シリコンフォトニクスのセミナー・研修・出版物

シリコンフォトニクスの基礎と応用

admin — Thu, 26 Jun 2025 14:05:41 +0000

実践的で詳細に学ぶ

シリコンフォトニクスの基礎と応用

～光導波路、光部品、光ファイバ結合器、干渉計、共振器、フィルタ、アクティブデバイス / 光変調器と光スイッチ、光検出器、シリコンフォトニクスファウンダリ、データ通信デバイス / コンピューティング、センサ、ヘテロ集積、転写プリント、インフォマティクスとメタ構造、コパッケージ～

東京都開催会場開催

シリコンフォトニクス

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開催日

2025年10月30日(木) 10時30分～ 16時30分

受講対象者

シリコンフォトニクスに関連する技術者、開発者、担当者、管理者
- 光導波路
- 光部品
- 光ファイバ結合器
- 干渉計
- 共振器
- フィルタ
- アクティブデバイス
- 光変調器
- 光スイッチ
- 光検出器
- シリコンフォトニクスファウンダリ
- データ通信デバイス
- コンピューティング
- センサ
- ヘテロ集積
- 転写プリント
- インフォマティクスとメタ構造
- コパッケージ

修得知識

シリコンフォトニクスの歴史と最新トレンド
シリコンフォトニクスで作られる光部品の構造と機能
シミュレーション法
ファウンダリの利用法
データ作成法
評価法

プログラム

　シリコンフォトニクスは過去10〜20年の間に最も発展を遂げ、現代の主要プラットフォームとなった光集積回路技術である。高速・高機能な通信、コンピューティング、センサなどのために利用され、その範囲を拡大させている。本講演では、これを利用したいユーザ向けに実践的で詳細な解説を行う。

シリコンフォトニクスの概要
1. 発展の歴史
2. 近年のトレンド
光導波路部品
1. 光導波路の製作
2. 光導波路の設計と評価
3. 関連する光部品
4. 光ファイバ結合器
5. 干渉計、共振器、フィルタ
6. 光強度耐性
アクティブ部品
1. アクティブデバイスの製作
2. 熱光学効果
3. キャリアプラズマ効果
4. 光変調器と光スイッチ
5. 光検出器
6. 光源
シリコンフォトニクスファウンダリ
1. 種類と利用法
2. シミュレーションツール
3. データ作成
4. 評価法
5. 実装法
最新の研究開発
1. データ通信デバイス
2. コンピューティング
3. センサ応用
4. ヘテロ集積、転写プリント
5. インフォマティクスとメタ構造
6. 光電協調設計環境
7. コパッケージ
むすび

質疑応答

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講師

馬場俊彦氏
横浜国立大学工学研究院知的構造の創生部門

教授

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会場

品川区立総合区民会館きゅりあん

5F 第4講習室

東京都品川区東大井5丁目18-1

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主催

サイエンス＆テクノロジー株式会社

お支払い方法、キャンセルの可否は、必ずお申し込み前にご確認をお願いいたします。

お問い合わせ

本セミナーに関するお問い合わせは tech-seminar.jpのお問い合わせからお願いいたします。

(主催者への直接のお問い合わせはご遠慮くださいませ。)

受講料

1名様

: 47500円 (税別) / 52,250円 (税込)

複数名

: 25000円 (税別) / 27,500円 (税込)

複数名受講割引

2名様以上でお申込みの場合、1名あたり 25,000円(税別) / 27,500円(税込) で受講いただけます。
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 47,500円(税別) / 52,250円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 50,000円(税別) / 55,000円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 75,000円(税別) / 82,500円(税込)
同一法人内 (グループ会社でも可) による複数名同時申込みのみ適用いたします。
請求書は、代表者にご送付いたします。
請求書および領収書は1名様ごとに発行可能です。
申込みフォームの通信欄に「請求書1名ごと発行」とご記入ください。
他の割引は併用できません。
サイエンス&テクノロジー社の「2名同時申込みで1名分無料」価格を適用しています。

アカデミー割引

教員、学生および医療従事者はアカデミー割引価格にて受講いただけます。

1名様あたり 10,000円(税別) / 11,000円(税込)
企業に属している方(出向または派遣の方も含む)は、対象外です。
お申込み者が大学所属名でも企業名義でお支払いの場合、対象外です。

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高速高精度光変調の理論と実践

admin — Thu, 04 Sep 2025 14:34:07 +0000

高速高精度光変調の理論と実践

～電気光学効果による光波制御～

オンライン開催

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概要

本セミナーでは、光ファイバ通信や光計測・センシングを支えるキーデバイスの動作原理から最新研究の動向まで解説いたします。

開催日

2025年10月29日(水) 10時30分～ 16時30分

受講対象者

光通信システムのエンジニア
光変調器の動作理論の理解を深めたい方
光通信システムのユーザ
変調器を中心に各部品のスペックや動作原理を知りたい方
光変調器に代表される光デバイスのための材料や加工技術に関心がある方
新たに光通信システムや光変調技術を学びたい方

修得知識

光通信システムの基本構成
光通信システムおよび光無線融合システムの研究動向
光変調の基本原理
光変調器の基本仕様とシステム性能の関係
光変調器の動作理論

プログラム

　光ファイバ通信や光計測・センシングを支えるキーデバイスの動作原理から最新研究の動向まで解説します。光デバイスになじみのない方にも理解していただくために、波長、位相や偏光などのフォトニクスの基礎についても説明いたします。光変調器や関連するデバイスの研究動向や技術課題についても説明します。光変調器の応用分野である光通信やセンシングについても研究の例を紹介します。
　本セミナーを通して、光変調器を使った応用システムを開発設計するために必要な知識を身につけていただくことをゴールと設定します。

通信システム・デバイスの現状と研究動向
- 通信システムの概要
- 国内外の研究動向
- 光電融合の必要性と技術課題
光通信システムを支える光変調器
- 光伝送システムの基本構成
- 変調信号と帯域幅
- 波長多重
各種変調技術の概要
- 直接変調
- 電界吸収型変調器
- 電気光学変調器
電気光学変調器の原理
- 光位相変調器
- 振幅・強度変調器
- 最新の変調器構造
- ベクトル変調
- 変調器の安定性
デジタル変調への応用
- 強度変調
- 位相変調
- 周波数変調
- 多値変調
光変調によるサイドバンド発生
- 位相変調によるサイドバンド発生
- マッハツェンダー変調器の動作原理
両側波帯変調と単側波帯変調
- バイアス条件と出力の関係
- 単側波帯変調を使った光周波数シフト
さらなる高精度化に向けた最新研究成果と計測技術への応用
- 変調精度のさらなる向上
- システム実装例
- 計測技術への応用

質疑応答

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講師

川西哲也氏
早稲田大学理工学術院基幹理工学部電子物理システム学科

教授

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主催

株式会社 R&D支援センター

お支払い方法、キャンセルの可否は、必ずお申し込み前にご確認をお願いいたします。

お問い合わせ

本セミナーに関するお問い合わせは tech-seminar.jpのお問い合わせからお願いいたします。

(主催者への直接のお問い合わせはご遠慮くださいませ。)

受講料

1名様

: 50000円 (税別) / 55,000円 (税込)

複数名

: 25000円 (税別) / 27,500円 (税込) (案内をご希望の場合に限ります)

