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感光性レジスト材料の設計、評価技術と先端半導体後工程の最新動向

admin — Tue, 12 May 2026 06:10:17 +0000

感光性レジスト材料の設計、評価技術と先端半導体後工程の最新動向

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概要

本セミナーでは、半導体用レジスト技術の基礎から解説し、AI半導体に求められる微細化に向けた材料設計ポイント、リソグラフィー工程の基礎と重要性、先端半導体後工程の最新動向について解説いたします。

開催日

2026年7月17日(金) 10時30分～ 17時30分

受講対象者

レジスト材料・プロセスの研究や開発に関わる方
半導体、ディスプレイ、MEMSなどのデバイス開発、製造、販売に携わる方
レジストメーカー、およびレジストメーカーに原料を提供する素材メーカーの方

修得知識

レジストの基礎知識
レジスト材料のノウハウ
レジストプロセスのトラブル対処法
リソグラフィー技術のビジネス動向
リソグラフィとフォトレジスト材料の基礎と歴史
EUVレジスト開発の現状

リソグラフィの基礎
フォトポリマーの特性評価方法の理解
フォトポリマーの特性評価技術の理解
レジスト分析技術

先端半導体パッケージの要素技術
後工程におけるリソグラフィ技術の重要性
製造プロセス・インフラと将来展望

プログラム

第1部感光性レジストの基礎、材料設計

(2026年7月17日 10:30〜12:30, 13:30〜14:30)

　半導体、LCD等の電子デバイス製造では、成膜、パターン作製 (レジスト塗布、露光、現像) 、エッチング、レジスト剥離、洗浄等のプロセスを複数回繰り返すことにより、基板上に微細素子がパターンニングされたトランジスタが形成される。これらの工程はリソグラフィー工程と呼ばれ、おおよそ20回から30回繰り返されることになる。また、レジスト剥離工程においては、硫酸、過酸化水素、アミン系有機溶剤など環境負荷の大きい薬液を現状では大量に使用している。特に、イオン注入工程を経たレジストはレジスト表面が変質しており除去が非常に困難である。日本の今後の半導体について、電子デバイス製造メーカで現場でいた者の視点でも講演したい。
　本講演では、リソグラフィー工程の概要を紹介するとともに本工程において用いられるレジスト材料 (感光性ポリマー) そのものについて解説する。レジストについては、ノボラック系ポジ型レジスト、及び化学増幅系3成分 (ベース樹脂、溶解抑制剤、酸発生剤) ポジ型レジストのそれぞれの化学成分とレジスト特性との関係について解説する。レジスト現像アナライザー (RDM) 装置を用いたデータについても紹介する。

感光性レジストの基礎とリソグラフィー工程の解説
1. 感光性レジストとは
2. リソグラフィー工程について
3. フォトレジストの塗布、露光、露光後ベーク (PEB) 、現像工程の概要
半導体、電子デバイスの進化とレジスト材料の設計とその作用メカニズム
1. 半導体、電子デバイスの進化とレジスト材料の設計
2. レジストの基本原理
3. レジストの現像特性
4. レジストとSi基板との密着性について
ノボラック系ポジ型レジストの材料設計
1. レジスト現像アナライザを用いた現像特性評価
2. ノボラック系ポジ型レジストの分子量とレジスト特性の関係
3. ノボラック系ポジ型レジストのプリベーク温度を変えたレジスト特性評価
4. PACのエステル化率を変化させたノボラック系ポジ型レジストのレジスト特性
5. ノボラック系ポジ型レジストの現像温度とレジスト特性との関係
化学増幅ポジ型レジストの材料設計
1. 化学増幅ポジ型3成分レジストのベース樹脂とレジスト特性
  - ベース樹脂
  - 溶解抑制剤
  - 酸発生剤
2. 化学増幅ポジ型3成分レジストの溶解抑制剤とレジスト特性
3. 化学増幅ポジ型3成分レジストの酸発生剤とレジスト特性
4. EUVレジストへの展開
5. i線厚膜レジストへの展開
EUVレジストの候補であるメタルレジストについて
レジスト材料のPFAS規制について

質疑応答

第2部リソグラフィ工程の解説とフォトポリマーの特性評価技術

(2026年7月17日 14:40〜16:10)

　リソグラフィ工程の解説とフォトポリマーの特性評価技術について、わかりやすく説明します。特に、現在注目の集まっている、化学増幅レジストについて解説します。

リソグラフィの概要
1. リソグラフィ技術とは
2. リソグラフィの工程
3. レジスト適用場面の分類
4. レジスト液組成
5. リソグラフィ光源の変遷
6. 化学増幅レジストの特徴
脱保護反応の評価
1. FT – IR分光装置による解析
2. 装置のハードウェア
3. 脱保護反応のモデリング
4. 評価実験
5. 脱保護反応の新規もモデルの検討
6. アーレニウスプロットと活性化エネルギーの算出
現像中のレジスト膨潤の評価
1. アクリル系ポリマーの課題
2. 膨潤解析 (QCM) 装置の概要
3. QCMの原理
4. 膨潤評価の実験
5. TMAHとTBAHの比較評価
6. パターニング評価
PAGからの酸発生挙動の評価
1. 評価装置の概要
2. 酸発生効率の測定実験
3. 測定結果の考察
4. Cパラメータの比較
5. クエンチャーの添加の効果
6. 酸発生新規モデルの検討
PAGからの酸の拡散挙動の評価
1. 酸の拡散距離の測定実験
2. 解析モデル
3. 実験結果の考察
4. クエンチャーの効果
5. PEB温度の影響
6. 拡散長の測定結果の比較
7. GCIB – TOFSIMS法による測定
8. シミュレーションによるLERの解析
まとめ

質疑応答

第3部先端半導体後工程の最新動向とリソグラフィ技術の貢献

〜チップレット・インテグレーションを支える微細化・高精度化の最前線〜

(2026年7月17日 16:20〜17:30)

　AIサーバやHigh Performance Computingを筆頭に、チップレットやヘテロジニアス・インテグレーションへの転換が加速している。
　本講演では、この潮流を支える基盤技術であるハイブリッドボンディング、シリコン/ガラスインターポーザ、パネルレベルパッケージ (PLP) 、さらに光電融合・CPO (Co-Packaged Optics) に焦点を当て、これらを実現する上で欠かせない「リソグラフィ技術」の役割に注目し、微細化、大面積・高精度などの課題、そして最新の技術、将来展望までを網羅的に解説する。

半導体パッケージのパラダイムシフト
1. AI・HPC市場が牽引するパッケージ革新
2. チップレット、ヘテロジニアス・インテグレーション
先端半導体パッケージを支えるキーテクノロジ
1. 2.5D/3D実装とインターポーザの進化
2. ハイブリッドボンディング
3. ガラスコアサブストレート
4. パネルレベルパッケージ (PLP)
5. 光電融合・CPO (Co-Packaged Optics)
後工程におけるリソグラフィ技術の重要性
1. RDL (再配線層) の微細化
2. パッケージ向け装置
3. 感光性材料の進化
4. 大面積露光技術
5. 高アスペクト比・厚膜レジストへの対応
製造プロセス・インフラと将来展望
1. 装置・材料エコシステム
2. 計測・検査
3. 歩留まり管理
4. 持続可能性 (Sustainability) への対応
5. 日本の強み:装置・材料の役割
総括:次世代コンピューティングを支えるパッケージ技術の未来

質疑応答

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講師

堀邊英夫氏
大阪公立大学大学院工学研究科物質化学生命系専攻化学バイオ分野

教授, 学長特別補佐
関口淳氏
リソテックジャパン株式会社

取締役執行役員 / ナノサイエンス・グループ長
八甫谷明彦氏
東北大学半導体クリエイティビティハブインダストリーコア人材育成部門

教授

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主催

株式会社技術情報協会

お支払い方法、キャンセルの可否は、必ずお申し込み前にご確認をお願いいたします。

お問い合わせ

本セミナーに関するお問い合わせは tech-seminar.jpのお問い合わせからお願いいたします。

(主催者への直接のお問い合わせはご遠慮くださいませ。)

受講料

1名様

: 50000円 (税別) / 55,000円 (税込)

複数名

: 45000円 (税別) / 49,500円 (税込)

複数名同時受講割引について

2名様以上でお申込みの場合、1名あたり 45,000円(税別) / 49,500円(税込) で受講いただけます。
5名様以降は、1名あたり 30,000円(税別) / 33,000円(税込) で受講いただけます。
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 50,000円(税別) / 55,000円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 90,000円(税別) / 99,000円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 135,000円(税別) / 148,500円(税込)
- 4名様でお申し込みの場合 : 4名で 180,000円(税別) / 198,000円(税込)
- 5名様でお申し込みの場合 : 5名で 210,000円(税別) / 231,000円(税込)

同一法人内による複数名同時申込みのみ適用いたします。
請求書は、代表者にご送付いたします。
他の割引は併用できません。

アカデミック割引

1名様あたり 30,000円(税別) / 33,000円(税込)

日本国内に所在しており、以下に該当する方は、アカデミック割引が適用いただけます。

学校教育法にて規定された国、地方公共団体、および学校法人格を有する大学、大学院、短期大学、附属病院、高等専門学校および各種学校の教員、生徒
病院などの医療機関・医療関連機関に勤務する医療従事者
文部科学省、経済産業省が設置した独立行政法人に勤務する研究者。理化学研究所、産業技術総合研究所など
公設試験研究機関。地方公共団体に置かれる試験所、研究センター、技術センターなどの機関で、試験研究および企業支援に関する業務に従事する方

支払名義が企業の場合は対象外とさせていただきます。
企業に属し、大学、公的機関に派遣または出向されている方は対象外とさせていただきます。

ライブ配信セミナーについて

本セミナーは「Zoom」を使ったライブ配信セミナーとなります。
お申し込み前に、 Zoomのシステム要件とテストミーティングへの参加手順をご確認いただき、テストミーティングにて動作確認をお願いいたします。
開催日前に、接続先URL、ミーティングID、パスワードを別途ご連絡いたします。
セミナー開催日時に、視聴サイトにログインしていただき、ご視聴ください。
セミナー資料は郵送にて前日までにお送りいたします。
開催まで4営業日を過ぎたお申込みの場合、セミナー資料の到着が、開講日に間に合わない可能性がありますこと、ご了承下さい。
ライブ配信の画面上でスライド資料は表示されますので、セミナー視聴には差し支えございません。
印刷物は後日お手元に届くことになります。
ご自宅への書類送付を希望の方は、通信欄にご住所・宛先などをご記入ください。
タブレットやスマートフォンでも受講可能ですが、機能が制限される場合があります。
ご視聴は、お申込み者様ご自身での視聴のみに限らせていただきます。不特定多数でご覧いただくことはご遠慮下さい。
講義の録音、録画などの行為や、権利者の許可なくテキスト資料、講演データの複製、転用、販売などの二次利用することを固く禁じます。
Zoomのグループにパスワードを設定しています。お申込者以外の参加を防ぐため、パスワードを外部に漏洩しないでください。
万が一、部外者が侵入した場合は管理者側で部外者の退出あるいはセミナーを終了いたします。

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リソグラフィ技術・レジスト材料の基礎と微細化・高解像度に向けた先端技術、今後の展望

admin — Mon, 20 Apr 2026 08:34:13 +0000

リソグラフィ技術・レジスト材料の基礎と微細化・高解像度に向けた先端技術、今後の展望

～フォトリソグラフィプロセスの理解とレジスト材料の開発指針、EUVLからPFASフリーまで～

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概要

本セミナーでは、レジスト・リソグラフィ技術・材料開発の事例を学びながら今後の効率的な技術開発・不良防止・トラブル対策への応用を丁寧に解説いたします。

配信期間

2026年7月2日(木) 10時30分～ 2026年7月15日(水) 16時30分

お申し込みの締切日

2026年7月2日(木) 10時30分

修得知識

レジスト・リソグラフィ技術の基礎と技術開発の必然性
マイクロエレクトロニクスの高密度化、高速化
低コスト化に伴うリソグラフィ技術の微細化・レジストの高解像度化などの高品位化の歴史的変遷およびイノベーションの創出過程
技術・レジスト材料開発の実例
効率的な技術開発・不良防止・トラブル対策への応用
レジスト・リソグラフィ技術の研究開発動向、現状の技術的な課題とその対処技術、今後の展望
今後の技術開発の方向性・指針
PFASフリー対応の現状と課題及び研究開発動向
事業課題の設定、事業計画の策定・推進、その他、新規事業の立ち上げや海外進出の推進、他社との資本・業務提携・アライアンスなどに関する企画立案などの参考
科学技術の進歩の負の側面として顕在化してきている地球規模の課題の解決に向けて半導体産業が果たす役割、日本の半導体産業の現状と課題、今後の展開の指針

プログラム

　今日の情報化社会は、マイクロエレクトロニクス (ME) の発展に支えられている。その先端技術ともいえる人工知能 (AI) は医療分野、自動運転技術への展開から社会への浸透をはじめており、人間に代わるから超えるところまで議論されている。
　MEは、1950年代に集積回路 (IC) が開発されて以来、大規模集積回路 (LSI) のパターンの微細化、高集積化、すなわちメモリー大容量化、システムLSIの高性能化の方向で、一貫して発展してきている。あわせて情報処理の高速化、低価格化も実現してきた。今後もメモリーの大容量化およびシステムLSIの高性能化の流れは止まりそうにないと予測されている。このような流れの中で、フォトリソグラフィの進歩はフォトレジストなどの材料開発が中心軸となってMEの発展に寄与してきたが、これらの材料をうまく使いこなす露光装置を中心としたハードウェア、プロセス技術の進歩も著しいものがある。
　レジスト材料の開発はパターンの微細化、高解像度化が中心で、これは主として露光に用いる光の波長を短くすることで実現されてきた。ここまではさまざまな選択肢、さまざまな試行など、紆余曲折はあったものの、結果として振り返ってみれば、それまでの技術の延長線上で進んできている。1970年代から40年余りの短い時間に次のような大きな技術変革を経験している。

コンタクトアライナーによるリソグラフィ技術の確立
投影露光方式の導入
化学増幅型レジスト/エキシマレーザ光源の採用
EUV光源・反射光学系の採用など

　それぞれのステップで多くのイノベーションが実現され課題を克服してきたわけである。ここでは、これまでの技術・材料開発の事例をまとめ、研究開発動向の現状、技術的な課題とその対処技術を整理し、今後の効率的な技術開発・事業開発への指針とする。あわせて、日本の今後の半導体関連産業の在り方についても考察する。

技術パラダイムシフトと半導体集積回路
1. 科学技術の発展
2. 技術パラダイムシフト
3. マイクロエレクトロニクス (ME) と社会〜AI技術の展開〜
4. MEの黎明期とフォトレジスト
フォトレジストの本流
1. ゴム系ネガ型フォトレジスト
  1. リソグラフィプロセスの確立
  2. 基本的構造及び製造法
2. ノボラック系ポジ型レジスト
  1. 基本的組成
  2. マトリックス樹脂製法、感光性化合物
  3. レジストの透明性と解像度
  4. i – 線レジスト
  5. リソグラフィプロセスでの化学と工程管理
  6. レジストの溶剤と環境への影響
  7. 高性能化への工夫と新たなイノベーション
フォトレジストの裏街道
1. X線レジスト
2. ドライ現像システムTop Surface Imaging:DESIRE
3. Deep UVリソグラフィ
  1. 黎明期のレジスト
  2. 化学増幅型レジスト
  3. 光酸発生剤
エキシマレーザリソグラフィ
1. KrFレジスト
  1. エキシマレーザリソグラフィ実現への課題
  2. 光源・光学系の課題
  3. 化学増幅型レジストの課題
  4. 材料からの改良
  5. プロセス面からの改良
  6. 実用化されたレジスト材料
2. ArFレジスト
  1. ArFレジスト実現への課題
  2. 実用化されたArFレジスト
  3. アニオンサイズと拡散係数
3. 液浸リソグラフィ
  1. 水中露光の課題
  2. 高屈折率液体
EUVリソグラフィ
1. 光源・露光機の開発
2. レジスト開発
  - 開発現状と課題
  - LERの要因と対応
3. 無機レジスト感度・解像度/保存安定性
4. EUVLの課題
  - 光源
  - 露光装置
  - マスク
  - レジスト
  - 評価装置
今後の展望
1. 高解像度化と現像プロセス
  - 現像過程での膨潤と解像度
2. 今後のパターン形成プロセス
3. ナノインプリント技術の実用化
4. デバイスの進化
5. PFASフリーの課題
  1. PFASとは
  2. リソグラフィ材料におけるPFASの有用性
  3. 化学増幅レジストシステムにおける光酸発生材 (PAG)
  4. 反射防止膜・下層膜
  5. PFASフリー対応の現状と課題
科学技術と社会 (半導体と人間)
1. 実装材料 (ポリイミド)
2. フラットパネルディスプレイ材料
3. ブレインマシンインターフェイス (BMI)
4. 科学技術と社会 (地球規模の課題と科学技術/半導体)
国の安全保障の根幹を担う半導体産業
1. 半導体産業の重要性
2. 日本および世界の半導体産業の現状
3. 経産省の戦略
4. 再生のための論点
効率的にイノベーションを創出するために
- 知的財産戦略とMOT
まとめ

質疑応答

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講師

鴨志田洋一氏
鴨志田技術事務所

代表

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主催

サイエンス＆テクノロジー株式会社

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本セミナーに関するお問い合わせは tech-seminar.jpのお問い合わせからお願いいたします。

(主催者への直接のお問い合わせはご遠慮くださいませ。)

受講料

1名様

: 38200円 (税別) / 42,020円 (税込)

複数名

: 25000円 (税別) / 27,500円 (税込)

複数名受講割引

2名様以上でお申込みの場合、1名あたり 25,000円(税別) / 27,500円(税込) で受講いただけます。
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 38,200円(税別) / 42,020円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 50,000円(税別) / 55,000円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 75,000円(税別) / 82,500円(税込)
同一法人内 (グループ会社でも可) による複数名同時申込みのみ適用いたします。
請求書は、代表者にご送付いたします。
請求書および領収書は1名様ごとに発行可能です。
申込みフォームの通信欄に「請求書1名ごと発行」とご記入ください。
他の割引は併用できません。
サイエンス&テクノロジー社の「2名同時申込みで1名分無料」価格を適用しています。

アカデミー割引

教員、学生および医療従事者はアカデミー割引価格にて受講いただけます。

1名様あたり 10,000円(税別) / 11,000円(税込)
企業に属している方(出向または派遣の方も含む)は、対象外です。
お申込み者が大学所属名でも企業名義でお支払いの場合、対象外です。

アーカイブ配信セミナー

「ビデオグ」を使ったアーカイブ配信セミナーとなります。
当日のセミナーを、後日にお手元のPCなどからご視聴ができます。
お申し込み前に、視聴環境をご確認いただき、視聴テストにて動作確認をお願いいたします。
別途、ID,パスワードをメールにてご連絡申し上げます。
視聴期間は2026年7月2日〜15日を予定しております。
ご視聴いただけなかった場合でも期間延長いたしませんのでご注意ください。
セミナー資料は、PDFファイルをダウンロードいただきます。
ご自宅への書類送付を希望の方は、通信欄にご住所・宛先などをご記入ください。
ご視聴は、お申込み者様ご自身での視聴のみに限らせていただきます。不特定多数でご覧いただくことはご遠慮下さい。
講義の録音、録画などの行為や、権利者の許可なくテキスト資料、講演データの複製、転用、販売などの二次利用することを固く禁じます。

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フォトレジスト材料の基礎と評価プロセスおよび市場展開アプリケーション

admin — Tue, 05 May 2026 00:48:43 +0000

フォトレジスト材料の基礎と評価プロセスおよび市場展開アプリケーション

～要求特性とそれを達成するための材料設計からトラブルシューティングまで～

オンライン開催

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アーカイブ配信で受講をご希望の場合、視聴期間は2026年6月25日〜7月3日を予定しております。
アーカイブ配信のお申し込みは2026年7月1日まで承ります。

概要

本セミナーでは、フォトレジストに求められる要求特性とそれを達成するための材料設計をメインに、フォトレジストの基礎から評価、適用されるアプリケーション、トラブルの原因と対策について具体的に解説いたします。

開催日

2026年6月24日(水) 13時00分～ 17時00分

修得知識

フォトリソグラフィプロセス
フォトリソグラフィ加工用装置
フォトレジスト区分と適用される原料構造
フォトレジストに求められる要求特性
フォトレジスト用原料の構造設計
フォトレジストの光化学反応とフォーミュレーション
フォトレジスト評価方法
フォトリソグラフィが適用されるアプリケーション
フォトレジストトラブルシューティング
これから求められるフォトレジスト

プログラム

　半導体用の微細加工用に適用されるフォトレジストは、半導体の黎明期には、数十um程度であったモノが、半導体素子の高性能化に伴い、昨今では、数nm レベルの加工に至っている。また、フォトレジストが、ディスプレイ、車載デバイス、通信デバイスに適用されるようになり、その使用法と要求特性は微細化のみならず、多様性を極めている。
　特に、シンギュラリティの実現に伴い、今後必要とされる高性能な5感センサー、ソフトロボトロニクス、高速 (移動) 通信用のデバイスにおいては、従来のアプリケーション向けフォトレジストとは、更に特殊な要求が求められる事となっている。
　今回の講演では、フォトレジストに求められる要求特性とそれを達成するための材料設計をメインにフォトレジストとはどういうモノであるかについて具体的に紹介する。

フォトレジスト材料
1. フォトレジストとは
2. 光化学反応に基づく4つのカテゴリー
3. 露光波長毎のポジ型フォトレジスト原料構造と光化学反応
  - G〜I線露光
  - KrF 露光
  - ArF 露光
  - EUV 露光
G〜I線露光用ポジ型フォトレジスト原料の構造とレジスト設計
1. G〜I線露光用ポジ型フォトレジスト原料構成
2. ノボラック樹脂の合成方法と構造特性
3. バラスト化合物と感光材の構造特性
4. 各種添加剤の構造特性 (増感剤、界面活性剤)
5. 溶剤の構造特性
フォトレジストのパターニングプロセスと性能影響因子
1. 基板
2. 塗布
3. プリベーク
4. 露光
5. マスク
6. PEB
7. 現像・リンス
8. ポストベーク
フォトレジストのパターニング後の耐性評価
1. ウェットエッチング
2. ドライエッチング
3. イオンインプラ
4. めっき
5. リフトオフ
6. 犠牲層・構造化
フォトレジストのトラブルシューティング
フォトレジストが適用されるアプリケーション
1. 半導体
2. パワーモジュール (車載・エナジーハーベスト)
3. MEMS 五感センサー
4. 次世代高速移動通信Beyond5G/6G
5. 光デバイス
アプリケーションの進化に伴いこれから求められるフォトレジスト予想
事前に頂いたフォトレジストに関するお悩み相談室

