、代表者にご郵送いたします。
請求書および領収書は1名様ごとに発行可能です。
申込みフォームの通信欄に「請求書1名ごと発行」とご記入ください。
他の割引は併用できません。
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アカデミー割引

教員、学生および医療従事者はアカデミー割引価格にて受講いただけます。

1名様あたり 10,000円(税別) / 11,000円(税込)
企業に属している方(出向または派遣の方も含む)は、対象外です。
お申込み者が大学所属名でも企業名義でお支払いの場合、対象外です。

ライブ配信対応セミナー / アーカイブ配信対応セミナー

ライブ配信またはアーカイブ配信セミナーのいずれかをご選択いただけます。

ライブ配信セミナーをご希望の場合

「Zoom」を使ったライブ配信セミナーとなります。
お申し込み前に、視聴環境とテストミーティングへの参加手順をご確認いただき、テストミーティングにて動作確認をお願いいたします。
開催日前に、接続先URL、ミーティングID、パスワードを別途ご連絡いたします。
セミナー開催日時に、視聴サイトにログインしていただき、ご視聴ください。
セミナー資料は郵送にて前日までにお送りいたします。
開催まで4営業日を過ぎたお申込みの場合、セミナー資料の到着が、開講日に間に合わない可能性がありますこと、ご了承下さい。
ライブ配信の画面上でスライド資料は表示されますので、セミナー視聴には差し支えございません。
印刷物は後日お手元に届くことになります。
ご自宅への書類送付を希望の方は、通信欄にご住所・宛先などをご記入ください。
タブレットやスマートフォンでも受講可能ですが、機能が制限される場合があります。
ご視聴は、お申込み者様ご自身での視聴のみに限らせていただきます。不特定多数でご覧いただくことはご遠慮下さい。
講義の録音、録画などの行為や、権利者の許可なくテキスト資料、講演データの複製、転用、販売などの二次利用することを固く禁じます。
Zoomのグループにパスワードを設定しています。お申込者以外の参加を防ぐため、パスワードを外部に漏洩しないでください。
万が一、部外者が侵入した場合は管理者側で部外者の退出あるいはセミナーを終了いたします。

アーカイブ配信セミナーをご希望の場合

「ビデオグ」を使ったアーカイブ配信セミナーとなります。
当日のセミナーを、後日にお手元のPCなどからご視聴ができます。
お申し込み前に、視聴環境をご確認いただき、視聴テストにて動作確認をお願いいたします。
別途、ID,パスワードをメールにてご連絡申し上げます。
視聴期間は2025年1月7日〜21日を予定しております。
ご視聴いただけなかった場合でも期間延長いたしませんのでご注意ください。
セミナー資料は印刷・送付いたします。
ご自宅への書類送付を希望の方は、通信欄にご住所・宛先などをご記入ください。
ご視聴は、お申込み者様ご自身での視聴のみに限らせていただきます。不特定多数でご覧いただくことはご遠慮下さい。
講義の録音、録画などの行為や、権利者の許可なくテキスト資料、講演データの複製、転用、販売などの二次利用することを固く禁じます。

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レジストリソグラフィーの基礎と実用化ノウハウ

admin — Fri, 11 Oct 2024 16:32:41 +0000

レジストリソグラフィーの基礎と実用化ノウハウ

～レジスト材料、プロセス、装置の最適化とパターン欠陥対策、量産技術～

オンライン開催

関連するセミナー・出版物

本セミナーは終了いたしました。

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概要

本セミナーでは、レジスト材料開発、およびレジスト処理装置関連の技術者、レジストユーザー、リソグラフィでトラブルを抱えている方々を対象に、フォトレジスト材料の特性、プロセスの最適化、付着・濡れ・欠陥といった各種トラブルに注目し、評価・解決のアプローチを丁寧に説明いたします。
また、研究開発・トラブルフォローといった実務上での取り組み方について、豊富な実例を交えながら解説いたします。

開催日

2024年12月13日(金) 10時30分～ 16時30分

受講対象者

レジスト材料開発、電子デバイスメーカー、レジスト処理装置、プリント基板関係の技術者
レジスト材料を扱う方
レジストを使用して製品・開発を生産する方
レジスト分野の技術指導をする方

修得知識

レジスト開発・レジスト処理装置開発・レジストを使用する上での基本的な考え方、ノウハウ
レジストの最適化法
レジスト処理におけるトラブルの原因と対処法
ユーザー側での評価手法

プログラム

　現在、レジスト材料は、半導体、ディスプレイ、プリント基板、太陽電池、MEMS等の多くの電子産業分野において、世界市場で実用化されています。その市場規模は、年間1500億円におよび年々拡大しています。その反面、レジスト材料プロセス技術の高度化に伴い、フォトレジストの品質が製品に与える影響も深刻化しています。また、レジストユーザーの要求も幅広くなり、レジスト材料および装置メーカー側は対応に追われる状況です。
　本セミナーでは、レジスト材料開発、およびレジスト処理装置関連の技術者、レジストユーザー、リソグラフィでトラブルを抱えている方々を対象に、フォトレジスト材料の特性、プロセスの最適化、付着・濡れ・欠陥といった各種トラブルに注目し、評価・解決のアプローチを丁寧に説明します。また、研究開発・トラブルフォローといった実務上での取り組み方について、豊富な実例を交えながら解説します。また、レジストユーザーの視点とは何かを講師の経験も含めて詳述します。受講者が抱えている日々のトラブルやノウハウ相談にも個別に応じます。

レジスト概要 (産業上の実用例)
1. レジスト実用化トレンド (分類)
2. ウェットエッチング用レジスト (アンダーカット)
3. ドライエッチング用レジスト (プラズマ耐性)
4. めっき用レジスト
  - ドライフィルム
  - 金属配線形成
5. ソルダーレジスト (プリント基板)
6. 構造用レジスト
  - MEMS
  - 光造形
7. 厚膜用レジスト
  - 段差平坦化
  - Orchardの式
  - 多層レジストプロセス
8. カバー用レジスト
  - TARC
  - BARC
9. カラーレジスト
  - ディスプレイ
  - 相分離
レジスト材料・プロセスの基礎 (これだけは習得しておきたい)
1. レジスト材料とプロセスの最適化
  1. レジストの光化学反応
    - ポジ
    - ネガ
    - 化学増幅型
    - EUV
    - TMAH溶解
  2. プロセスフロー
    - CAD設計
    - シフト量
    - ラインマッチング
2. 露光描画技術の最適化
  1. 露光システム
    - 回折光
    - ステッパー
    - スキャナー
    - EUV
  2. レイリーの式
    - 解像力
    - 焦点深度
  3. 重ね合わせ技術
    - TTL
    - アライメントマーク
  4. 位相シフト技術、ペリクル技術 (高解像化とマスク欠陥対策)
3. レジスト形状の最適化
  1. 光学像コントラスト (光回折劣化)
  2. 残膜曲線 (感度、γ値、最適露光時間)
  3. 溶解コントラスト (レジスト垂直性)
  4. 現像コントラスト (現像液濃度の最適化)
  5. パターン断面改善
    - 段差部変動
    - 寸法リニアリティー
    - PEB
  6. 耐エッチングコントラスト (選択比)
  7. シミュレーション技術 (効果的な技術予測)
    - レジスト形状
    - ノズル塗布
    - スピンコート
    - パターン内3次元応力解析
4. レジスト処理装置・シーケンスの最適化とその要点
  1. HMDS処理
    - シランカップリング
    - vapor処理
    - 剥離防止
  2. コーティング
    - スピン
    - 膜厚分布
    - 乱流
    - スキャン塗布
    - ラミネート
  3. 現像
    - ディップ
    - パドル
    - スプレー
  4. 乾燥
    - ホットプレート
    - プロキシミティー
    - 減圧
    - 真空
  5. レジスト除去
    - アッシング
    - 剥離液
    - IPA乾燥
    - 物理除去
レジスト欠陥・トラブル対策 (歩留り向上の最優先対策とは)
1. 致命欠陥とは
  1. 欠陥と歩留まり (ウェットプロセスの貢献)
  2. 配線上異物
    - 致命/非致命欠陥
    - ショート/オープン欠陥
    - バブル欠陥
  3. 塗布ミスト
    - エッジ盛上り
    - EBRエッジバックリンス
  4. 接触異物
    - 発塵
    - ウェハケース
    - ピンセット
2. レジストパターン剥離メカニズムとその影響因子とは
  1. 接着促進要因と剥離促進要因
    - バランスモデル
    - 破断面解析
  2. 表面エネルギー
    - 分散・極性成分マップ
    - 付着エネルギーWa
    - 拡張係数S
    - 円モデル
  3. 応力歪み
    - 膨潤
    - 軟化
    - 応力集中
    - 膜内浸透
  4. 検査用パターン
    - サイズ
    - 形状依存性
  5. パターン直接剥離解析 (DPAT法)
3. レジスト膜欠陥と対策
  1. ストリーエーション (スジ状膜厚むら)
  2. 膜分裂 (超薄膜化と自己組織化)
  3. 乾燥むら
    - 乾燥対流とベナールセル
    - 光多重干渉
  4. 環境応力亀裂
    - 白化
    - クレイズとクラック
  5. ピンホール、はじき (拡張濡れ対策)
  6. 膨れ (ブリスター)
  7. 現像バブル対策 (界面活性剤)
参考資料
1. 塗膜トラブルQ&A事例集 (トラブルの最短解決ノウハウ)
2. 表面エネルギーによる濡れ・付着性解析法 (測定方法)

質疑応答

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主催

株式会社 R&D支援センター

お支払い方法、キャンセルの可否は、必ずお申し込み前にご確認をお願いいたします。

お問い合わせ

本セミナーに関するお問い合わせは tech-seminar.jpのお問い合わせからお願いいたします。

(主催者への直接のお問い合わせはご遠慮くださいませ。)

受講料

1名様

: 50000円 (税別) / 55,000円 (税込)

複数名

: 45000円 (税別) / 49,500円 (税込) (案内をご希望の場合に限ります)

複数名同時受講割引について

2名様以上でお申込みの場合、1名あたり 45,000円(税別) / 49,500円(税込) で受講いただけます。
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 50,000円(税別) / 55,000円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 90,000円(税別) / 99,000円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 135,000円(税別) / 148,500円(税込)
同一法人内による複数名同時申込みのみ適用いたします。
受講券、請求書は、代表者にご郵送いたします。
他の割引は併用できません。

アカデミック割引

1名様あたり 30,000円(税別) / 33,000円(税込)

日本国内に所在しており、以下に該当する方は、アカデミック割引が適用いただけます。

学校教育法にて規定された国、地方公共団体、および学校法人格を有する大学、大学院、短期大学、附属病院、高等専門学校および各種学校の教員、生徒
病院などの医療機関・医療関連機関に勤務する医療従事者
文部科学省、経済産業省が設置した独立行政法人に勤務する研究者。理化学研究所、産業技術総合研究所など
公設試験研究機関。地方公共団体に置かれる試験所、研究センター、技術センターなどの機関で、試験研究および企業支援に関する業務に従事する方

支払名義が企業の場合は対象外とさせていただきます。
企業に属し、大学、公的機関に派遣または出向されている方は対象外とさせていただきます。

ライブ配信セミナーについて

本セミナーは「Zoom」を使ったライブ配信セミナーとなります。
お申し込み前に、視聴環境とテストミーティングへの参加手順をご確認いただき、テストミーティングにて動作確認をお願いいたします。
開催日前に、接続先URL、ミーティングID、パスワードを別途ご連絡いたします。
セミナー開催日時に、視聴サイトにログインしていただき、ご視聴ください。
セミナー資料は郵送にて前日までにお送りいたします。
開催まで4営業日を過ぎたお申込みの場合、セミナー資料の到着が、開講日に間に合わない可能性がありますこと、ご了承下さい。
ライブ配信の画面上でスライド資料は表示されますので、セミナー視聴には差し支えございません。
印刷物は後日お手元に届くことになります。
ご自宅への書類送付を希望の方は、通信欄にご住所・宛先などをご記入ください。
タブレットやスマートフォンでも受講可能ですが、機能が制限される場合があります。
ご視聴は、お申込み者様ご自身での視聴のみに限らせていただきます。不特定多数でご覧いただくことはご遠慮下さい。
講義の録音、録画などの行為や、権利者の許可なくテキスト資料、講演データの複製、転用、販売などの二次利用することを固く禁じます。
Zoomのグループにパスワードを設定しています。お申込者以外の参加を防ぐため、パスワードを外部に漏洩しないでください。
万が一、部外者が侵入した場合は管理者側で部外者の退出あるいはセミナーを終了いたします。

本セミナーは終了いたしました。

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半導体用レジストの特性および材料設計とその評価

admin — Mon, 28 Oct 2024 14:53:50 +0000

半導体用レジストの特性および材料設計とその評価

オンライン開催

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アーカイブ配信で受講をご希望の場合、視聴期間は2024年12月12日〜20日を予定しております。
アーカイブ配信のお申し込みは2024年12月18日まで承ります。