案内割引・複数名同時申込割引について

R&D支援センターからの案内登録をご希望の方は、割引特典を受けられます。
案内および割引をご希望される方は、お申込みの際、「案内の希望 (割引適用)」の欄から案内方法をご選択ください。

「案内の希望」をご選択いただいた場合、1名様 45,000円(税別) / 49,500円(税込) で受講いただけます。
複数名で同時に申込いただいた場合、1名様につき 25,000円(税別) / 27,500円(税込) で受講いただけます。

R&D支援センターからの案内を希望する方
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 45,000円(税別) / 49,500円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 50,000円(税別) / 55,000円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 75,000円(税別) / 82,500円(税込)
R&D支援センターからの案内を希望しない方
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 50,000円(税別) / 55,000円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 100,000円(税別) / 110,000円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 150,000円(税別) / 165,000円(税込)

ライブ配信セミナーについて

本セミナーは「Zoom」を使ったライブ配信セミナーとなります。
お申し込み前に、 Zoomのシステム要件とテストミーティングへの参加手順をご確認いただき、テストミーティングにて動作確認をお願いいたします。
開催日前に、接続先URL、ミーティングID、パスワードを別途ご連絡いたします。
セミナー開催日時に、視聴サイトにログインしていただき、ご視聴ください。
セミナー資料は、PDFファイルをダウンロードいただきます。
ご自宅への書類送付を希望の方は、通信欄にご住所・宛先などをご記入ください。
タブレットやスマートフォンでも受講可能ですが、機能が制限される場合があります。
ご視聴は、お申込み者様ご自身での視聴のみに限らせていただきます。不特定多数でご覧いただくことはご遠慮下さい。
講義の録音、録画などの行為や、権利者の許可なくテキスト資料、講演データの複製、転用、販売などの二次利用することを固く禁じます。
Zoomのグループにパスワードを設定しています。お申込者以外の参加を防ぐため、パスワードを外部に漏洩しないでください。
万が一、部外者が侵入した場合は管理者側で部外者の退出あるいはセミナーを終了いたします。

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データセンタ向け光デバイスの開発動向と今後の展望

admin — Sat, 09 Aug 2025 06:06:18 +0000

データセンタ向け光デバイスの開発動向と今後の展望

～データセンタに向けたコヒーレント通信、面発光レーザ、光スイッチの要求特性 / シリコンフォトニクス、次世代光インターコネクトの展望～

オンライン開催

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概要

本セミナーでは、データセンタ向け光デバイスを取り上げ、コヒーレント通信、面発光レーザ、光スイッチの要求特性、シリコンフォトニクス、次世代光インターコネクトの展望について詳解いたします。

開催日

2025年9月26日(金) 10時30分～ 17時30分

修得知識

シリコンフォトニクスへの光源集積方法
シリコンフォトニクス集積波長可変レーザの動作原理
シリコンフォトニクス集積波長可変レーザの設計方法
シリコンフォトニクス集積波長可変レーザの応用

プログラム

第1部シリコンフォトニクス技術の概要と産業展開状況

(2025年9月26日 10:30〜12:00)

　生成AI等のコンピューティング需要の爆発的は増大を背景に、経済性やエネルギー効率に優れる分散コンピューティングスシステムの開発が進みつつある。そこでは、集積性、エネルギー効率および経済性に優れた光伝送システムが必要であり、これを支える光回路プラットフォーム技術としてシリコンフォトニクスの研究開発が世界中で進行中である。
　本講演では、シリコンフォトニクス技術の開発状況と応用状況について述べるとともに、当該技術の幅広い産業展開を支援する研究開発エコシステムとして、産業技術総合研究所を中心とした産学官連携体制の例を紹介する。

背景
1. コンピューティング需要の爆発増大と分散コンピューティングによる対応
2. 分散コンピューティングの実現に向けたフォトニクスの大規模導入
シリコンフォトニクス〜その特徴と現状〜
1. シリコンフォトニクスの技術的特徴
2. シリコンフォトニクスの技術開発状況
シリコンフォトニクスの産業エコシステム化にむけて
1. スケーラブル実装技術・光源集積自動化・自動化ウエハーレベル検査・設計自動化
2. シリコンフォトニクスファブ
3. 自律的R&Dエコシステム
産業エコシステム構築にむけた産総研シリコンフォトニクス技術
1. 産総研のシリコンフォトニクス基礎技術
2. 標準シリコンフォトニクス
3. 先進シリコンフォトニクス
4. シリコンフォトニクスエコシステム

質疑応答

第2部短距離デジタルコヒーレント通信向け光デバイス技術の開発動向

(2025年9月26日 13:00〜14:30)

　光ファイバ通信はこれまで、国内の通信網から海底ケーブルを介した大陸同士をつなぐなど、長距離通信を実現する技術として進展してきた。しかし近年、AIや機械学習の発展に伴いデータセンタの高度化と巨大化が進み、光ファイバ通信は長距離伝送のみならず、電気配線に代わる短距離高速通信技術としても注目されるようになった。特にChatGPTに代表される大量の情報を用いた学習においては、演算自体よりもその膨大なデータを通信する際の速度・電力がボトルネックとなるなど、現在のAIブームは光通信技術なくしては成り立たないと言っても過言ではない。
　本講演では、これまで長距離通信技術として発展してきたデジタルコヒーレント技術が、近年データセンタ内の短距離通信技術として用いられるようになった背景および現状、そしてそこで期待される技術について述べる。技術内容としては主にデジタルコヒーレント用変調器ならびに光源について紹介し、最後に今後のデータセンタ向け光通信技術の展望について議論する。

短距離デジタルコヒーレント通信技術の概要
1. デジタルコヒーレント通信技術と短距離適用への要求
2. 強度変調 (IMDD) 通信方式の現状
3. 短距離デジタルコヒーレント通信方式への要求
短距離デジタルコヒーレント用変調器の動向
1. デジタルコヒーレント用変調器の概要
2. Si系変調器
3. InP系変調器
4. LiNbO3系変調器
5. その他構成
短距離デジタルコヒーレント用光源の動向
1. 波長可変レーザモジュール (ITLA)
2. 波長モニタ内蔵DFB-CAN
3. 将来展望

質疑応答

第3部データセンタ用超高速面発光レーザ集積光源の研究動向

(2025年9月26日 14:40〜16:10)

　面発光レーザは、低しきい値電流化が進められ、消費電力が小さい、二次元アレー化が可能、ウェハ単位での性能試験が可能であるなど、従来構造の半導体レーザに比べて多くの利点が実証されて、現在の短距離光ネットワークの光源として中心的な役割を果たしている。
　スーパーコンピュータやデータセンタでは、膨大な数の光配線導入が必須であり、ここでは、低消費電力動作を可能とする面発光レーザが中心的な役割を担っている。
　20Gbpsを越える高速直接変調動作、1bit当たりの消費電力として100fJ以下などの低消費電力動作など、将来の低消費電力インターコネクトのための革新的な開発が進められている。また、サイバー空間とフィジカル空間が一体化するサイバー・フィジカル・システムの発展を支えるには、エッジ・クラウドコンピューティング性能の大幅な高度化が不可欠であり、そこでは、超高速・低消費電力光インターコネクト技術が求められている。
さらに、最近では、AIデータセンタにおける膨大なネットワークトラフィックが加速し、消費電力の問題が顕在化している。
　本講演では、面発光レーザの高速化技術、特に我々が進めてきた結合共振器による高速変調技術、次世代光インターコネクトに向けCPO (Co-package Optics) 超小型光トランシーバなど、最近の進展について述べる。