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講師

山田達也氏
東北大学マイクロシステム融合研究会 ( μSIC )

講師

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主催

株式会社 R&D支援センター

お支払い方法、キャンセルの可否は、必ずお申し込み前にご確認をお願いいたします。

お問い合わせ

本セミナーに関するお問い合わせは tech-seminar.jpのお問い合わせからお願いいたします。

(主催者への直接のお問い合わせはご遠慮くださいませ。)

受講料

1名様

: 45000円 (税別) / 49,500円 (税込)

複数名

: 22500円 (税別) / 24,750円 (税込) (案内をご希望の場合に限ります)

案内割引・複数名同時申込割引について

R&D支援センターからの案内登録をご希望の方は、割引特典を受けられます。
案内および割引をご希望される方は、お申込みの際、「案内の希望 (割引適用)」の欄から案内方法をご選択ください。

「案内の希望」をご選択いただいた場合、1名様 40,000円(税別) / 44,000円(税込) で受講いただけます。
複数名で同時に申込いただいた場合、1名様につき 22,500円(税別) / 24,750円(税込) で受講いただけます。

R&D支援センターからの案内を希望する方
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 40,000円(税別) / 44,000円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 45,000円(税別) / 49,500円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 67,500円(税別) / 74,250円(税込)
R&D支援センターからの案内を希望しない方
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 45,000円(税別) / 49,500円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 90,000円(税別) / 99,000円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 135,000円(税別) / 148,500円(税込)

ライブ配信セミナーについて

本セミナーは「Zoom」を使ったライブ配信セミナーとなります。
お申し込み前に、 Zoomのシステム要件とテストミーティングへの参加手順をご確認いただき、テストミーティングにて動作確認をお願いいたします。
開催日前に、接続先URL、ミーティングID、パスワードを別途ご連絡いたします。
セミナー開催日時に、視聴サイトにログインしていただき、ご視聴ください。
ご自宅への書類送付を希望の方は、通信欄にご住所・宛先などをご記入ください。
タブレットやスマートフォンでも受講可能ですが、機能が制限される場合があります。
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講義の録音、録画などの行為や、権利者の許可なくテキスト資料、講演データの複製、転用、販売などの二次利用することを固く禁じます。
Zoomのグループにパスワードを設定しています。お申込者以外の参加を防ぐため、パスワードを外部に漏洩しないでください。
万が一、部外者が侵入した場合は管理者側で部外者の退出あるいはセミナーを終了いたします。

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リソグラフィ技術・レジスト材料の基礎と微細化・高解像度に向けた先端技術、今後の展望

admin — Mon, 20 Apr 2026 08:33:35 +0000

リソグラフィ技術・レジスト材料の基礎と微細化・高解像度に向けた先端技術、今後の展望

～フォトリソグラフィプロセスの理解とレジスト材料の開発指針、EUVLからPFASフリーまで～

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アーカイブ配信で受講をご希望の場合、視聴期間は2026年7月2日〜15日を予定しております。
アーカイブ配信のお申し込みは2026年7月2日まで承ります。

概要

開催日

2026年6月18日(木) 10時30分～ 16時30分

修得知識

レジスト・リソグラフィ技術の基礎と技術開発の必然性
マイクロエレクトロニクスの高密度化、高速化
低コスト化に伴うリソグラフィ技術の微細化・レジストの高解像度化などの高品位化の歴史的変遷およびイノベーションの創出過程
技術・レジスト材料開発の実例
効率的な技術開発・不良防止・トラブル対策への応用
レジスト・リソグラフィ技術の研究開発動向、現状の技術的な課題とその対処技術、今後の展望
今後の技術開発の方向性・指針
PFASフリー対応の現状と課題及び研究開発動向
事業課題の設定、事業計画の策定・推進、その他、新規事業の立ち上げや海外進出の推進、他社との資本・業務提携・アライアンスなどに関する企画立案などの参考
科学技術の進歩の負の側面として顕在化してきている地球規模の課題の解決に向けて半導体産業が果たす役割、日本の半導体産業の現状と課題、今後の展開の指針

プログラム

コンタクトアライナーによるリソグラフィ技術の確立
投影露光方式の導入
化学増幅型レジスト/エキシマレーザ光源の採用
EUV光源・反射光学系の採用など

技術パラダイムシフトと半導体集積回路
1. 科学技術の発展
2. 技術パラダイムシフト
3. マイクロエレクトロニクス (ME) と社会〜AI技術の展開〜
4. MEの黎明期とフォトレジスト
フォトレジストの本流
1. ゴム系ネガ型フォトレジスト
  1. リソグラフィプロセスの確立
  2. 基本的構造及び製造法
2. ノボラック系ポジ型レジスト
  1. 基本的組成
  2. マトリックス樹脂製法、感光性化合物
  3. レジストの透明性と解像度
  4. i – 線レジスト
  5. リソグラフィプロセスでの化学と工程管理
  6. レジストの溶剤と環境への影響
  7. 高性能化への工夫と新たなイノベーション
フォトレジストの裏街道
1. X線レジスト
2. ドライ現像システムTop Surface Imaging:DESIRE
3. Deep UVリソグラフィ
  1. 黎明期のレジスト
  2. 化学増幅型レジスト
  3. 光酸発生剤
エキシマレーザリソグラフィ
1. KrFレジスト
  1. エキシマレーザリソグラフィ実現への課題
  2. 光源・光学系の課題
  3. 化学増幅型レジストの課題
  4. 材料からの改良
  5. プロセス面からの改良
  6. 実用化されたレジスト材料
2. ArFレジスト
  1. ArFレジスト実現への課題
  2. 実用化されたArFレジスト
  3. アニオンサイズと拡散係数
3. 液浸リソグラフィ
  1. 水中露光の課題
  2. 高屈折率液体
EUVリソグラフィ
1. 光源・露光機の開発
2. レジスト開発
  - 開発現状と課題
  - LERの要因と対応
3. 無機レジスト感度・解像度/保存安定性
4. EUVLの課題
  - 光源
  - 露光装置
  - マスク
  - レジスト
  - 評価装置
今後の展望
1. 高解像度化と現像プロセス
  - 現像過程での膨潤と解像度
2. 今後のパターン形成プロセス
3. ナノインプリント技術の実用化
4. デバイスの進化
5. PFASフリーの課題
  1. PFASとは
  2. リソグラフィ材料におけるPFASの有用性
  3. 化学増幅レジストシステムにおける光酸発生材 (PAG)
  4. 反射防止膜・下層膜
  5. PFASフリー対応の現状と課題
科学技術と社会 (半導体と人間)
1. 実装材料 (ポリイミド)
2. フラットパネルディスプレイ材料
3. ブレインマシンインターフェイス (BMI)
4. 科学技術と社会 (地球規模の課題と科学技術/半導体)
国の安全保障の根幹を担う半導体産業
1. 半導体産業の重要性
2. 日本および世界の半導体産業の現状
3. 経産省の戦略
4. 再生のための論点
効率的にイノベーションを創出するために
- 知的財産戦略とMOT
まとめ

質疑応答

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講師

鴨志田洋一氏
鴨志田技術事務所

代表

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主催

サイエンス＆テクノロジー株式会社

お支払い方法、キャンセルの可否は、必ずお申し込み前にご確認をお願いいたします。

お問い合わせ

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(主催者への直接のお問い合わせはご遠慮くださいませ。)

受講料

1名様

: 38200円 (税別) / 42,020円 (税込)

複数名

: 25000円 (税別) / 27,500円 (税込)

複数名受講割引

2名様以上でお申込みの場合、1名あたり 25,000円(税別) / 27,500円(税込) で受講いただけます。
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- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 50,000円(税別) / 55,000円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 75,000円(税別) / 82,500円(税込)
同一法人内 (グループ会社でも可) による複数名同時申込みのみ適用いたします。
請求書は、代表者にご送付いたします。
請求書および領収書は1名様ごとに発行可能です。
申込みフォームの通信欄に「請求書1名ごと発行」とご記入ください。
他の割引は併用できません。
サイエンス&テクノロジー社の「2名同時申込みで1名分無料」価格を適用しています。

アカデミー割引

教員、学生および医療従事者はアカデミー割引価格にて受講いただけます。

1名様あたり 10,000円(税別) / 11,000円(税込)
企業に属している方(出向または派遣の方も含む)は、対象外です。
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「Zoom」を使ったライブ配信セミナーとなります。
お申し込み前に、 Zoomのシステム要件とテストミーティングへの参加手順をご確認いただき、テストミーティングにて動作確認をお願いいたします。
開催日前に、接続先URL、ミーティングID、パスワードを別途ご連絡いたします。
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セミナー資料は、PDFファイルをダウンロードいただきます。
タブレットやスマートフォンでも受講可能ですが、機能が制限される場合があります。
ご視聴は、お申込み者様ご自身での視聴のみに限らせていただきます。不特定多数でご覧いただくことはご遠慮下さい。
講義の録音、録画などの行為や、権利者の許可なくテキスト資料、講演データの複製、転用、販売などの二次利用することを固く禁じます。
Zoomのグループにパスワードを設定しています。お申込者以外の参加を防ぐため、パスワードを外部に漏洩しないでください。
万が一、部外者が侵入した場合は管理者側で部外者の退出あるいはセミナーを終了いたします。

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当日のセミナーを、後日にお手元のPCなどからご視聴ができます。
お申し込み前に、視聴環境をご確認いただき、視聴テストにて動作確認をお願いいたします。
別途、ID,パスワードをメールにてご連絡申し上げます。
視聴期間は2026年7月2日〜15日を予定しております。
ご視聴いただけなかった場合でも期間延長いたしませんのでご注意ください。
セミナー資料は、PDFファイルをダウンロードいただきます。
ご自宅への書類送付を希望の方は、通信欄にご住所・宛先などをご記入ください。
ご視聴は、お申込み者様ご自身での視聴のみに限らせていただきます。不特定多数でご覧いただくことはご遠慮下さい。
講義の録音、録画などの行為や、権利者の許可なくテキスト資料、講演データの複製、転用、販売などの二次利用することを固く禁じます。

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半導体用レジストの基礎とプロセスの最適化およびEUVリソグラフィ技術・材料の最新動向

admin — Tue, 16 Dec 2025 07:15:18 +0000

半導体用レジストの基礎とプロセスの最適化およびEUVリソグラフィ技術・材料の最新動向

～フォトレジストの基本原理 (光化学反応・溶解性) / ポジ型・ネガ型レジスト / レジストとSi基板の密着性向上 / レジストの現像特性と評価 / HMDS処理と感度・現像特性への影響 / EUVリソグラフィの特徴と課題 / EUV・メタルレジスト材料の動向 / PFAS規制の影響とPFASフリーレジストの開発動向～

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概要

本セミナーでは、レジストの基本原理から材料設計、Si基板との密着性、現像特性評価、プロセス最適化までを解説し、レジスト材料・プロセスの考え方を紹介いたします。
第2部では、量産適用が進むEUVリソグラフィ技術に焦点を当て、EUVレジスト特有の課題や材料開発の最新動向、メタルレジストの可能性を解説いたします。さらに近年注目されるPFAS規制がレジスト材料に与える影響と、PFASフリー材料の開発動向についても紹介いたします。

配信期間

2026年4月3日(金) 10時30分～ 2026年4月16日(木) 16時30分

お申し込みの締切日

2026年4月3日(金) 10時30分

受講対象者

レジスト材料・プロセスの研究や開発に関わる方
半導体、ディスプレイ、MEMSなどのデバイス開発、製造、販売に携わる方
レジストメーカー、およびレジストメーカーに原料を提供する素材メーカーの方

修得知識

レジストの基礎知識
レジスト材料のノウハウ
レジストプロセスのトラブル対処法
リソグラフィー技術のビジネス動向
リソグラフィとフォトレジスト材料の基礎と歴史
EUVレジスト開発の現状

プログラム

第1部レジスト材料・プロセスの評価

(10:30〜14:30)

　本セミナーでは、レジスト材料・プロセスの最適化について紹介する。
　半導体、LCD等の電子デバイス製造では、成膜、パターン作製 (レジスト塗布、露光、現像) 、エッチング、レジスト剥離、洗浄等のプロセスを複数回繰り返すことにより、基板上にトランジスタを形成している。特に、微細素子のパターニングに用いられるレジストの剥離プロセスにおいては、硫酸、過酸化水素、アミン系有機溶剤など環境負荷の大きい薬液を大量に使用する。

半導体とレジストについて
1. 半導体の微細化
2. 電子デバイスの製造工程
3. レジスト解像度とレジスト材料の変遷
4. 半導体プロセスにおける各種レジスト
5. レジストに要求される特性
レジストの基本原理
1. レジストの基本原理 (光化学反応)
2. レジストの現像特性 (溶解性)
3. リソグラフィー工程とポジ/ネガ型レジスト
4. i線/g線用ノボラック系ポジ型レジスト
5. KrF用,ArF用レジスト (化学増幅型)
6. レジストの解像度向上
レジストとSi基板との密着性について
1. レジストの密着性の向上
2. HMDSの感度特性への影響
ノボラック系ポジ型レジストの現像特性について
1. レジストの現像特性の評価
2. レジストの分子量と溶解特性の関係
3. レジスト現像アナライザを用いた現像特性評価
4. プリベーク温度を変えたレジストの現像特性
5. PACのエステル化率を変化させたノボラック系ポジ型レジストの現像特性評価

質疑応答

第2部 EUVリソグラフィ技術の最新動向とPFAS規制の影響

(14:45〜16:30)

　30年にもおよんだ長い検討期間を経て、ついに2019年EUVリソグラフィが量産適用された。しかしながら、適用された各技術は序章、課題山積であり6年を経過した今なおレジストメーカーによる活発な開発が行われている。
　本セミナーでは、EUVフォトレジスト材料に関し、その特有の課題の解説および各種材料の最新動向を解説するとともに、近年話題となっているPFAS規制のレジストへの影響に関し解説する。

リソグラフィ微細化の歴史
1. リソグラフィ概要
2. 露光波長短波化による微細化の歴史
3. それをささえるフォトレジスト材料の進化
EUVリソグラフィ
1. 歴史、反応機構の特徴
2. EUVレジスト特有の課題、ストカスティック因子とは何か?
3. 化学増幅型レジストによる高性能化
4. メタルレジストとは?その特徴と例
PFAS規制の影響
1. PFAS規制とは
2. PFAS規制のレジスト材料への影響
3. PFAS freeレジストの開発動向

質疑応答

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講師

堀邊英夫氏
大阪公立大学大学院工学研究科物質化学生命系専攻化学バイオ分野

教授, 学長特別補佐
藤森亨氏
富士フイルム株式会社エレクトロニクスマテリアルズ研究所

シニアエキスパート

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主催

サイエンス＆テクノロジー株式会社

お支払い方法、キャンセルの可否は、必ずお申し込み前にご確認をお願いいたします。

お問い合わせ

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(主催者への直接のお問い合わせはご遠慮くださいませ。)

受講料

1名様

: 38200円 (税別) / 42,020円 (税込)

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: 25000円 (税別) / 27,500円 (税込)

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- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 38,200円(税別) / 42,020円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 50,000円(税別) / 55,000円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 75,000円(税別) / 82,500円(税込)
同一法人内 (グループ会社でも可) による複数名同時申込みのみ適用いたします。
受講券、請求書は、代表者にご郵送いたします。
請求書および領収書は1名様ごとに発行可能です。
申込みフォームの通信欄に「請求書1名ごと発行」とご記入ください。
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アーカイブ配信セミナー

「ビデオグ」を使ったアーカイブ配信セミナーとなります。
当日のセミナーを、後日にお手元のPCなどからご視聴ができます。
お申し込み前に、視聴環境をご確認いただき、視聴テストにて動作確認をお願いいたします。
別途、ID,パスワードをメールにてご連絡申し上げます。
視聴期間は2026年4月3日〜16日を予定しております。
ご視聴いただけなかった場合でも期間延長いたしませんのでご注意ください。
セミナー資料は印刷・送付いたします。
ご自宅への書類送付を希望の方は、通信欄にご住所・宛先などをご記入ください。
ご視聴は、お申込み者様ご自身での視聴のみに限らせていただきます。不特定多数でご覧いただくことはご遠慮下さい。
講義の録音、録画などの行為や、権利者の許可なくテキスト資料、講演データの複製、転用、販売などの二次利用することを固く禁じます。

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半導体用レジストの基礎とプロセスの最適化およびEUVリソグラフィ技術・材料の最新動向

admin — Tue, 16 Dec 2025 07:13:58 +0000

半導体用レジストの基礎とプロセスの最適化およびEUVリソグラフィ技術・材料の最新動向

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アーカイブ配信で受講をご希望の場合、視聴期間は2026年4月3日〜16日を予定しております。
アーカイブ配信のお申し込みは2026年4月3日まで承ります。

概要

開催日

2026年3月17日(火) 10時30分～ 16時30分

受講対象者

レジスト材料・プロセスの研究や開発に関わる方
半導体、ディスプレイ、MEMSなどのデバイス開発、製造、販売に携わる方
レジストメーカー、およびレジストメーカーに原料を提供する素材メーカーの方

修得知識

レジストの基礎知識
レジスト材料のノウハウ
レジストプロセスのトラブル対処法
リソグラフィー技術のビジネス動向
リソグラフィとフォトレジスト材料の基礎と歴史
EUVレジスト開発の現状

プログラム

第1部レジスト材料・プロセスの評価

(10:30〜14:30)

半導体とレジストについて
1. 半導体の微細化
2. 電子デバイスの製造工程
3. レジスト解像度とレジスト材料の変遷
4. 半導体プロセスにおける各種レジスト
5. レジストに要求される特性
レジストの基本原理
1. レジストの基本原理 (光化学反応)
2. レジストの現像特性 (溶解性)
3. リソグラフィー工程とポジ/ネガ型レジスト
4. i線/g線用ノボラック系ポジ型レジスト
5. KrF用,ArF用レジスト (化学増幅型)
6. レジストの解像度向上
レジストとSi基板との密着性について
1. レジストの密着性の向上
2. HMDSの感度特性への影響
ノボラック系ポジ型レジストの現像特性について
1. レジストの現像特性の評価
2. レジストの分子量と溶解特性の関係
3. レジスト現像アナライザを用いた現像特性評価
4. プリベーク温度を変えたレジストの現像特性
5. PACのエステル化率を変化させたノボラック系ポジ型レジストの現像特性評価

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第2部 EUVリソグラフィ技術の最新動向とPFAS規制の影響

(14:45〜16:30)

リソグラフィ微細化の歴史
1. リソグラフィ概要
2. 露光波長短波化による微細化の歴史
3. それをささえるフォトレジスト材料の進化
EUVリソグラフィ
1. 歴史、反応機構の特徴
2. EUVレジスト特有の課題、ストカスティック因子とは何か?
3. 化学増幅型レジストによる高性能化
4. メタルレジストとは?その特徴と例
PFAS規制の影響
1. PFAS規制とは
2. PFAS規制のレジスト材料への影響
3. PFAS freeレジストの開発動向

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講師

堀邊英夫氏
大阪公立大学大学院工学研究科物質化学生命系専攻化学バイオ分野

教授, 学長特別補佐
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富士フイルム株式会社エレクトロニクスマテリアルズ研究所

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1名様

: 38200円 (税別) / 42,020円 (税込)

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開催まで4営業日を過ぎたお申込みの場合、セミナー資料の到着が、開講日に間に合わない可能性がありますこと、ご了承下さい。
ライブ配信の画面上でスライド資料は表示されますので、セミナー視聴には差し支えございません。
印刷物は後日お手元に届くことになります。
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ご視聴いただけなかった場合でも期間延長いたしませんのでご注意ください。
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先端半導体プロセスで求められるレジスト材料・技術

admin — Mon, 08 Dec 2025 01:17:34 +0000

先端半導体プロセスで求められるレジスト材料・技術

～EUV・光電融合から先端パッケージ/RDL、新エッチング技術対応まで～

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ライブ配信セミナーには、特典としてアーカイブ配信が付きます。
アーカイブ配信の視聴期間は、2026年2月16日〜20日を予定しております。
ライブ配信を欠席し、アーカイブ配信のみ受講をご希望の場合は、通信欄に「ライブ欠席、アーカイブのみ受講」とご記入ください。

概要

本セミナーでは、リソグラフィ工程をはじめ、エッチング、先端パッケージ、チップ間接続・RDLへとレジストの適用が広がる各工程での要求特性を体系的に解説いたします。

開催日

2026年2月13日(金) 10時00分～ 17時00分

修得知識

リソグラフィ、レジストの基礎知識、要求特性、最新技術
先端パッケージ技術の基礎知識
再配線層形成プロセスの基礎知識、最新技術

プログラム

　メモリー、マイクロプロセッサ等の半導体の高集積化の要求は、携帯端末、情報機器等の高性能化に伴い益々大きくなっています。一方、生成AIの進化と共に莫大なデータ処理がデータセンターや基地局に集まりその処理を超高速度に低消費電力かつ低損失に行うために、半導体チップに対して更なる大きな要求がなされています。このためリソグラフィ技術による微細化 (半導体前工程) に加えて、積層の進化軸 (先端パッケージ;半導体後工程) がクローズアップされています。
　本講演では、半導体のトレンド、デバイス、リソグラフィ、パッケージの最新の各ロードマップを述べた後、半導体プロセスの基礎、リソグラフィの基礎を解説します。次にデバイスの微細化を支えるレジストについて基礎と最新技術、剥離技術の詳細を解説し、リソグラフィの最新技術を紹介します。次に先端パッケージ技術の基礎と課題、今後の展望を解説します。続いてパッケージ技術で用いられている様々なレジストの特性、用途を述べます。今後の微細化が求められるチップ間の接続に必要な再配線層 (RDL:Re-Distribution Layer) 形成プロセスの現状と要求・課題、今後の展望を解説します。最後にレジストの技術展望、市場動向についてまとめます。