概要

開催日

2024年12月10日(火) 10時30分～ 16時30分

受講対象者

レジスト材料・プロセスの研究や開発に関わる方
半導体、ディスプレイ、MEMSなどのデバイス開発、製造、販売に携わる方
レジストメーカー、およびレジストメーカーに原料を提供する素材メーカーの方

修得知識

レジストを製造するための基礎知識、材料設計指針
レジストを使用する際の留意事項
リソグラフィープロセスについて
素材メーカー、レジストメーカーとしてのデバイスメーカー対応能力
レジスト材料
- ノボラック系ポジ型レジスト
- 化学増幅型レジスト
プロセスについて

プログラム

感光性レジストの基礎とリソグラフィー工程の解説
1. 感光性レジストとは?
2. リソグラフィーについて
3. フォトレジストの塗布、露光、露光後ベーク (PEB) 、現像工程の概要
レジスト設計の変遷とその作用メカニズム
1. 半導体・電子デバイスの進化とレジスト設計の変遷
2. レジストの基本原理
3. レジストの現像特性
4. レジストとSi基板との密着性について
ノボラック系ポジ型レジストの材料設計
1. レジスト現像アナライザ (RDA) を用いた現像特性評価
2. ノボラック系ポジ型レジストの分子量とレジスト特性の関係
3. ノボラック系ポジ型レジストのプリベーク温度を変えたレジスト特性評価
4. PACのエステル化率を変化させたノボラック系ポジ型レジストのレジスト特性
5. ノボラック系ポジ型レジストの現像温度とレジスト特性との関係
化学増幅ポジ型レジストの材料設計
1. 化学増幅ポジ型3成分レジストのベース樹脂とレジスト特性
  - ベース樹脂
  - 溶解抑制剤
  - 酸発生剤
2. 化学増幅ポジ型3成分レジストの溶解抑制剤とレジスト特性
3. 化学増幅ポジ型3成分レジストの酸発生剤とレジスト特性
4. EUVレジストへの展開
5. i線厚膜レジストへの展開

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主催

株式会社 R&D支援センター

お支払い方法、キャンセルの可否は、必ずお申し込み前にご確認をお願いいたします。

お問い合わせ

本セミナーに関するお問い合わせは tech-seminar.jpのお問い合わせからお願いいたします。

(主催者への直接のお問い合わせはご遠慮くださいませ。)

受講料

1名様

: 50000円 (税別) / 55,000円 (税込)

複数名

: 25000円 (税別) / 27,500円 (税込) (案内をご希望の場合に限ります)

案内割引・複数名同時申込割引について

R&D支援センターからの案内を希望する方
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 45,000円(税別) / 49,500円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 50,000円(税別) / 55,000円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 75,000円(税別) / 82,500円(税込)
R&D支援センターからの案内を希望しない方
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 50,000円(税別) / 55,000円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 100,000円(税別) / 110,000円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 150,000円(税別) / 165,000円(税込)

ライブ配信対応セミナー / アーカイブ配信対応セミナー

「Zoom」を使ったライブ配信またはアーカイブ配信セミナーのいずれかをご選択いただけます。
お申し込み前に、視聴環境とテストミーティングへの参加手順をご確認いただき、テストミーティングにて動作確認をお願いいたします。
開催日前に、接続先URL、ミーティングID、パスワードを別途ご連絡いたします。
セミナー開催日時に、視聴サイトにログインしていただき、ご視聴ください。
セミナー資料は、PDFファイルを配布予定です。
タブレットやスマートフォンでも受講可能ですが、機能が制限される場合があります。
ご視聴は、お申込み者様ご自身での視聴のみに限らせていただきます。不特定多数でご覧いただくことはご遠慮下さい。
講義の録音、録画などの行為や、権利者の許可なくテキスト資料、講演データの複製、転用、販売などの二次利用することを固く禁じます。

ライブ配信セミナーをご希望の場合

Zoomのグループにパスワードを設定しています。お申込者以外の参加を防ぐため、パスワードを外部に漏洩しないでください。
万が一、部外者が侵入した場合は管理者側で部外者の退出あるいはセミナーを終了いたします。

アーカイブ配信セミナーをご希望の場合

当日のセミナーを、後日にお手元のPCやスマホ・タブレッドなどからご視聴・学習することができます。
配信開始となりましたら、改めてメールでご案内いたします。
視聴サイトにログインしていただき、ご視聴いただきます。
視聴期間は2024年12月12日〜20日を予定しております。
ご視聴いただけなかった場合でも期間延長いたしませんのでご注意ください。

本セミナーは終了いたしました。

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レジストの技術・材料・プロセス・装置の総合知識

admin — Wed, 25 Sep 2024 12:41:11 +0000

レジストの技術・材料・プロセス・装置の総合知識

～フォトレジスト材料の特性、プロセス・装置の最適化、付着・濡れ・欠陥等のトラブル対策～

オンライン開催個別相談付き

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概要

本セミナーでは、これからレジスト材料を使用するユーザー、レジスト材料開発、処理装置開発、リソグラフィでトラブルを抱えている方々を対象に、フォトレジスト材料の特性、プロセスの最適化、付着・濡れ・欠陥といった各種トラブルに注目し、評価・解決のアプローチを丁寧に説明いたします。
また、研究開発・トラブルフォローといった実務上での取り組み方について、豊富な実例を交えながら解説いたします。

開催日

2024年11月15日(金) 13時00分～ 16時30分

受講対象者

レジスト材料開発、電子デバイスメーカー、レジスト処理装置、プリント基板関係の技術者
レジスト材料を扱う方
レジストを使用して製品・開発を生産する方
レジスト分野の技術指導をする方

修得知識

レジスト開発・レジスト処理装置開発・レジストを使用する上での基本的な考え方、ノウハウ
レジストの最適化法
レジスト処理におけるトラブルの原因と対処法
ユーザー側での評価手法

プログラム

レジスト概要 (産業上の実用例)
1. レジスト実用化トレンド (分類)
2. ウェットエッチング用レジスト (アンダーカット)
3. ドライエッチング用レジスト
  - 選択比
  - プラズマ耐性
4. めっき用レジスト
  - ドライフィルム
  - 金属配線形成
5. ソルダーレジスト (プリント基板)
6. 構造用レジスト
  - MEMS
  - 3Dプリント
7. 厚膜用レジスト
  - 段差平坦化
  - Orchardの式
  - 多層レジストプロセス
8. カバー用レジスト
  - TARC
  - BARC
9. カラーレジスト
  - ディスプレイ
  - 顔料相分離
レジスト材料・プロセスの基礎 (これだけは習得しておきたい)
1. レジスト材料とプロセスの最適化
  1. レジストの光化学反応
    - ポジ
    - ネガ
    - 化学増幅型
    - EUV
    - TMAH溶解
  2. プロセスフロー
    - CAD設計
    - シフト量
    - ラインマッチング
    - process window
  3. ポジ型/ネガ型の選択基準 (ピンホール転写欠陥)
2. 露光描画技術の最適化
  1. 露光システム
    - 回折光
    - ステッパー
    - スキャナー
    - EUV
  2. レイリーの式
    - 解像力
    - 焦点深度
  3. 重ね合わせ技術
    - TTL
    - アライメントマーク
3. レジスト処理の最適化
  1. 光学像コントラスト (光回折劣化)
  2. 残膜曲線
    - 感度
    - γ値
    - 最適露光時間
  3. 溶解コントラスト (レジスト垂直性)
  4. 現像コントラスト (現像液濃度の最適化)
  5. パターン断面改善
    - 段差部変動
    - 寸法リニアリティー
    - PEB
  6. 耐エッチングコントラスト (選択比)
4. レジスト処理装置・プロセスの最適化とその要点
  1. HMDS処理
    - シランカップリング
    - vapor処理
    - 剥離防止
  2. コーティング
    - スピン
    - 膜厚分布
    - 乱流
    - スキャン塗布
    - ラミネート
  3. 現像
    - ディップ
    - パドル
    - スプレー
  4. 乾燥
    - ホットプレート
    - プロキシミティー
    - 減圧
    - 真空
  5. レジスト除去
    - アッシング
    - 剥離液
    - IPA乾燥
    - 物理除去
レジスト欠陥・トラブル対策 (歩留り向上の最優先対策とは)
1. 致命欠陥とは
  1. 欠陥と歩留まり (ウェットプロセスの貢献)
  2. 配線上異物
    - 致命/非致命欠陥
    - ショート/オープン欠陥
    - バブル欠陥
  3. 塗布ミスト
    - エッジ盛上り
    - EBRエッジバックリンス
  4. 接触異物
    - 発塵
    - ウェハケース
    - ピンセット
2. レジストパターン剥離メカニズムとその影響因子とは
  1. 接着促進要因と剥離促進要因
    - バランスモデル
    - 破断面解析
  2. 表面エネルギー
    - 分散・極性成分マップ
    - 付着エネルギーWa
    - 拡張係数S
    - 円モデル
  3. 応力歪み、膨潤、軟化
    - 応力集中
    - 膜内浸透
  4. 検査用パターン
    - サイズ
    - 形状依存性
  5. パターン直接剥離解析 (DPAT法)
3. レジスト膜欠陥と対策
  1. ストリーエーション (スジ状膜厚むら)
  2. 膜分裂 (超薄膜化と自己組織化)
  3. 乾燥むら
    - 乾燥対流とベナールセル
    - 光多重干渉
  4. 白化
    - ソルダーレジスト
    - ソルベントクラック
  5. ピンホール、はじき (拡張濡れ対策)
  6. 膨れ (ブリスター)
  7. 現像バブル対策 (界面活性剤)
参考資料
1. 塗膜トラブルQ&A事例集 (トラブルの最短解決ノウハウ)
2. 表面エネルギーによる濡れ・付着性解析法 (測定方法)
質疑応答
- 日頃の研究開発、トラブル相談にも応じます

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主催

株式会社 R&D支援センター

お支払い方法、キャンセルの可否は、必ずお申し込み前にご確認をお願いいたします。

お問い合わせ

本セミナーに関するお問い合わせは tech-seminar.jpのお問い合わせからお願いいたします。

(主催者への直接のお問い合わせはご遠慮くださいませ。)

受講料

1名様

: 45000円 (税別) / 49,500円 (税込)

複数名

: 22500円 (税別) / 24,750円 (税込) (案内をご希望の場合に限ります)

案内割引・複数名同時申込割引について

「案内の希望」をご選択いただいた場合、1名様 42,000円(税別) / 46,200円(税込) で受講いただけます。
複数名で同時に申込いただいた場合、1名様につき 22,500円(税別) / 24,750円(税込) で受講いただけます。

R&D支援センターからの案内を希望する方
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 42,000円(税別) / 46,200円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 45,000円(税別) / 49,500円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 67,500円(税別) / 74,250円(税込)
R&D支援センターからの案内を希望しない方
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 45,000円(税別) / 49,500円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 90,000円(税別) / 99,000円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 135,000円(税別) / 148,500円(税込)

ライブ配信セミナーについて

本セミナーは「Zoom」を使ったライブ配信セミナーとなります。
お申し込み前に、視聴環境とテストミーティングへの参加手順をご確認いただき、テストミーティングにて動作確認をお願いいたします。
開催日前に、接続先URL、ミーティングID、パスワードを別途ご連絡いたします。
セミナー開催日時に、視聴サイトにログインしていただき、ご視聴ください。
セミナー資料は、PDFファイルをダウンロードいただきます。
ご自宅への書類送付を希望の方は、通信欄にご住所・宛先などをご記入ください。
タブレットやスマートフォンでも受講可能ですが、機能が制限される場合があります。
ご視聴は、お申込み者様ご自身での視聴のみに限らせていただきます。不特定多数でご覧いただくことはご遠慮下さい。
講義の録音、録画などの行為や、権利者の許可なくテキスト資料、講演データの複製、転用、販売などの二次利用することを固く禁じます。
Zoomのグループにパスワードを設定しています。お申込者以外の参加を防ぐため、パスワードを外部に漏洩しないでください。
万が一、部外者が侵入した場合は管理者側で部外者の退出あるいはセミナーを終了いたします。