データセンタと面発光レーザ
1. データセンタにおける光インターコネクト
2. 面発光レーザの概要と特性
3. 最近の高速面発光レーザ
面発光レーザの高速化技術
1. 面発光レーザの変調帯域制限と高速化技術
2. 結合共振器面発光レーザ
3. 高速変調特性
4. 光ファイバ伝送特性
光トランシーバへの応用
1. LPO (Linear-drive Pluggable Optics) トランシーバ
2. CPO (Co-Packaged Optics) トランシーバ
3. 将来展望

質疑応答

第4部データセンタ向け大規模・高速光回線交換スイッチの開発動向

(2025年9月26日 16:20〜17:30)

　ChatGPTに代表される生成AI サービスの急激な進展に伴い、データセンタの必要帯域・消費電力は増加の一途を辿っており、将来的にAI/ML の消費電力はデータセンタ全体の40%-60%に達すると予想されている。Googleは世界に先駆けてデータセンタ内のサーバ間ネットワークへ部分的に光回線交換スイッチを導入し、消費電力並びにコスト削減を実証したことで高い注目を集めている。
　本講座では、進展が著しいデータセンタおよびAIスーパーコンピューターの世界的な動向とそのネットワーク基本技術をご紹介し、次世代データセンタにおいて期待される光回線交換スイッチ技術の役割を説明する。続いて、産業技術総合研究所でこれまでに開発してきた光スイッチの変遷を振り返り、更なる大規模・高速化に向けた今後の課題や展望を説明する。併せて、大規模・高速光スイッチの構成例として、数千ポート規模やマイクロ秒オーダ以下の応答速度で動作可能な光スイッチシステムに関する実証実験の様子を紹介する。

データセンタ・AIコンピューティングを取り巻く背景
1. データセンタの進展・インパクト
2. 次世代データセンタ・AIコンピューティングに求められる要件
データセンタネットワークの基本構成
1. 階層型電気スイッチネットワーク
2. AIコンピューターネットワーク
3. データセンタ向け光スイッチネットワーク
光回線交換スイッチ技術
1. 代表的な光スイッチの例
2. シリコンフォトニクススイッチ
3. 大規模・高速光スイッチ
データセンタ向け光スイッチに関する今後の展望
1. ポート数拡大
2. 高速 (ナノ秒オーダ) 切り替え
3. 低損失・高機能化
まとめ

質疑応答

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講師

山田浩治氏
国立研究開発法人産業技術総合研究所量子・AI融合技術ビジネス開発グローバル研究センター

招聘研究員
鈴木純一氏
三菱電機株式会社情報技術総合研究所光技術部先進フォトニクスグループ

主席研究員
小山二三夫氏
東京科学大学

名誉教授
松本怜典氏
国立研究開発法人産業技術総合研究所エレクトロニクス・製造領域光電融合研究センター先端フォトニクス標準評価研究チーム

主任研究員

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主催

株式会社技術情報協会

お支払い方法、キャンセルの可否は、必ずお申し込み前にご確認をお願いいたします。

お問い合わせ

本セミナーに関するお問い合わせは tech-seminar.jpのお問い合わせからお願いいたします。

(主催者への直接のお問い合わせはご遠慮くださいませ。)

受講料

1名様

: 60000円 (税別) / 66,000円 (税込)

複数名

: 55000円 (税別) / 60,500円 (税込)

複数名同時受講割引について

2名様以上でお申込みの場合、1名あたり 55,000円(税別) / 60,500円(税込) で受講いただけます。
5名様以降は、1名あたり 30,000円(税別) / 33,000円(税込) で受講いただけます。
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 60,000円(税別) / 66,000円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 110,000円(税別) / 121,000円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 165,000円(税別) / 181,500円(税込)
- 4名様でお申し込みの場合 : 4名で 220,000円(税別) / 242,000円(税込)
- 5名様でお申し込みの場合 : 5名で 250,000円(税別) / 275,000円(税込)

同一法人内による複数名同時申込みのみ適用いたします。
請求書は、代表者にご送付いたします。
他の割引は併用できません。

アカデミック割引

1名様あたり 30,000円(税別) / 33,000円(税込)

日本国内に所在しており、以下に該当する方は、アカデミック割引が適用いただけます。

学校教育法にて規定された国、地方公共団体、および学校法人格を有する大学、大学院、短期大学、附属病院、高等専門学校および各種学校の教員、生徒
病院などの医療機関・医療関連機関に勤務する医療従事者
文部科学省、経済産業省が設置した独立行政法人に勤務する研究者。理化学研究所、産業技術総合研究所など
公設試験研究機関。地方公共団体に置かれる試験所、研究センター、技術センターなどの機関で、試験研究および企業支援に関する業務に従事する方

支払名義が企業の場合は対象外とさせていただきます。
企業に属し、大学、公的機関に派遣または出向されている方は対象外とさせていただきます。

ライブ配信セミナーについて

本セミナーは「Zoom」を使ったライブ配信セミナーとなります。
お申し込み前に、 Zoomのシステム要件とテストミーティングへの参加手順をご確認いただき、テストミーティングにて動作確認をお願いいたします。
開催日前に、接続先URL、ミーティングID、パスワードを別途ご連絡いたします。
セミナー開催日時に、視聴サイトにログインしていただき、ご視聴ください。
セミナー資料は郵送にて前日までにお送りいたします。
開催まで4営業日を過ぎたお申込みの場合、セミナー資料の到着が、開講日に間に合わない可能性がありますこと、ご了承下さい。
ライブ配信の画面上でスライド資料は表示されますので、セミナー視聴には差し支えございません。
印刷物は後日お手元に届くことになります。
ご自宅への書類送付を希望の方は、通信欄にご住所・宛先などをご記入ください。
タブレットやスマートフォンでも受講可能ですが、機能が制限される場合があります。
ご視聴は、お申込み者様ご自身での視聴のみに限らせていただきます。不特定多数でご覧いただくことはご遠慮下さい。
講義の録音、録画などの行為や、権利者の許可なくテキスト資料、講演データの複製、転用、販売などの二次利用することを固く禁じます。
Zoomのグループにパスワードを設定しています。お申込者以外の参加を防ぐため、パスワードを外部に漏洩しないでください。
万が一、部外者が侵入した場合は管理者側で部外者の退出あるいはセミナーを終了いたします。

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半導体製造装置の基礎・トレンドと今後の展望 (2025年夏版)

admin — Sun, 22 Jun 2025 08:26:17 +0000

イチからわかる

半導体製造装置の基礎・トレンドと今後の展望 (2025年夏版)

～半導体市場動向、半導体技術動向 / 2ナノ半導体量産と市場展望 / 半導体製造装置・材料へのニーズ / 半導体製造装置業界の新規参入可能性 / 今後の展望～

オンライン開催

関連するセミナー・出版物

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概要

本セミナーでは、半導体製造装置/技術動向の全般を俯瞰し、AIを中心にした新しい半導体技術への変化の中で取るべき戦略について解説いたします。

配信期間

2025年8月18日(月) 13時00分～ 2025年8月29日(金) 16時30分

お申し込みの締切日

2025年8月18日(月) 13時00分

修得知識

IT産業、半導体のトレンド最新情報
ChatGPTなど注目度を増すAIの影響
半導体製造装置。材料に求められるトレンドと機会についての情報
地政学など各種リスク

プログラム

　半導体業界は、情報通信の旺盛な需要に応えて、高成長を続ける見通しです。一方で、スケーリングに支えられた成長 (デナード則) は2000年代なかばに終了し、ムーアの法則 (トランジスタ数の指数的増加) を続けるためには、単純スケーリングとは異なる様々な技術の投入が必要となっています。さらに、AIを中心にした新しいアプリケーションの急成長など半導体技術の変化を求める新潮流も発生しています。
　こうした状況の中で、30年ほど続けてきた成長モデルに見直しも求められ、業界構造の変化が激化しています。既存企業にも高成長率を見て新規参入を狙う企業にも、機会とリスクが相まみえる状況ともいえるでしょう。このような状況を概観しつつ、取るべき戦略の参考になりそうな観点をお話しします。