ロードマップ
1. 半導体のトレンド
2. デバイスのロードマップ
3. リソグラフィのロードマップ
  1. リソグラフィへの要求特性
  2. 微細化に対応するリソグラフィ技術の選択肢
4. パッケージのロードマップ
5. 最先端デバイスの動向
半導体プロセスの基礎
リソグラフィの基礎
レジストの基礎と最新技術、剥離技術
1. 溶解阻害型レジスト
  1. g線レジスト
  2. i線レジスト
2. 化学増幅型レジスト
  1. KrFレジスト
  2. ArFレジスト
  3. 化学増幅型レジストの安定化技術
3. ArF液浸レジスト/トップコート
  1. ArF液浸リソグラフィの特徴
  2. ArF液浸レジスト/トップコートの要求特性
  3. ArF液浸レジスト/トップコートの設計指針
4. EUVレジスト
  1. EUVレジストの特徴
  2. EUVレジストの要求特性
  3. EUVレジストの設計指針
    1. EUVレジスト用ポリマー
    2. EUVレジスト用酸発生剤
  4. EUVレジストの課題と対策
    1. 感度/解像度/ラフネスのトレードオフ
    2. ランダム欠陥 (Stochastic Effects)
  5. EUVレジストの動向
    1. ネガレジストプロセス
    2. ポリマーバウンド酸発生剤を用いる化学増幅型レジスト
  6. EUVメタルレジスト
    1. EUVメタルレジストの特徴
    2. EUVメタルレジストの性能
    3. EUVメタルドライレジストプロセス
5. 新エッチング技術対応レジスト
  1. クライオエッチング用レジスト
6. レジストの剥離技術
  1. 剥離液の種類と特性
  2. 剥離液の用途
リソグラフィの最新技術
1. ダブルパターニング、マルチパターニング
  1. リソーエッチ (LE) プロセス
  2. セルフアラインド (SA) プロセス
2. EUVリソグラフィ
  1. EUVリソグラフィの特徴
    1. 露光装置
    2. 光源
    3. マスク
    4. プロセス
3. 自己組織化 (DSA) リソグラフィ
  1. グラフォエピタキシー
  2. ケミカルエピタキシー
4. ナノインプリントリソグラフィ
  1. 加圧方式
  2. 光硬化方式
  3. 露光装置
  4. 光電融合への適用
先端パッケージ技術の基礎と課題、今後の展望
1. Flip-Chip BGA (FC-BGA)
2. Fan-Out Wafer-Level Package (FOWLP)
  1. Integrated Fan-Out (InFO)
3. 2.5D パッケージング
  1. シリコンインターポーザー型
    - CoWoS-S
    - I-CubeS
  2. 有機インターポーザー型
    - CoWoS-R
    - R-Cube
  3. シリコンブリッジ型
    - CoWoS-L
    - EMIB
    - I-CubeE
4. 3DIC
パッケージ技術で用いられるレジストの特性・用途
1. 厚膜レジスト
  1. 厚膜レジストの用途
  2. 厚膜レジストの性能と課題
  3. 厚膜レジストの材料
2. ドライフィルムレジスト
3. ソルダーレジスト
再配線層/RDL形成プロセスの現状と要求・課題、今後の展望
1. ロードマップ
2. SAP方式
3. ダマシンCMP方式
  - ダマシンCMP用パターン形成方法
レジストの技術展望、市場動向

質疑応答

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講師

遠藤政孝氏
Eリソリサーチ

代表

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主催

サイエンス＆テクノロジー株式会社

お支払い方法、キャンセルの可否は、必ずお申し込み前にご確認をお願いいたします。

お問い合わせ

本セミナーに関するお問い合わせは tech-seminar.jpのお問い合わせからお願いいたします。

(主催者への直接のお問い合わせはご遠慮くださいませ。)

受講料

1名様

: 42000円 (税別) / 46,200円 (税込)

複数名

: 27500円 (税別) / 30,250円 (税込)

複数名受講割引

2名様以上でお申込みの場合、1名あたり 27,500円(税別) / 30,250円(税込) で受講いただけます。
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 42,000円(税別) / 46,200円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 55,000円(税別) / 60,500円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 82,500円(税別) / 90,750円(税込)
同一法人内 (グループ会社でも可) による複数名同時申込みのみ適用いたします。
請求書は、代表者にご送付いたします。
請求書および領収書は1名様ごとに発行可能です。
申込みフォームの通信欄に「請求書1名ごと発行」とご記入ください。
他の割引は併用できません。
サイエンス&テクノロジー社の「2名同時申込みで1名分無料」価格を適用しています。

アカデミー割引

教員、学生および医療従事者はアカデミー割引価格にて受講いただけます。

1名様あたり 10,000円(税別) / 11,000円(税込)
企業に属している方(出向または派遣の方も含む)は、対象外です。
お申込み者が大学所属名でも企業名義でお支払いの場合、対象外です。

ライブ配信セミナーについて

本セミナーは「Zoom」を使ったライブ配信セミナーとなります。
お申し込み前に、 Zoomのシステム要件とテストミーティングへの参加手順をご確認いただき、テストミーティングにて動作確認をお願いいたします。
開催日前に、接続先URL、ミーティングID、パスワードを別途ご連絡いたします。
セミナー開催日時に、視聴サイトにログインしていただき、ご視聴ください。
セミナー資料は郵送にて前日までにお送りいたします。
開催まで4営業日を過ぎたお申込みの場合、セミナー資料の到着が、開講日に間に合わない可能性がありますこと、ご了承下さい。
ライブ配信の画面上でスライド資料は表示されますので、セミナー視聴には差し支えございません。
印刷物は後日お手元に届くことになります。
ご自宅への書類送付を希望の方は、通信欄にご住所・宛先などをご記入ください。
タブレットやスマートフォンでも受講可能ですが、機能が制限される場合があります。
ご視聴は、お申込み者様ご自身での視聴のみに限らせていただきます。不特定多数でご覧いただくことはご遠慮下さい。
講義の録音、録画などの行為や、権利者の許可なくテキスト資料、講演データの複製、転用、販売などの二次利用することを固く禁じます。
Zoomのグループにパスワードを設定しています。お申込者以外の参加を防ぐため、パスワードを外部に漏洩しないでください。
万が一、部外者が侵入した場合は管理者側で部外者の退出あるいはセミナーを終了いたします。

本セミナーは終了いたしました。

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高感度化フォトレジスト材料の合成・設計・開発技術

admin — Tue, 11 Nov 2025 03:00:51 +0000

高感度化フォトレジスト材料の合成・設計・開発技術

～分子設計・合成方法と最新型EUV用レジスト材料の研究動向～

オンライン開催

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概要

本セミナーでは、高分子・低分子化合物のレジスト材料に関する基礎や評価方法を解説いたします。

配信期間

2026年1月14日(水) 10時30分～ 2026年1月29日(木) 16時30分

お申し込みの締切日

2026年1月14日(水) 10時30分

受講対象者

フォトレジストに関連する技術者、開発者、研究者
フォトレジストで課題を抱えている方
これからフォトレジストに携わる方

修得知識

レジスト材料の基礎
レジスト材料の合成方法
レジスト材料の評価方法
レジスト材料の開発方法

プログラム

　フォトレジスト材料は、ポジ型、ネガ型、化学増幅型、非化学増幅型などとして分類され、i線、G線、KrF、ArF、EB、およびEUV露光用レジスト材料として活用されている。高感度化をすること、すなわち、露光量を少なくさせることは、短時間でパタンニング処理を可能にし、生産性を上げることを可能にする。しかし、それだけではなく、レジストパタンの解像性を上昇させ、レジストパタンのラフネスの改善にも大きく貢献することになる。次世代レジストシステムとして、EUV露光システムが実用化段階に入っているが、最も研究開発が必要とされているのは、EUV用のレジスト材料の開発である。現在のところ、EUV露光システムの能力を十分に引き出せるとされるレジスト材料は未だない。新しいレジスト材料の開発は、様々なレジスト特性を評価検討する必要があるが、まずは少ない露光量でパタンニングが可能であること、すなわち高感度であることが最優先である。実際、EUV用レジスト材料においても、より高感度なレジスト材料の開発が急務とされている。
　本セミナーにおいて、露光システムに対応したレジスト材料の分子設計指針から、最新のEUV用レジスト材料の開発動向から、次世代の分子設計指針まで解説する。

レジスト材料
1. 原理
2. レジスト材料の例
3. 化学増幅型レジスト
ポジ型レジスト材料
1. 材料的な特性
2. 主な応用・用途
ネガ型レジスト材料
1. 材料的な特性
2. 主な応用・用途
高分子レジスト材料と低分子レジスト
1. 材料的な特性
2. 主な応用・用途
レジスト材料の評価方法と開発方法の実例
1. レジスト材料の評価項目、評価手法について
2. レジスト材料の評価方法と開発例
最新型レジスト材料
1. メタルレジスト
2. EB, EUV用レジスト材料
質疑応答

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講師

工藤宏人氏
関西大学化学生命工学部化学・物質工学科

教授

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主催

サイエンス＆テクノロジー株式会社

お支払い方法、キャンセルの可否は、必ずお申し込み前にご確認をお願いいたします。

お問い合わせ

本セミナーに関するお問い合わせは tech-seminar.jpのお問い合わせからお願いいたします。

(主催者への直接のお問い合わせはご遠慮くださいませ。)

受講料

1名様

: 38200円 (税別) / 42,020円 (税込)

複数名

: 25000円 (税別) / 27,500円 (税込)

複数名受講割引

2名様以上でお申込みの場合、1名あたり 25,000円(税別) / 27,500円(税込) で受講いただけます。
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 38,200円(税別) / 42,020円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 50,000円(税別) / 55,000円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 75,000円(税別) / 82,500円(税込)
同一法人内 (グループ会社でも可) による複数名同時申込みのみ適用いたします。
請求書は、代表者にご送付いたします。
請求書および領収書は1名様ごとに発行可能です。
申込みフォームの通信欄に「請求書1名ごと発行」とご記入ください。
他の割引は併用できません。
サイエンス&テクノロジー社の「2名同時申込みで1名分無料」価格を適用しています。

アカデミー割引

教員、学生および医療従事者はアカデミー割引価格にて受講いただけます。

1名様あたり 10,000円(税別) / 11,000円(税込)
企業に属している方(出向または派遣の方も含む)は、対象外です。
お申込み者が大学所属名でも企業名義でお支払いの場合、対象外です。

アーカイブ配信セミナー

「ビデオグ」を使ったアーカイブ配信セミナーとなります。
当日のセミナーを、後日にお手元のPCなどからご視聴ができます。
お申し込み前に、視聴環境をご確認いただき、視聴テストにて動作確認をお願いいたします。
別途、ID,パスワードをメールにてご連絡申し上げます。
視聴期間は2026年1月14日〜29日を予定しております。
ご視聴いただけなかった場合でも期間延長いたしませんのでご注意ください。
セミナー資料は印刷・送付いたします。
ご自宅への書類送付を希望の方は、通信欄にご住所・宛先などをご記入ください。
ご視聴は、お申込み者様ご自身での視聴のみに限らせていただきます。不特定多数でご覧いただくことはご遠慮下さい。
講義の録音、録画などの行為や、権利者の許可なくテキスト資料、講演データの複製、転用、販売などの二次利用することを固く禁じます。

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高感度化フォトレジスト材料の合成・設計・開発技術

admin — Tue, 11 Nov 2025 03:00:14 +0000

高感度化フォトレジスト材料の合成・設計・開発技術

～分子設計・合成方法と最新型EUV用レジスト材料の研究動向～

オンライン開催

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アーカイブ配信で受講をご希望の場合、視聴期間は2026年1月14日〜29日を予定しております。
アーカイブ配信のお申し込みは2026年1月14日まで承ります。

概要

本セミナーでは、高分子・低分子化合物のレジスト材料に関する基礎や評価方法を解説いたします。

開催日

2025年12月22日(月) 10時30分～ 16時30分

受講対象者

フォトレジストに関連する技術者、開発者、研究者
フォトレジストで課題を抱えている方
これからフォトレジストに携わる方

修得知識

レジスト材料の基礎
レジスト材料の合成方法
レジスト材料の評価方法
レジスト材料の開発方法

プログラム

レジスト材料
1. 原理
2. レジスト材料の例
3. 化学増幅型レジスト
ポジ型レジスト材料
1. 材料的な特性
2. 主な応用・用途
ネガ型レジスト材料
1. 材料的な特性
2. 主な応用・用途
高分子レジスト材料と低分子レジスト
1. 材料的な特性
2. 主な応用・用途
レジスト材料の評価方法と開発方法の実例
1. レジスト材料の評価項目、評価手法について
2. レジスト材料の評価方法と開発例
最新型レジスト材料
1. メタルレジスト
2. EB, EUV用レジスト材料
質疑応答

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講師

工藤宏人氏
関西大学化学生命工学部化学・物質工学科

教授

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主催

サイエンス＆テクノロジー株式会社

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お問い合わせ

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受講料

1名様

: 38200円 (税別) / 42,020円 (税込)

複数名

: 25000円 (税別) / 27,500円 (税込)

複数名受講割引

2名様以上でお申込みの場合、1名あたり 25,000円(税別) / 27,500円(税込) で受講いただけます。
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 38,200円(税別) / 42,020円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 50,000円(税別) / 55,000円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 75,000円(税別) / 82,500円(税込)
同一法人内 (グループ会社でも可) による複数名同時申込みのみ適用いたします。
請求書は、代表者にご送付いたします。
請求書および領収書は1名様ごとに発行可能です。
申込みフォームの通信欄に「請求書1名ごと発行」とご記入ください。
他の割引は併用できません。
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アカデミー割引

教員、学生および医療従事者はアカデミー割引価格にて受講いただけます。

1名様あたり 10,000円(税別) / 11,000円(税込)
企業に属している方(出向または派遣の方も含む)は、対象外です。
お申込み者が大学所属名でも企業名義でお支払いの場合、対象外です。

ライブ配信対応セミナー / アーカイブ配信対応セミナー

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ライブ配信セミナーをご希望の場合

「Zoom」を使ったライブ配信セミナーとなります。
お申し込み前に、 Zoomのシステム要件とテストミーティングへの参加手順をご確認いただき、テストミーティングにて動作確認をお願いいたします。
開催日前に、接続先URL、ミーティングID、パスワードを別途ご連絡いたします。
セミナー開催日時に、視聴サイトにログインしていただき、ご視聴ください。
セミナー資料は郵送にて前日までにお送りいたします。
開催まで4営業日を過ぎたお申込みの場合、セミナー資料の到着が、開講日に間に合わない可能性がありますこと、ご了承下さい。
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印刷物は後日お手元に届くことになります。
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タブレットやスマートフォンでも受講可能ですが、機能が制限される場合があります。
ご視聴は、お申込み者様ご自身での視聴のみに限らせていただきます。不特定多数でご覧いただくことはご遠慮下さい。
講義の録音、録画などの行為や、権利者の許可なくテキスト資料、講演データの複製、転用、販売などの二次利用することを固く禁じます。
Zoomのグループにパスワードを設定しています。お申込者以外の参加を防ぐため、パスワードを外部に漏洩しないでください。
万が一、部外者が侵入した場合は管理者側で部外者の退出あるいはセミナーを終了いたします。

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レジストリソグラフィー技術の基礎と実務およびトラブル対策

admin — Tue, 04 Nov 2025 07:37:11 +0000

レジストリソグラフィー技術の基礎と実務およびトラブル対策

～レジスト材料、プロセス、装置の最適化とパターン欠陥対策、量産技術～

オンライン開催

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概要

本セミナーでは、レジスト材料開発、およびレジスト処理装置関連の技術者、レジストユーザー、リソグラフィでトラブルを抱えている方々を対象に、フォトレジスト材料の特性、プロセスの最適化、付着・濡れ・欠陥といった各種トラブルに注目し、評価・解決のアプローチを丁寧に説明いたします。
また、研究開発・トラブルフォローといった実務上での取り組み方について、豊富な実例を交えながら解説いたします。

開催日

2025年12月11日(木) 10時30分～ 16時30分

受講対象者

レジスト材料開発、電子デバイスメーカー、レジスト処理装置、プリント基板関係の技術者
レジスト材料を扱う方
レジストを使用して製品・開発を生産する方
レジスト分野の技術指導をする方

修得知識

レジスト開発・レジスト処理装置開発・レジストを使用する上での基本的な考え方、ノウハウ
レジストの最適化法
レジスト処理におけるトラブルの原因と対処法
ユーザー側での評価手法

プログラム

　レジストリソグラフィは微細加工を支える主要技術の一つであり、半導体、ディスプレイ、プリント基板、太陽電池、MEMS など、さまざまな電子産業分野で広く実用化されています。市場規模は年間数10兆円に達し、年々拡大傾向にあります。一方で、レジスト材料およびプロセス技術の高度化に伴い、これらの特性が製品に与える影響も一層大きくなっています。
　本セミナーは、レジスト材料の開発者、レジスト処理装置の技術者、レジストユーザー、これからレジスト技術に携わる方、そしてリソグラフィ工程でトラブルを抱えている方々を対象とします。構成は「入門編」「実践編」「実務編」で、段階的に理解を深めていただけます。入門編では、レジスト技術の基礎と産業化の現状を、実例を交えて解説します。実践編では、製造ラインや開発設備におけるレジスト材料や露光技術の最適化について解説します。実務編では、実際の製造ラインにおけるパターン欠陥などの歩留まり対策について説明します。
　また、本セミナーでは、フォトレジスト材料の特性、プロセス最適化の方法、付着・濡れ・欠陥といった各種トラブルへの対応策に焦点を当て、評価・解決のアプローチを丁寧に解説します。さらに、レジスト形状・寸法制御、処理条件の設定方法、研究開発やトラブル対応など、実務での具体的な進め方についても、豊富な実例を交えて紹介します。加えて、レジストユーザーの視点とは何かについても、講師の実績を踏まえて詳しくご説明します。受講者の皆さまが日々直面しているトラブルやノウハウに関するご相談にも、個別に対応いたします。

入門編 : レジストリソグラフィーの基礎
1. レジスト概要 (産業上の実用例)
  - 実用化トレンド
    - 分類
    - ノード
    - アスペクト比
  - ウェットエッチング用レジスト (アンダーカット)
  - ドライエッチング用レジスト
    - 選択比
    - プラズマ耐性
  - イオン注入用レジスト
    - 注入イオン分布
    - 残留イオン汚染
  - めっき用レジスト
    - ドライフィルム
    - 金属配線形成
  - ソルダーレジスト (プリント基板)
  - 構造用レジスト
    - MEMS
    - 光造形
  - 厚膜用レジスト
    - 段差平坦化
    - Orchardの式
    - 多層レジストプロセス
  - カラーレジスト
    - ディスプレイ
    - 顔料相分離
2. パターン形成の基礎
  1. ジスト材料と処理プロセス
    - プロセスフロー
      - CAD設計
      - シフト量
      - ラインマッチング
    - レジストの光化学反応
      - ポジ
      - ネガ
      - 化学増幅型
      - EUV
      - TMAH溶解
    - ポジ型/ネガ型の選択基準 (ピンホール転写欠陥)
  2. パターン露光描画
    - 露光システム
      - 回折光
      - ステッパー
      - スキャナー
      - 液浸
      - EUV
    - レイリーの式
      - 解像力
      - 焦点深度
    - 重ね合わせ技術
      - TTL
      - アライメントマーク
  3. レジスト処理装置
    - HMDS処理
      - シランカップリング
      - vapor処理
      - 剥離防止
    - コーティング
      - スピン
      - 膜厚分布
      - 乱流
      - スプレー
      - スキャン塗布
      - ラミネート
    - 現像
      - ディップ
      - パドル
      - スプレー
    - 乾燥
      - ホットプレート
      - プロキシミティー
      - 減圧
      - 真空
    - レジスト除去
      - アッシング
      - 剥離液
      - IPA乾燥
      - 物理除去
実践編 : レジスト技術の最適化 (これだけは習得しておきたい)
1. レジスト寸法と形状の最適化
  1. コントラスト制御
    - 光学像コントラスト (光回折劣化)
    - 残膜曲線 (感度、γ値、最適露光時間)
    - 溶解コントラスト (レジスト垂直性)
    - 現像コントラスト (現像液濃度の最適化)
  2. 寸法と形状コントロール
    - CD寸法制御1
      - 露光量/フォーカス依存性
      - process window
    - CD寸法制御2
      - 寸法リニアリティー
      - バルク効果
      - 膜内多重反射
    - パターン断面改善 (段差部変動)
    - 耐エッチングコントラスト
      - 選択比
      - ローディング効果
  3. 改善プロセス技術
    - 反射防止膜
      - TARC
      - BARC
    - プロセス制御
      - PEB
      - LENOS
    - マルチパターニング技術
      - LELE
      - 非解像補助パターンSRAF
    - 直接描画技術
      - マスクレス
      - インクジェット
    - 位相シフト技術、ペリクル技術 (高解像化とマスク欠陥対策)
実務編 : レジスト技術の実務と歩留まり対策
1. レジスト欠陥・トラブル対策 (歩留り向上の最優先対策とは)
  1. 致命欠陥とは
    - 欠陥と歩留まり (ウェットプロセスの貢献)
    - 配線上異物
      - 致命/非致命欠陥
      - ショート/オープン欠陥
      - バブル欠陥
    - 塗布ミスト
      - エッジ盛上り
      - EBRエッジバックリンス
  2. レジストパターン剥離メカニズムとその影響因子とは
    - 接着促進要因と剥離促進要因
      - バランスモデル
      - 破断面解析
    - ドライ/ウェット中での付着エネルギー解析
      - 表面エネルギー
      - 分散・極性成分マップ
      - 付着/浸漬/拡張モデル
    - 応力歪み、膨潤
      - 応力集中
      - 膜内浸透
    - 検査用パターン
      - サイズ
      - 形状依存性
    - パターン直接剥離解析 (DPAT法)
  3. レジスト欠陥と対策
    - ストリーエーション (スジ状膜厚むら)
    - 膜分裂 (超薄膜化と自己組織化)
    - 乾燥むら
      - 乾燥対流とベナールセル
      - 光多重干渉
    - 白化
      - ソルダーレジスト
      - ソルベントクラック
    - ピンホール、はじき (拡張濡れ対策)
    - 膨れ (ブリスター)
    - パターン変形
      - 軟化
      - 熱だれ
    - 現像バブル対策 (界面活性剤)
2. 参考資料
  - 塗膜トラブルQ&A事例集 (トラブルの最短解決ノウハウ)
  - 表面エネルギーによる濡れ・付着性解析法 (測定方法)
質疑応答
- 日頃の研究開発、トラブル相談にも応じます