本セミナーは終了いたしました。

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フォトレジスト材料の基本的分子設計から、最先端レジスト材料の合成法と評価法

admin — Mon, 04 Nov 2024 14:31:18 +0000

フォトレジスト材料の基本的分子設計から、最先端レジスト材料の合成法と評価法

オンライン開催

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概要

本セミナーでは、高分子・低分子化合物のレジスト材料に関する基礎や評価方法を解説いたします。

開催日

2024年11月12日(火) 10時30分～ 16時30分

受講対象者

フォトレジストに関連する技術者、開発者、研究者
フォトレジストで課題を抱えている方
これからフォトレジストに携わる方

修得知識

レジスト材料の基礎
レジスト材料の合成方法
レジスト材料の評価方法
レジスト材料の開発方法

プログラム

　フォトレジスト材料の開発は、G線、i線、KrFおよびArFエキシマーレーザーと、露光システムの変遷により、そのレジスト材料の骨格を変化させ、それぞれに対応したレジスト材料が開発されてきた。現在、極端紫外線 (EUV) 露光システムが実用段階として運用されようとしている。しかしながら、EUV露光システムの能力を十分に引き出せるレジスト材料が開発されていない。
　本テーマでは、これまで開発されてきたレジスト材料の基本的な構造を紹介しながら、レジスト材料の合成方法について、基本的な合成方法から最新の合成例について解説する。さらに、分子レジストや化学増幅型レジストの原理や合成方法について解説し、EUV用レジスト材料の研究開発例を紹介し、それらの問題点、および今後の分子設計方法について解説する。

レジスト材料
1. 原理
2. 合成例
3. 最新の化学増幅型
ポジ型レジスト材料
1. 材料的な特性
2. 主な応用・用途
ネガ型レジスト材料
1. 材料的な特性
2. 主な応用・用途
高分子レジスト材料と低分子レジスト
1. 材料的な特性
2. 主な応用・用途
EUV用レジスト材料の評価方法と開発方法の実例
1. レジスト材料の評価項目,評価手法について
2. レジスト材料の評価方法と開発例
最新型EUV用レジスト材料
1. メタルレジスト
2. 化学増幅型レジストと非化学増幅型レジスト材料

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講師

工藤宏人氏
関西大学化学生命工学部化学・物質工学科

教授

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主催

株式会社トリケップス

お支払い方法、キャンセルの可否は、必ずお申し込み前にご確認をお願いいたします。

お問い合わせ

本セミナーに関するお問い合わせは tech-seminar.jpのお問い合わせからお願いいたします。

(主催者への直接のお問い合わせはご遠慮くださいませ。)

受講料

1名様

: 49000円 (税別) / 53,900円 (税込)

1口

: 60000円 (税別) / 66,000円 (税込) (3名まで受講可)

ライブ配信セミナーについて

本セミナーは「Zoom」を使ったライブ配信セミナーとなります。
お申し込み前に、視聴環境とテストミーティングへの参加手順をご確認いただき、テストミーティングにて動作確認をお願いいたします。
開催日前に、接続先URL、ミーティングID、パスワードを別途ご連絡いたします。
セミナー開催日時に、視聴サイトにログインしていただき、ご視聴ください。
ご自宅への書類送付を希望の方は、通信欄にご住所・宛先などをご記入ください。
タブレットやスマートフォンでも受講可能ですが、機能が制限される場合があります。
ご視聴は、お申込み者様ご自身での視聴のみに限らせていただきます。不特定多数でご覧いただくことはご遠慮下さい。
講義の録音、録画などの行為や、権利者の許可なくテキスト資料、講演データの複製、転用、販売などの二次利用することを固く禁じます。
Zoomのグループにパスワードを設定しています。お申込者以外の参加を防ぐため、パスワードを外部に漏洩しないでください。
万が一、部外者が侵入した場合は管理者側で部外者の退出あるいはセミナーを終了いたします。

本セミナーは終了いたしました。

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レジスト・微細加工用材料への要求特性と最新技術動向

admin — Thu, 18 Jul 2024 16:01:05 +0000

レジスト・微細加工用材料への要求特性と最新技術動向

～ダブルパターニング/マルチパターニング、EUVリソグラフィ、自己組織化 (DSA) 、ナノインプリントリソグラフィ etc. / 半導体の微細化を支えるリソグラフィと材料～

オンライン開催

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受講特典: アーカイブ配信付き (視聴期間: 2024年10月21日〜10月25日を予定)

概要

本セミナーでは、溶解阻害型や化学増幅型などレジストの基礎からメタルレジスト含むEUVレジストまで、各種微細加工・リソグラフィ技術やレジスト材料の基礎から、最新動向・展望までを幅広く解説いたします。

開催日

2024年10月18日(金) 10時30分～ 16時30分

修得知識

リソグラフィの基礎知識
レジスト・微細加工用材料の基礎知識
レジスト・微細加工用材料の要求特性
レジスト・微細加工用材料の課題と対策
レジスト・微細加工用材料の最新技術・ビジネス動向

プログラム

　メモリー、マイクロプロセッサ等の半導体の高集積化の要求は、携帯端末、情報機器等の高性能化に伴い益々大きくなっています。
　本講演では、リソグラフィの基礎、最新のロードマップを述べた後、デバイスの微細化を支えるレジスト・微細加工用材料の基礎、EUVレジストを中心に現在の3nmロジックノードに対応するレジスト・微細加工用材料の要求特性、課題と対策、最新技術・動向を解説し、今後の展望、市場動向についてまとめます。

リソグラフィの基礎
1. 露光
  1. コンタクト露光
  2. ステップ&リピート露光
  3. スキャン露光
2. 照明方法
  1. 斜入射 (輪帯) 照明
3. マスク
  1. 位相シフトマスク
  2. 光近接効果補正 (OPC)
  3. マスクエラーファクター (MEF)
4. レジストプロセス
  1. 反射防止プロセス
    1. 上層反射防止膜 (TARC)
    2. 下層反射防止膜 (BARC)
  2. ハードマスクプロセス
  3. 化学機械研磨 (CMP) 技術
ロードマップとリソグラフィ技術
1. IRDS
  1. リソグラフィへの要求特性
  2. レジスト・微細加工用材料への要求特性
2. 微細化に対応するリソグラフィ技術の選択肢
3. 最先端デバイスの動向
レジストの基礎
1. 溶解阻害型レジスト
  1. g線レジスト
  2. i線レジスト
2. 化学増幅型レジスト
  1. KrFレジスト
  2. ArFレジスト
  3. 化学増幅型レジストの安定化技術
3. ArF液浸レジスト/トップコート
  1. ArF液浸リソグラフィの特徴
  2. ArF液浸レジスト/トップコートの要求特性
  3. ArF液浸レジスト/トップコートの設計指針
レジスト・微細加工用材料の最新技術
1. ダブルパターニング、マルチパターニング
  1. リソーエッチ (LE) プロセス
  2. セルフアラインド (SA) プロセス
2. EUVリソグラフィ
  1. EUVリソグラフィの特徴
    1. 露光装置
    2. 光源
    3. マスク
    4. プロセス
  2. EUVレジストの特徴
  3. EUVレジストの要求特性
  4. EUVレジストの設計指針
    1. EUVレジスト用ポリマー
    2. EUVレジスト用酸発生剤
  5. EUVレジストの課題と対策
    1. 感度/解像度/ラフネスのトレードオフ
    2. ランダム欠陥 (Stochastic Effects)
  6. EUVレジストの動向
    1. ネガレジストプロセス
    2. ポリマーバウンド酸発生剤を用いる化学増幅型レジスト
  7. EUVメタルレジスト
    1. EUVメタルレジストの特徴
    2. EUVメタルレジストの性能
    3. EUVメタル増感剤
    4. EUVメタルドライレジストプロセス
3. 自己組織化 (DSA) リソグラフィ
  1. グラフォエピタキシー
  2. ケミカルエピタキシー
  3. 高χ (カイ) ブロックコポリマー
4. ナノインプリントリソグラフィ
  1. 加圧方式
  2. 光硬化方式
    1. 光硬化材料
    2. 離型剤
    3. 露光装置
レジスト・微細加工用材料の技術展望、市場動向

質疑応答

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講師

遠藤政孝氏
大阪大学産業科学研究所

招聘教授

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主催

サイエンス＆テクノロジー株式会社

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受講料

1名様

: 36200円 (税別) / 39,820円 (税込)

複数名

: 25000円 (税別) / 27,500円 (税込)

複数名受講割引

2名様以上でお申込みの場合、1名あたり 25,000円(税別) / 27,500円(税込) で受講いただけます。
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 36,200円(税別) / 39,820円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 50,000円(税別) / 55,000円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 75,000円(税別) / 82,500円(税込)
同一法人内 (グループ会社でも可) による複数名同時申込みのみ適用いたします。
受講券、請求書は、代表者にご郵送いたします。
請求書および領収書は1名様ごとに発行可能です。
申込みフォームの通信欄に「請求書1名ごと発行」とご記入ください。
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アカデミー割引

教員、学生および医療従事者はアカデミー割引価格にて受講いただけます。

1名様あたり 10,000円(税別) / 11,000円(税込)
企業に属している方(出向または派遣の方も含む)は、対象外です。
お申込み者が大学所属名でも企業名義でお支払いの場合、対象外です。

ライブ配信セミナーについて

本セミナーは「Zoom」を使ったライブ配信セミナーとなります。
お申し込み前に、視聴環境とテストミーティングへの参加手順をご確認いただき、テストミーティングにて動作確認をお願いいたします。
開催日前に、接続先URL、ミーティングID、パスワードを別途ご連絡いたします。
セミナー開催日時に、視聴サイトにログインしていただき、ご視聴ください。
セミナー資料は郵送にて前日までにお送りいたします。
開催まで4営業日を過ぎたお申込みの場合、セミナー資料の到着が、開講日に間に合わない可能性がありますこと、ご了承下さい。
ライブ配信の画面上でスライド資料は表示されますので、セミナー視聴には差し支えございません。
印刷物は後日お手元に届くことになります。
ご自宅への書類送付を希望の方は、通信欄にご住所・宛先などをご記入ください。
タブレットやスマートフォンでも受講可能ですが、機能が制限される場合があります。
ご視聴は、お申込み者様ご自身での視聴のみに限らせていただきます。不特定多数でご覧いただくことはご遠慮下さい。
講義の録音、録画などの行為や、権利者の許可なくテキスト資料、講演データの複製、転用、販売などの二次利用することを固く禁じます。
Zoomのグループにパスワードを設定しています。お申込者以外の参加を防ぐため、パスワードを外部に漏洩しないでください。
万が一、部外者が侵入した場合は管理者側で部外者の退出あるいはセミナーを終了いたします。

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レジストの技術・材料・プロセス・装置の総合知識

admin — Fri, 12 Jul 2024 05:48:02 +0000

レジストの技術・材料・プロセス・装置の総合知識

～フォトレジスト材料の特性、プロセス・装置の最適化、付着・濡れ・欠陥等のトラブル対策～

オンライン開催個別相談付き

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視聴期間は2024年9月20日〜10月4日を予定しております。
お申し込みは2024年9月20日まで承ります。

概要

開催日

2024年9月20日(金) 13時00分～ 2024年10月4日(金) 16時30分

受講対象者

レジスト材料開発、電子デバイスメーカー、レジスト処理装置、プリント基板関係の技術者
レジスト材料を扱う方
レジストを使用して製品・開発を生産する方
レジスト分野の技術指導をする方

修得知識

レジスト開発・レジスト処理装置開発・レジストを使用する上での基本的な考え方、ノウハウ
レジストの最適化法
レジスト処理におけるトラブルの原因と対処法
ユーザー側での評価手法