半導体とは
半導体が支える産業
主な半導体デバイス
IT産業市場動向
半導体市場動向
半導体技術動向
1. ロジック
2. DRAM
3. VNAND
4. Advanced Packaging (Heterogeneous Integration)
5. イメージセンサー
6. AIチップ
7. DTCOからSTCO
8. エネルギー問題について
9. シリコンフォトニクス
10. パワー半導体
11. ナノ半導体量産と市場展望
半導体製造装置・材料へのニーズ
1. リソグラフィー
2. エッチング
3. 成膜
4. CMP
5. ドーピング
6. 洗浄
7. アドバンストパッケージング
8. メトロロジー
9. その他
半導体製造装置業界の新規参入可能性
今後の展望
1. 環境問題
  1. カーボンニュートラル
  2. PFAS
  3. 希少材料
2. 地政学的リスク
3. なすべきことは

質疑応答

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講師

友安昌幸氏
合同会社アミコ・コンサルティング

CEO

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主催

サイエンス＆テクノロジー株式会社

お支払い方法、キャンセルの可否は、必ずお申し込み前にご確認をお願いいたします。

お問い合わせ

本セミナーに関するお問い合わせは tech-seminar.jpのお問い合わせからお願いいたします。

(主催者への直接のお問い合わせはご遠慮くださいませ。)

受講料

1名様

: 34400円 (税別) / 37,840円 (税込)

複数名

: 22500円 (税別) / 24,750円 (税込)

複数名受講割引

2名様以上でお申込みの場合、1名あたり 22,500円(税別) / 24,750円(税込) で受講いただけます。
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 34,400円(税別) / 37,840円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 45,000円(税別) / 49,500円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 67,500円(税別) / 74,250円(税込)
同一法人内 (グループ会社でも可) による複数名同時申込みのみ適用いたします。
請求書は、代表者にご送付いたします。
請求書および領収書は1名様ごとに発行可能です。
申込みフォームの通信欄に「請求書1名ごと発行」とご記入ください。
他の割引は併用できません。
サイエンス&テクノロジー社の「2名同時申込みで1名分無料」価格を適用しています。

アカデミー割引

教員、学生および医療従事者はアカデミー割引価格にて受講いただけます。

1名様あたり 10,000円(税別) / 11,000円(税込)
企業に属している方(出向または派遣の方も含む)は、対象外です。
お申込み者が大学所属名でも企業名義でお支払いの場合、対象外です。

アーカイブ配信セミナー

「ビデオグ」を使ったアーカイブ配信セミナーとなります。
当日のセミナーを、後日にお手元のPCなどからご視聴ができます。
お申し込み前に、視聴環境をご確認いただき、視聴テストにて動作確認をお願いいたします。
別途、ID,パスワードをメールにてご連絡申し上げます。
視聴期間は2025年8月18日〜29日を予定しております。
ご視聴いただけなかった場合でも期間延長いたしませんのでご注意ください。
セミナー資料は、PDFファイルをダウンロードいただきます。
ご自宅への書類送付を希望の方は、通信欄にご住所・宛先などをご記入ください。
ご視聴は、お申込み者様ご自身での視聴のみに限らせていただきます。不特定多数でご覧いただくことはご遠慮下さい。
講義の録音、録画などの行為や、権利者の許可なくテキスト資料、講演データの複製、転用、販売などの二次利用することを固く禁じます。

本セミナーは終了いたしました。

セミナーの再開催を依頼する

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半導体製造装置の基礎・トレンドと今後の展望 (2025年夏版)

admin — Sun, 22 Jun 2025 08:24:14 +0000

イチからわかる

半導体製造装置の基礎・トレンドと今後の展望 (2025年夏版)

オンライン開催

関連するセミナー・出版物

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アーカイブ配信で受講をご希望の場合、視聴期間は2025年8月18日〜29日を予定しております。
アーカイブ配信のお申し込みは2025年8月18日まで承ります。

概要

開催日

2025年7月30日(水) 13時00分～ 16時30分

修得知識

IT産業、半導体のトレンド最新情報
ChatGPTなど注目度を増すAIの影響
半導体製造装置。材料に求められるトレンドと機会についての情報
地政学など各種リスク

プログラム

半導体とは
半導体が支える産業
主な半導体デバイス
IT産業市場動向
半導体市場動向
半導体技術動向
1. ロジック
2. DRAM
3. VNAND
4. Advanced Packaging (Heterogeneous Integration)
5. イメージセンサー
6. AIチップ
7. DTCOからSTCO
8. エネルギー問題について
9. シリコンフォトニクス
10. パワー半導体
11. ナノ半導体量産と市場展望
半導体製造装置・材料へのニーズ
1. リソグラフィー
2. エッチング
3. 成膜
4. CMP
5. ドーピング
6. 洗浄
7. アドバンストパッケージング
8. メトロロジー
9. その他
半導体製造装置業界の新規参入可能性
今後の展望
1. 環境問題
  1. カーボンニュートラル
  2. PFAS
  3. 希少材料
2. 地政学的リスク
3. なすべきことは

質疑応答

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講師

友安昌幸氏
合同会社アミコ・コンサルティング

CEO

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主催

サイエンス＆テクノロジー株式会社

お支払い方法、キャンセルの可否は、必ずお申し込み前にご確認をお願いいたします。

お問い合わせ

本セミナーに関するお問い合わせは tech-seminar.jpのお問い合わせからお願いいたします。

(主催者への直接のお問い合わせはご遠慮くださいませ。)

受講料

1名様

: 34400円 (税別) / 37,840円 (税込)

複数名

: 22500円 (税別) / 24,750円 (税込)

複数名受講割引

2名様以上でお申込みの場合、1名あたり 22,500円(税別) / 24,750円(税込) で受講いただけます。
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 34,400円(税別) / 37,840円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 45,000円(税別) / 49,500円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 67,500円(税別) / 74,250円(税込)
同一法人内 (グループ会社でも可) による複数名同時申込みのみ適用いたします。
請求書は、代表者にご送付いたします。
請求書および領収書は1名様ごとに発行可能です。
申込みフォームの通信欄に「請求書1名ごと発行」とご記入ください。
他の割引は併用できません。
サイエンス&テクノロジー社の「2名同時申込みで1名分無料」価格を適用しています。

アカデミー割引

教員、学生および医療従事者はアカデミー割引価格にて受講いただけます。

1名様あたり 10,000円(税別) / 11,000円(税込)
企業に属している方(出向または派遣の方も含む)は、対象外です。
お申込み者が大学所属名でも企業名義でお支払いの場合、対象外です。