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主催

株式会社 R&D支援センター

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お問い合わせ

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受講料

1名様

: 50000円 (税別) / 55,000円 (税込)

複数名

: 25000円 (税別) / 27,500円 (税込) (案内をご希望の場合に限ります)

案内割引・複数名同時申込割引について

「案内の希望」をご選択いただいた場合、1名様 45,000円(税別) / 49,500円(税込) で受講いただけます。
複数名で同時に申込いただいた場合、1名様につき 25,000円(税別) / 27,500円(税込) で受講いただけます。

R&D支援センターからの案内を希望する方
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 45,000円(税別) / 49,500円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 50,000円(税別) / 55,000円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 75,000円(税別) / 82,500円(税込)
R&D支援センターからの案内を希望しない方
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 50,000円(税別) / 55,000円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 100,000円(税別) / 110,000円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 150,000円(税別) / 165,000円(税込)

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リソグラフィ技術・レジスト材料の基礎と微細化・高解像度に向けた応用技術、今後の展望および半導体産業の位置付けと未来

admin — Mon, 29 Sep 2025 07:13:05 +0000

リソグラフィ技術・レジスト材料の基礎と微細化・高解像度に向けた応用技術、今後の展望および半導体産業の位置付けと未来

～フォトリソグラフィプロセスの理解とレジスト材料の開発指針～

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概要

本セミナーでは、レジスト・リソグラフィ技術の基礎から微細化・高解像度化などの高品位化の変遷および創出過程、効率的な技術開発・不良防止・トラブル対策への応用について詳解いたします。

配信期間

2025年11月18日(火) 10時30分～ 2025年11月25日(火) 16時30分

お申し込みの締切日

2025年11月21日(金) 16時30分

修得知識

レジスト・リソグラフィ技術の基礎と技術開発の必然性
マイクロエレクトロニクスの高密度化・高速化
低コスト化に伴うリソグラフィ技術の微細化・レジストの高解像度化などの高品位化の歴史的変遷とイノベーションの創出過程
技術・レジスト材料開発の実例
効率的な技術開発・不良防止・トラブル対策への応用

プログラム

　今日の情報化社会は、マイクロエレクトロニクス (ME) の発展に支えられている。MEは、1950年代に集積回路 (IC) が開発されて以来、大規模集積回路 (LSI) のパターンの微細化、高集積化、すなわちメモリー大容量化の方向で、一貫して発展してきている。あわせて情報処理の高速化、低価格化も実現してきた。今後もメモリーの大容量化およびシステムLSIの高性能化の流れは止まりそうにないと予測されている。このような流れの中で、フォトリソグラフィの進歩はフォトレジストなどの材料開発が中心軸となってMEの発展に寄与してきたが、これらの材料をうまく使いこなす露光装置を中心としたハードウェア、プロセス技術の進歩も著しいものがある。
　レジスト材料の開発はパターンの微細化、高解像度化が中心で、これは主として露光に用いる光の波長を短くすることで実現されてきた。ここまではさまざまな選択肢、さまざまな試行など、紆余曲折はあったものの、結果として振り返ってみれば、それまでの技術の延長線上で進んできている。1970年代から40年余りの短い時間に次のような大きな技術変革を経験している。

コンタクトアライナーによるリソグラフィ技術の確立
投影露光方式の導入
化学増幅型レジスト/エキシマレーザ光源の採用
EUV光源の採用など

　それぞれのステップで多くのイノベーションが実現され課題を克服してきたわけである。ここでは、これまでの技術・材料開発の事例をまとめ、今後の効率的な技術開発・不良防止・トラブル対策への応用への指針とする。
　さらに、科学技術の進歩の負の側面として顕在化してきている地球規模の課題の解決に向けて半導体産業が果たす役割を考察し、日本の半導体産業の現状と課題を整理し、今後の展開の指針としたい。

技術パラダイムシフトと半導体集積回路
1. 科学技術の発展
大発明から産業革命
1. 技術パラダイムシフトと産業発展
2. マイクロエレクトロニクス (ME) と社会
3. MEの黎明期とフォトレジスト
  - フォトレジスト開発の必然性とイノベーションの創出
  - 最先端半導体デバイス
フォトレジストの本流
1. ゴム系ネガ型フォトレジスト
  1. リソグラフィプロセスの確立
    - フォトレジスト開発の推移
  2. 基本的構造及び製造法の進化
2. ノボラック系ポジ型レジスト
  1. 基本的組成
    - ウェーハ大口径化へのイノベーション
  2. マトリックス樹脂、感光性化合物のデザイン
  3. レジストの透明性と解像度
  4. i-線レジスト
  5. リソグラフィプロセスでの化学と工程管理
  6. レジストの溶剤と環境への影響
  7. 高性能化への工夫と新たなイノベーション
フォトレジストの裏街道
1. X線レジスト
2. Top Surface Imaging
  - 表層をイメージングレイヤーとするDESIREプロセス
3. Deep UVリソグラフィ
  1. 黎明期のレジスト
  2. 化学増幅型レジスト
    - レジストの透明性と高コントラス実現のジレンマ
  3. 光酸発生剤
エキシマレーザリソグラフィ
1. KrFレジスト
  1. エキシマレーザリソグラフィ実現への課題
  2. 光源・光学系の課題
  3. 化学増幅型レジストの課題
  4. 材料からの改良
  5. プロセス面からの改良
  6. 実用化されたレジスト材料
2. ArFレジスト
  1. ArFレジスト実現への課題
  2. 課題克服へのイノベーション
    - 材料からのアプローチ、プロセスからのアプローチ
3. 液浸リソグラフィ
  1. 液浸リソグラフィプロセス
  2. レジスト材料への展開
EUVリソグラフィ
1. 光源・露光機の開発
2. レジスト開発
  - 開発現状と課題/LERの要因と対応
3. 無機レジスト
  - 感度・解像度/保存安定性
4. EUVLの課題
  - 光源/露光装置/マスク/レジスト/評価装置
今後の展望
1. 高解像度化と現像プロセス
  - 現像過程での膨潤と解像度
2. 今後のパターン形成プロセス
3. ナノインプリント技術の実用化
科学技術と社会 (半導体と人間)
1. 実装材料 (ポリイミド)
  - 半導体と人とのインターフェイス形成材料
2. フラットパネルディスプレイ材料
  - 半導体と人とのインターフェイス
3. ブレインマシンインターフェイス (BMI)
4. 科学技術と社会 (地球規模の課題と科学技術/半導体)
国の安全保障の根幹を担う半導体産業
1. 半導体産業の重要性
2. 日本および世界の半導体産業の現状
3. 経産省の戦略
4. 再生のための論点
効率的にイノベーションを創出するために
- 知的財産戦略とMOT
まとめ

質疑応答

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リソグラフィ技術・レジスト材料の基礎と微細化・高解像度に向けた応用技術、今後の展望および半導体産業の位置付けと未来

admin — Mon, 29 Sep 2025 06:54:35 +0000

リソグラフィ技術・レジスト材料の基礎と微細化・高解像度に向けた応用技術、今後の展望および半導体産業の位置付けと未来

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開催日

2025年11月17日(月) 10時30分～ 16時30分

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レジスト・リソグラフィ技術の基礎と技術開発の必然性
マイクロエレクトロニクスの高密度化・高速化
低コスト化に伴うリソグラフィ技術の微細化・レジストの高解像度化などの高品位化の歴史的変遷とイノベーションの創出過程
技術・レジスト材料開発の実例
効率的な技術開発・不良防止・トラブル対策への応用

プログラム

コンタクトアライナーによるリソグラフィ技術の確立
投影露光方式の導入
化学増幅型レジスト/エキシマレーザ光源の採用
EUV光源の採用など

技術パラダイムシフトと半導体集積回路
1. 科学技術の発展
大発明から産業革命
1. 技術パラダイムシフトと産業発展
2. マイクロエレクトロニクス (ME) と社会
3. MEの黎明期とフォトレジスト
  - フォトレジスト開発の必然性とイノベーションの創出
  - 最先端半導体デバイス
フォトレジストの本流
1. ゴム系ネガ型フォトレジスト
  1. リソグラフィプロセスの確立
    - フォトレジスト開発の推移
  2. 基本的構造及び製造法の進化
2. ノボラック系ポジ型レジスト
  1. 基本的組成
    - ウェーハ大口径化へのイノベーション
  2. マトリックス樹脂、感光性化合物のデザイン
  3. レジストの透明性と解像度
  4. i-線レジスト
  5. リソグラフィプロセスでの化学と工程管理
  6. レジストの溶剤と環境への影響
  7. 高性能化への工夫と新たなイノベーション
フォトレジストの裏街道
1. X線レジスト
2. Top Surface Imaging
  - 表層をイメージングレイヤーとするDESIREプロセス
3. Deep UVリソグラフィ
  1. 黎明期のレジスト
  2. 化学増幅型レジスト
    - レジストの透明性と高コントラス実現のジレンマ
  3. 光酸発生剤
エキシマレーザリソグラフィ
1. KrFレジスト
  1. エキシマレーザリソグラフィ実現への課題
  2. 光源・光学系の課題
  3. 化学増幅型レジストの課題
  4. 材料からの改良
  5. プロセス面からの改良
  6. 実用化されたレジスト材料
2. ArFレジスト
  1. ArFレジスト実現への課題
  2. 課題克服へのイノベーション
    - 材料からのアプローチ、プロセスからのアプローチ
3. 液浸リソグラフィ
  1. 液浸リソグラフィプロセス
  2. レジスト材料への展開
EUVリソグラフィ
1. 光源・露光機の開発
2. レジスト開発
  - 開発現状と課題/LERの要因と対応
3. 無機レジスト
  - 感度・解像度/保存安定性
4. EUVLの課題
  - 光源/露光装置/マスク/レジスト/評価装置
今後の展望
1. 高解像度化と現像プロセス
  - 現像過程での膨潤と解像度
2. 今後のパターン形成プロセス
3. ナノインプリント技術の実用化
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国の安全保障の根幹を担う半導体産業
1. 半導体産業の重要性
2. 日本および世界の半導体産業の現状
3. 経産省の戦略
4. 再生のための論点
効率的にイノベーションを創出するために
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リソグラフィ、レジスト/EUVレジストの基礎とトラブル対策

admin — Tue, 02 Sep 2025 09:13:31 +0000

リソグラフィ、レジスト/EUVレジストの基礎とトラブル対策

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概要

本セミナーでは、リソグラフィ、レジストの基礎からEUVレジストの特性、課題と対策までを解説いたします。

配信期間

2025年10月20日(月) 10時30分～ 2025年10月24日(金) 16時30分

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2025年10月22日(水) 16時30分

修得知識

レジスト/EUVレジストの基礎
リソグラフィの基礎
レジスト/EUVレジスト、先端リソグラフィのトラブル対策
リソグラフィ、レジスト/EUVレジストの最新技術・ビジネス動向

プログラム

　メモリー、マイクロプロセッサ等のデバイスの高集積化の要求は、携帯端末、情報機器等の高性能化に伴い、益々大きくなっている。微細加工を支えるリソグラフィ技術は現在先端の量産工程でダブル/マルチパターニング、EUVが用いられている。レジスト材料はこのようなリソグラフィ技術の変革に対応して進展し続けている。
　本講演では、リソグラフィの基礎を解説した後、デバイスの微細化を支えるレジストの基礎をEUVレジスト (化学増幅型EUVレジスト、EUVネガレジストプロセス、EUVメタルレジスト、EUVメタルドライレジストプロセス) の詳細を含めて述べる。レジスト、先端リソグラフィのトラブル対策をその要求特性、課題をふまえて解説する。EUVレジストの課題と対策についても述べる。最新のロードマップを解説し、今後のレジストの技術展望、市場動向についてまとめる。

リソグラフィの基礎
1. 露光
2. 照明方法
  - 輪帯照明
3. マスク
  1. 位相シフトマスク
  2. 光近接効果補正 (OPC)
  3. マスクエラーファクター (MEF)
レジストの基礎
1. 溶解阻害型レジスト
  1. g線レジスト
  2. i線レジスト
2. 化学増幅型レジスト
  1. KrFレジスト
  2. ArFレジスト
3. ArF液浸レジスト/トップコート
4. EUVレジスト
  1. 化学増幅型EUVレジスト
  2. EUVネガレジストプロセス
  3. EUVメタルレジスト
  4. EUVメタルドライレジストプロセス
レジスト、先端リソグラフィのトラブル対策
1. レジストパターン形成不良への対応
  1. パターン倒れ
  2. パターン密着性不良
  3. パターン形状不良
  4. チップ内のパターン均一性不良
2. 化学増幅型レジストのトラブル対策
  1. レジスト材料の安定性
  2. パターン形成時の基板からの影響
  3. パターン形成時の大気からの影響
3. ダブルパターニング、マルチパターニングの課題と対策
  1. リソーエッチ (LE) プロセス
  2. セルフアラインド (SA) プロセス
4. EUVレジストの課題と対策
  1. 感度/解像度/ラフネスのトレードオフ
  2. ランダム欠陥 (Stochastic Effects)
5. 自己組織化 (DSA) リソグラフィの課題と対策
  1. グラフォエピタキシー
  2. ケミカルエピタキシー
6. ナノインプリントリソグラフィの課題と対策
  1. 加圧方式ナノインプリントリソグラフィ
  2. 光硬化方式ナノインプリントリソグラフィ
最新のロードマップとレジストの技術展望、市場動向

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- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 75,000円(税別) / 82,500円(税込)
R&D支援センターからの案内を希望しない方
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 50,000円(税別) / 55,000円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 100,000円(税別) / 110,000円(税込)
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リソグラフィ、レジスト/EUVレジストの基礎とトラブル対策

admin — Tue, 02 Sep 2025 09:12:57 +0000

リソグラフィ、レジスト/EUVレジストの基礎とトラブル対策

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概要

本セミナーでは、リソグラフィ、レジストの基礎からEUVレジストの特性、課題と対策までを解説いたします。

開催日

2025年10月17日(金) 10時30分～ 16時30分

修得知識

レジスト/EUVレジストの基礎
リソグラフィの基礎
レジスト/EUVレジスト、先端リソグラフィのトラブル対策
リソグラフィ、レジスト/EUVレジストの最新技術・ビジネス動向

プログラム

リソグラフィの基礎
1. 露光
2. 照明方法
  - 輪帯照明
3. マスク
  1. 位相シフトマスク
  2. 光近接効果補正 (OPC)
  3. マスクエラーファクター (MEF)
レジストの基礎
1. 溶解阻害型レジスト
  1. g線レジスト
  2. i線レジスト
2. 化学増幅型レジスト
  1. KrFレジスト
  2. ArFレジスト
3. ArF液浸レジスト/トップコート
4. EUVレジスト
  1. 化学増幅型EUVレジスト
  2. EUVネガレジストプロセス
  3. EUVメタルレジスト
  4. EUVメタルドライレジストプロセス
レジスト、先端リソグラフィのトラブル対策
1. レジストパターン形成不良への対応
  1. パターン倒れ
  2. パターン密着性不良
  3. パターン形状不良
  4. チップ内のパターン均一性不良
2. 化学増幅型レジストのトラブル対策
  1. レジスト材料の安定性
  2. パターン形成時の基板からの影響
  3. パターン形成時の大気からの影響
3. ダブルパターニング、マルチパターニングの課題と対策
  1. リソーエッチ (LE) プロセス
  2. セルフアラインド (SA) プロセス
4. EUVレジストの課題と対策
  1. 感度/解像度/ラフネスのトレードオフ
  2. ランダム欠陥 (Stochastic Effects)
5. 自己組織化 (DSA) リソグラフィの課題と対策
  1. グラフォエピタキシー
  2. ケミカルエピタキシー
6. ナノインプリントリソグラフィの課題と対策
  1. 加圧方式ナノインプリントリソグラフィ
  2. 光硬化方式ナノインプリントリソグラフィ
最新のロードマップとレジストの技術展望、市場動向

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印刷物は後日お手元に届くことになります。
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レジストリソグラフィー技術の基礎と実務およびトラブル対策

admin — Fri, 08 Aug 2025 04:34:21 +0000

レジストリソグラフィー技術の基礎と実務およびトラブル対策

～レジスト材料、プロセス、装置の最適化方法とパターン欠陥対策、量産技術～

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2025年9月30日(火) 10時30分～ 2025年10月14日(火) 16時30分

お申し込みの締切日

2025年9月30日(火) 10時30分

受講対象者

レジスト材料開発、電子デバイスメーカー、レジスト処理装置、プリント基板関係の技術者
レジスト材料を扱う方
レジストを使用して製品・開発を生産する方
レジスト分野の技術指導をする方

修得知識

レジスト開発・レジスト処理装置開発・レジストを使用する上での基本的な考え方、ノウハウ
レジストの最適化法
レジスト処理におけるトラブルの原因と対処法
ユーザー側での評価手法

プログラム

　レジスト技術は微細加工における主要技術の一つであり、半導体、ディスプレイ、プリント基板、太陽電池、MEMSなど、さまざまな電子産業分野において世界的に実用化されています。その市場規模は年間1,500億円に達し、年々拡大傾向にあります。一方で、レジスト材料およびプロセス技術の高度化に伴い、フォトレジストの品質が製品に与える影響もより深刻になってきています。
　本セミナーでは、レジスト材料の開発者、レジスト処理装置関連の技術者、レジストユーザー、そしてリソグラフィ工程でトラブルを抱えている方々を対象に、フォトレジスト材料の特性、プロセス最適化の方法、付着・濡れ・欠陥といった各種トラブルへの対応策に焦点を当て、評価・解決のアプローチを丁寧に解説します。また、レジスト形状寸法制御、処理条件の設定方法、研究開発やトラブル対応など、実務における具体的な取り組み方についても、豊富な実例を交えて紹介します。さらに、レジストユーザーの視点とは何かについても、講師の実体験を踏まえて詳しくご説明いたします。受講者の皆様が日々直面しているトラブルやノウハウに関するご相談にも、個別に対応いたします。

レジスト概要 (産業上の実用例)
1. 実用化トレンド (分類)
2. ウェットエッチング用レジスト
  - アンダーカット
3. ドライエッチング用レジスト
  - 選択比
  - プラズマ耐性
4. イオン注入用レジスト
  - 注入イオン分布
  - 残留イオン汚染
5. めっき用レジスト
  - ドライフィルム
  - 金属配線形成
6. ソルダーレジスト
  - プリント基板
7. 構造用レジスト
  - MEMS
  - 光造形
8. 厚膜用レジスト
  - 段差平坦化
  - Orchardの式
  - 多層レジストプロセス
9. カラーレジスト
  - ディスプレイ
  - 顔料相分離
レジスト材料・プロセスの基礎 (これだけは習得しておきたい)
1. レジスト材料とプロセスの最適化
  1. レジストの光化学反応
    - ポジ
    - ネガ
    - 化学増幅型
    - EUV
    - TMAH溶解
  2. プロセスフロー
    - CAD設計
    - シフト量
    - ラインマッチング
  3. ポジ型/ネガ型の選択基準
    - ピンホール転写欠陥
  4. マルチパターニング技術
    - LELE
    - 非解像補助パターンSRAF
  5. 直接描画技術
    - マスクレス
    - インクジェット
2. 露光描画技術の最適化
  1. 露光システム
    - 回折光
    - ステッパー
    - スキャナー
    - 液浸
    - EUV
  2. レイリーの式
    - 解像力
    - 焦点深度
  3. 重ね合わせ技術
    - TTL
    - アライメントマーク
  4. 位相シフト技術、ペリクル技術
    - 高解像化とマスク欠陥対策
3. レジスト寸法と形状の最適化
  1. 光学像コントラスト
    - 光回折劣化
  2. 残膜曲線
    - 感度
    - γ値
    - 最適露光時間
  3. 溶解コントラスト
    - レジスト垂直性
  4. 現像コントラスト
    - 現像液濃度の最適化
  5. CD寸法制御1
    - 露光量/フォーカス依存性
    - process window
  6. CD寸法制御2
    - 寸法リニアリティー
    - バルク効果
    - 膜内多重反射
  7. パターン断面改善
    - 段差部変動
  8. 反射防止膜
    - TARC
    - BARC
  9. プロセス制御
    - PEB
    - LENOS
    - イメージリバーサル
  10. 耐エッチングコントラスト
    - 選択比
    - ローディング効果
  11. シミュレーション技術
    - レジスト形状
    - ノズル塗布
    - スピンコート
    - パターン内三次元応力解析
4. レジスト処理装置・シーケンスの最適化とその要点
  1. HMDS処理
    - シランカップリング
    - vapor処理
    - 剥離防止
  2. コーティング
    - スピン
    - 膜厚分布
    - 乱流
    - スプレー
    - スキャン塗布
    - ラミネート
  3. 現像
    - ディップ
    - パドル
    - スプレー
  4. 乾燥
    - ホットプレート
    - プロキシミティー
    - 減圧
    - 真空
  5. レジスト除去
    - アッシング
    - 剥離液
    - IPA乾燥
    - 物理除去
レジスト欠陥・トラブル対策 (歩留り向上の最優先対策とは)
1. 致命欠陥とは
  1. 欠陥と歩留まり
    - ウェットプロセスの貢献
  2. 配線上異物
    - 致命/非致命欠陥
    - ショート/オープン欠陥
    - バブル欠陥
  3. 塗布ミスト
    - エッジ盛上り
    - EBRエッジバックリンス
  4. 接触異物
    - 発塵
    - ウェハケース
    - ピンセット
2. レジストパターン剥離メカニズムとその影響因子とは
  1. 接着促進要因と剥離促進要因
    - バランスモデル
    - 破断面解析
  2. ドライ/ウェット中での付着エネルギー解析
    - 表面エネルギー
    - 分散・極性成分マップ
    - 付着/浸漬/拡張モデル
  3. 乾燥剥離
    - 毛細管現象
    - パターン間メニスカス
    - エアートンネル
  4. 応力歪み、膨潤、軟化
    - 応力集中
    - 膜内浸透
  5. 検査用パターン
    - サイズ
    - 形状依存性
  6. パターン直接剥離解析
    - DPAT法
3. レジスト膜欠陥と対策
  1. ストリーエーション
    - スジ状膜厚むら
  2. 膜分裂
    - 超薄膜化と自己組織化
  3. 乾燥むら
    - 乾燥対流とベナールセル
    - 光多重干渉
  4. 白化
    - ソルダーレジスト
    - ソルベントクラック
  5. ピンホール
    - はじき
    - 拡張濡れ対策
  6. 膨れ
    - ブリスター
  7. 現像バブル対策
    - 界面活性剤
参考資料
- 塗膜トラブルQ&A事例集 (トラブルの最短解決ノウハウ)
- 表面エネルギーによる濡れ・付着性解析法 (測定方法)
質疑応答
- 日頃の研究開発、トラブル相談にも応じます