プログラム

レジスト概要 (産業上の実用例)
1. レジスト実用化トレンド (分類)
2. ウェットエッチング用レジスト (アンダーカット)
3. ドライエッチング用レジスト (選択比)
4. めっき用レジスト
  - ドライフィルム
  - 金属配線形成
5. ソルダーレジスト (プリント基板)
6. 構造用レジスト
  - MEMS
  - 3Dプリント
7. 厚膜用レジスト
  - 段差平坦化
  - Orchardの式
  - 多層レジストプロセス
8. カバー用レジスト
  - TARC
  - BARC
9. カラーレジスト
  - ディスプレイ
  - 相分離
レジスト材料・プロセスの基礎 (これだけは習得しておきたい)
1. レジスト材料とプロセスの最適化
  1. レジストの光化学反応
    - ポジ
    - ネガ
    - 化学増幅型
    - EUV
    - TMAH溶解
  2. プロセスフロー
    - CAD設計
    - シフト量
    - ラインマッチング
    - process window
  3. ポジ型/ネガ型の選択基準 (ピンホール転写欠陥)
2. 露光描画技術の最適化
  1. 露光システム
    - 回折光
    - ステッパー
    - スキャナー
    - EUV
  2. レイリーの式
    - 解像力
    - 焦点深度
  3. 重ね合わせ技術
    - TTL
    - アライメントマーク
3. レジスト処理の最適化
  1. 光学像コントラスト (光回折劣化)
  2. 残膜曲線
    - 感度
    - γ値
    - 最適露光時間
  3. 溶解コントラスト (レジスト垂直性)
  4. 現像コントラスト (現像液濃度の最適化)
  5. パターン断面改善
    - 段差部変動
    - 寸法リニアリティー
    - PEB
  6. 耐エッチングコントラスト (選択比)
4. レジスト処理装置・プロセスの最適化とその要点
  1. HMDS処理
    - シランカップリング
    - vapor処理
    - 剥離防止
  2. コーティング
    - スピン
    - 膜厚分布
    - 乱流
    - スキャン塗布
    - ラミネート
  3. 現像
    - ディップ
    - パドル
    - スプレー
  4. 乾燥
    - ホットプレート
    - プロキシミティー
    - 減圧
    - 真空
  5. レジスト除去
    - アッシング
    - 剥離液
    - IPA乾燥
    - 物理除去
レジスト欠陥・トラブル対策 (歩留り向上の最優先対策とは)
1. 致命欠陥とは
  1. 欠陥と歩留まり (ウェットプロセスの貢献)
  2. 配線上異物
    - 致命/非致命欠陥
    - ショート/オープン欠陥
    - バブル欠陥
  3. 塗布ミスト
    - エッジ盛上り
    - EBRエッジバックリンス
  4. 接触異物
    - 発塵
    - ウェハケース
    - ピンセット
2. レジストパターン剥離メカニズムとその影響因子とは
  1. 接着促進要因と剥離促進要因
    - バランスモデル
    - 破断面解析
  2. 表面エネルギー
    - 分散・極性成分マップ
    - 付着エネルギーWa
    - 拡張係数S
    - 円モデル
  3. 応力歪み、膨潤、軟化
    - 応力集中
    - 膜内浸透
  4. 検査用パターン
    - サイズ
    - 形状依存性
  5. パターン直接剥離解析 (DPAT法)
3. レジスト膜欠陥と対策
  1. ストリーエーション (スジ状膜厚むら)
  2. 膜分裂 (超薄膜化と自己組織化)
  3. 乾燥むら
    - 乾燥対流とベナールセル
    - 光多重干渉
  4. 環境応力亀裂
    - 白化
    - クレイズとクラック
  5. ピンホール、はじき (拡張濡れ対策)
  6. 膨れ (ブリスター)
  7. 現像バブル対策 (界面活性剤)
参考資料
1. 塗膜トラブルQ&A事例集 (トラブルの最短解決ノウハウ)
2. 表面エネルギーによる濡れ・付着性解析法 (測定方法)
質疑応答
- 日頃の研究開発、トラブル相談にも応じます

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講師

河合晃氏
長岡技術科学大学

名誉教授

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主催

サイエンス＆テクノロジー株式会社

お支払い方法、キャンセルの可否は、必ずお申し込み前にご確認をお願いいたします。

お問い合わせ

本セミナーに関するお問い合わせは tech-seminar.jpのお問い合わせからお願いいたします。

(主催者への直接のお問い合わせはご遠慮くださいませ。)

受講料

1名様

: 32400円 (税別) / 35,640円 (税込)

複数名

: 22500円 (税別) / 24,750円 (税込)

複数名受講割引

2名様以上でお申込みの場合、1名あたり 22,500円(税別) / 24,750円(税込) で受講いただけます。
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 32,400円(税別) / 35,640円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 45,000円(税別) / 49,500円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 67,500円(税別) / 74,250円(税込)
同一法人内 (グループ会社でも可) による複数名同時申込みのみ適用いたします。
受講券、請求書は、代表者にご郵送いたします。
請求書および領収書は1名様ごとに発行可能です。
申込みフォームの通信欄に「請求書1名ごと発行」とご記入ください。
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アーカイブ配信セミナー

「ビデオグ」を使ったアーカイブ配信セミナーとなります。
当日のセミナーを、後日にお手元のPCなどからご視聴ができます。
お申し込み前に、視聴環境をご確認いただき、視聴テストにて動作確認をお願いいたします。
別途、ID,パスワードをメールにてご連絡申し上げます。
視聴期間は2024年9月20日〜10月4日を予定しております。
ご視聴いただけなかった場合でも期間延長いたしませんのでご注意ください。
セミナー資料は、PDFファイルをダウンロードいただきます。
ご自宅への書類送付を希望の方は、通信欄にご住所・宛先などをご記入ください。
ご視聴は、お申込み者様ご自身での視聴のみに限らせていただきます。不特定多数でご覧いただくことはご遠慮下さい。
講義の録音、録画などの行為や、権利者の許可なくテキスト資料、講演データの複製、転用、販売などの二次利用することを固く禁じます。

本セミナーは終了いたしました。

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半導体製造プロセス入門講座

admin — Wed, 17 Apr 2024 02:07:00 +0000

半導体製造プロセス入門講座

～半導体デバイスの基礎、デバイス加工、半導体基板、前処理、酸化、不純物導入 / 薄膜形成、リソグラフィー、配線技術、保護膜形成、実装技術、パッシベーション / 信頼性評価、クリーンルーム管理、プロセスシミュレーション、製造ライン管理の実際～

オンライン開催

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概要

本セミナーでは、半導体デバイス製造に携わる技術者の方を対象に、各基本プロセスの主要技術や最適化事例について概説いたします。

開催日

2024年9月20日(金) 13時00分～ 16時30分

受講対象者

半導体デバイスに関わる技術者
製造装置、素材、材料分野の技術者
半導体プロセス分野の技術管理および設計担当者
デバイスプロセスの基礎を学びたい方

修得知識

半導体デバイスの基礎、デバイス加工、半導体基板、前処理、酸化、不純物導入
薄膜形成、リソグラフィー、配線技術、保護膜形成、実装技術、パッシベーション
信頼性評価、クリーンルーム管理、プロセスシミュレーション、製造ライン管理の実際

プログラム

　近年、世界の半導体市場は急速に拡大しており、我国でも国家戦略的な重要産業として位置づけられています。また、高機能デバイスの製造プロセスには、高い技術水準と競争力が求められています。これらのプロセス技術の基礎を幅広く理解することにより、各種トラブルへの対処および効率的な技術開発が可能となり、歩留まり改善や生産性向上へと繋がると考えます。
　本セミナーでは、半導体デバイス製造に携わる技術者の方々を対象に、各基本プロセスの主要技術や最適化事例について概説します。また、各工程で生じる代表的なトラブル事例と対策を紹介します。初めて半導体プロセスに関わる方々の入門講座としても適しています。本セミナーでは、受講者の方々の日頃のトラブル相談・技術開発相談にも応じます。

各種半導体デバイスの基礎
- 半導体産業の特徴
- 各種デバイス概論
- 歩留まり
デバイス加工の最適化
- 回路設計
- シフト量
- ハイブリッド処理
半導体基板
- 単結晶
- 多結晶
- 薄膜化
前処理
- クリーンネス
- RCA洗浄
- 致命欠陥
- 表面エネルギー
酸化
- Deal-Grove理論
- 酸化種
- エリンガム図
不純物導入
- 拡散法
- イオン注入法
- LSS理論
- アニーリング
薄膜形成
- VWDB核生成理論
- めっき
- 蒸着
- スパッタ
- LP-CVD
リソグラフィー (1)
- レジスト技術
- レイリーの式
- 重ね合わせ
リソグラフィー (2)
- ウエットエッチング
- ドライエッチング
- レジスト除去
配線技術
- 多層配線
- マイグレーション
保護膜形成
- CMP技術
- 透湿性
実装技術
- CIP
- Pbフリーはんだ
- Au/Alワイヤーボンディング
パッシベーション
- ソフトエラー
- セラミック
- モールド
信頼性評価
- 活性化エネルギー
- アレニウス則
- ワイブル分布
- 寿命評価
クリーンルーム管理
- 浮遊微粒子
- フィルタリング
- 動線制御
プロセスシミュレーション
- コーティング
- 気流
- 応力集中
- 電流分布など
製造ライン管理の実際
- タクトタイム
- 歩留まり
- 月産量見積もり
- コスト計算など
質疑応答
- 日頃のトラブル・研究開発相談にも応じます

参考資料
- 塗膜トラブルQ&A事例集 (トラブルの最短解決ノウハウ)
- 表面エネルギーによる濡れ・付着性解析 (測定方法)

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講師

河合晃氏
長岡技術科学大学

名誉教授

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主催

サイエンス＆テクノロジー株式会社

お支払い方法、キャンセルの可否は、必ずお申し込み前にご確認をお願いいたします。

お問い合わせ

本セミナーに関するお問い合わせは tech-seminar.jpのお問い合わせからお願いいたします。

(主催者への直接のお問い合わせはご遠慮くださいませ。)

受講料

1名様

: 32400円 (税別) / 35,640円 (税込)

複数名

: 22500円 (税別) / 24,750円 (税込)

複数名受講割引

2名様以上でお申込みの場合、1名あたり 22,500円(税別) / 24,750円(税込) で受講いただけます。
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 32,400円(税別) / 35,640円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 45,000円(税別) / 49,500円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 67,500円(税別) / 74,250円(税込)
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アカデミー割引

教員、学生および医療従事者はアカデミー割引価格にて受講いただけます。

1名様あたり 10,000円(税別) / 11,000円(税込)
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ライブ配信セミナーについて

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高感度化フォトレジスト材料の設計技術

admin — Wed, 31 Jul 2024 13:52:21 +0000

高感度化フォトレジスト材料の設計技術

～分子設計・合成方法とEUV用レジスト材料などの最新研究動向～

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視聴期間は2024年9月13日〜30日を予定しております。
お申し込みは2024年9月13日まで承ります。

概要

本セミナーでは、高分子・低分子化合物のレジスト材料に関する基礎や評価方法を解説いたします。

開催日

2024年9月13日(金) 10時30分～ 2024年9月30日(月) 16時30分

受講対象者

フォトレジストに関連する技術者、開発者、研究者
フォトレジストで課題を抱えている方
これからフォトレジストに携わる方

修得知識

レジスト材料の基礎
レジスト材料の開発方法
レジスト材料の評価方法

プログラム

レジスト材料
1. 原理
2. 合成例
3. 最新の化学増幅型
ポジ型レジスト材料
1. 材料的な特性
2. 主な応用・用途
ネガ型レジスト材料
1. 材料的な特性
2. 主な応用・用途
高分子レジスト材料と低分子レジスト
1. 材料的な特性
2. 主な応用・用途
EUV用レジスト材料の評価方法と開発方法の実例
1. レジスト材料の評価項目,評価手法について
2. レジスト材料の評価方法と開発例
最新型EUV用レジスト材料
1. メタルレジスト
2. 化学増幅型レジストと非化学増幅型レジスト材料
質疑応答

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講師

工藤宏人氏
関西大学化学生命工学部化学・物質工学科

教授

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主催

サイエンス＆テクノロジー株式会社

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お問い合わせ

本セミナーに関するお問い合わせは tech-seminar.jpのお問い合わせからお願いいたします。

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受講料

1名様

: 36200円 (税別) / 39,820円 (税込)

複数名

: 25000円 (税別) / 27,500円 (税込)

複数名受講割引

2名様以上でお申込みの場合、1名あたり 25,000円(税別) / 27,500円(税込) で受講いただけます。
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 36,200円(税別) / 39,820円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 50,000円(税別) / 55,000円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 75,000円(税別) / 82,500円(税込)
同一法人内 (グループ会社でも可) による複数名同時申込みのみ適用いたします。
受講券、請求書は、代表者にご郵送いたします。
請求書および領収書は1名様ごとに発行可能です。
申込みフォームの通信欄に「請求書1名ごと発行」とご記入ください。
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サイエンス&テクノロジー社の「2名同時申込みで1名分無料」価格を適用しています。

アカデミー割引

教員、学生および医療従事者はアカデミー割引価格にて受講いただけます。

1名様あたり 10,000円(税別) / 11,000円(税込)
企業に属している方(出向または派遣の方も含む)は、対象外です。
お申込み者が大学所属名でも企業名義でお支払いの場合、対象外です。

アーカイブ配信セミナー

「ビデオグ」を使ったアーカイブ配信セミナーとなります。
当日のセミナーを、後日にお手元のPCなどからご視聴ができます。
お申し込み前に、視聴環境をご確認いただき、視聴テストにて動作確認をお願いいたします。
別途、ID,パスワードをメールにてご連絡申し上げます。
視聴期間は2024年9月13日〜30日を予定しております。
ご視聴いただけなかった場合でも期間延長いたしませんのでご注意ください。
セミナー資料は印刷・送付いたします。
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ご視聴は、お申込み者様ご自身での視聴のみに限らせていただきます。不特定多数でご覧いただくことはご遠慮下さい。
講義の録音、録画などの行為や、権利者の許可なくテキスト資料、講演データの複製、転用、販売などの二次利用することを固く禁じます。

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レジストの技術・材料・プロセス・装置の総合知識

admin — Fri, 12 Jul 2024 05:46:54 +0000

レジストの技術・材料・プロセス・装置の総合知識

～フォトレジスト材料の特性、プロセス・装置の最適化、付着・濡れ・欠陥等のトラブル対策～

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アーカイブ配信で受講をご希望の場合、視聴期間は2024年9月20日〜10月4日を予定しております。
アーカイブ配信のお申し込みは2024年9月20日まで承ります。