ライブ配信対応セミナー / アーカイブ配信対応セミナー

ライブ配信またはアーカイブ配信セミナーのいずれかをご選択いただけます。

ライブ配信セミナーをご希望の場合

「Zoom」を使ったライブ配信セミナーとなります。
お申し込み前に、 Zoomのシステム要件とテストミーティングへの参加手順をご確認いただき、テストミーティングにて動作確認をお願いいたします。
開催日前に、接続先URL、ミーティングID、パスワードを別途ご連絡いたします。
セミナー開催日時に、視聴サイトにログインしていただき、ご視聴ください。
セミナー資料は、PDFファイルをダウンロードいただきます。
タブレットやスマートフォンでも受講可能ですが、機能が制限される場合があります。
ご視聴は、お申込み者様ご自身での視聴のみに限らせていただきます。不特定多数でご覧いただくことはご遠慮下さい。
講義の録音、録画などの行為や、権利者の許可なくテキスト資料、講演データの複製、転用、販売などの二次利用することを固く禁じます。
Zoomのグループにパスワードを設定しています。お申込者以外の参加を防ぐため、パスワードを外部に漏洩しないでください。
万が一、部外者が侵入した場合は管理者側で部外者の退出あるいはセミナーを終了いたします。

アーカイブ配信セミナーをご希望の場合

「ビデオグ」を使ったアーカイブ配信セミナーとなります。
当日のセミナーを、後日にお手元のPCなどからご視聴ができます。
お申し込み前に、視聴環境をご確認いただき、視聴テストにて動作確認をお願いいたします。
別途、ID,パスワードをメールにてご連絡申し上げます。
視聴期間は2025年8月18日〜29日を予定しております。
ご視聴いただけなかった場合でも期間延長いたしませんのでご注意ください。
セミナー資料は、PDFファイルをダウンロードいただきます。
ご自宅への書類送付を希望の方は、通信欄にご住所・宛先などをご記入ください。
ご視聴は、お申込み者様ご自身での視聴のみに限らせていただきます。不特定多数でご覧いただくことはご遠慮下さい。
講義の録音、録画などの行為や、権利者の許可なくテキスト資料、講演データの複製、転用、販売などの二次利用することを固く禁じます。

本セミナーは終了いたしました。

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大規模AI基盤を支える光電融合技術の基礎と展望

admin — Thu, 22 May 2025 05:17:28 +0000

大規模AI基盤を支える光電融合技術の基礎と展望

オンライン開催

関連するセミナー・出版物

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概要

本セミナーでは、光電融合技術に至るまでの背景から、光電融合技術の要素技術であるシリコンフォトニクス、光電融合実装技術、仮想化・ディスアグリゲーション技術などについて概説し、光電融合技術の将来を展望いたします。

開催日

2025年6月4日(水) 13時30分～ 16時30分

修得知識

ムーアの法則終焉に伴い光電融合時代へと至る技術潮流
その要素技術であるシリコンフォトニクス、光電融合実装 (コパッケージ) 、仮想化・ディスアグリゲーションなどの技術概要
光電融合技術がもたらすインパクトとその将来展望に関する知見

プログラム

　モバイルは5Gから6Gへ、クラウドは生成AIへの対応が急速に進展し、データ量が益々増大する中、ムーアの法則の終焉を打破しさらなる性能向上をもたらす光電融合技術に注目が集まっている。
　本セミナーでは、光電融合時代へと至る歴史的必然性について論説した後、要素技術であるシリコンフォトニクス、光電融合実装技術、さらに、仮想化・ディスアグリゲーション技術などについて概説し、光電融合技術の将来を展望する。

はじめに:歴史的転換期を迎えたフォトニクス産業
ポストムーアへの潮流と情報通信産業のゲームチェンジ
生成AIの衝撃と光電融合技術の進展
1. I/Oおよびスイッチにおけるボトルネック
2. 光電融合技術のインパクト
3. 北米における技術開発動向
産総研のフォトニクス研究に見る将来展望
1. シリコンフォトニクスとは
2. 光電融合配線基板とコパッケージ
3. 光ネットワークの仮想化とコンピューティングとの融合
まとめ

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講師

並木周氏
国立研究開発法人産業技術総合研究所プラットフォームフォトニクス研究センター

研究センター長

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主催

株式会社シーエムシー・リサーチ

お支払い方法、キャンセルの可否は、必ずお申し込み前にご確認をお願いいたします。

お問い合わせ

本セミナーに関するお問い合わせは tech-seminar.jpのお問い合わせからお願いいたします。

(主催者への直接のお問い合わせはご遠慮くださいませ。)

受講料

1名様

: 40000円 (税別) / 44,000円 (税込)

複数名

: 18000円 (税別) / 19,800円 (税込) (案内をご希望の場合に限ります)

案内割引・複数名同時申込割引について

シーエムシーリサーチからの案内をご希望の方は、割引特典を受けられます。
また、2名様以上同時申込で全員案内登録をしていただいた場合、1名様あたり半額の 18,000円(税別) / 19,800円(税込)となります。

Eメール案内を希望する方
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 36,000円(税別) / 39,600円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 36,000円(税別) / 39,600円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 54,000円(税別) / 59,400円(税込)
Eメール案内を希望しない方
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 40,000円(税別) / 44,000円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 80,000円(税別) / 88,000円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 120,000円(税別) / 132,000円(税込)

アカデミック割引

1名様あたり 24,000円(税別) / 26,400円(税込)

学校教育法にて規定された国、地方公共団体、および学校法人格を有する大学、大学院の教員、学生に限ります。

ライブ配信セミナーについて

本セミナーは「Zoom」を使ったライブ配信セミナーとなります。
お申し込み前に、 Zoomのシステム要件とテストミーティングへの参加手順をご確認いただき、テストミーティングにて動作確認をお願いいたします。
開催日前に、接続先URL、ミーティングID、パスワードを別途ご連絡いたします。
セミナー開催日時に、視聴サイトにログインしていただき、ご視聴ください。
ご自宅への書類送付を希望の方は、通信欄にご住所・宛先などをご記入ください。
タブレットやスマートフォンでも受講可能ですが、機能が制限される場合があります。
ご視聴は、お申込み者様ご自身での視聴のみに限らせていただきます。不特定多数でご覧いただくことはご遠慮下さい。
講義の録音、録画などの行為や、権利者の許可なくテキスト資料、講演データの複製、転用、販売などの二次利用することを固く禁じます。
Zoomのグループにパスワードを設定しています。お申込者以外の参加を防ぐため、パスワードを外部に漏洩しないでください。
万が一、部外者が侵入した場合は管理者側で部外者の退出あるいはセミナーを終了いたします。

本セミナーは終了いたしました。

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光変調器の基礎と技術動向

admin — Sat, 12 Apr 2025 08:01:12 +0000

光変調器の基礎と技術動向

～超高速化・高効率化に向けた課題とその対処策～

オンライン開催

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本セミナーは終了いたしました。

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概要

本セミナーでは、光ファイバ通信や光計測・センシングを支えるキーデバイスの動作原理から最新研究の動向まで解説いたします。

開催日

2025年5月22日(木) 10時30分～ 16時30分

受講対象者

光通信システムのエンジニア
光変調器の動作理論の理解を深めたい方
光通信システムのユーザ
変調器を中心に各部品のスペックや動作原理を知りたい方
光変調器に代表される光デバイスのための材料や加工技術に関心がある方
新たに光通信システムや光変調技術を学びたい方