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講師

河合晃氏
長岡技術科学大学

名誉教授

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主催

サイエンス＆テクノロジー株式会社

お支払い方法、キャンセルの可否は、必ずお申し込み前にご確認をお願いいたします。

お問い合わせ

本セミナーに関するお問い合わせは tech-seminar.jpのお問い合わせからお願いいたします。

(主催者への直接のお問い合わせはご遠慮くださいませ。)

受講料

1名様

: 38200円 (税別) / 42,020円 (税込)

複数名

: 25000円 (税別) / 27,500円 (税込)

複数名受講割引

2名様以上でお申込みの場合、1名あたり 25,000円(税別) / 27,500円(税込) で受講いただけます。
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 38,200円(税別) / 42,020円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 50,000円(税別) / 55,000円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 75,000円(税別) / 82,500円(税込)
同一法人内 (グループ会社でも可) による複数名同時申込みのみ適用いたします。
請求書は、代表者にご送付いたします。
請求書および領収書は1名様ごとに発行可能です。
申込みフォームの通信欄に「請求書1名ごと発行」とご記入ください。
他の割引は併用できません。
サイエンス&テクノロジー社の「2名同時申込みで1名分無料」価格を適用しています。

アカデミー割引

教員、学生および医療従事者はアカデミー割引価格にて受講いただけます。

1名様あたり 10,000円(税別) / 11,000円(税込)
企業に属している方(出向または派遣の方も含む)は、対象外です。
お申込み者が大学所属名でも企業名義でお支払いの場合、対象外です。

アーカイブ配信セミナー

「ビデオグ」を使ったアーカイブ配信セミナーとなります。
当日のセミナーを、後日にお手元のPCなどからご視聴ができます。
お申し込み前に、視聴環境をご確認いただき、視聴テストにて動作確認をお願いいたします。
別途、ID,パスワードをメールにてご連絡申し上げます。
視聴期間は2025年9月30日〜10月14日を予定しております。
ご視聴いただけなかった場合でも期間延長いたしませんのでご注意ください。
セミナー資料は、PDFファイルをダウンロードいただきます。
ご自宅への書類送付を希望の方は、通信欄にご住所・宛先などをご記入ください。
ご視聴は、お申込み者様ご自身での視聴のみに限らせていただきます。不特定多数でご覧いただくことはご遠慮下さい。
講義の録音、録画などの行為や、権利者の許可なくテキスト資料、講演データの複製、転用、販売などの二次利用することを固く禁じます。

本セミナーは終了いたしました。

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感光性材料の基礎・種類・特性と設計における留意点

admin — Wed, 06 Aug 2025 07:50:42 +0000

感光性材料の基礎・種類・特性と設計における留意点

オンライン開催

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概要

本セミナーでは、LSIや実装分野で用いられる感光性材料の基礎から応用、最新動向までを体系的に解説いたします。
また、高感度・高解像度化を目指す材料開発の要点や注意点を実例とともに解説いたします。

開催日

2025年9月26日(金) 13時00分～ 16時00分

受講対象者

感光性材料の応用製品の技術者、開発者、研究者
- ナノインプリント
- 電子部品・光学部品などの接着・乾燥
- 印刷インキの乾燥
- 塗料・塗装コーティング剤の乾燥・硬化
- 光ファイバ等の保護コーティング
- 光造形
- 3Dプリンター
- ジェルネイル等の装飾品など
感光性材料の技術者、開発者、研究者
感光性材料で課題を抱えている方

修得知識

感光性材料開発の正しい開発の進め方
感光性材料の正しい扱い方
最新の感光性材料動向

プログラム

　LSIや実装工程では、数多くの感光性材料が用いられている。それら感光性材料について、用いられているパターン形成手法、感光性材料の種類、感光性材料の開発における留意点について述べる。
　感光性材料が用いられる意義を理解し、開発している人が陥りやすい勘違いや注意点をまとめる。また、感度および解像度向上を目指すときに考えるべき課題を述べる。感光性材料の開発事例を紹介し、感度や解像度向上の感光性材料開発で直面する課題を考える参考になるようにする。最後にLSI用レジストと実装用感光性ポリイミドの特許を参考に、感光性材料の動向を考察する。

はじめに
感光性材料の種類
感光性材料開発に必要な基礎知識と設計の留意点
1. 光を用いる理由
2. 露光装置と光吸収
3. 光吸収と光化学反応、Lambert-Beer則
4. 感光性材料内での反応 (固体内反応)
5. 現像プロセスの重要性
6. 感度測定留意点
7. 解像性を決める要因
最新の動向
1. LSI用レジストの動向〜EUVレジストを中心に〜
  1. 化学増幅系
  2. 無機レジスト
  3. ドライレジスト
  4. その他
2. 実装用・再配線用の感光性材料〜感光性ポリイミドを中心に〜

質疑応答

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主催

株式会社 R&D支援センター

お支払い方法、キャンセルの可否は、必ずお申し込み前にご確認をお願いいたします。

お問い合わせ

本セミナーに関するお問い合わせは tech-seminar.jpのお問い合わせからお願いいたします。

(主催者への直接のお問い合わせはご遠慮くださいませ。)

受講料

1名様

: 45000円 (税別) / 49,500円 (税込)

複数名

: 22500円 (税別) / 24,750円 (税込) (案内をご希望の場合に限ります)

案内割引・複数名同時申込割引について

「案内の希望」をご選択いただいた場合、1名様 42,000円(税別) / 46,200円(税込) で受講いただけます。
複数名で同時に申込いただいた場合、1名様につき 22,500円(税別) / 24,750円(税込) で受講いただけます。

R&D支援センターからの案内を希望する方
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 42,000円(税別) / 46,200円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 45,000円(税別) / 49,500円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 67,500円(税別) / 74,250円(税込)
R&D支援センターからの案内を希望しない方
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 45,000円(税別) / 49,500円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 90,000円(税別) / 99,000円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 135,000円(税別) / 148,500円(税込)

ライブ配信セミナーについて

本セミナーは「Zoom」を使ったライブ配信セミナーとなります。
お申し込み前に、 Zoomのシステム要件とテストミーティングへの参加手順をご確認いただき、テストミーティングにて動作確認をお願いいたします。
開催日前に、接続先URL、ミーティングID、パスワードを別途ご連絡いたします。
セミナー開催日時に、視聴サイトにログインしていただき、ご視聴ください。
ご自宅への書類送付を希望の方は、通信欄にご住所・宛先などをご記入ください。
タブレットやスマートフォンでも受講可能ですが、機能が制限される場合があります。
ご視聴は、お申込み者様ご自身での視聴のみに限らせていただきます。不特定多数でご覧いただくことはご遠慮下さい。
講義の録音、録画などの行為や、権利者の許可なくテキスト資料、講演データの複製、転用、販売などの二次利用することを固く禁じます。
Zoomのグループにパスワードを設定しています。お申込者以外の参加を防ぐため、パスワードを外部に漏洩しないでください。
万が一、部外者が侵入した場合は管理者側で部外者の退出あるいはセミナーを終了いたします。

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半導体リソグラフィの全体像

admin — Sun, 27 Jul 2025 07:40:56 +0000

半導体リソグラフィの全体像

～EUV露光装置・光源・レジスト材料の原理と展望～

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概要

本セミナーでは、EUVリソグラフィ用光源開発の最新動向から最先端のハイブリッドDUVレーザーの高密度実装への応用の現状について解説いたします。
また、半導体製造プロセス全体におけるリソグラフィから、各露光装置について、レジスト材料の原理までを解説いたします。

配信期間

2025年9月11日(木) 13時00分～ 2025年9月24日(水) 16時30分

お申し込みの締切日

2025年9月22日(月) 16時30分

修得知識

半導体製造プロセスにおけるリソグラフィの位置づけ、半導体露光装置の歴史
半導体露光装置の構成と性能
- 特に解像度の決定要因と部分的コヒーレンス理論
EUV露光装置の特徴
電子ビーム露光装置の特徴
レジスト材料の原理

プログラム

　半導体製造プロセス全体におけるリソグラフィの位置づけ、半導体パターン微細化に伴うリソグラフィ用露光方式の進化の流れを、専門外の方々にもわかりやすく説明する。次に、投影露光装置の構成、主要性能と要素性能の関係について述べ、露光装置についての定性的理解を深めてもらう。更に、解像度に対する投影光学系、照明光学系のパラメータと露光波長の寄与ついて数式を用いて詳しく解説し、専門の方には計算の仕方を、専門外の方には計算結果の意味するところを理解してもらう。そして、光源、多層膜ミラー、反射光学系を含むEUV露光装置の特徴について説明する。更に、原版となるマスク上に半導体パターンを描画するために用いられる電子ビーム露光装置について説明する。最後に、露光装置によって形成される光強度分布からレジスト像への転写原理、レジスト材料の原理について述べる。

半導体高集積化のトレンド
半導体製造プロセス全体におけるリソグラフィの位置づけ
露光装置概説
1. 半導体露光装置の露光方式の進化
2. 半導体露光装置の性能と要素機能、露光技術の発展
  - 部分的コヒーレンス理論
  - 解像度向上策
  - 重ね合わせ精度
  - スループットを含む
EUV露光装置
1. EUV露光装置の特徴
  - 光源
  - 多層膜反射光学系
  - 真空ステージ
  - EUVマスクを含む
2. EUV露光装置の高NA化と将来展望
3. Cost of Ownership
電子ビーム露光装置
レジスト材料の原理

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主催

株式会社 R&D支援センター

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1名様

: 45000円 (税別) / 49,500円 (税込)

複数名

: 22500円 (税別) / 24,750円 (税込) (案内をご希望の場合に限ります)

案内割引・複数名同時申込割引について

R&D支援センターからの案内を希望する方
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 42,000円(税別) / 46,200円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 45,000円(税別) / 49,500円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 67,500円(税別) / 74,250円(税込)
R&D支援センターからの案内を希望しない方
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 45,000円(税別) / 49,500円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 90,000円(税別) / 99,000円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 135,000円(税別) / 148,500円(税込)

アーカイブ配信セミナー

当日のセミナーを、後日にお手元のPCやスマホ・タブレッドなどからご視聴・学習することができます。
配信開始となりましたら、改めてメールでご案内いたします。
視聴サイトにログインしていただき、ご視聴いただきます。
視聴期間は2025年9月11日〜24日を予定しております。
ご視聴いただけなかった場合でも期間延長いたしませんのでご注意ください。

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レジストリソグラフィー技術の基礎と実務およびトラブル対策

admin — Fri, 08 Aug 2025 04:33:42 +0000

レジストリソグラフィー技術の基礎と実務およびトラブル対策

～レジスト材料、プロセス、装置の最適化方法とパターン欠陥対策、量産技術～

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アーカイブ配信で受講をご希望の場合、視聴期間は2025年9月30日〜10月14日を予定しております。
アーカイブ配信のお申し込みは2025年9月30日まで承ります。

概要

開催日

2025年9月11日(木) 10時30分～ 16時30分

受講対象者

レジスト材料開発、電子デバイスメーカー、レジスト処理装置、プリント基板関係の技術者
レジスト材料を扱う方
レジストを使用して製品・開発を生産する方
レジスト分野の技術指導をする方

修得知識

レジスト開発・レジスト処理装置開発・レジストを使用する上での基本的な考え方、ノウハウ
レジストの最適化法
レジスト処理におけるトラブルの原因と対処法
ユーザー側での評価手法

プログラム

レジスト概要 (産業上の実用例)
1. 実用化トレンド (分類)
2. ウェットエッチング用レジスト
  - アンダーカット
3. ドライエッチング用レジスト
  - 選択比
  - プラズマ耐性
4. イオン注入用レジスト
  - 注入イオン分布
  - 残留イオン汚染
5. めっき用レジスト
  - ドライフィルム
  - 金属配線形成
6. ソルダーレジスト
  - プリント基板
7. 構造用レジスト
  - MEMS
  - 光造形
8. 厚膜用レジスト
  - 段差平坦化
  - Orchardの式
  - 多層レジストプロセス
9. カラーレジスト
  - ディスプレイ
  - 顔料相分離
レジスト材料・プロセスの基礎 (これだけは習得しておきたい)
1. レジスト材料とプロセスの最適化
  1. レジストの光化学反応
    - ポジ
    - ネガ
    - 化学増幅型
    - EUV
    - TMAH溶解
  2. プロセスフロー
    - CAD設計
    - シフト量
    - ラインマッチング
  3. ポジ型/ネガ型の選択基準
    - ピンホール転写欠陥
  4. マルチパターニング技術
    - LELE
    - 非解像補助パターンSRAF
  5. 直接描画技術
    - マスクレス
    - インクジェット
2. 露光描画技術の最適化
  1. 露光システム
    - 回折光
    - ステッパー
    - スキャナー
    - 液浸
    - EUV
  2. レイリーの式
    - 解像力
    - 焦点深度
  3. 重ね合わせ技術
    - TTL
    - アライメントマーク
  4. 位相シフト技術、ペリクル技術
    - 高解像化とマスク欠陥対策
3. レジスト寸法と形状の最適化
  1. 光学像コントラスト
    - 光回折劣化
  2. 残膜曲線
    - 感度
    - γ値
    - 最適露光時間
  3. 溶解コントラスト
    - レジスト垂直性
  4. 現像コントラスト
    - 現像液濃度の最適化
  5. CD寸法制御1
    - 露光量/フォーカス依存性
    - process window
  6. CD寸法制御2
    - 寸法リニアリティー
    - バルク効果
    - 膜内多重反射
  7. パターン断面改善
    - 段差部変動
  8. 反射防止膜
    - TARC
    - BARC
  9. プロセス制御
    - PEB
    - LENOS
    - イメージリバーサル
  10. 耐エッチングコントラスト
    - 選択比
    - ローディング効果
  11. シミュレーション技術
    - レジスト形状
    - ノズル塗布
    - スピンコート
    - パターン内三次元応力解析
4. レジスト処理装置・シーケンスの最適化とその要点
  1. HMDS処理
    - シランカップリング
    - vapor処理
    - 剥離防止
  2. コーティング
    - スピン
    - 膜厚分布
    - 乱流
    - スプレー
    - スキャン塗布
    - ラミネート
  3. 現像
    - ディップ
    - パドル
    - スプレー
  4. 乾燥
    - ホットプレート
    - プロキシミティー
    - 減圧
    - 真空
  5. レジスト除去
    - アッシング
    - 剥離液
    - IPA乾燥
    - 物理除去
レジスト欠陥・トラブル対策 (歩留り向上の最優先対策とは)
1. 致命欠陥とは
  1. 欠陥と歩留まり
    - ウェットプロセスの貢献
  2. 配線上異物
    - 致命/非致命欠陥
    - ショート/オープン欠陥
    - バブル欠陥
  3. 塗布ミスト
    - エッジ盛上り
    - EBRエッジバックリンス
  4. 接触異物
    - 発塵
    - ウェハケース
    - ピンセット
2. レジストパターン剥離メカニズムとその影響因子とは
  1. 接着促進要因と剥離促進要因
    - バランスモデル
    - 破断面解析
  2. ドライ/ウェット中での付着エネルギー解析
    - 表面エネルギー
    - 分散・極性成分マップ
    - 付着/浸漬/拡張モデル
  3. 乾燥剥離
    - 毛細管現象
    - パターン間メニスカス
    - エアートンネル
  4. 応力歪み、膨潤、軟化
    - 応力集中
    - 膜内浸透
  5. 検査用パターン
    - サイズ
    - 形状依存性
  6. パターン直接剥離解析
    - DPAT法
3. レジスト膜欠陥と対策
  1. ストリーエーション
    - スジ状膜厚むら
  2. 膜分裂
    - 超薄膜化と自己組織化
  3. 乾燥むら
    - 乾燥対流とベナールセル
    - 光多重干渉
  4. 白化
    - ソルダーレジスト
    - ソルベントクラック
  5. ピンホール
    - はじき
    - 拡張濡れ対策
  6. 膨れ
    - ブリスター
  7. 現像バブル対策
    - 界面活性剤
参考資料
- 塗膜トラブルQ&A事例集 (トラブルの最短解決ノウハウ)
- 表面エネルギーによる濡れ・付着性解析法 (測定方法)
質疑応答
- 日頃の研究開発、トラブル相談にも応じます

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講師

河合晃氏
長岡技術科学大学

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: 38200円 (税別) / 42,020円 (税込)

複数名

: 25000円 (税別) / 27,500円 (税込)

複数名受講割引

2名様以上でお申込みの場合、1名あたり 25,000円(税別) / 27,500円(税込) で受講いただけます。
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 38,200円(税別) / 42,020円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 50,000円(税別) / 55,000円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 75,000円(税別) / 82,500円(税込)
同一法人内 (グループ会社でも可) による複数名同時申込みのみ適用いたします。
請求書は、代表者にご送付いたします。
請求書および領収書は1名様ごとに発行可能です。
申込みフォームの通信欄に「請求書1名ごと発行」とご記入ください。
他の割引は併用できません。
サイエンス&テクノロジー社の「2名同時申込みで1名分無料」価格を適用しています。

アカデミー割引

教員、学生および医療従事者はアカデミー割引価格にて受講いただけます。

1名様あたり 10,000円(税別) / 11,000円(税込)
企業に属している方(出向または派遣の方も含む)は、対象外です。
お申込み者が大学所属名でも企業名義でお支払いの場合、対象外です。

ライブ配信対応セミナー / アーカイブ配信対応セミナー

ライブ配信またはアーカイブ配信セミナーのいずれかをご選択いただけます。

ライブ配信セミナーをご希望の場合

「Zoom」を使ったライブ配信セミナーとなります。
お申し込み前に、 Zoomのシステム要件とテストミーティングへの参加手順をご確認いただき、テストミーティングにて動作確認をお願いいたします。
開催日前に、接続先URL、ミーティングID、パスワードを別途ご連絡いたします。
セミナー開催日時に、視聴サイトにログインしていただき、ご視聴ください。
セミナー資料は、PDFファイルをダウンロードいただきます。
タブレットやスマートフォンでも受講可能ですが、機能が制限される場合があります。
ご視聴は、お申込み者様ご自身での視聴のみに限らせていただきます。不特定多数でご覧いただくことはご遠慮下さい。
講義の録音、録画などの行為や、権利者の許可なくテキスト資料、講演データの複製、転用、販売などの二次利用することを固く禁じます。
Zoomのグループにパスワードを設定しています。お申込者以外の参加を防ぐため、パスワードを外部に漏洩しないでください。
万が一、部外者が侵入した場合は管理者側で部外者の退出あるいはセミナーを終了いたします。

アーカイブ配信セミナーをご希望の場合

「ビデオグ」を使ったアーカイブ配信セミナーとなります。
当日のセミナーを、後日にお手元のPCなどからご視聴ができます。
お申し込み前に、視聴環境をご確認いただき、視聴テストにて動作確認をお願いいたします。
別途、ID,パスワードをメールにてご連絡申し上げます。
視聴期間は2025年9月30日〜10月14日を予定しております。
ご視聴いただけなかった場合でも期間延長いたしませんのでご注意ください。
セミナー資料は、PDFファイルをダウンロードいただきます。
ご自宅への書類送付を希望の方は、通信欄にご住所・宛先などをご記入ください。
ご視聴は、お申込み者様ご自身での視聴のみに限らせていただきます。不特定多数でご覧いただくことはご遠慮下さい。
講義の録音、録画などの行為や、権利者の許可なくテキスト資料、講演データの複製、転用、販売などの二次利用することを固く禁じます。

本セミナーは終了いたしました。

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半導体リソグラフィの全体像

admin — Sun, 27 Jul 2025 07:40:22 +0000

半導体リソグラフィの全体像

～EUV露光装置・光源・レジスト材料の原理と展望～

オンライン開催

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アーカイブ配信で受講をご希望の場合、視聴期間は2025年9月11日〜24日を予定しております。
アーカイブ配信のお申し込みは2025年9月22日まで承ります。

概要

開催日

2025年9月10日(水) 13時00分～ 16時30分

修得知識

半導体製造プロセスにおけるリソグラフィの位置づけ、半導体露光装置の歴史
半導体露光装置の構成と性能
- 特に解像度の決定要因と部分的コヒーレンス理論
EUV露光装置の特徴
電子ビーム露光装置の特徴
レジスト材料の原理

プログラム

半導体高集積化のトレンド
半導体製造プロセス全体におけるリソグラフィの位置づけ
露光装置概説
1. 半導体露光装置の露光方式の進化
2. 半導体露光装置の性能と要素機能、露光技術の発展
  - 部分的コヒーレンス理論
  - 解像度向上策
  - 重ね合わせ精度
  - スループットを含む
EUV露光装置
1. EUV露光装置の特徴
  - 光源
  - 多層膜反射光学系
  - 真空ステージ
  - EUVマスクを含む
2. EUV露光装置の高NA化と将来展望
3. Cost of Ownership
電子ビーム露光装置
レジスト材料の原理