概要

開催日

2024年9月6日(金) 13時00分～ 16時30分

受講対象者

レジスト材料開発、電子デバイスメーカー、レジスト処理装置、プリント基板関係の技術者
レジスト材料を扱う方
レジストを使用して製品・開発を生産する方
レジスト分野の技術指導をする方

修得知識

レジスト開発・レジスト処理装置開発・レジストを使用する上での基本的な考え方、ノウハウ
レジストの最適化法
レジスト処理におけるトラブルの原因と対処法
ユーザー側での評価手法

プログラム

レジスト概要 (産業上の実用例)
1. レジスト実用化トレンド (分類)
2. ウェットエッチング用レジスト (アンダーカット)
3. ドライエッチング用レジスト (選択比)
4. めっき用レジスト
  - ドライフィルム
  - 金属配線形成
5. ソルダーレジスト (プリント基板)
6. 構造用レジスト
  - MEMS
  - 3Dプリント
7. 厚膜用レジスト
  - 段差平坦化
  - Orchardの式
  - 多層レジストプロセス
8. カバー用レジスト
  - TARC
  - BARC
9. カラーレジスト
  - ディスプレイ
  - 相分離
レジスト材料・プロセスの基礎 (これだけは習得しておきたい)
1. レジスト材料とプロセスの最適化
  1. レジストの光化学反応
    - ポジ
    - ネガ
    - 化学増幅型
    - EUV
    - TMAH溶解
  2. プロセスフロー
    - CAD設計
    - シフト量
    - ラインマッチング
    - process window
  3. ポジ型/ネガ型の選択基準 (ピンホール転写欠陥)
2. 露光描画技術の最適化
  1. 露光システム
    - 回折光
    - ステッパー
    - スキャナー
    - EUV
  2. レイリーの式
    - 解像力
    - 焦点深度
  3. 重ね合わせ技術
    - TTL
    - アライメントマーク
3. レジスト処理の最適化
  1. 光学像コントラスト (光回折劣化)
  2. 残膜曲線
    - 感度
    - γ値
    - 最適露光時間
  3. 溶解コントラスト (レジスト垂直性)
  4. 現像コントラスト (現像液濃度の最適化)
  5. パターン断面改善
    - 段差部変動
    - 寸法リニアリティー
    - PEB
  6. 耐エッチングコントラスト (選択比)
4. レジスト処理装置・プロセスの最適化とその要点
  1. HMDS処理
    - シランカップリング
    - vapor処理
    - 剥離防止
  2. コーティング
    - スピン
    - 膜厚分布
    - 乱流
    - スキャン塗布
    - ラミネート
  3. 現像
    - ディップ
    - パドル
    - スプレー
  4. 乾燥
    - ホットプレート
    - プロキシミティー
    - 減圧
    - 真空
  5. レジスト除去
    - アッシング
    - 剥離液
    - IPA乾燥
    - 物理除去
レジスト欠陥・トラブル対策 (歩留り向上の最優先対策とは)
1. 致命欠陥とは
  1. 欠陥と歩留まり (ウェットプロセスの貢献)
  2. 配線上異物
    - 致命/非致命欠陥
    - ショート/オープン欠陥
    - バブル欠陥
  3. 塗布ミスト
    - エッジ盛上り
    - EBRエッジバックリンス
  4. 接触異物
    - 発塵
    - ウェハケース
    - ピンセット
2. レジストパターン剥離メカニズムとその影響因子とは
  1. 接着促進要因と剥離促進要因
    - バランスモデル
    - 破断面解析
  2. 表面エネルギー
    - 分散・極性成分マップ
    - 付着エネルギーWa
    - 拡張係数S
    - 円モデル
  3. 応力歪み、膨潤、軟化
    - 応力集中
    - 膜内浸透
  4. 検査用パターン
    - サイズ
    - 形状依存性
  5. パターン直接剥離解析 (DPAT法)
3. レジスト膜欠陥と対策
  1. ストリーエーション (スジ状膜厚むら)
  2. 膜分裂 (超薄膜化と自己組織化)
  3. 乾燥むら
    - 乾燥対流とベナールセル
    - 光多重干渉
  4. 環境応力亀裂
    - 白化
    - クレイズとクラック
  5. ピンホール、はじき (拡張濡れ対策)
  6. 膨れ (ブリスター)
  7. 現像バブル対策 (界面活性剤)
参考資料
1. 塗膜トラブルQ&A事例集 (トラブルの最短解決ノウハウ)
2. 表面エネルギーによる濡れ・付着性解析法 (測定方法)
質疑応答
- 日頃の研究開発、トラブル相談にも応じます

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講師

河合晃氏
長岡技術科学大学

名誉教授

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主催

サイエンス＆テクノロジー株式会社

お支払い方法、キャンセルの可否は、必ずお申し込み前にご確認をお願いいたします。

お問い合わせ

本セミナーに関するお問い合わせは tech-seminar.jpのお問い合わせからお願いいたします。

(主催者への直接のお問い合わせはご遠慮くださいませ。)

受講料

1名様

: 32400円 (税別) / 35,640円 (税込)

複数名

: 22500円 (税別) / 24,750円 (税込)

複数名受講割引

2名様以上でお申込みの場合、1名あたり 22,500円(税別) / 24,750円(税込) で受講いただけます。
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 32,400円(税別) / 35,640円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 45,000円(税別) / 49,500円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 67,500円(税別) / 74,250円(税込)
同一法人内 (グループ会社でも可) による複数名同時申込みのみ適用いたします。
受講券、請求書は、代表者にご郵送いたします。
請求書および領収書は1名様ごとに発行可能です。
申込みフォームの通信欄に「請求書1名ごと発行」とご記入ください。
他の割引は併用できません。
サイエンス&テクノロジー社の「2名同時申込みで1名分無料」価格を適用しています。

アカデミー割引

教員、学生および医療従事者はアカデミー割引価格にて受講いただけます。

1名様あたり 10,000円(税別) / 11,000円(税込)
企業に属している方(出向または派遣の方も含む)は、対象外です。
お申込み者が大学所属名でも企業名義でお支払いの場合、対象外です。

ライブ配信対応セミナー / アーカイブ配信対応セミナー

ライブ配信またはアーカイブ配信セミナーのいずれかをご選択いただけます。

ライブ配信セミナーをご希望の場合

「Zoom」を使ったライブ配信セミナーとなります。
お申し込み前に、視聴環境とテストミーティングへの参加手順をご確認いただき、テストミーティングにて動作確認をお願いいたします。
開催日前に、接続先URL、ミーティングID、パスワードを別途ご連絡いたします。
セミナー開催日時に、視聴サイトにログインしていただき、ご視聴ください。
セミナー資料は、PDFファイルをダウンロードいただきます。
タブレットやスマートフォンでも受講可能ですが、機能が制限される場合があります。
ご視聴は、お申込み者様ご自身での視聴のみに限らせていただきます。不特定多数でご覧いただくことはご遠慮下さい。
講義の録音、録画などの行為や、権利者の許可なくテキスト資料、講演データの複製、転用、販売などの二次利用することを固く禁じます。
Zoomのグループにパスワードを設定しています。お申込者以外の参加を防ぐため、パスワードを外部に漏洩しないでください。
万が一、部外者が侵入した場合は管理者側で部外者の退出あるいはセミナーを終了いたします。

アーカイブ配信セミナーをご希望の場合

「ビデオグ」を使ったアーカイブ配信セミナーとなります。
当日のセミナーを、後日にお手元のPCなどからご視聴ができます。
お申し込み前に、視聴環境をご確認いただき、視聴テストにて動作確認をお願いいたします。
別途、ID,パスワードをメールにてご連絡申し上げます。
視聴期間は2024年9月20日〜10月4日を予定しております。
ご視聴いただけなかった場合でも期間延長いたしませんのでご注意ください。
セミナー資料は、PDFファイルをダウンロードいただきます。
ご自宅への書類送付を希望の方は、通信欄にご住所・宛先などをご記入ください。
ご視聴は、お申込み者様ご自身での視聴のみに限らせていただきます。不特定多数でご覧いただくことはご遠慮下さい。
講義の録音、録画などの行為や、権利者の許可なくテキスト資料、講演データの複製、転用、販売などの二次利用することを固く禁じます。

本セミナーは終了いたしました。

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高感度化フォトレジスト材料の設計技術

admin — Wed, 31 Jul 2024 13:51:23 +0000

高感度化フォトレジスト材料の設計技術

～分子設計・合成方法とEUV用レジスト材料などの最新研究動向～

オンライン開催

関連するセミナー・出版物

本セミナーは終了いたしました。

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アーカイブ配信で受講をご希望の場合、視聴期間は2024年9月13日〜30日を予定しております。
アーカイブ配信のお申し込みは2024年9月13日まで承ります。

概要

本セミナーでは、高分子・低分子化合物のレジスト材料に関する基礎や評価方法を解説いたします。

開催日

2024年8月29日(木) 10時30分～ 16時30分

受講対象者

フォトレジストに関連する技術者、開発者、研究者
フォトレジストで課題を抱えている方
これからフォトレジストに携わる方

修得知識

レジスト材料の基礎
レジスト材料の開発方法
レジスト材料の評価方法

プログラム

レジスト材料
1. 原理
2. 合成例
3. 最新の化学増幅型
ポジ型レジスト材料
1. 材料的な特性
2. 主な応用・用途
ネガ型レジスト材料
1. 材料的な特性
2. 主な応用・用途
高分子レジスト材料と低分子レジスト
1. 材料的な特性
2. 主な応用・用途
EUV用レジスト材料の評価方法と開発方法の実例
1. レジスト材料の評価項目,評価手法について
2. レジスト材料の評価方法と開発例
最新型EUV用レジスト材料
1. メタルレジスト
2. 化学増幅型レジストと非化学増幅型レジスト材料
質疑応答

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講師

工藤宏人氏
関西大学化学生命工学部化学・物質工学科

教授

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主催

サイエンス＆テクノロジー株式会社

お支払い方法、キャンセルの可否は、必ずお申し込み前にご確認をお願いいたします。

お問い合わせ

本セミナーに関するお問い合わせは tech-seminar.jpのお問い合わせからお願いいたします。

(主催者への直接のお問い合わせはご遠慮くださいませ。)

受講料

1名様

: 36200円 (税別) / 39,820円 (税込)

複数名

: 25000円 (税別) / 27,500円 (税込)

複数名受講割引

2名様以上でお申込みの場合、1名あたり 25,000円(税別) / 27,500円(税込) で受講いただけます。
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 36,200円(税別) / 39,820円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 50,000円(税別) / 55,000円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 75,000円(税別) / 82,500円(税込)
同一法人内 (グループ会社でも可) による複数名同時申込みのみ適用いたします。
受講券、請求書は、代表者にご郵送いたします。
請求書および領収書は1名様ごとに発行可能です。
申込みフォームの通信欄に「請求書1名ごと発行」とご記入ください。
他の割引は併用できません。
サイエンス&テクノロジー社の「2名同時申込みで1名分無料」価格を適用しています。

アカデミー割引

教員、学生および医療従事者はアカデミー割引価格にて受講いただけます。

1名様あたり 10,000円(税別) / 11,000円(税込)
企業に属している方(出向または派遣の方も含む)は、対象外です。
お申込み者が大学所属名でも企業名義でお支払いの場合、対象外です。

ライブ配信対応セミナー / アーカイブ配信対応セミナー

ライブ配信またはアーカイブ配信セミナーのいずれかをご選択いただけます。

ライブ配信セミナーをご希望の場合

「Zoom」を使ったライブ配信セミナーとなります。
お申し込み前に、視聴環境とテストミーティングへの参加手順をご確認いただき、テストミーティングにて動作確認をお願いいたします。
開催日前に、接続先URL、ミーティングID、パスワードを別途ご連絡いたします。
セミナー開催日時に、視聴サイトにログインしていただき、ご視聴ください。
セミナー資料は郵送にて前日までにお送りいたします。
開催まで4営業日を過ぎたお申込みの場合、セミナー資料の到着が、開講日に間に合わない可能性がありますこと、ご了承下さい。
ライブ配信の画面上でスライド資料は表示されますので、セミナー視聴には差し支えございません。
印刷物は後日お手元に届くことになります。
ご自宅への書類送付を希望の方は、通信欄にご住所・宛先などをご記入ください。
タブレットやスマートフォンでも受講可能ですが、機能が制限される場合があります。
ご視聴は、お申込み者様ご自身での視聴のみに限らせていただきます。不特定多数でご覧いただくことはご遠慮下さい。
講義の録音、録画などの行為や、権利者の許可なくテキスト資料、講演データの複製、転用、販売などの二次利用することを固く禁じます。
Zoomのグループにパスワードを設定しています。お申込者以外の参加を防ぐため、パスワードを外部に漏洩しないでください。
万が一、部外者が侵入した場合は管理者側で部外者の退出あるいはセミナーを終了いたします。