修得知識

光通信システムの基本構成
光通信システムおよび光無線融合システムの研究動向
光変調の基本原理
光変調器の基本仕様とシステム性能の関係
光変調器の動作理論

プログラム

通信システム・デバイスの現状と研究動向
1. 通信システムの概要
2. 国内外の研究動向
3. 光電融合の必要性と技術課題
光通信システムを支える光変調器
1. 光伝送システムの基本構成
2. 変調信号と帯域幅
3. 波長多重
各種変調技術の概要
1. 直接変調
2. 電界吸収型変調器
3. 電気光学変調器
電気光学変調器の原理
1. 光位相変調器
2. 振幅・強度変調器
3. 最新の変調器構造
4. ベクトル変調
5. 変調器の安定性
デジタル変調への応用
1. 強度変調
2. 位相変調
3. 周波数変調
4. 多値変調
光変調によるサイドバンド発生
1. 位相変調によるサイドバンド発生
2. マッハツェンダー変調器の動作原理
両側波帯変調と単側波帯変調
1. バイアス条件と出力の関係
2. 単側波帯変調を使った光周波数シフト
さらなる高精度化に向けた最新研究成果と計測技術への応用
1. 変調精度のさらなる向上
2. システム実装例
3. 計測技術への応用

質疑応答

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講師

川西哲也氏
早稲田大学理工学術院基幹理工学部電子物理システム学科

教授

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主催

サイエンス＆テクノロジー株式会社

お支払い方法、キャンセルの可否は、必ずお申し込み前にご確認をお願いいたします。

お問い合わせ

本セミナーに関するお問い合わせは tech-seminar.jpのお問い合わせからお願いいたします。

(主催者への直接のお問い合わせはご遠慮くださいませ。)

受講料

1名様

: 38200円 (税別) / 42,020円 (税込)

複数名

: 25000円 (税別) / 27,500円 (税込)

複数名受講割引

2名様以上でお申込みの場合、1名あたり 25,000円(税別) / 27,500円(税込) で受講いただけます。
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 38,200円(税別) / 42,020円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 50,000円(税別) / 55,000円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 75,000円(税別) / 82,500円(税込)
同一法人内 (グループ会社でも可) による複数名同時申込みのみ適用いたします。
請求書は、代表者にご送付いたします。
請求書および領収書は1名様ごとに発行可能です。
申込みフォームの通信欄に「請求書1名ごと発行」とご記入ください。
他の割引は併用できません。
サイエンス&テクノロジー社の「2名同時申込みで1名分無料」価格を適用しています。

アカデミー割引

教員、学生および医療従事者はアカデミー割引価格にて受講いただけます。

1名様あたり 10,000円(税別) / 11,000円(税込)
企業に属している方(出向または派遣の方も含む)は、対象外です。
お申込み者が大学所属名でも企業名義でお支払いの場合、対象外です。

ライブ配信セミナーについて

本セミナーは「Zoom」を使ったライブ配信セミナーとなります。
お申し込み前に、 Zoomのシステム要件とテストミーティングへの参加手順をご確認いただき、テストミーティングにて動作確認をお願いいたします。
開催日前に、接続先URL、ミーティングID、パスワードを別途ご連絡いたします。
セミナー開催日時に、視聴サイトにログインしていただき、ご視聴ください。
セミナー資料は郵送にて前日までにお送りいたします。
開催まで4営業日を過ぎたお申込みの場合、セミナー資料の到着が、開講日に間に合わない可能性がありますこと、ご了承下さい。
ライブ配信の画面上でスライド資料は表示されますので、セミナー視聴には差し支えございません。
印刷物は後日お手元に届くことになります。
ご自宅への書類送付を希望の方は、通信欄にご住所・宛先などをご記入ください。
タブレットやスマートフォンでも受講可能ですが、機能が制限される場合があります。
ご視聴は、お申込み者様ご自身での視聴のみに限らせていただきます。不特定多数でご覧いただくことはご遠慮下さい。
講義の録音、録画などの行為や、権利者の許可なくテキスト資料、講演データの複製、転用、販売などの二次利用することを固く禁じます。
Zoomのグループにパスワードを設定しています。お申込者以外の参加を防ぐため、パスワードを外部に漏洩しないでください。
万が一、部外者が侵入した場合は管理者側で部外者の退出あるいはセミナーを終了いたします。

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大規模AI基盤を支える光電融合技術の基礎と展望

admin — Fri, 06 Dec 2024 06:11:09 +0000

大規模AI基盤を支える光電融合技術の基礎と展望

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概要

開催日

2024年12月16日(月) 13時30分～ 16時30分

修得知識

ムーアの法則終焉に伴い光電融合時代へと至る技術潮流
その要素技術であるシリコンフォトニクス、光電融合実装 (コパッケージ) 、仮想化・ディスアグリゲーションなどの技術概要
光電融合技術がもたらすインパクトとその将来展望に関する知見

プログラム

はじめに:歴史的転換期を迎えたフォトニクス産業
ポストムーアへの潮流と情報通信産業のゲームチェンジ
生成AIの衝撃と光電融合技術の進展
1. I/Oおよびスイッチにおけるボトルネック
2. 光電融合技術のインパクト
3. 北米における技術開発動向
産総研のフォトニクス研究に見る将来展望
1. シリコンフォトニクスとは
2. 光電融合配線基板とコパッケージ
3. 光ネットワークの仮想化とコンピューティングとの融合
まとめ

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講師

並木周氏
国立研究開発法人産業技術総合研究所プラットフォームフォトニクス研究センター

研究センター長

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主催

株式会社シーエムシー・リサーチ

お支払い方法、キャンセルの可否は、必ずお申し込み前にご確認をお願いいたします。

お問い合わせ

本セミナーに関するお問い合わせは tech-seminar.jpのお問い合わせからお願いいたします。

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受講料

1名様

: 40000円 (税別) / 44,000円 (税込)

複数名

: 18000円 (税別) / 19,800円 (税込) (案内をご希望の場合に限ります)

案内割引・複数名同時申込割引について

Eメール案内を希望する方
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 36,000円(税別) / 39,600円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 36,000円(税別) / 39,600円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 54,000円(税別) / 59,400円(税込)
Eメール案内を希望しない方
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 40,000円(税別) / 44,000円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 80,000円(税別) / 88,000円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 120,000円(税別) / 132,000円(税込)

アカデミック割引

1名様あたり 24,000円(税別) / 26,400円(税込)

学校教育法にて規定された国、地方公共団体、および学校法人格を有する大学、大学院の教員、学生に限ります。

ライブ配信セミナーについて

本セミナーは「Zoom」を使ったライブ配信セミナーとなります。
お申し込み前に、視聴環境とテストミーティングへの参加手順をご確認いただき、テストミーティングにて動作確認をお願いいたします。
開催日前に、接続先URL、ミーティングID、パスワードを別途ご連絡いたします。
セミナー開催日時に、視聴サイトにログインしていただき、ご視聴ください。
ご自宅への書類送付を希望の方は、通信欄にご住所・宛先などをご記入ください。
タブレットやスマートフォンでも受講可能ですが、機能が制限される場合があります。
ご視聴は、お申込み者様ご自身での視聴のみに限らせていただきます。不特定多数でご覧いただくことはご遠慮下さい。
講義の録音、録画などの行為や、権利者の許可なくテキスト資料、講演データの複製、転用、販売などの二次利用することを固く禁じます。
Zoomのグループにパスワードを設定しています。お申込者以外の参加を防ぐため、パスワードを外部に漏洩しないでください。
万が一、部外者が侵入した場合は管理者側で部外者の退出あるいはセミナーを終了いたします。