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主催

株式会社 R&D支援センター

お支払い方法、キャンセルの可否は、必ずお申し込み前にご確認をお願いいたします。

お問い合わせ

本セミナーに関するお問い合わせは tech-seminar.jpのお問い合わせからお願いいたします。

(主催者への直接のお問い合わせはご遠慮くださいませ。)

受講料

1名様

: 45000円 (税別) / 49,500円 (税込)

複数名

: 22500円 (税別) / 24,750円 (税込) (案内をご希望の場合に限ります)

案内割引・複数名同時申込割引について

R&D支援センターからの案内を希望する方
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 42,000円(税別) / 46,200円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 45,000円(税別) / 49,500円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 67,500円(税別) / 74,250円(税込)
R&D支援センターからの案内を希望しない方
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 45,000円(税別) / 49,500円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 90,000円(税別) / 99,000円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 135,000円(税別) / 148,500円(税込)

ライブ配信対応セミナー / アーカイブ配信対応セミナー

「Zoom」を使ったライブ配信またはアーカイブ配信セミナーのいずれかをご選択いただけます。
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セミナー開催日時に、視聴サイトにログインしていただき、ご視聴ください。
セミナー資料は、PDFファイルを配布予定です。
タブレットやスマートフォンでも受講可能ですが、機能が制限される場合があります。
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ライブ配信セミナーをご希望の場合

Zoomのグループにパスワードを設定しています。お申込者以外の参加を防ぐため、パスワードを外部に漏洩しないでください。
万が一、部外者が侵入した場合は管理者側で部外者の退出あるいはセミナーを終了いたします。

アーカイブ配信セミナーをご希望の場合

当日のセミナーを、後日にお手元のPCやスマホ・タブレッドなどからご視聴・学習することができます。
配信開始となりましたら、改めてメールでご案内いたします。
視聴サイトにログインしていただき、ご視聴いただきます。
視聴期間は2025年9月11日〜24日を予定しております。
ご視聴いただけなかった場合でも期間延長いたしませんのでご注意ください。

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レジストとリソグラフィの基礎とトラブル解決策

admin — Wed, 23 Jul 2025 04:03:52 +0000

レジストとリソグラフィの基礎とトラブル解決策

～リソグラフィの基礎、レジスト材の高性能化、評価技術、最近のリソグラフィ技術～

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概要

本セミナーでは、レジストの基礎からリソグラフィープロセスの最適化方法までを分かりやすく解説いたします。

配信期間

2025年8月27日(水) 10時30分～ 2025年9月3日(水) 16時30分

お申し込みの締切日

2025年9月1日(月) 16時30分

受講対象者

レジスト材料の研究開発、製造、品質管理、販売に携わる方
半導体、ディスプレイ、MEMS、センサーなどのデバイス開発、製造、販売に携わる方

修得知識

レジストを製造するための基礎知識、設計概念と具体的方法
レジストの品質管理手法
レジストを使用する際の留意事項、トラブル対応能力
リソグラフィープロセスの最適化方法
リソグラフィー使用現場におけるトラブル対応能力
素材メーカー、レジストメーカーとしての顧客対応能力

プログラム

リソグラフィの基礎
1. リソグラフィーとは
2. 露光システムとリソグラフィー装置の変遷
3. 解像度向上技術とそれに必要な材料
レジスト材料とその高性能化
1. パターンニング用レジスト材料 (総論)
2. G線、i線用レジスト
3. KrF用レジスト
4. ArFおよびArF液浸用レジスト
5. EUV用レジスト
6. 後工程 (実装材料) 用のレジスト
レジスト製造技術と品質管理
1. レジスト製造技術
2. レジストの性能安定化技術
3. 品質管理 – その項目と管理方法
レジスト材料の評価技術
1. 性能評価
  - 素材 (樹脂、感光剤、添加物) やレジストの簡便かつ安価な評価方法
2. 品質評価
  - 顧客からの要求項目、スペック項目についての評価方法
3. シミュレーション技術
レジスト製造、および使用現場におけるトラブル対応
1. 素材 (樹脂、感光剤、添加物) 製造時のトラブル
2. レジスト製造時のトラブル
3. レジスト販売時のトラブル
4. レジスト使用時のトラブル
  - 上記のそれぞれについて、(1)原因、(2)評価方法、(3)解決策を、材料面およびリソグラフィープロセス面から述べ、あわせて顧客対応策について詳述します。
20nm以下のリソグラフィー技術
1. ダブルパターンニング技術
2. DSA技術とその材料
3. ナノインプリント技術
4. 今後のリソグラフィー技術

質疑応答

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主催

株式会社 R&D支援センター

お支払い方法、キャンセルの可否は、必ずお申し込み前にご確認をお願いいたします。

お問い合わせ

本セミナーに関するお問い合わせは tech-seminar.jpのお問い合わせからお願いいたします。

(主催者への直接のお問い合わせはご遠慮くださいませ。)

受講料

1名様

: 50000円 (税別) / 55,000円 (税込)

複数名

: 25000円 (税別) / 27,500円 (税込) (案内をご希望の場合に限ります)

案内割引・複数名同時申込割引について

R&D支援センターからの案内登録をご希望の方は、割引特典を受けられます。
案内および割引をご希望される方は、お申込みの際、「案内の希望 (割引適用)」の欄から案内方法をご選択ください。
複数名で同時に申込いただいた場合、1名様につき 25,000円(税別) / 27,500円(税込) で受講いただけます。

R&D支援センターからの案内を希望する方
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 40,000円(税別) / 44,000円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 50,000円(税別) / 55,000円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 75,000円(税別) / 82,500円(税込)
R&D支援センターからの案内を希望しない方
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 50,000円(税別) / 55,000円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 100,000円(税別) / 110,000円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 150,000円(税別) / 165,000円(税込)

アーカイブ配信セミナー

当日のセミナーを、後日にお手元のPCやスマホ・タブレッドなどからご視聴・学習することができます。
配信開始となりましたら、改めてメールでご案内いたします。
視聴サイトにログインしていただき、ご視聴いただきます。
視聴期間は2025年8月27日〜9月3日を予定しております。
ご視聴いただけなかった場合でも期間延長いたしませんのでご注意ください。

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レジストとリソグラフィの基礎とトラブル解決策

admin — Wed, 23 Jul 2025 04:03:04 +0000

レジストとリソグラフィの基礎とトラブル解決策

～リソグラフィの基礎、レジスト材の高性能化、評価技術、最近のリソグラフィ技術～

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アーカイブ配信で受講をご希望の場合、視聴期間は2025年8月27日〜9月3日を予定しております。
アーカイブ配信のお申し込みは2025年9月1日まで承ります。

概要

本セミナーでは、レジストの基礎からリソグラフィープロセスの最適化方法までを分かりやすく解説いたします。

開催日

2025年8月25日(月) 10時30分～ 16時30分

受講対象者

レジスト材料の研究開発、製造、品質管理、販売に携わる方
半導体、ディスプレイ、MEMS、センサーなどのデバイス開発、製造、販売に携わる方

修得知識

レジストを製造するための基礎知識、設計概念と具体的方法
レジストの品質管理手法
レジストを使用する際の留意事項、トラブル対応能力
リソグラフィープロセスの最適化方法
リソグラフィー使用現場におけるトラブル対応能力
素材メーカー、レジストメーカーとしての顧客対応能力

プログラム

リソグラフィの基礎
1. リソグラフィーとは
2. 露光システムとリソグラフィー装置の変遷
3. 解像度向上技術とそれに必要な材料
レジスト材料とその高性能化
1. パターンニング用レジスト材料 (総論)
2. G線、i線用レジスト
3. KrF用レジスト
4. ArFおよびArF液浸用レジスト
5. EUV用レジスト
6. 後工程 (実装材料) 用のレジスト
レジスト製造技術と品質管理
1. レジスト製造技術
2. レジストの性能安定化技術
3. 品質管理 – その項目と管理方法
レジスト材料の評価技術
1. 性能評価
  - 素材 (樹脂、感光剤、添加物) やレジストの簡便かつ安価な評価方法
2. 品質評価
  - 顧客からの要求項目、スペック項目についての評価方法
3. シミュレーション技術
レジスト製造、および使用現場におけるトラブル対応
1. 素材 (樹脂、感光剤、添加物) 製造時のトラブル
2. レジスト製造時のトラブル
3. レジスト販売時のトラブル
4. レジスト使用時のトラブル
  - 上記のそれぞれについて、(1)原因、(2)評価方法、(3)解決策を、材料面およびリソグラフィープロセス面から述べ、あわせて顧客対応策について詳述します。
20nm以下のリソグラフィー技術
1. ダブルパターンニング技術
2. DSA技術とその材料
3. ナノインプリント技術
4. 今後のリソグラフィー技術

質疑応答

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主催

株式会社 R&D支援センター

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お問い合わせ

本セミナーに関するお問い合わせは tech-seminar.jpのお問い合わせからお願いいたします。

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受講料

1名様

: 50000円 (税別) / 55,000円 (税込)

複数名

: 25000円 (税別) / 27,500円 (税込) (案内をご希望の場合に限ります)

案内割引・複数名同時申込割引について

R&D支援センターからの案内を希望する方
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 40,000円(税別) / 44,000円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 50,000円(税別) / 55,000円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 75,000円(税別) / 82,500円(税込)
R&D支援センターからの案内を希望しない方
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 50,000円(税別) / 55,000円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 100,000円(税別) / 110,000円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 150,000円(税別) / 165,000円(税込)

ライブ配信対応セミナー / アーカイブ配信対応セミナー

「Zoom」を使ったライブ配信またはアーカイブ配信セミナーのいずれかをご選択いただけます。
お申し込み前に、 Zoomのシステム要件とテストミーティングへの参加手順をご確認いただき、テストミーティングにて動作確認をお願いいたします。
開催日前に、接続先URL、ミーティングID、パスワードを別途ご連絡いたします。
セミナー開催日時に、視聴サイトにログインしていただき、ご視聴ください。
タブレットやスマートフォンでも受講可能ですが、機能が制限される場合があります。
ご視聴は、お申込み者様ご自身での視聴のみに限らせていただきます。不特定多数でご覧いただくことはご遠慮下さい。
講義の録音、録画などの行為や、権利者の許可なくテキスト資料、講演データの複製、転用、販売などの二次利用することを固く禁じます。

ライブ配信セミナーをご希望の場合

Zoomのグループにパスワードを設定しています。お申込者以外の参加を防ぐため、パスワードを外部に漏洩しないでください。
万が一、部外者が侵入した場合は管理者側で部外者の退出あるいはセミナーを終了いたします。

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配信開始となりましたら、改めてメールでご案内いたします。
視聴サイトにログインしていただき、ご視聴いただきます。
視聴期間は2025年8月27日〜9月3日を予定しております。
ご視聴いただけなかった場合でも期間延長いたしませんのでご注意ください。

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レジストとリソグラフィの基礎とトラブル解決策

admin — Tue, 24 Jun 2025 11:29:14 +0000

レジストとリソグラフィの基礎とトラブル解決策

～リソグラフィの基礎、レジスト材の高性能化、評価技術、最近のリソグラフィ技術～

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アーカイブ配信で受講をご希望の場合、視聴期間は2025年8月19日〜26日を予定しております。
アーカイブ配信のお申し込みは2025年8月22日まで承ります。

概要

本セミナーでは、レジストの基礎からリソグラフィープロセスの最適化方法までを分かりやすく解説いたします。

配信期間

2025年8月19日(火) 10時30分～ 2025年8月26日(火) 16時30分

お申し込みの締切日

2025年8月22日(金) 16時30分

受講対象者

レジスト材料の研究開発、製造、品質管理、販売に携わる方
半導体、ディスプレイ、MEMS、センサーなどのデバイス開発、製造、販売に携わる方

修得知識

レジストを製造するための基礎知識、設計概念と具体的方法
レジストの品質管理手法
レジストを使用する際の留意事項、トラブル対応能力
リソグラフィープロセスの最適化方法
リソグラフィー使用現場におけるトラブル対応能力
素材メーカー、レジストメーカーとしての顧客対応能力

プログラム

リソグラフィの基礎
1. リソグラフィーとは
2. 露光システムとリソグラフィー装置の変遷
3. 解像度向上技術とそれに必要な材料
レジスト材料とその高性能化
1. パターンニング用レジスト材料 (総論)
2. G線、i線用レジスト
3. KrF用レジスト
4. ArFおよびArF液浸用レジスト
5. EUV用レジスト
6. 後工程 (実装材料) 用のレジスト
レジスト製造技術と品質管理
1. レジスト製造技術
2. レジストの性能安定化技術
3. 品質管理 – その項目と管理方法
レジスト材料の評価技術
1. 性能評価
  - 素材 (樹脂、感光剤、添加物) やレジストの簡便かつ安価な評価方法
2. 品質評価
  - 顧客からの要求項目、スペック項目についての評価方法
3. シミュレーション技術
レジスト製造、および使用現場におけるトラブル対応
1. 素材 (樹脂、感光剤、添加物) 製造時のトラブル
2. レジスト製造時のトラブル
3. レジスト販売時のトラブル
4. レジスト使用時のトラブル
  - 上記のそれぞれについて、(1)原因、(2)評価方法、(3)解決策を、材料面およびリソグラフィープロセス面から述べ、あわせて顧客対応策について詳述します。
20nm以下のリソグラフィー技術
1. ダブルパターンニング技術
2. DSA技術とその材料
3. ナノインプリント技術
4. 今後のリソグラフィー技術

質疑応答

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主催

株式会社 R&D支援センター

お支払い方法、キャンセルの可否は、必ずお申し込み前にご確認をお願いいたします。

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受講料

1名様

: 50000円 (税別) / 55,000円 (税込)

複数名

: 25000円 (税別) / 27,500円 (税込) (案内をご希望の場合に限ります)

案内割引・複数名同時申込割引について

R&D支援センターからの案内を希望する方
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 40,000円(税別) / 44,000円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 50,000円(税別) / 55,000円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 75,000円(税別) / 82,500円(税込)
R&D支援センターからの案内を希望しない方
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 50,000円(税別) / 55,000円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 100,000円(税別) / 110,000円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 150,000円(税別) / 165,000円(税込)

アーカイブ配信セミナー

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配信開始となりましたら、改めてメールでご案内いたします。
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半導体製造プロセス技術入門講座

admin — Tue, 27 May 2025 16:20:37 +0000

半導体製造プロセス技術入門講座

～半導体デバイスの基礎、デバイス加工、半導体基板、前処理、酸化、不純物導入 / 薄膜形成、リソグラフィー、配線技術、保護膜形成、実装技術、パッシベーション / 信頼性評価、クリーンルーム管理、プロセスシミュレーション、製造ライン管理の実際～

オンライン開催

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本セミナーは終了いたしました。

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概要

本セミナーでは、半導体デバイス製造に携わる技術者の方を対象に、各基本プロセスの主要技術や最適化事例について概説いたします。

配信期間

2025年8月12日(火) 10時30分～ 2025年8月25日(月) 16時30分

お申し込みの締切日

2025年8月12日(火) 10時30分

受講対象者

半導体デバイスに関わる技術者
製造装置、素材、材料分野の技術者
半導体プロセス分野の技術管理および設計担当者
デバイスプロセスの基礎を学びたい方

修得知識

半導体デバイスの基礎、デバイス加工の最適化、半導体基板、前処理
酸化、不純物導入、薄膜形成、リソグラフィー (レジスト) 、リソグラフィー (エッチング)
配線技術、保護膜形成、実装技術、パッシベーション、信頼性評価
クリーンルーム管理、プロセスシミュレーション、製造ライン管理の実際

プログラム

　近年、世界の半導体市場は急速に拡大しており、我国でも国家戦略的な重要産業として位置づけられています。また、高機能デバイスの製造プロセスには、高い技術水準と競争力が求められています。これらのプロセス技術の基礎を幅広く理解することにより、各種トラブルへの対処および効率的な技術開発が可能となり、歩留まり改善や生産性向上へと繋がると考えます。
　本セミナーでは、半導体デバイス製造に携わる技術者の方々を対象に、各基本プロセスの主要技術や最適化事例について概説します。また、講師の半導体研究および製造現場での経験に基づき、各工程で生じる代表的なトラブル事例と対策を紹介します。半導体プロセスに関わる方々の基礎講座としても適しています。本セミナーでは、受講者の方々の日頃のトラブル相談・技術開発相談にも応じます。

各種半導体デバイスの基礎
1. 各種デバイス概論
  1. 半導体とは
  2. 集積回路
  3. パワー半導体
  4. 液晶、イメージセンサ
  5. 発電デバイス
  6. 発光素子
    - レーザー
    - LED
  7. MEMS
2. 半導体産業の国際競争力
  1. マーケットの推移
  2. 材料・装置のライン互換性
3. 歩留まり改善
デバイス加工の最適化
1. 回路設計
2. シフト量
3. ハイブリッド処理
半導体基板
1. 単結晶、多結晶
2. 再生処理
3. 薄膜化
前処理
1. クリーンネス
2. RCA洗浄
3. 致命欠陥
4. 表面エネルギー
5. 気泡除去
酸化
1. Deal – Grove理論
2. 酸化種
3. 干渉色
4. エリンガム図
不純物導入
1. 熱拡散法
  1. 拡散種
  2. Fickの拡散則
2. イオン注入法
  1. ガスソース
  2. 質量分離、加速器
  3. LSS理論
  4. チャネリング
  5. アニーリング
薄膜形成
1. VWDB核生成理論
2. 電解/無電解めっき
3. 蒸着
4. スパッタリング
5. LP – CVD
リソグラフィー (レジスト)
1. レジスト技術
2. ポジ型/ネガ型
3. レイリーの式
4. 重ね合わせ
リソグラフィー (エッチング)
1. ウエットエッチング
2. ドライエッチング
3. 真空技術
4. レジスト除去
  - ウェット
  - ドライ
  - 物理方式
配線技術
1. 多層配線
2. エレクトロマイグレーション
保護膜形成
1. CMP技術
2. 透湿性
実装技術
1. CIP
2. Pbフリーはんだ (ボイド対策)
3. Au/Alワイヤーボンディング
4. 積層ダイボンディング
5. パワーモジュール
パッシベーション
1. ソフトエラー
2. セラミックパッケージ
3. モールドパッケージ
信頼性評価
1. 活性化エネルギー
2. アレニウス則
3. バスタブ曲線
4. ワイブル分布
5. 寿命評価
クリーンルーム管理
1. 浮遊微粒子
2. フィルタリング
3. 動線制御
プロセスシミュレーション
1. コーティング
2. 気流
3. 応力集中
4. 電流分布
製造ライン管理の実際
1. タクトタイム
2. 歩留まり
3. 月産量見積もり
4. コスト計算
質疑応答 (日頃のトラブル・研究開発相談にも応じます)

参考資料

塗膜トラブルQ&A事例集 (トラブルの最短解決ノウハウ)
表面エネルギーによる濡れ・付着性解析 (測定方法)

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講師

河合晃氏
長岡技術科学大学

名誉教授

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主催

サイエンス＆テクノロジー株式会社

お支払い方法、キャンセルの可否は、必ずお申し込み前にご確認をお願いいたします。

お問い合わせ

本セミナーに関するお問い合わせは tech-seminar.jpのお問い合わせからお願いいたします。

(主催者への直接のお問い合わせはご遠慮くださいませ。)

受講料

1名様

: 38200円 (税別) / 42,020円 (税込)

複数名

: 25000円 (税別) / 27,500円 (税込)

複数名受講割引

2名様以上でお申込みの場合、1名あたり 25,000円(税別) / 27,500円(税込) で受講いただけます。
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 38,200円(税別) / 42,020円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 50,000円(税別) / 55,000円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 75,000円(税別) / 82,500円(税込)
同一法人内 (グループ会社でも可) による複数名同時申込みのみ適用いたします。
請求書は、代表者にご送付いたします。
請求書および領収書は1名様ごとに発行可能です。
申込みフォームの通信欄に「請求書1名ごと発行」とご記入ください。
他の割引は併用できません。
サイエンス&テクノロジー社の「2名同時申込みで1名分無料」価格を適用しています。

アカデミー割引

教員、学生および医療従事者はアカデミー割引価格にて受講いただけます。

1名様あたり 10,000円(税別) / 11,000円(税込)
企業に属している方(出向または派遣の方も含む)は、対象外です。
お申込み者が大学所属名でも企業名義でお支払いの場合、対象外です。

アーカイブ配信セミナー

「ビデオグ」を使ったアーカイブ配信セミナーとなります。
当日のセミナーを、後日にお手元のPCなどからご視聴ができます。
お申し込み前に、視聴環境をご確認いただき、視聴テストにて動作確認をお願いいたします。
別途、ID,パスワードをメールにてご連絡申し上げます。
視聴期間は2025年8月12日〜25日を予定しております。
ご視聴いただけなかった場合でも期間延長いたしませんのでご注意ください。
セミナー資料は、PDFファイルをダウンロードいただきます。
ご自宅への書類送付を希望の方は、通信欄にご住所・宛先などをご記入ください。
ご視聴は、お申込み者様ご自身での視聴のみに限らせていただきます。不特定多数でご覧いただくことはご遠慮下さい。
講義の録音、録画などの行為や、権利者の許可なくテキスト資料、講演データの複製、転用、販売などの二次利用することを固く禁じます。

本セミナーは終了いたしました。

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レジストとリソグラフィの基礎とトラブル解決策

admin — Tue, 24 Jun 2025 11:28:30 +0000

レジストとリソグラフィの基礎とトラブル解決策

～リソグラフィの基礎、レジスト材の高性能化、評価技術、最近のリソグラフィ技術～

オンライン開催

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概要

本セミナーでは、レジストの基礎からリソグラフィープロセスの最適化方法までを分かりやすく解説いたします。

開催日

2025年8月7日(木) 10時30分～ 16時30分

受講対象者

レジスト材料の研究開発、製造、品質管理、販売に携わる方
半導体、ディスプレイ、MEMS、センサーなどのデバイス開発、製造、販売に携わる方

修得知識

レジストを製造するための基礎知識、設計概念と具体的方法
レジストの品質管理手法
レジストを使用する際の留意事項、トラブル対応能力
リソグラフィープロセスの最適化方法
リソグラフィー使用現場におけるトラブル対応能力
素材メーカー、レジストメーカーとしての顧客対応能力