アーカイブ配信セミナーをご希望の場合

「ビデオグ」を使ったアーカイブ配信セミナーとなります。
当日のセミナーを、後日にお手元のPCなどからご視聴ができます。
お申し込み前に、視聴環境をご確認いただき、視聴テストにて動作確認をお願いいたします。
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視聴期間は2024年9月13日〜30日を予定しております。
ご視聴いただけなかった場合でも期間延長いたしませんのでご注意ください。
セミナー資料は印刷・送付いたします。
ご自宅への書類送付を希望の方は、通信欄にご住所・宛先などをご記入ください。
ご視聴は、お申込み者様ご自身での視聴のみに限らせていただきます。不特定多数でご覧いただくことはご遠慮下さい。
講義の録音、録画などの行為や、権利者の許可なくテキスト資料、講演データの複製、転用、販売などの二次利用することを固く禁じます。

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リソグラフィ技術・レジスト材料の基礎と微細化・高解像度に向けた応用技術、今後の展望

admin — Fri, 19 Apr 2024 14:57:07 +0000

リソグラフィ技術・レジスト材料の基礎と微細化・高解像度に向けた応用技術、今後の展望

～フォトリソグラフィプロセスの理解とレジスト材料の開発指針～

オンライン開催

関連するセミナー・出版物

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視聴期間は2024年8月21日〜9月3日を予定しております。
お申し込みは2024年8月21日まで承ります。

概要

開催日

2024年8月21日(水) 10時30分～ 2024年9月3日(火) 16時30分

修得知識

レジスト・リソグラフィ技術の基礎と技術開発の必然性
マイクロエレクトロニクスの高密度化・高速化
低コスト化に伴うリソグラフィ技術の微細化・レジストの高解像度化などの高品位化の歴史的変遷とイノベーションの創出過程
技術・レジスト材料開発の実例
効率的な技術開発・不良防止・トラブル対策への応用

プログラム

　今日の情報化社会は、マイクロエレクトロニクス (ME) の発展に支えられている。MEは、1950年代に集積回路 (IC) が開発されて以来、大規模集積回路 (LSI) のパターンの微細化、高集積化、すなわちメモリー大容量化、システムLSIの高性能化の方向で、一貫して発展してきている。あわせて情報処理の高速化、低価格化も実現してきた。今後もメモリーの大容量化およびシステムLSIの高性能化の流れは止まりそうにないと予測されている。このような流れの中で、フォトリソグラフィの進歩はフォトレジストなどの材料開発が中心軸となってMEの発展に寄与してきたが、これらの材料をうまく使いこなす露光装置を中心としたハードウェア、プロセス技術の進歩も著しいものがある。
　レジスト材料の開発はパターンの微細化、高解像度化が中心で、これは主として露光に用いる光の波長を短くすることで実現されてきた。ここまではさまざまな選択肢、さまざまな試行など、紆余曲折はあったものの、結果として振り返ってみれば、それまでの技術の延長線上で進んできている。1970年代から40年余りの短い時間に次のような大きな技術変革を経験している。

コンタクトアライナーによるリソグラフィ技術の確立
投影露光方式の導入
化学増幅型レジスト/エキシマレーザ光源の採用
EUV光源の採用など

技術パラダイムシフトと半導体集積回路
1. 科学技術の発展
2. 技術パラダイムシフト
3. マイクロエレクトロニクス (ME) と社会
4. MEの黎明期とフォトレジスト
フォトレジストの本流
1. ゴム系ネガ型フォトレジスト
  1. リソグラフィプロセスの確立
  2. 基本的構造及び製造法
2. ノボラック系ポジ型レジスト
  1. 基本的組成
  2. マトリックス樹脂製法、感光性化合物
  3. レジストの透明性と解像度
  4. i – 線レジスト
  5. リソグラフィプロセスでの化学と工程管理
  6. レジストの溶剤と環境への影響
  7. 高性能化への工夫と新たなイノベーション
フォトレジストの裏街道
1. X線レジスト
2. Top Surface Imaging:DESIRE
3. Deep UVリソグラフィ
  1. 黎明期のレジスト
  2. 化学増幅型レジスト
  3. 光酸発生剤
エキシマレーザリソグラフィ
1. KrFレジスト
  1. エキシマレーザリソグラフィ実現への課題
  2. 光源・光学系の課題
  3. 化学増幅型レジストの課題
  4. 材料からの改良
  5. プロセス面からの改良
  6. 実用化されたレジスト材料
2. ArFレジスト
  1. ArFレジスト実現への課題
3. 液浸リソグラフィ
EUVリソグラフィ
1. 光源・露光機の開発
2. レジスト開発
今後の展望
1. 現像プロセスの考え方
科学技術と社会 (半導体と人間)
1. 実装材料 (ポリイミド)
2. フラットパネルディスプレイ材料
3. ブレインマシンインターフェイス (BMI)
4. 科学技術と社会 (地球規模の課題と科学技術/半導体)
国の安全保障の根幹を担う半導体産業
効率的にイノベーションを創出するために
- 知的財産戦略とMOT
まとめ

質疑応答

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講師

鴨志田洋一氏
鴨志田技術事務所

代表

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主催

サイエンス＆テクノロジー株式会社

お支払い方法、キャンセルの可否は、必ずお申し込み前にご確認をお願いいたします。

お問い合わせ

本セミナーに関するお問い合わせは tech-seminar.jpのお問い合わせからお願いいたします。

(主催者への直接のお問い合わせはご遠慮くださいませ。)

受講料

1名様

: 36200円 (税別) / 39,820円 (税込)

複数名

: 25000円 (税別) / 27,500円 (税込)

複数名受講割引

2名様以上でお申込みの場合、1名あたり 25,000円(税別) / 27,500円(税込) で受講いただけます。
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 36,200円(税別) / 39,820円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 50,000円(税別) / 55,000円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 75,000円(税別) / 82,500円(税込)
同一法人内 (グループ会社でも可) による複数名同時申込みのみ適用いたします。
受講券、請求書は、代表者にご郵送いたします。
請求書および領収書は1名様ごとに発行可能です。
申込みフォームの通信欄に「請求書1名ごと発行」とご記入ください。
他の割引は併用できません。
サイエンス&テクノロジー社の「2名同時申込みで1名分無料」価格を適用しています。

アカデミー割引

教員、学生および医療従事者はアカデミー割引価格にて受講いただけます。

1名様あたり 10,000円(税別) / 11,000円(税込)
企業に属している方(出向または派遣の方も含む)は、対象外です。
お申込み者が大学所属名でも企業名義でお支払いの場合、対象外です。

アーカイブ配信セミナー

「ビデオグ」を使ったアーカイブ配信セミナーとなります。
当日のセミナーを、後日にお手元のPCなどからご視聴ができます。
お申し込み前に、視聴環境をご確認いただき、視聴テストにて動作確認をお願いいたします。
別途、ID,パスワードをメールにてご連絡申し上げます。
視聴期間は2024年8月21日〜9月3日を予定しております。
ご視聴いただけなかった場合でも期間延長いたしませんのでご注意ください。
セミナー資料は、PDFファイルをダウンロードいただきます。
ご自宅への書類送付を希望の方は、通信欄にご住所・宛先などをご記入ください。
ご視聴は、お申込み者様ご自身での視聴のみに限らせていただきます。不特定多数でご覧いただくことはご遠慮下さい。
講義の録音、録画などの行為や、権利者の許可なくテキスト資料、講演データの複製、転用、販売などの二次利用することを固く禁じます。

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フォトポリマーの材料設計と先端電子材料への応用

admin — Thu, 30 May 2024 17:28:33 +0000

フォトポリマーの材料設計と先端電子材料への応用

～感度および解像度向上を目指すときに考えるべきポイント / 光酸発生剤の先端材料への適用ポイントとポリイミド材料の設計応用事例～

オンライン開催

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開催日

2024年8月9日(金) 10時30分～ 16時00分

受講対象者

紫外線硬化樹脂に関連する技術者、開発者、研究者
- ナノインプリント
- 電子部品・光学部品などの接着・乾燥
- 印刷インキの乾燥
- 塗料・塗装コーティング剤の乾燥・硬化
- 光ファイバ等の保護コーティング
- 光造形
- 3Dプリンター
- ジェルネイル等の装飾品など
紫外線硬化樹脂の初心者、これからUV硬化性樹脂の開発に携わる方
紫外線硬化処理で課題を抱えている方

プログラム

第1部フォトポリマーの材料設計、プロセスの留意点

(2024年8月9日 10:30〜11:30, 12:10〜13:10)

　LSIや実装の製造で数多くの感光性材料が用いられている。それら感光性材料について、用いられているパターン形成手法について述べ感光性材料の種類をまとめる。
　次いで感光性材料の開発における注意点について述べる。感光性材料が用いられる意義を理解して、開発している人が陥りやすい勘違いや注意点をまとめる。また、感度および解像度向上を目指すときに考えるべき課題を述べる。材料のスクリーニング法についての実例も紹介し、感度や解像度向上の感光性材料開発で直面する課題を考える一助にする。

材料設計のポイント
露光現像によるパターン形成
1. 極性変化型
2. 分子量変化型
3. 感光性材料の種類
感光性材料開発での留意点
1. 露光装置と光吸収
2. 光吸収と光化学反応、Lambert-Beer則
3. 感光性材料内での反応 (固体内反応)
4. 現像特性の重要性
5. 感度測定の注意点
6. 解像性を決める要因
感度・解像度向上に向けた材料スクリーニングの例

質疑応答

第2部光酸発生剤の基礎と先端フォトポリマー材料への応用

(2024年8月9日 13:20〜14:50)

　光により高度に反応を制御し、新たな機能を付与するフォトポリマー材料は、幅広い分野に利用され、先端産業において欠かすことのできない光機能性材料である。光により酸を発生する光酸発生剤 (PAG) は、その特性を大きく左右するキー素材の一つである。近年、多様な露光光源の出現や、CTPイメージング、EUVリソグラフィーなど新アプリケーションの登場により、高度で多彩な機能を有するPAGが注目されている。
　本講座では、これらのPAGの基礎的なケミストリーと最新の研究動向を紹介すると共に、先端フォトポリマー材料へのPAGの応用について述べる。

はじめに
フォトポリマー材料とは
光酸発生剤の基礎
1. 光酸発生剤の種類
2. 非イオン性光酸発生剤
3. イオン性光酸発生剤と光分解機構
4. 光酸発生剤の高機能化の設計例
先端フォトポリマー材料への応用
1. 長波長光を利用する光酸発生剤の設計例
2. グラフィックス材料への光酸発生剤の応用例
3. 半導体レジスト材料への光酸発生剤の応用例
まとめ

質疑応答

第3部ポリイミド材料の開発と先端半導体パッケージへの応用

(2024年8月9日 15:00〜16:00)

　ポリイミドは、電子材料として広く用いられ、半導体の高信頼性化、高性能化に貢献している。
　本講演では、先端パッケージ向け材料としてのポリイミドと再配線用絶縁材料、熱伝導シート、シート状アンダーフィル剤への応用について解説する。

半導体パッケージの動向
ポリイミド材料について
1. ポリイミドの特徴
2. 機能性ポリイミドの設計
ポリイミド材料の先端半導体パッケージへの応用
1. 再配線用絶縁材料
2. 熱伝導シート
3. シート状アンダーフィル剤
4. 電子部品向け材料
まとめ

質疑応答

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講師

上野巧氏
信州大学繊維学部ファイバーイノベーション・インキュベーター施設

特任教授
土村智孝氏
富士フイルム株式会社有機合成化学研究所
荒木斉氏
東レ株式会社電子情報材料研究所

主任研究員

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主催

株式会社技術情報協会

お支払い方法、キャンセルの可否は、必ずお申し込み前にご確認をお願いいたします。

お問い合わせ

本セミナーに関するお問い合わせは tech-seminar.jpのお問い合わせからお願いいたします。

(主催者への直接のお問い合わせはご遠慮くださいませ。)

受講料

1名様

: 55000円 (税別) / 60,500円 (税込)

複数名

: 50000円 (税別) / 55,000円 (税込)

複数名同時受講割引について

2名様以上でお申込みの場合、1名あたり 50,000円(税別) / 55,000円(税込) で受講いただけます。
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 55,000円(税別) / 60,500円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 100,000円(税別) / 110,000円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 150,000円(税別) / 165,000円(税込)
同一法人内による複数名同時申込みのみ適用いたします。
受講券、請求書は、代表者にご郵送いたします。
他の割引は併用できません。

アカデミック割引

1名様あたり 30,000円(税別) / 33,000円(税込)