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シリコンフォトニクス光集積回路技術の現状と課題およびその進化

admin — Wed, 17 Jul 2024 13:53:09 +0000

シリコンフォトニクス光集積回路技術の現状と課題およびその進化

～ハイブリッド集積、集積フォトニクス、異種材料集積、光電融合、光電コパッケージ、LiDAR、バイオセンシング、光ニューラルネットワーク etc.～

オンライン開催

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このセミナーは2024年6月に開催したセミナーのオンラインセミナー:オンデマンド配信です。
オンラインセミナーは、お申し込み日より10営業日の間、動画をご視聴いただけます。
お申込は、2024年11月28日まで受け付けいたします。
(収録日:2024年6月27日 ※映像時間:約2時間42分)

概要

本セミナーでは、シリコンフォトニクスについて取り上げ、光電子融合技術へ向けたデバイスの作製技術と開発状況を解説いたします。

申込期間

2024年11月28日(木) 13時00分～ 16時30分

修得知識

シリコンフォトニクスへの光源集積方法
シリコンフォトニクス集積波長可変レーザの動作原理
シリコンフォトニクス集積波長可変レーザの設計方法
シリコンフォトニクス集積波長可変レーザの応用

プログラム

　量産性や経済性に優れる超小型高密度フォトニック集積プラットフォーム技術であるシリコンフォトニクスはDX化社会の基盤インフラである大規模コンピューティングシステムやネットワークシステムの持続的成長に欠かせない技術であり、近年精力的な研究開発と商用化が進行中であることを理解する。
　さらに、シリコンフォトニクスの基本的な特徴と課題、および将来的な進化形態について理解し、当該技術の幅広い応用にむけた基礎知識を得る。

シリコンフォトニクスが求められる背景
1. コンピューティング/ネットワークへの大規模なフォトニクスの導入
2. プラガブルトランシーバーから光電コパッケージへ
3. ディスクリートデバイスから集積フォトニクスへ
シリコンフォトニクスの特徴と現状
1. 小型化、省エネルギー化、ハイブリッド集積による高機能化、光電融合
2. 情報通信以外への応用
  - LiDAR
  - バイオセンシング
3. 産業適用状況
  - プラガブルトランシーバーは商用化
  - コパッケージは絶賛開発中
フォトニクスのパラダイムシフトへ (シリコンフォトニクスの将来展望)
1. パラダイムシフト:桁違いの量的変革+インテリジェントなアーキテクチャ
2. 物理的限界
  - 加工誤差
  - キャリア移動度
  - 光非線形効果
  - 量子的限界
3. 更なる量的変革
  - 300mmウエハプロセス
  - 適応型チューニング
  - 異種材料集積
  - プラズモニクス
4. フォトニクスに適したアーキテクチャ
  - 光ニューラルネット
  - 光演算アクセラレーター
シリコンフォトニクスの産業展開
1. 自動化 (実装、評価、設計) &ファンドリー
2. 産業エコシステム, R&Dエコシステム
シリコンフォトニクスR&Dエコシステム
1. 産総研によるオープンイノベーション活動を例に

質疑応答

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講師

山田浩治氏
国立研究開発法人産業技術総合研究所量子・AI融合技術ビジネス開発グローバル研究センター

招聘研究員

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主催

サイエンス＆テクノロジー株式会社

お支払い方法、キャンセルの可否は、必ずお申し込み前にご確認をお願いいたします。

お問い合わせ

本セミナーに関するお問い合わせは tech-seminar.jpのお問い合わせからお願いいたします。

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受講料

1名様

: 32400円 (税別) / 35,640円 (税込)

複数名

: 22500円 (税別) / 24,750円 (税込)

複数名受講割引

2名様以上でお申込みの場合、1名あたり 22,500円(税別) / 24,750円(税込) で受講いただけます。
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 32,400円(税別) / 35,640円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 45,000円(税別) / 49,500円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 67,500円(税別) / 74,250円(税込)
同一法人内 (グループ会社でも可) による複数名同時申込みのみ適用いたします。
受講券、請求書は、代表者にご郵送いたします。
請求書および領収書は1名様ごとに発行可能です。
申込みフォームの通信欄に「請求書1名ごと発行」とご記入ください。
他の割引は併用できません。
サイエンス&テクノロジー社の「2名同時申込みで1名分無料」価格を適用しています。

アカデミー割引

教員、学生および医療従事者はアカデミー割引価格にて受講いただけます。

1名様あたり 10,000円(税別) / 11,000円(税込)
企業に属している方(出向または派遣の方も含む)は、対象外です。
お申込み者が大学所属名でも企業名義でお支払いの場合、対象外です。

オンデマンドセミナーの留意点

申込み後、すぐに視聴可能なため、本セミナーのキャンセルは承りかねます。 予めご了承ください。
録画セミナーの動画をお手元のPCやスマホ・タブレッドなどからご視聴・学習することができます。
お申し込み前に、視聴環境をご確認いただき、視聴テストにて動作確認をお願いいたします。
3営業日後までに、メールをお送りいたします。
視聴期間は申込日より10営業日の間です。
ご視聴いただけなかった場合でも期間延長いたしませんのでご注意ください。
セミナー資料は、印刷・送付いたしますので、視聴開始後に届きます。
セミナー資料は、申込み日から3営業日以内に発送いたします。
動画視聴・インターネット環境をご確認ください
- セキュリティの設定や、動作環境によってはご視聴いただけない場合がございます。
- サンプル動画が閲覧できるかを事前にご確認いただいたうえで、お申し込みください。
本セミナーの録音・撮影、複製は固くお断りいたします。

本セミナーは終了いたしました。

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シリコンフォトニクスの基礎と応用

admin — Sun, 13 Oct 2024 07:46:38 +0000

実践的で詳細に学ぶ

シリコンフォトニクスの基礎と応用

オンライン開催

シリコンフォトニクス

関連するセミナー・出版物

本セミナーは終了いたしました。

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開催日

2024年11月28日(木) 10時30分～ 16時30分

受講対象者

シリコンフォトニクスに関連する技術者、開発者、担当者、管理者
- 光導波路
- 光部品
- 光ファイバ結合器
- 干渉計
- 共振器
- フィルタ
- アクティブデバイス
- 光変調器
- 光スイッチ
- 光検出器
- シリコンフォトニクスファウンダリ
- データ通信デバイス
- コンピューティング
- センサ
- ヘテロ集積
- 転写プリント
- インフォマティクスとメタ構造
- コパッケージ

修得知識

シリコンフォトニクスの歴史と最新トレンド
シリコンフォトニクスで作られる光部品の構造と機能
シミュレーション法
ファウンダリの利用法
データ作成法
評価法

プログラム

シリコンフォトニクスの概要
1. 発展の歴史
2. 近年のトレンド
光導波路部品
1. 光導波路の製作
2. 光導波路の設計と評価
3. 関連する光部品
4. 光ファイバ結合器
5. 干渉計、共振器、フィルタ
6. 光強度耐性
アクティブ部品
1. アクティブデバイスの製作
2. 熱光学効果
3. キャリアプラズマ効果
4. 光変調器と光スイッチ
5. 光検出器
6. 光源
シリコンフォトニクスファウンダリ
1. 種類と利用法
2. シミュレーションツール
3. データ作成
4. 評価法
5. 実装法
最新の研究開発
1. データ通信デバイス
2. コンピューティング
3. センサ応用
4. ヘテロ集積、転写プリント
5. インフォマティクスとメタ構造
6. 光電協調設計環境
7. コパッケージ
むすび