プログラム

リソグラフィの基礎
1. リソグラフィーとは
2. 露光システムとリソグラフィー装置の変遷
3. 解像度向上技術とそれに必要な材料
レジスト材料とその高性能化
1. パターンニング用レジスト材料 (総論)
2. G線、i線用レジスト
3. KrF用レジスト
4. ArFおよびArF液浸用レジスト
5. EUV用レジスト
6. 後工程 (実装材料) 用のレジスト
レジスト製造技術と品質管理
1. レジスト製造技術
2. レジストの性能安定化技術
3. 品質管理 – その項目と管理方法
レジスト材料の評価技術
1. 性能評価
  - 素材 (樹脂、感光剤、添加物) やレジストの簡便かつ安価な評価方法
2. 品質評価
  - 顧客からの要求項目、スペック項目についての評価方法
3. シミュレーション技術
レジスト製造、および使用現場におけるトラブル対応
1. 素材 (樹脂、感光剤、添加物) 製造時のトラブル
2. レジスト製造時のトラブル
3. レジスト販売時のトラブル
4. レジスト使用時のトラブル
  - 上記のそれぞれについて、(1)原因、(2)評価方法、(3)解決策を、材料面およびリソグラフィープロセス面から述べ、あわせて顧客対応策について詳述します。
20nm以下のリソグラフィー技術
1. ダブルパターンニング技術
2. DSA技術とその材料
3. ナノインプリント技術
4. 今後のリソグラフィー技術

質疑応答

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主催

株式会社 R&D支援センター

お支払い方法、キャンセルの可否は、必ずお申し込み前にご確認をお願いいたします。

お問い合わせ

本セミナーに関するお問い合わせは tech-seminar.jpのお問い合わせからお願いいたします。

(主催者への直接のお問い合わせはご遠慮くださいませ。)

受講料

1名様

: 50000円 (税別) / 55,000円 (税込)

複数名

: 25000円 (税別) / 27,500円 (税込) (案内をご希望の場合に限ります)

案内割引・複数名同時申込割引について

R&D支援センターからの案内を希望する方
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 40,000円(税別) / 44,000円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 50,000円(税別) / 55,000円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 75,000円(税別) / 82,500円(税込)
R&D支援センターからの案内を希望しない方
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 50,000円(税別) / 55,000円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 100,000円(税別) / 110,000円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 150,000円(税別) / 165,000円(税込)

ライブ配信対応セミナー / アーカイブ配信対応セミナー

「Zoom」を使ったライブ配信またはアーカイブ配信セミナーのいずれかをご選択いただけます。
お申し込み前に、 Zoomのシステム要件とテストミーティングへの参加手順をご確認いただき、テストミーティングにて動作確認をお願いいたします。
開催日前に、接続先URL、ミーティングID、パスワードを別途ご連絡いたします。
セミナー開催日時に、視聴サイトにログインしていただき、ご視聴ください。
タブレットやスマートフォンでも受講可能ですが、機能が制限される場合があります。
ご視聴は、お申込み者様ご自身での視聴のみに限らせていただきます。不特定多数でご覧いただくことはご遠慮下さい。
講義の録音、録画などの行為や、権利者の許可なくテキスト資料、講演データの複製、転用、販売などの二次利用することを固く禁じます。

ライブ配信セミナーをご希望の場合

Zoomのグループにパスワードを設定しています。お申込者以外の参加を防ぐため、パスワードを外部に漏洩しないでください。
万が一、部外者が侵入した場合は管理者側で部外者の退出あるいはセミナーを終了いたします。

アーカイブ配信セミナーをご希望の場合

当日のセミナーを、後日にお手元のPCやスマホ・タブレッドなどからご視聴・学習することができます。
配信開始となりましたら、改めてメールでご案内いたします。
視聴サイトにログインしていただき、ご視聴いただきます。
視聴期間は2025年8月19日〜26日を予定しております。
ご視聴いただけなかった場合でも期間延長いたしませんのでご注意ください。

本セミナーは終了いたしました。

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フォトレジストの基礎、材料設計と環境に優しい剥離技術

admin — Tue, 03 Jun 2025 13:27:31 +0000

フォトレジストの基礎、材料設計と環境に優しい剥離技術

オンライン開催

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概要

本セミナーでは、半導体用レジスト技術の基礎から解説し、特にレジスト材料 (感光性樹脂) ・プロセス、ノボラック系ポジ型レジスト、及び化学増幅系3成分 (ベース樹脂、溶解抑制剤、酸発生剤) ポジ型レジストのそれぞれの化学成分とレジスト特性との関係について解説いたします。

開催日

2025年8月7日(木) 10時30分～ 16時30分

受講対象者

レジスト材料・プロセスの研究や開発に関わる方
半導体、ディスプレイ、MEMSなどのデバイス開発、製造、販売に携わる方
レジストメーカー、およびレジストメーカーに原料を提供する素材メーカーの方

修得知識

レジストを製造するための基礎知識、材料設計指針
レジストを使用する際の留意事項
リソグラフィープロセスについて
素材メーカー、レジストメーカーとしてのデバイスメーカー対応能力
レジスト材料
- ノボラック系ポジ型レジスト
- 化学増幅型レジスト
プロセスについて

プログラム

　半導体、LCD等の電子デバイス製造では、成膜、パターン作製 (レジスト塗布、露光、現像) 、エッチング、レジスト剥離、洗浄等のプロセスを複数回繰り返すことにより、基板上に微細素子がパターンニングされたトランジスタが形成される。これらの工程はリソグラフィー工程と呼ばれ、おおよそ20回から30回繰り返されることになる。また、レジスト剥離工程においては、硫酸、過酸化水素、アミン系有機溶剤など環境負荷の大きい薬液を現状では大量に使用している。特に、イオン注入工程を経たレジストはレジスト表面が変質しており除去が非常に困難である。日本の今後の半導体について、電子デバイス製造メーカで現場でいた者の視点でも講演したい。
　本講演では、リソグラフィー工程の概要を紹介するとともに本工程において用いられるレジスト材料 (感光性ポリマー) そのものについて解説するとともに、レジスト剥離工程についても従来の剥離技術、及び新規な環境に優しいレジスト剥離 (除去) 技術について解説する。イオン注入工程を経たレジストの化学構造や除去技術についても紹介したい。
　レジストについては、ノボラック系ポジ型レジスト、及び化学増幅系3成分 (ベース樹脂、溶解抑制剤、酸発生剤) ポジ型レジストのそれぞれの化学成分とレジスト特性との関係について解説する。レジスト現像アナライザー (RDM) 装置を用いたデータについても紹介する。
　レジスト剥離 (除去) については、環境に優しい新規な技術として、活性種として水素ラジカル、湿潤オゾン、ファインバブル水を用いた技術について解説する。

感光性レジストの基礎とリソグラフィー工程の解説
1. 感光性レジストとは
2. リソグラフィー工程について
3. フォトレジストの塗布、露光、露光後ベーク (PEB) 、現像工程の概要
半導体、電子デバイスの進化とレジスト材料の設計とその作用メカニズム
1. 半導体、電子デバイスの進化とレジスト材料の設計
2. レジストの基本原理
3. レジストの現像特性
4. レジストとSi基板との密着性について
ノボラック系ポジ型レジストの材料設計
1. レジスト現像アナライザを用いた現像特性評価
2. ノボラック系ポジ型レジストの分子量とレジスト特性の関係
3. ノボラック系ポジ型レジストのプリベーク温度を変えたレジスト特性評価
4. PACのエステル化率を変化させたノボラック系ポジ型レジストのレジスト特性
5. ノボラック系ポジ型レジストの現像温度とレジスト特性との関係
化学増幅ポジ型レジストの材料設計
1. 化学増幅ポジ型3成分レジストのベース樹脂とレジスト特性
  - ベース樹脂
  - 溶解抑制剤
  - 酸発生剤
2. 化学増幅ポジ型3成分レジストの溶解抑制剤とレジスト特性
3. 化学増幅ポジ型3成分レジストの酸発生剤とレジスト特性
4. EUVレジストへの展開
5. i線厚膜レジストへの展開
新規なレジスト除去技術
1. 水素ラジカルを用いたレジスト除去技術
2. 湿潤オゾンを用いたレジストの除去技術
3. ファインバブル水を用いたレジストの除去技術
EUVレジストの候補であるメタルレジストについて
レジスト材料のPFAS規制について

質疑応答

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講師

堀邊英夫氏
大阪公立大学大学院工学研究科物質化学生命系専攻化学バイオ分野

教授, 学長特別補佐

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主催

株式会社技術情報協会

お支払い方法、キャンセルの可否は、必ずお申し込み前にご確認をお願いいたします。

お問い合わせ

本セミナーに関するお問い合わせは tech-seminar.jpのお問い合わせからお願いいたします。

(主催者への直接のお問い合わせはご遠慮くださいませ。)

受講料

1名様

: 50000円 (税別) / 55,000円 (税込)

複数名

: 45000円 (税別) / 49,500円 (税込)

複数名同時受講割引について

2名様以上でお申込みの場合、1名あたり 45,000円(税別) / 49,500円(税込) で受講いただけます。
5名様以降は、1名あたり 30,000円(税別) / 33,000円(税込) で受講いただけます。
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 50,000円(税別) / 55,000円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 90,000円(税別) / 99,000円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 135,000円(税別) / 148,500円(税込)
- 4名様でお申し込みの場合 : 4名で 180,000円(税別) / 198,000円(税込)
- 5名様でお申し込みの場合 : 5名で 210,000円(税別) / 231,000円(税込)

同一法人内による複数名同時申込みのみ適用いたします。
請求書は、代表者にご送付いたします。
他の割引は併用できません。

アカデミック割引

1名様あたり 30,000円(税別) / 33,000円(税込)

日本国内に所在しており、以下に該当する方は、アカデミック割引が適用いただけます。

学校教育法にて規定された国、地方公共団体、および学校法人格を有する大学、大学院、短期大学、附属病院、高等専門学校および各種学校の教員、生徒
病院などの医療機関・医療関連機関に勤務する医療従事者
文部科学省、経済産業省が設置した独立行政法人に勤務する研究者。理化学研究所、産業技術総合研究所など
公設試験研究機関。地方公共団体に置かれる試験所、研究センター、技術センターなどの機関で、試験研究および企業支援に関する業務に従事する方

支払名義が企業の場合は対象外とさせていただきます。
企業に属し、大学、公的機関に派遣または出向されている方は対象外とさせていただきます。

ライブ配信セミナーについて

本セミナーは「Zoom」を使ったライブ配信セミナーとなります。
お申し込み前に、 Zoomのシステム要件とテストミーティングへの参加手順をご確認いただき、テストミーティングにて動作確認をお願いいたします。
開催日前に、接続先URL、ミーティングID、パスワードを別途ご連絡いたします。
セミナー開催日時に、視聴サイトにログインしていただき、ご視聴ください。
セミナー資料は郵送にて前日までにお送りいたします。
開催まで4営業日を過ぎたお申込みの場合、セミナー資料の到着が、開講日に間に合わない可能性がありますこと、ご了承下さい。
ライブ配信の画面上でスライド資料は表示されますので、セミナー視聴には差し支えございません。
印刷物は後日お手元に届くことになります。
ご自宅への書類送付を希望の方は、通信欄にご住所・宛先などをご記入ください。
タブレットやスマートフォンでも受講可能ですが、機能が制限される場合があります。
ご視聴は、お申込み者様ご自身での視聴のみに限らせていただきます。不特定多数でご覧いただくことはご遠慮下さい。
講義の録音、録画などの行為や、権利者の許可なくテキスト資料、講演データの複製、転用、販売などの二次利用することを固く禁じます。
Zoomのグループにパスワードを設定しています。お申込者以外の参加を防ぐため、パスワードを外部に漏洩しないでください。
万が一、部外者が侵入した場合は管理者側で部外者の退出あるいはセミナーを終了いたします。

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半導体用レジストの基礎と材料設計および環境配慮型の新規レジスト除去技術

admin — Fri, 08 Aug 2025 04:56:34 +0000

半導体用レジストの基礎と材料設計および環境配慮型の新規レジスト除去技術

～レジストの特性や光化学反応、評価手法、EUVレジストや化学増幅型レジストなどを丁寧に解説～

オンライン開催

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このセミナーは2025年2月に開催したセミナーのオンラインセミナー:オンデマンド配信です。
視聴方法のご案内メールの到着日より10営業日の間、動画をご視聴いただけます。
お申込は、2025年9月29日まで受け付けいたします。
(収録日:2025年2月20日 ※映像時間:約4時間20分)

関連セミナーとの同時申し込みは、こちらより承っております。

オンデマンドセミナー「半導体レジスト材料・周辺技術 (4セミナーセット)」
- 通常受講料: 150,040円(税込) → 割引受講料 114,950円(税込)
- 視聴期間が、申込日から1ヶ月間となります。

概要

申込期間

2025年8月1日(金) 10時30分～ 2025年9月29日(月) 16時30分

受講対象者

レジスト材料・プロセスの研究や開発に関わる方
半導体、ディスプレイ、MEMSなどのデバイス開発、製造、販売に携わる方
レジストメーカー、およびレジストメーカーに原料を提供する素材メーカーの方

修得知識

レジストを製造するための基礎知識、材料設計指針
レジストを使用する際の留意事項
リソグラフィープロセスについて
素材メーカー、レジストメーカーとしてのデバイスメーカー対応能力
レジスト材料
- ノボラック系ポジ型レジスト
- 化学増幅型レジスト
レジスト評価法について
レジスト除去 (剥離) 技術について

プログラム

　半導体用レジスト技術の基礎から解説し、特にレジスト材料 (感光性樹脂) ・プロセス、ノボラック系ポジ型レジスト、及び化学増幅系3成分 (ベース樹脂、溶解抑制剤、酸発生剤) ポジ型レジストのそれぞれの化学成分とレジスト特性との関係について解説します。
　半導体、LCD等の電子デバイス製造では、成膜、パターン作製 (レジスト塗布、露光、現像) 、エッチング、レジスト剥離、洗浄等のプロセスを複数回繰り返すことにより、基板上に微細素子がパターンニングされたトランジスタが形成される。これらの工程はリソグラフィー工程と呼ばれ、おおよそ20回から30回繰り返されることになる。
　本講演では、特にレジスト材料 (感光性樹脂) ・プロセスについて解説するとともに、ノボラック系ポジ型レジスト、及び化学増幅系3成分 (ベース樹脂、溶解抑制剤、酸発生剤) ポジ型レジストのそれぞれの化学成分とレジスト特性との関係について解説する。レジスト剥離 (除去) 技術については、環境に優しい新規な技術として、活性種として水素ラジカル、湿潤オゾン、マイクロバブル水を用いた技術について解説する。
　また、元デバイスメーカーにいた者の視線で、レジストメーカーに原料を提供する素材メーカーにおけるレジスト評価法の具体的な手法について丁寧に解説したい。

感光性レジストの基礎とリソグラフィー工程の解説
1. 感光性レジストとは?
2. リソグラフィーについて
3. フォトレジストの塗布、露光、露光後ベーク (PEB) 、現像工程の概要
レジスト設計の変遷とその作用メカニズム
1. 半導体・電子デバイスの進化とレジスト設計の変遷
2. レジストの基本原理
3. レジストの現像特性
ノボラック系ポジ型レジストの材料設計
1. レジスト現像アナライザ (RDA) を用いた現像特性評価
2. ノボラック系ポジ型レジストの分子量とレジスト特性の関係
3. ノボラック系ポジ型レジストのプリベーク温度を変えたレジスト特性評価
4. PACのエステル化率を変化させたノボラック系ポジ型レジストのレジスト特性
5. ノボラック系ポジ型レジストの現像温度とレジスト特性との関係
化学増幅ポジ型レジストの材料設計
1. 化学増幅ポジ型3成分レジストのベース樹脂とレジスト特性
  - ベース樹脂
  - 溶解抑制剤
  - 酸発生剤
2. 化学増幅ポジ型3成分レジストの溶解抑制剤とレジスト特性
3. 化学増幅ポジ型3成分レジストの酸発生剤とレジスト特性
4. EUVレジストへの展開
5. i線厚膜レジストへの展開
環境に優しい新規なレジスト除去技術について
1. 活性種として水素ラジカルを用いた場合
2. 活性種として湿潤オゾンを用いた場合
3. 活性種としてオゾンバブル水を用いた場合
4. イオン注入工程を経たレジストの化学構造とレジスト除去技術

質疑応答

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講師

堀邊英夫氏
大阪公立大学大学院工学研究科物質化学生命系専攻化学バイオ分野

教授, 学長特別補佐

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主催

サイエンス＆テクノロジー株式会社

お支払い方法、キャンセルの可否は、必ずお申し込み前にご確認をお願いいたします。

お問い合わせ

本セミナーに関するお問い合わせは tech-seminar.jpのお問い合わせからお願いいたします。

(主催者への直接のお問い合わせはご遠慮くださいませ。)

受講料

1名様

: 38200円 (税別) / 42,020円 (税込)

複数名

: 25000円 (税別) / 27,500円 (税込)

複数名受講割引

2名様以上でお申込みの場合、1名あたり 25,000円(税別) / 27,500円(税込) で受講いただけます。
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 38,200円(税別) / 42,020円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 50,000円(税別) / 55,000円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 75,000円(税別) / 82,500円(税込)
同一法人内 (グループ会社でも可) による複数名同時申込みのみ適用いたします。
受講券、請求書は、代表者にご郵送いたします。
請求書および領収書は1名様ごとに発行可能です。
申込みフォームの通信欄に「請求書1名ごと発行」とご記入ください。
他の割引は併用できません。
サイエンス&テクノロジー社の「2名同時申込みで1名分無料」価格を適用しています。

アカデミー割引

教員、学生および医療従事者はアカデミー割引価格にて受講いただけます。

1名様あたり 10,000円(税別) / 11,000円(税込)
企業に属している方(出向または派遣の方も含む)は、対象外です。
お申込み者が大学所属名でも企業名義でお支払いの場合、対象外です。

全4コースのお申込み

オンデマンドセミナー「半導体レジスト材料・周辺技術 (4セミナーセット)」 (視聴期間: 申し込み日から1ヶ月間)
- 通常受講料: 150,040円(税込) → 割引受講料 114,950円(税込)
- 視聴期間が、申込日から1ヶ月間となります。

セット対象セミナー

オンデマンドセミナー「メタルレジストの特徴とEUV露光による反応メカニズム」 (視聴期間: 申し込み日から10営業日の間)
- 受講料 : 25,600円(税別) / 28,160円(税込)
オンデマンドセミナー「半導体用レジストの基礎と材料設計および環境配慮型の新規レジスト除去技術」 (視聴期間: 申し込み日から10営業日の間)
- 受講料 : 38,200円(税別) / 42,020円(税込)
オンデマンドセミナー「リソグラフィ技術・レジスト材料の基礎と微細化・高解像度に向けた応用技術、今後の展望」 (視聴期間: 申し込み日から10営業日の間)
- 受講料 : 38,200円(税別) / 42,020円(税込)
オンデマンドセミナー「リソグラフィ技術の基礎およびEUVリソグラフィ・レジスト周辺技術と展望」 (視聴期間: 申し込み日から10営業日の間)
- 受講料 : 34,400円(税別) / 37,840円(税込)

オンデマンドセミナーの留意点

申込み後、セミナーのキャンセルは承りかねます。 予めご了承ください。
録画セミナーの動画をお手元のPCやスマホ・タブレッドなどからご視聴・学習することができます。
お申し込み前に、視聴環境をご確認いただき、視聴テストにて動作確認をお願いいたします。
お申し込み日から3営業日後までに、視聴方法のご案内メールをお送りいたします。
視聴期間は、視聴方法のご案内メールの送信日より10営業日の間です。
ご視聴いただけなかった場合でも期間延長いたしませんのでご注意ください。
セミナー資料は、PDFファイルをダウンロードいただきます。
動画視聴・インターネット環境をご確認ください
- セキュリティの設定や、動作環境によってはご視聴いただけない場合がございます。
- サンプル動画が閲覧できるかを事前にご確認いただいたうえで、お申し込みください。
本セミナーの録音・撮影、複製は固くお断りいたします。

本セミナーは終了いたしました。

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リソグラフィ技術・レジスト材料の基礎と微細化・高解像度に向けた応用技術、今後の展望

admin — Fri, 08 Aug 2025 04:57:09 +0000

リソグラフィ技術・レジスト材料の基礎と微細化・高解像度に向けた応用技術、今後の展望

～フォトリソグラフィプロセスの理解とレジスト材料の開発指針～

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このセミナーは2025年4月に開催したセミナーのオンラインセミナー:オンデマンド配信です。
視聴方法のご案内メールの到着日より10営業日の間、動画をご視聴いただけます。
お申込は、2025年10月30日まで受け付けいたします。
(収録日:2025年4月22日 ※映像時間:約4時間45分)

関連セミナーとの同時申し込みは、こちらより承っております。

オンデマンドセミナー「半導体レジスト材料・周辺技術 (4セミナーセット)」
- 通常受講料: 150,040円(税込) → 割引受講料 114,950円(税込)
- 視聴期間が、申込日から1ヶ月間となります。

概要

申込期間

2025年8月1日(金) 10時30分～ 2025年10月30日(木) 16時30分

修得知識

レジスト・リソグラフィ技術の基礎と技術開発の必然性
マイクロエレクトロニクスの高密度化・高速化
低コスト化に伴うリソグラフィ技術の微細化・レジストの高解像度化などの高品位化の歴史的変遷とイノベーションの創出過程
技術・レジスト材料開発の実例
効率的な技術開発・不良防止・トラブル対策への応用

プログラム

コンタクトアライナーによるリソグラフィ技術の確立
投影露光方式の導入
化学増幅型レジスト/エキシマレーザ光源の採用
EUV光源の採用など

　それぞれのステップで多くのイノベーションが実現され課題を克服してきたわけである。ここでは、これまでの技術・材料開発の事例をまとめ、今後の効率的な技術開発・不良防止・トラブル対策への応用への指針とする。あわせて、日本の今後の半導体関連産業の在り方についても考察する。