日本国内に所在しており、以下に該当する方は、アカデミック割引が適用いただけます。

学校教育法にて規定された国、地方公共団体、および学校法人格を有する大学、大学院、短期大学、附属病院、高等専門学校および各種学校の教員、生徒
病院などの医療機関・医療関連機関に勤務する医療従事者
文部科学省、経済産業省が設置した独立行政法人に勤務する研究者。理化学研究所、産業技術総合研究所など
公設試験研究機関。地方公共団体に置かれる試験所、研究センター、技術センターなどの機関で、試験研究および企業支援に関する業務に従事する方

支払名義が企業の場合は対象外とさせていただきます。
企業に属し、大学、公的機関に派遣または出向されている方は対象外とさせていただきます。

ライブ配信セミナーについて

本セミナーは「Zoom」を使ったライブ配信セミナーとなります。
お申し込み前に、視聴環境とテストミーティングへの参加手順をご確認いただき、テストミーティングにて動作確認をお願いいたします。
開催日前に、接続先URL、ミーティングID、パスワードを別途ご連絡いたします。
セミナー開催日時に、視聴サイトにログインしていただき、ご視聴ください。
セミナー資料は郵送にて前日までにお送りいたします。
開催まで4営業日を過ぎたお申込みの場合、セミナー資料の到着が、開講日に間に合わない可能性がありますこと、ご了承下さい。
ライブ配信の画面上でスライド資料は表示されますので、セミナー視聴には差し支えございません。
印刷物は後日お手元に届くことになります。
ご自宅への書類送付を希望の方は、通信欄にご住所・宛先などをご記入ください。
タブレットやスマートフォンでも受講可能ですが、機能が制限される場合があります。
ご視聴は、お申込み者様ご自身での視聴のみに限らせていただきます。不特定多数でご覧いただくことはご遠慮下さい。
講義の録音、録画などの行為や、権利者の許可なくテキスト資料、講演データの複製、転用、販売などの二次利用することを固く禁じます。
Zoomのグループにパスワードを設定しています。お申込者以外の参加を防ぐため、パスワードを外部に漏洩しないでください。
万が一、部外者が侵入した場合は管理者側で部外者の退出あるいはセミナーを終了いたします。

本セミナーは終了いたしました。

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リソグラフィ技術・レジスト材料の基礎と微細化・高解像度に向けた応用技術、今後の展望

admin — Fri, 19 Apr 2024 14:56:04 +0000

リソグラフィ技術・レジスト材料の基礎と微細化・高解像度に向けた応用技術、今後の展望

～フォトリソグラフィプロセスの理解とレジスト材料の開発指針～

オンライン開催

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アーカイブ配信で受講をご希望の場合、視聴期間は2024年8月21日〜9月3日を予定しております。
アーカイブ配信のお申し込みは2024年8月21日まで承ります。

概要

開催日

2024年7月30日(火) 10時30分～ 16時30分

修得知識

レジスト・リソグラフィ技術の基礎と技術開発の必然性
マイクロエレクトロニクスの高密度化・高速化
低コスト化に伴うリソグラフィ技術の微細化・レジストの高解像度化などの高品位化の歴史的変遷とイノベーションの創出過程
技術・レジスト材料開発の実例
効率的な技術開発・不良防止・トラブル対策への応用

プログラム

コンタクトアライナーによるリソグラフィ技術の確立
投影露光方式の導入
化学増幅型レジスト/エキシマレーザ光源の採用
EUV光源の採用など

技術パラダイムシフトと半導体集積回路
1. 科学技術の発展
2. 技術パラダイムシフト
3. マイクロエレクトロニクス (ME) と社会
4. MEの黎明期とフォトレジスト
フォトレジストの本流
1. ゴム系ネガ型フォトレジスト
  1. リソグラフィプロセスの確立
  2. 基本的構造及び製造法
2. ノボラック系ポジ型レジスト
  1. 基本的組成
  2. マトリックス樹脂製法、感光性化合物
  3. レジストの透明性と解像度
  4. i – 線レジスト
  5. リソグラフィプロセスでの化学と工程管理
  6. レジストの溶剤と環境への影響
  7. 高性能化への工夫と新たなイノベーション
フォトレジストの裏街道
1. X線レジスト
2. Top Surface Imaging:DESIRE
3. Deep UVリソグラフィ
  1. 黎明期のレジスト
  2. 化学増幅型レジスト
  3. 光酸発生剤
エキシマレーザリソグラフィ
1. KrFレジスト
  1. エキシマレーザリソグラフィ実現への課題
  2. 光源・光学系の課題
  3. 化学増幅型レジストの課題
  4. 材料からの改良
  5. プロセス面からの改良
  6. 実用化されたレジスト材料
2. ArFレジスト
  1. ArFレジスト実現への課題
3. 液浸リソグラフィ
EUVリソグラフィ
1. 光源・露光機の開発
2. レジスト開発
今後の展望
1. 現像プロセスの考え方
科学技術と社会 (半導体と人間)
1. 実装材料 (ポリイミド)
2. フラットパネルディスプレイ材料
3. ブレインマシンインターフェイス (BMI)
4. 科学技術と社会 (地球規模の課題と科学技術/半導体)
国の安全保障の根幹を担う半導体産業
効率的にイノベーションを創出するために
- 知的財産戦略とMOT
まとめ

質疑応答

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講師

鴨志田洋一氏
鴨志田技術事務所

代表

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主催

サイエンス＆テクノロジー株式会社

お支払い方法、キャンセルの可否は、必ずお申し込み前にご確認をお願いいたします。

お問い合わせ

本セミナーに関するお問い合わせは tech-seminar.jpのお問い合わせからお願いいたします。

(主催者への直接のお問い合わせはご遠慮くださいませ。)

受講料

1名様

: 36200円 (税別) / 39,820円 (税込)

複数名

: 25000円 (税別) / 27,500円 (税込)

複数名受講割引

2名様以上でお申込みの場合、1名あたり 25,000円(税別) / 27,500円(税込) で受講いただけます。
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 36,200円(税別) / 39,820円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 50,000円(税別) / 55,000円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 75,000円(税別) / 82,500円(税込)
同一法人内 (グループ会社でも可) による複数名同時申込みのみ適用いたします。
受講券、請求書は、代表者にご郵送いたします。
請求書および領収書は1名様ごとに発行可能です。
申込みフォームの通信欄に「請求書1名ごと発行」とご記入ください。
他の割引は併用できません。
サイエンス&テクノロジー社の「2名同時申込みで1名分無料」価格を適用しています。

アカデミー割引

教員、学生および医療従事者はアカデミー割引価格にて受講いただけます。

1名様あたり 10,000円(税別) / 11,000円(税込)
企業に属している方(出向または派遣の方も含む)は、対象外です。
お申込み者が大学所属名でも企業名義でお支払いの場合、対象外です。

ライブ配信対応セミナー / アーカイブ配信対応セミナー

ライブ配信またはアーカイブ配信セミナーのいずれかをご選択いただけます。

ライブ配信セミナーをご希望の場合

「Zoom」を使ったライブ配信セミナーとなります。
お申し込み前に、視聴環境とテストミーティングへの参加手順をご確認いただき、テストミーティングにて動作確認をお願いいたします。
開催日前に、接続先URL、ミーティングID、パスワードを別途ご連絡いたします。
セミナー開催日時に、視聴サイトにログインしていただき、ご視聴ください。
セミナー資料は、PDFファイルをダウンロードいただきます。
タブレットやスマートフォンでも受講可能ですが、機能が制限される場合があります。
ご視聴は、お申込み者様ご自身での視聴のみに限らせていただきます。不特定多数でご覧いただくことはご遠慮下さい。
講義の録音、録画などの行為や、権利者の許可なくテキスト資料、講演データの複製、転用、販売などの二次利用することを固く禁じます。
Zoomのグループにパスワードを設定しています。お申込者以外の参加を防ぐため、パスワードを外部に漏洩しないでください。
万が一、部外者が侵入した場合は管理者側で部外者の退出あるいはセミナーを終了いたします。

アーカイブ配信セミナーをご希望の場合

「ビデオグ」を使ったアーカイブ配信セミナーとなります。
当日のセミナーを、後日にお手元のPCなどからご視聴ができます。
お申し込み前に、視聴環境をご確認いただき、視聴テストにて動作確認をお願いいたします。
別途、ID,パスワードをメールにてご連絡申し上げます。
視聴期間は2024年8月21日〜9月3日を予定しております。
ご視聴いただけなかった場合でも期間延長いたしませんのでご注意ください。
セミナー資料は、PDFファイルをダウンロードいただきます。
ご自宅への書類送付を希望の方は、通信欄にご住所・宛先などをご記入ください。
ご視聴は、お申込み者様ご自身での視聴のみに限らせていただきます。不特定多数でご覧いただくことはご遠慮下さい。
講義の録音、録画などの行為や、権利者の許可なくテキスト資料、講演データの複製、転用、販売などの二次利用することを固く禁じます。

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リソグラフィ技術の発展とレジスト材料の原理および半導体高密度化への展開

admin — Fri, 31 May 2024 07:23:34 +0000

リソグラフィ技術の発展とレジスト材料の原理および半導体高密度化への展開

～EUV露光装置、DUV・EUV光源開発の最前線～

オンライン開催

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視聴期間は2024年7月19日〜31日を予定しております。
お申し込みは2024年7月29日まで承ります。

概要

開催日

2024年7月29日(月) 12時30分～ 2024年7月31日(水) 16時40分

修得知識

半導体リソグラフィの基礎知識
半導体リソグラフィの最新のトレンド
半導体製造プロセスにおけるリソグラフィの位置づけ
半導体露光装置の歴史
半導体露光装置の構成と性能、特に解像度の決定要因と部分的コヒーレンス理論
EUV露光装置の特徴
電子ビーム露光装置の特徴
レジスト材料の原理

プログラム

第1部「リソグラフィ用DUV光源・EUV光源の発展と半導体高密度化への展開」

Progress of DUV and EUV light source for Lithography, and its new Application for High density Packaging of Semiconductor

(12:30〜13:30)

　最先端リソグラフィはDUV (KrF,ArF, ArF液浸) 領域からEUV領域へ長足の進歩を遂げつつある。この動きと軌を一にして半導体製造技術 (中間層、高密度実装) も最先端で大きく繁忙しつつある。
　本講演ではEUVリソグラフィ用光源開発の最新動向と最近の九州大学でのEUV関連研究の動向について報告する。高密度実装に向けてギガフォトン者が取り組んでいるハイブリッドエキシマレーザーの国プロでの試験でCMC材 (SiC複合材) の優れた加工性能を実証した。この成果は、このレーザーの高密度実装技術への大きな可能性を示している。講演ではEUV光源開発の最前線と、弊社で提案している最先端のハイブリッドDUVレーザーの高密度実装への応用の現状について報告する。

Introduction
1. New Trend of Semiconductor Manufacturing Technology
2. Topics: Business Trend of DUV Lithography
FRONT END: EUV Source development for Lithography
1. Market trend of EUV Lithography
2. 300W EUV Source (Pilot#1) for EUV Lithography
3. EUV Mask inspection and Light Source
4. New EUV Activity of Kyushu – Univ.
MIDDLE END: DUV Direct Laser Processing
1. Packaging and DUV laser processing (COMPAUND OF CERAMIC & PLASTIC)
2. Hybrid Excimer Laser and Advanced material processing
Summary, Acknowledgement

第2部「リソグラフィ技術の発展とレジスト材料の原理」

(13:40〜16:40)

　半導体製造プロセス全体におけるリソグラフィの位置づけ、半導体パターン微細化に伴うリソグラフィ用露光方式の進化の流れを、専門外の方々にもわかりやすく説明する。次に、投影露光装置の構成、主要性能と要素性能の関係について述べ、露光装置についての定性的理解を深めてもらう。更に、解像度に対する投影光学系、照明光学系のパラメータと露光波長の寄与ついて数式を用いて詳しく解説し、専門の方には計算の仕方を、専門外の方には計算結果の意味するところを理解してもらう。そして、多層膜ミラー、反射光学系を含むEUV露光装置の特徴について説明する。更に、原版となるマスク上に半導体パターンを描画するために用いられる電子ビーム露光装置について説明する。最後に、露光装置によって形成される光強度分布からレジスト像への転写原理、レジスト材料の原理について述べる。

半導体製造プロセス全体におけるリソグラフィの位置づけ
半導体露光装置の露光方式の進化
ウエハパターニング用半導体露光装置の性能と要素機能
- 部分的コヒーレンス理論
- 解像度
- 解像度向上策
- 重ね合わせ精度
- スループットを含む
EUV露光装置
- 多層膜ミラー
- 反射光学系
- 真空ステージ
- Cost of Ownershipを含む
電子ビーム露光装置
レジスト材料の原理

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株式会社 R&D支援センター

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: 45000円 (税別) / 49,500円 (税込)

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: 22500円 (税別) / 24,750円 (税込) (案内をご希望の場合に限ります)

案内割引・複数名同時申込割引について

R&D支援センターからの案内を希望する方
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 42,000円(税別) / 46,200円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 45,000円(税別) / 49,500円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 67,500円(税別) / 74,250円(税込)
R&D支援センターからの案内を希望しない方
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 45,000円(税別) / 49,500円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 90,000円(税別) / 99,000円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 135,000円(税別) / 148,500円(税込)

アーカイブ配信セミナー

当日のセミナーを、後日にお手元のPCやスマホ・タブレッドなどからご視聴・学習することができます。
配信開始となりましたら、改めてメールでご案内いたします。
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ご視聴いただけなかった場合でも期間延長いたしませんのでご注意ください。

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リソグラフィ技術の発展とレジスト材料の原理および半導体高密度化への展開

admin — Fri, 31 May 2024 07:22:59 +0000

リソグラフィ技術の発展とレジスト材料の原理および半導体高密度化への展開

～EUV露光装置、DUV・EUV光源開発の最前線～

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概要

開催日

2024年7月18日(木) 12時30分～ 16時40分

修得知識

半導体リソグラフィの基礎知識
半導体リソグラフィの最新のトレンド
半導体製造プロセスにおけるリソグラフィの位置づけ
半導体露光装置の歴史
半導体露光装置の構成と性能、特に解像度の決定要因と部分的コヒーレンス理論
EUV露光装置の特徴
電子ビーム露光装置の特徴
レジスト材料の原理

プログラム

第1部「リソグラフィ用DUV光源・EUV光源の発展と半導体高密度化への展開」

Progress of DUV and EUV light source for Lithography, and its new Application for High density Packaging of Semiconductor

(12:30〜13:30)

Introduction
1. New Trend of Semiconductor Manufacturing Technology
2. Topics: Business Trend of DUV Lithography
FRONT END: EUV Source development for Lithography
1. Market trend of EUV Lithography
2. 300W EUV Source (Pilot#1) for EUV Lithography
3. EUV Mask inspection and Light Source
4. New EUV Activity of Kyushu – Univ.
MIDDLE END: DUV Direct Laser Processing
1. Packaging and DUV laser processing (COMPAUND OF CERAMIC & PLASTIC)
2. Hybrid Excimer Laser and Advanced material processing
Summary, Acknowledgement

第2部「リソグラフィ技術の発展とレジスト材料の原理」

(13:40〜16:40)

半導体製造プロセス全体におけるリソグラフィの位置づけ
半導体露光装置の露光方式の進化
ウエハパターニング用半導体露光装置の性能と要素機能
- 部分的コヒーレンス理論
- 解像度
- 解像度向上策
- 重ね合わせ精度
- スループットを含む
EUV露光装置
- 多層膜ミラー
- 反射光学系
- 真空ステージ
- Cost of Ownershipを含む
電子ビーム露光装置
レジスト材料の原理

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主催

株式会社 R&D支援センター

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受講料

1名様

: 45000円 (税別) / 49,500円 (税込)

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案内割引・複数名同時申込割引について

R&D支援センターからの案内を希望する方
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 42,000円(税別) / 46,200円(税込)
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- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 67,500円(税別) / 74,250円(税込)
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レジストとリソグラフィの基礎とトラブル解決策

admin — Thu, 25 Apr 2024 15:58:00 +0000

レジストとリソグラフィの基礎とトラブル解決策

～リソグラフィの基礎、レジスト材の高性能化、評価技術、最近のリソグラフィ技術～

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視聴期間は2024年7月2日〜9日を予定しております。
お申し込みは2024年7月5日まで承ります。

概要

本セミナーでは、レジストの基礎からリソグラフィープロセスの最適化方法までを分かりやすく解説いたします。

開催日

2024年7月5日(金) 10時30分～ 2024年7月9日(火) 16時30分

受講対象者

レジスト材料の研究開発、製造、品質管理、販売に携わる方
半導体、ディスプレイ、MEMS、センサーなどのデバイス開発、製造、販売に携わる方

修得知識

レジストを製造するための基礎知識、設計概念と具体的方法
レジストの品質管理手法
レジストを使用する際の留意事項、トラブル対応能力
リソグラフィープロセスの最適化方法
リソグラフィー使用現場におけるトラブル対応能力
素材メーカー、レジストメーカーとしての顧客対応能力

プログラム

リソグラフィの基礎
1. リソグラフィーとは
2. 露光システムとリソグラフィー装置の変遷
レジスト材料とその高性能化
1. パターンニング用レジスト材料 (総論)
2. G線、i線用レジスト
3. KrF用レジスト
4. ArFおよびArF液浸用レジスト
5. EUV用レジスト
レジスト製造技術と品質管理
1. レジスト製造技術
2. レジストの性能安定化技術
3. 品質管理 – その項目と方法
レジスト材料の評価技術
1. 性能評価
2. 品質評価
3. シミュレーション技術
レジスト製造、および使用現場におけるトラブル対応
1. 種々のトラブルとその解決策 (材料面から)
2. 種々のトラブルとその解決策 (プロセス面から)
3. 顧客対応の方法
20nm以下のリソグラフィー技術
1. ダブルパターンニング技術
2. DSA技術とその材料
3. ナノインプリント技術
4. 今後のリソグラフィー技術

質疑応答

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主催

株式会社 R&D支援センター

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受講料

1名様

: 50000円 (税別) / 55,000円 (税込)

複数名

: 25000円 (税別) / 27,500円 (税込) (案内をご希望の場合に限ります)

案内割引・複数名同時申込割引について

R&D支援センターからの案内登録をご希望の方は、割引特典を受けられます。
案内および割引をご希望される方は、お申込みの際、「案内の希望 (割引適用)」の欄から案内方法をご選択ください。
複数名で同時に申込いただいた場合、1名様につき 25,000円(税別) / 27,500円(税込) で受講いただけます。

R&D支援センターからの案内を希望する方
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 40,000円(税別) / 44,000円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 50,000円(税別) / 55,000円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 75,000円(税別) / 82,500円(税込)
R&D支援センターからの案内を希望しない方
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 50,000円(税別) / 55,000円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 100,000円(税別) / 110,000円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 150,000円(税別) / 165,000円(税込)

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レジストとリソグラフィの基礎とトラブル解決策

admin — Thu, 25 Apr 2024 15:57:27 +0000

レジストとリソグラフィの基礎とトラブル解決策

～リソグラフィの基礎、レジスト材の高性能化、評価技術、最近のリソグラフィ技術～

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概要

本セミナーでは、レジストの基礎からリソグラフィープロセスの最適化方法までを分かりやすく解説いたします。

開催日

2024年6月28日(金) 10時30分～ 16時30分

受講対象者

レジスト材料の研究開発、製造、品質管理、販売に携わる方
半導体、ディスプレイ、MEMS、センサーなどのデバイス開発、製造、販売に携わる方

修得知識

レジストを製造するための基礎知識、設計概念と具体的方法
レジストの品質管理手法
レジストを使用する際の留意事項、トラブル対応能力
リソグラフィープロセスの最適化方法
リソグラフィー使用現場におけるトラブル対応能力
素材メーカー、レジストメーカーとしての顧客対応能力

プログラム

リソグラフィの基礎
1. リソグラフィーとは
2. 露光システムとリソグラフィー装置の変遷
レジスト材料とその高性能化
1. パターンニング用レジスト材料 (総論)
2. G線、i線用レジスト
3. KrF用レジスト
4. ArFおよびArF液浸用レジスト
5. EUV用レジスト
レジスト製造技術と品質管理
1. レジスト製造技術
2. レジストの性能安定化技術
3. 品質管理 – その項目と方法
レジスト材料の評価技術
1. 性能評価
2. 品質評価
3. シミュレーション技術
レジスト製造、および使用現場におけるトラブル対応
1. 種々のトラブルとその解決策 (材料面から)
2. 種々のトラブルとその解決策 (プロセス面から)
3. 顧客対応の方法
20nm以下のリソグラフィー技術
1. ダブルパターンニング技術
2. DSA技術とその材料
3. ナノインプリント技術
4. 今後のリソグラフィー技術

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受講料

1名様

: 50000円 (税別) / 55,000円 (税込)

複数名

: 25000円 (税別) / 27,500円 (税込) (案内をご希望の場合に限ります)

案内割引・複数名同時申込割引について

R&D支援センターからの案内を希望する方
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 40,000円(税別) / 44,000円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 50,000円(税別) / 55,000円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 75,000円(税別) / 82,500円(税込)
R&D支援センターからの案内を希望しない方
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 50,000円(税別) / 55,000円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 100,000円(税別) / 110,000円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 150,000円(税別) / 165,000円(税込)

ライブ配信対応セミナー / アーカイブ配信対応セミナー

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お申し込み前に、視聴環境とテストミーティングへの参加手順をご確認いただき、テストミーティングにて動作確認をお願いいたします。
開催日前に、接続先URL、ミーティングID、パスワードを別途ご連絡いたします。
セミナー開催日時に、視聴サイトにログインしていただき、ご視聴ください。
タブレットやスマートフォンでも受講可能ですが、機能が制限される場合があります。
ご視聴は、お申込み者様ご自身での視聴のみに限らせていただきます。不特定多数でご覧いただくことはご遠慮下さい。
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半導体用レジストの材料設計とその評価

admin — Tue, 26 Mar 2024 05:34:21 +0000

半導体用レジストの材料設計とその評価

～半導体用レジスト技術の基礎から解説～

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概要

開催日

2024年6月12日(水) 10時30分～ 16時30分

受講対象者

レジスト材料・プロセスの研究や開発に関わる方
半導体、ディスプレイ、MEMSなどのデバイス開発、製造、販売に携わる方
レジストメーカー、およびレジストメーカーに原料を提供する素材メーカーの方

修得知識

レジストを製造するための基礎知識、材料設計指針
レジストを使用する際の留意事項
リソグラフィープロセスについて
素材メーカー、レジストメーカーとしてのデバイスメーカー対応能力
レジスト材料
- ノボラック系ポジ型レジスト
- 化学増幅型レジスト
プロセスについて

プログラム

　半導体、LCD等の電子デバイス製造では、成膜、パターン作製 (レジスト塗布、露光、現像) 、エッチング、レジスト剥離、洗浄等のプロセスを複数回繰り返すことにより、基板上に微細素子がパターンニングされたトランジスタが形成される。これらの工程はリソグラフィー工程と呼ばれ、おおよそ20回から30回繰り返されることになる。
　本講演では、特にレジスト材料 (感光性樹脂) ・プロセスについて解説するとともに、ノボラック系ポジ型レジスト、及び化学増幅系3成分 (ベース樹脂、溶解抑制剤、酸発生剤) ポジ型レジストのそれぞれの化学成分とレジスト特性との関係について解説する。また、元デバイスメーカーにいた者の視線で、レジストメーカーに原料を提供する素材メーカーにおけるレジスト評価法の具体的な手法について丁寧に解説したい。

感光性レジストの基礎とリソグラフィー工程の解説
1. 感光性レジストとは?
2. リソグラフィーについて
3. フォトレジストの塗布、露光、露光後ベーク (PEB) 、現像工程の概要
レジスト設計の変遷とその作用メカニズ
1. 半導体・電子デバイスの進化とレジスト設計の変遷
2. レジストの基本原理
3. レジストの現像特性
ノボラック系ポジ型レジストの材料設計
1. レジスト現像アナライザ (RDA) を用いた現像特性評価
2. ノボラック系ポジ型レジストの分子量とレジスト特性の関係
3. ノボラック系ポジ型レジストのプリベーク温度を変えたレジスト特性評価
4. PACのエステル化率を変化させたノボラック系ポジ型レジストのレジスト特性
5. ノボラック系ポジ型レジストの現像温度とレジスト特性との関係
化学増幅ポジ型レジストの材料設計
1. 化学増幅ポジ型3成分レジストのベース樹脂とレジスト特性
  1. ベース樹脂
  2. 溶解抑制剤
  3. 酸発生剤
2. 化学増幅ポジ型3成分レジストの溶解抑制剤とレジスト特性
3. 化学増幅ポジ型3成分レジストの酸発生剤とレジスト特性
4. EUVレジストへの展開
5. i線厚膜レジストへの展開

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講師

堀邊英夫氏
大阪公立大学大学院工学研究科物質化学生命系専攻化学バイオ分野

教授, 学長特別補佐

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主催

株式会社トリケップス

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受講料

1名様

: 49000円 (税別) / 53,900円 (税込)

1口

: 60000円 (税別) / 66,000円 (税込) (3名まで受講可)

ライブ配信セミナーについて

本セミナーは「Zoom」を使ったライブ配信セミナーとなります。
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本セミナーは終了いたしました。

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