技術パラダイムシフトと半導体集積回路
1. 科学技術の発展
2. 技術パラダイムシフト
3. マイクロエレクトロニクス (ME) と社会〜AI技術の展開〜
4. MEの黎明期とフォトレジスト
フォトレジストの本流
1. ゴム系ネガ型フォトレジスト
  1. リソグラフィプロセスの確立
  2. 基本的構造及び製造法
2. ノボラック系ポジ型レジスト
  1. 基本的組成
  2. マトリックス樹脂製法、感光性化合物
  3. レジストの透明性と解像度
  4. i – 線レジスト
  5. リソグラフィプロセスでの化学と工程管理
  6. レジストの溶剤と環境への影響
  7. 高性能化への工夫と新たなイノベーション
フォトレジストの裏街道
1. X線レジスト
2. Top Surface Imaging:DESIRE
3. Deep UVリソグラフィ
  1. 黎明期のレジスト
  2. 化学増幅型レジスト
  3. 光酸発生剤
エキシマレーザリソグラフィ
1. KrFレジスト
  1. エキシマレーザリソグラフィ実現への課題
  2. 光源・光学系の課題
  3. 化学増幅型レジストの課題
  4. 材料からの改良
  5. プロセス面からの改良
  6. 実用化されたレジスト材料
2. ArFレジスト
  1. ArFレジスト実現への課題
3. 液浸リソグラフィ
EUVリソグラフィ
1. 光源・露光機の開発
2. レジスト開発
  - 開発現状と課題
  - LERの要因と対応
3. 無機レジスト
  - 感度・解像度
  - 保存安定性
4. EUVLの課題
  - 光源
  - 露光装置
  - マスク
  - レジスト
  - 評価装置
今後の展望
1. 高解像度化と現像プロセス
  - 現像過程での膨潤と解像度
2. 今後のパターン形成プロセス
3. ナノインプリント技術の実用化
科学技術と社会 (半導体と人間)
1. 実装材料 (ポリイミド)
2. フラットパネルディスプレイ材料
3. ブレインマシンインターフェイス (BMI)
4. 科学技術と社会 (地球規模の課題と科学技術/半導体)
国の安全保障の根幹を担う半導体産業
1. 半導体産業の重要性
2. 日本および世界の半導体産業の現状
3. 経産省の戦略
4. 再生のための論点
効率的にイノベーションを創出するために
- 知的財産戦略とMOT
まとめ

質疑応答

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講師

鴨志田洋一氏
鴨志田技術事務所

代表

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主催

サイエンス＆テクノロジー株式会社

お支払い方法、キャンセルの可否は、必ずお申し込み前にご確認をお願いいたします。

お問い合わせ

本セミナーに関するお問い合わせは tech-seminar.jpのお問い合わせからお願いいたします。

(主催者への直接のお問い合わせはご遠慮くださいませ。)

受講料

1名様

: 38200円 (税別) / 42,020円 (税込)

複数名

: 25000円 (税別) / 27,500円 (税込)

複数名受講割引

2名様以上でお申込みの場合、1名あたり 25,000円(税別) / 27,500円(税込) で受講いただけます。
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 38,200円(税別) / 42,020円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 50,000円(税別) / 55,000円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 75,000円(税別) / 82,500円(税込)
同一法人内 (グループ会社でも可) による複数名同時申込みのみ適用いたします。
請求書は、代表者にご送付いたします。
請求書および領収書は1名様ごとに発行可能です。
申込みフォームの通信欄に「請求書1名ごと発行」とご記入ください。
他の割引は併用できません。
サイエンス&テクノロジー社の「2名同時申込みで1名分無料」価格を適用しています。

アカデミー割引

教員、学生および医療従事者はアカデミー割引価格にて受講いただけます。

1名様あたり 10,000円(税別) / 11,000円(税込)
企業に属している方(出向または派遣の方も含む)は、対象外です。
お申込み者が大学所属名でも企業名義でお支払いの場合、対象外です。

全4コースのお申込み

オンデマンドセミナー「半導体レジスト材料・周辺技術 (4セミナーセット)」 (視聴期間: 申し込み日から1ヶ月間)
- 通常受講料: 150,040円(税込) → 割引受講料 114,950円(税込)
- 視聴期間が、申込日から1ヶ月間となります。

セット対象セミナー

オンデマンドセミナー「メタルレジストの特徴とEUV露光による反応メカニズム」 (視聴期間: 申し込み日から10営業日の間)
- 受講料 : 25,600円(税別) / 28,160円(税込)
オンデマンドセミナー「半導体用レジストの基礎と材料設計および環境配慮型の新規レジスト除去技術」 (視聴期間: 申し込み日から10営業日の間)
- 受講料 : 38,200円(税別) / 42,020円(税込)
オンデマンドセミナー「リソグラフィ技術・レジスト材料の基礎と微細化・高解像度に向けた応用技術、今後の展望」 (視聴期間: 申し込み日から10営業日の間)
- 受講料 : 38,200円(税別) / 42,020円(税込)
オンデマンドセミナー「リソグラフィ技術の基礎およびEUVリソグラフィ・レジスト周辺技術と展望」 (視聴期間: 申し込み日から10営業日の間)
- 受講料 : 34,400円(税別) / 37,840円(税込)

オンデマンドセミナーの留意点

申込み後、セミナーのキャンセルは承りかねます。 予めご了承ください。
録画セミナーの動画をお手元のPCやスマホ・タブレッドなどからご視聴・学習することができます。
お申し込み前に、視聴環境をご確認いただき、視聴テストにて動作確認をお願いいたします。
お申し込み日から3営業日後までに、視聴方法のご案内メールをお送りいたします。
視聴期間は、視聴方法のご案内メールの送信日より10営業日の間です。
ご視聴いただけなかった場合でも期間延長いたしませんのでご注意ください。
セミナー資料は、PDFファイルをダウンロードいただきます。
動画視聴・インターネット環境をご確認ください
- セキュリティの設定や、動作環境によってはご視聴いただけない場合がございます。
- サンプル動画が閲覧できるかを事前にご確認いただいたうえで、お申し込みください。
本セミナーの録音・撮影、複製は固くお断りいたします。

本セミナーは終了いたしました。

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半導体製造プロセス技術入門講座

admin — Tue, 27 May 2025 16:20:00 +0000

半導体製造プロセス技術入門講座

オンライン開催

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アーカイブ配信で受講をご希望の場合、視聴期間は2025年8月12日〜25日を予定しております。
アーカイブ配信のお申し込みは2025年8月12日まで承ります。

概要

本セミナーでは、半導体デバイス製造に携わる技術者の方を対象に、各基本プロセスの主要技術や最適化事例について概説いたします。

開催日

2025年7月25日(金) 10時30分～ 16時30分

受講対象者

半導体デバイスに関わる技術者
製造装置、素材、材料分野の技術者
半導体プロセス分野の技術管理および設計担当者
デバイスプロセスの基礎を学びたい方

修得知識

半導体デバイスの基礎、デバイス加工の最適化、半導体基板、前処理
酸化、不純物導入、薄膜形成、リソグラフィー (レジスト) 、リソグラフィー (エッチング)
配線技術、保護膜形成、実装技術、パッシベーション、信頼性評価
クリーンルーム管理、プロセスシミュレーション、製造ライン管理の実際

プログラム

各種半導体デバイスの基礎
1. 各種デバイス概論
  1. 半導体とは
  2. 集積回路
  3. パワー半導体
  4. 液晶、イメージセンサ
  5. 発電デバイス
  6. 発光素子
    - レーザー
    - LED
  7. MEMS
2. 半導体産業の国際競争力
  1. マーケットの推移
  2. 材料・装置のライン互換性
3. 歩留まり改善
デバイス加工の最適化
1. 回路設計
2. シフト量
3. ハイブリッド処理
半導体基板
1. 単結晶、多結晶
2. 再生処理
3. 薄膜化
前処理
1. クリーンネス
2. RCA洗浄
3. 致命欠陥
4. 表面エネルギー
5. 気泡除去
酸化
1. Deal – Grove理論
2. 酸化種
3. 干渉色
4. エリンガム図
不純物導入
1. 熱拡散法
  1. 拡散種
  2. Fickの拡散則
2. イオン注入法
  1. ガスソース
  2. 質量分離、加速器
  3. LSS理論
  4. チャネリング
  5. アニーリング
薄膜形成
1. VWDB核生成理論
2. 電解/無電解めっき
3. 蒸着
4. スパッタリング
5. LP – CVD
リソグラフィー (レジスト)
1. レジスト技術
2. ポジ型/ネガ型
3. レイリーの式
4. 重ね合わせ
リソグラフィー (エッチング)
1. ウエットエッチング
2. ドライエッチング
3. 真空技術
4. レジスト除去
  - ウェット
  - ドライ
  - 物理方式
配線技術
1. 多層配線
2. エレクトロマイグレーション
保護膜形成
1. CMP技術
2. 透湿性
実装技術
1. CIP
2. Pbフリーはんだ (ボイド対策)
3. Au/Alワイヤーボンディング
4. 積層ダイボンディング
5. パワーモジュール
パッシベーション
1. ソフトエラー
2. セラミックパッケージ
3. モールドパッケージ
信頼性評価
1. 活性化エネルギー
2. アレニウス則
3. バスタブ曲線
4. ワイブル分布
5. 寿命評価
クリーンルーム管理
1. 浮遊微粒子
2. フィルタリング
3. 動線制御
プロセスシミュレーション
1. コーティング
2. 気流
3. 応力集中
4. 電流分布
製造ライン管理の実際
1. タクトタイム
2. 歩留まり
3. 月産量見積もり
4. コスト計算
質疑応答 (日頃のトラブル・研究開発相談にも応じます)

参考資料

塗膜トラブルQ&A事例集 (トラブルの最短解決ノウハウ)
表面エネルギーによる濡れ・付着性解析 (測定方法)

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講師

河合晃氏
長岡技術科学大学

名誉教授

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主催

サイエンス＆テクノロジー株式会社

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1名様

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ライブ配信対応セミナー / アーカイブ配信対応セミナー

ライブ配信またはアーカイブ配信セミナーのいずれかをご選択いただけます。

ライブ配信セミナーをご希望の場合

「Zoom」を使ったライブ配信セミナーとなります。
お申し込み前に、 Zoomのシステム要件とテストミーティングへの参加手順をご確認いただき、テストミーティングにて動作確認をお願いいたします。
開催日前に、接続先URL、ミーティングID、パスワードを別途ご連絡いたします。
セミナー開催日時に、視聴サイトにログインしていただき、ご視聴ください。
セミナー資料は、PDFファイルをダウンロードいただきます。
タブレットやスマートフォンでも受講可能ですが、機能が制限される場合があります。
ご視聴は、お申込み者様ご自身での視聴のみに限らせていただきます。不特定多数でご覧いただくことはご遠慮下さい。
講義の録音、録画などの行為や、権利者の許可なくテキスト資料、講演データの複製、転用、販売などの二次利用することを固く禁じます。
Zoomのグループにパスワードを設定しています。お申込者以外の参加を防ぐため、パスワードを外部に漏洩しないでください。
万が一、部外者が侵入した場合は管理者側で部外者の退出あるいはセミナーを終了いたします。

アーカイブ配信セミナーをご希望の場合

「ビデオグ」を使ったアーカイブ配信セミナーとなります。
当日のセミナーを、後日にお手元のPCなどからご視聴ができます。
お申し込み前に、視聴環境をご確認いただき、視聴テストにて動作確認をお願いいたします。
別途、ID,パスワードをメールにてご連絡申し上げます。
視聴期間は2025年8月12日〜25日を予定しております。
ご視聴いただけなかった場合でも期間延長いたしませんのでご注意ください。
セミナー資料は、PDFファイルをダウンロードいただきます。
ご自宅への書類送付を希望の方は、通信欄にご住所・宛先などをご記入ください。
ご視聴は、お申込み者様ご自身での視聴のみに限らせていただきます。不特定多数でご覧いただくことはご遠慮下さい。
講義の録音、録画などの行為や、権利者の許可なくテキスト資料、講演データの複製、転用、販売などの二次利用することを固く禁じます。

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フォトレジスト材料の基礎と材料設計およびその評価

admin — Mon, 26 May 2025 13:07:18 +0000

フォトレジスト材料の基礎と材料設計およびその評価

～要求特性とそれを達成するための材料設計からトラブルシューティングまで～

オンライン開催

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概要

開催日

2025年7月16日(水) 13時00分～ 17時00分

修得知識

フォトリソグラフィプロセス
フォトリソグラフィ加工用装置
フォトレジスト区分と適用される原料構造
フォトレジストに求められる要求特性
フォトレジスト用原料の構造設計
フォトレジストの光化学反応とフォーミュレーション
フォトレジスト評価方法
フォトリソグラフィが適用されるアプリケーション
フォトレジストトラブルシューティング
これから求められるフォトレジスト

プログラム

フォトレジスト材料
1. フォトレジストとは
2. 光化学反応に基づく4つのカテゴリー
3. 各カテゴリーにおける代表的な原料と光化学反応
4. パターニングが出来る理由
フォトレジスト材料の歴史探索に基づく使用原料紹介
1. フォトレジストの開発の歴史は、露光波長へのマッチングの歴史
2. 世界最初のネガ型フォトレジスト?
3. 天然原料由来ネガ型フォトレジスト
4. 工業原料によるネガ型フォトレジスト
5. 工業原料によるポジ型フォトレジストPACからPAGへ
6. EB露光用フォトレジスト
7. X線露光〜EUVL露光用フォトレジスト
露光機世代別フォトレジスト原料
1. 露光波長別フォトレジスト原料と光化学反応
2. G〜I線露光用ポジ型フォトレジスト原料
  1. G〜I線露光用ポジ型フォトレジスト原料構成
  2. ノボラック樹脂の合成方法と構造特性
  3. バラスト化合物の構造特性
  4. 感光剤の構造特性
  5. 各種添加剤
    - 増感剤
    - 界面活性剤
  6. 溶剤の構造特性
フォトレジストの評価方法
1. フォトレジストの使用プロセスと装置・性能評価判定
  1. 基板
  2. 塗布
  3. ベーク
  4. 露光
  5. PEB
  6. 現像・リンス
  7. ポストベーク
  8. ウェットエッチング
  9. ドライエッチング
  10. イオンインプラ
  11. めっき
  12. リフトオフ
  13. 犠牲層・構造化
  14. その他
2. フォトレジストの性能評価判定
フォトレジストが適用されるアプリケーション
1. 半導体FEOL・MEOL・BEOL
2. ディスプレイ配線加工
3. ディスプレイCR、BM、オーバーコート
4. マスク・レチクル
5. 化合物半導体
6. パワーモジュール (車載・エナジーハーベスト)
7. MEMSセンサー
8. 高速 (移動) 通信
9. 通信デバイス
10. 受発光素子
11. その他
フォトレジストのトラブルシューティング
1. 塗布
2. ベーク
3. 露光
4. PEB
5. 現像・リンス
6. その他
7. フォトレジストのトラブルが発生する理由
これからのフォトレジスト

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主催

株式会社 R&D支援センター

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お問い合わせ

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受講料

1名様

: 45000円 (税別) / 49,500円 (税込)

複数名

: 22500円 (税別) / 24,750円 (税込) (案内をご希望の場合に限ります)

案内割引・複数名同時申込割引について

R&D支援センターからの案内を希望する方
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 40,000円(税別) / 44,000円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 45,000円(税別) / 49,500円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 67,500円(税別) / 74,250円(税込)
R&D支援センターからの案内を希望しない方
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 45,000円(税別) / 49,500円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 90,000円(税別) / 99,000円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 135,000円(税別) / 148,500円(税込)

ライブ配信セミナーについて

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お申し込み前に、 Zoomのシステム要件とテストミーティングへの参加手順をご確認いただき、テストミーティングにて動作確認をお願いいたします。
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Zoomのグループにパスワードを設定しています。お申込者以外の参加を防ぐため、パスワードを外部に漏洩しないでください。
万が一、部外者が侵入した場合は管理者側で部外者の退出あるいはセミナーを終了いたします。

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半導体用レジストの基礎と材料設計および環境配慮型の新規レジスト除去技術

admin — Sat, 19 Jul 2025 06:42:20 +0000

半導体用レジストの基礎と材料設計および環境配慮型の新規レジスト除去技術

～レジストの特性や光化学反応、評価手法、EUVレジストや化学増幅型レジストなどを丁寧に解説～

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概要

申込期間

2025年7月1日(火) 10時30分～ 2025年9月29日(月) 16時30分

受講対象者

レジスト材料・プロセスの研究や開発に関わる方
半導体、ディスプレイ、MEMSなどのデバイス開発、製造、販売に携わる方
レジストメーカー、およびレジストメーカーに原料を提供する素材メーカーの方

修得知識

レジストを製造するための基礎知識、材料設計指針
レジストを使用する際の留意事項
リソグラフィープロセスについて
素材メーカー、レジストメーカーとしてのデバイスメーカー対応能力
レジスト材料
- ノボラック系ポジ型レジスト
- 化学増幅型レジスト
レジスト評価法について
レジスト除去 (剥離) 技術について

プログラム

感光性レジストの基礎とリソグラフィー工程の解説
1. 感光性レジストとは?
2. リソグラフィーについて
3. フォトレジストの塗布、露光、露光後ベーク (PEB) 、現像工程の概要
レジスト設計の変遷とその作用メカニズム
1. 半導体・電子デバイスの進化とレジスト設計の変遷
2. レジストの基本原理
3. レジストの現像特性
ノボラック系ポジ型レジストの材料設計
1. レジスト現像アナライザ (RDA) を用いた現像特性評価
2. ノボラック系ポジ型レジストの分子量とレジスト特性の関係
3. ノボラック系ポジ型レジストのプリベーク温度を変えたレジスト特性評価
4. PACのエステル化率を変化させたノボラック系ポジ型レジストのレジスト特性
5. ノボラック系ポジ型レジストの現像温度とレジスト特性との関係
化学増幅ポジ型レジストの材料設計
1. 化学増幅ポジ型3成分レジストのベース樹脂とレジスト特性
  - ベース樹脂
  - 溶解抑制剤
  - 酸発生剤
2. 化学増幅ポジ型3成分レジストの溶解抑制剤とレジスト特性
3. 化学増幅ポジ型3成分レジストの酸発生剤とレジスト特性
4. EUVレジストへの展開
5. i線厚膜レジストへの展開
環境に優しい新規なレジスト除去技術について
1. 活性種として水素ラジカルを用いた場合
2. 活性種として湿潤オゾンを用いた場合
3. 活性種としてオゾンバブル水を用いた場合
4. イオン注入工程を経たレジストの化学構造とレジスト除去技術

質疑応答

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講師

堀邊英夫氏
大阪公立大学大学院工学研究科物質化学生命系専攻化学バイオ分野

教授, 学長特別補佐

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主催

サイエンス＆テクノロジー株式会社

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1名様

: 38200円 (税別) / 42,020円 (税込)

複数名

: 25000円 (税別) / 27,500円 (税込)

複数名受講割引

2名様以上でお申込みの場合、1名あたり 25,000円(税別) / 27,500円(税込) で受講いただけます。
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 38,200円(税別) / 42,020円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 50,000円(税別) / 55,000円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 75,000円(税別) / 82,500円(税込)
同一法人内 (グループ会社でも可) による複数名同時申込みのみ適用いたします。
受講券、請求書は、代表者にご郵送いたします。
請求書および領収書は1名様ごとに発行可能です。
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アカデミー割引

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視聴期間は、視聴方法のご案内メールの送信日より10営業日の間です。
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セミナー資料は、印刷・送付いたしますので、視聴開始後に届きます。
セミナー資料は、視聴方法のご案内メールの送信日から3営業日以内に発送いたします。
動画視聴・インターネット環境をご確認ください
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フォトレジストのセミナー・研修・出版物

感光性レジスト材料の設計、評価技術と先端半導体後工程の最新動向

感光性レジスト材料の設計、評価技術と先端半導体後工程の最新動向

概要

開催日

受講対象者

修得知識

プログラム

第1部 感光性レジストの基礎、材料設計

第2部 リソグラフィ工程の解説とフォトポリマーの特性評価技術

第3部 先端半導体後工程の最新動向とリソグラフィ技術の貢献

講師

主催

お問い合わせ

受講料

複数名同時受講割引について

アカデミック割引

ライブ配信セミナーについて

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リソグラフィ技術・レジスト材料の基礎と微細化・高解像度に向けた先端技術、今後の展望

リソグラフィ技術・レジスト材料の基礎と微細化・高解像度に向けた先端技術、今後の展望

概要

配信期間

お申し込みの締切日

修得知識

プログラム

講師

主催

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受講料

複数名受講割引

アカデミー割引

アーカイブ配信セミナー

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フォトレジスト材料の基礎と評価プロセスおよび市場展開アプリケーション

フォトレジスト材料の基礎と評価プロセスおよび市場展開アプリケーション

概要

開催日

修得知識

プログラム

講師

主催

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受講料

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ライブ配信セミナーについて

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リソグラフィ技術・レジスト材料の基礎と微細化・高解像度に向けた先端技術、今後の展望

リソグラフィ技術・レジスト材料の基礎と微細化・高解像度に向けた先端技術、今後の展望

概要

開催日

修得知識

プログラム

講師

主催

お問い合わせ

受講料

複数名受講割引

アカデミー割引

ライブ配信対応セミナー / アーカイブ配信対応セミナー

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半導体用レジストの基礎とプロセスの最適化およびEUVリソグラフィ技術・材料の最新動向

半導体用レジストの基礎とプロセスの最適化およびEUVリソグラフィ技術・材料の最新動向

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第1部 レジスト材料・プロセスの評価

第2部 EUVリソグラフィ技術の最新動向とPFAS規制の影響

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第1部感光性レジストの基礎、材料設計

第2部リソグラフィ工程の解説とフォトポリマーの特性評価技術

第3部先端半導体後工程の最新動向とリソグラフィ技術の貢献

第1部レジスト材料・プロセスの評価

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