質疑応答

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講師

馬場俊彦氏
横浜国立大学工学研究院知的構造の創生部門

教授

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主催

サイエンス＆テクノロジー株式会社

お支払い方法、キャンセルの可否は、必ずお申し込み前にご確認をお願いいたします。

お問い合わせ

本セミナーに関するお問い合わせは tech-seminar.jpのお問い合わせからお願いいたします。

(主催者への直接のお問い合わせはご遠慮くださいませ。)

受講料

1名様

: 36200円 (税別) / 39,820円 (税込)

複数名

: 25000円 (税別) / 27,500円 (税込)

複数名受講割引

2名様以上でお申込みの場合、1名あたり 25,000円(税別) / 27,500円(税込) で受講いただけます。
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 36,200円(税別) / 39,820円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 50,000円(税別) / 55,000円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 75,000円(税別) / 82,500円(税込)
同一法人内 (グループ会社でも可) による複数名同時申込みのみ適用いたします。
受講券、請求書は、代表者にご郵送いたします。
請求書および領収書は1名様ごとに発行可能です。
申込みフォームの通信欄に「請求書1名ごと発行」とご記入ください。
他の割引は併用できません。
サイエンス&テクノロジー社の「2名同時申込みで1名分無料」価格を適用しています。

アカデミー割引

教員、学生および医療従事者はアカデミー割引価格にて受講いただけます。

1名様あたり 10,000円(税別) / 11,000円(税込)
企業に属している方(出向または派遣の方も含む)は、対象外です。
お申込み者が大学所属名でも企業名義でお支払いの場合、対象外です。

ライブ配信セミナーについて

本セミナーは「Zoom」を使ったライブ配信セミナーとなります。
お申し込み前に、視聴環境とテストミーティングへの参加手順をご確認いただき、テストミーティングにて動作確認をお願いいたします。
開催日前に、接続先URL、ミーティングID、パスワードを別途ご連絡いたします。
セミナー開催日時に、視聴サイトにログインしていただき、ご視聴ください。
セミナー資料は郵送にて前日までにお送りいたします。
開催まで4営業日を過ぎたお申込みの場合、セミナー資料の到着が、開講日に間に合わない可能性がありますこと、ご了承下さい。
ライブ配信の画面上でスライド資料は表示されますので、セミナー視聴には差し支えございません。
印刷物は後日お手元に届くことになります。
ご自宅への書類送付を希望の方は、通信欄にご住所・宛先などをご記入ください。
タブレットやスマートフォンでも受講可能ですが、機能が制限される場合があります。
ご視聴は、お申込み者様ご自身での視聴のみに限らせていただきます。不特定多数でご覧いただくことはご遠慮下さい。
講義の録音、録画などの行為や、権利者の許可なくテキスト資料、講演データの複製、転用、販売などの二次利用することを固く禁じます。
Zoomのグループにパスワードを設定しています。お申込者以外の参加を防ぐため、パスワードを外部に漏洩しないでください。
万が一、部外者が侵入した場合は管理者側で部外者の退出あるいはセミナーを終了いたします。

本セミナーは終了いたしました。

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シリコンフォトニクス技術

admin — Mon, 21 Oct 2024 12:30:18 +0000

シリコンフォトニクス技術

～ハイブリッド集積、集積フォトニクス、異種材料集積、光電融合、光電コパッケージ、LiDAR、バイオセンシング、光ニューラルネットワーク etc.～

オンライン開催

関連するセミナー・出版物

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ライブ配信セミナーには、特典としてアーカイブ配信が付きます。
アーカイブ配信の視聴期間は2024年11月19日〜25日を予定しております。
ライブ配信を受講しない場合は、「アーカイブ配信」をご選択ください。

概要

本セミナーでは、シリコンフォトニクスについて取り上げ、光電子融合技術へ向けたデバイスの作製技術と開発状況を解説いたします。

開催日

2024年11月12日(火) 13時30分～ 16時30分

受講対象者

シリコンフォトニクス技術を用いた光集積回路開発に従事している研究者・技術者
これからシリコンフォトニクス技術を用いた光集積回路開発に携わる方

修得知識

シリコンフォトニクスの基本コンセプト
シリコンフォトニクスの開発状況
シリコンフォトニクスの応用展開状況
シリコンフォトニクスデバイスの動作原理
シリコンフォトニクス技術の課題と限界

プログラム

　Society5.0やIOWN構想などで代表される社会の急激なDX化においては、情報流通量の爆発的な増大が予想されている。そこで近年、光伝送技術を大規模に導入した経済性やエネルギー効率に優れるコンピューティングスシステムの開発が進みつつある。また、ネットワークシステムの経済性やエネルギー効率の向上にむけた光回路の超小型化や光電子回路融合の技術開発も進みつつある。
　このような背景の下、シリコン電子回路の製造技術をベースとした超小型光電子融合集積回路技術であるシリコンフォトニクスの研究開発が世界中で精力的に進行中である。そこで本セミナーでは、まず第1部において、このシリコンフォトニクス技術の研究開発状況や産業展開状況を紹介する。そして、第2部において、シリコン光導波路やシリコンフォトニクスデバイスの構造や動作について理解を深めるとともに、シリコンフォトニクス技術の限界と課題について議論する。

第1部:シリコンフォトニクス技術の概要と産業展開状況
1. シリコンフォトニクスが求められる背景
  - コンピューティング/ネットワークへの大規模なフォトニクスの導入
  - プラガブルトランシーバーから光電コパッケージへ
  - ディスクリートデバイスから集積フォトニクスへ
2. シリコンフォトニクスの特徴と現状
  - 小型化、省エネ化、ハイブリッド集積による高機能化、光電融合
  - 産業適用状況:光伝送モジュールなど
  - 情報通信以外への応用
    - LiDAR
    - バイオセンシング
3. シリコンフォトニクスの産業展開
  - 自動化&ファンドリー
    - 実装
    - 評価
    - 設計
  - 産業エコシステム、R&Dエコシステム
4. シリコンフォトニクスR&Dエコシステム
  - 産総研によるオープンイノベーション活動を例に
  - 300mmウエハーラインによるシリコンフォトニクス製造
  - コンソーシアム活動やファンドリーサービスを通じた技術の普及
第2部:シリコンフォトニクス技術の基礎
1. シリコン光導波路の構造と特徴
2. ファイバー結合構造
3. 各種光デバイス
  - 分岐/合波デバイス
  - さまざまな波長フィルター
  - 光スイッチ/変調器
  - 受光器
  - 光源
  - 集積化の進展
4. シリコンによるフォトニクスのパラダイムシフトへ
  - シリコンフォトニクスの課題と将来展望

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講師

山田浩治氏
国立研究開発法人産業技術総合研究所量子・AI融合技術ビジネス開発グローバル研究センター

招聘研究員

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主催

株式会社シーエムシー・リサーチ

お支払い方法、キャンセルの可否は、必ずお申し込み前にご確認をお願いいたします。

お問い合わせ

本セミナーに関するお問い合わせは tech-seminar.jpのお問い合わせからお願いいたします。

(主催者への直接のお問い合わせはご遠慮くださいませ。)

受講料

1名様

: 40000円 (税別) / 44,000円 (税込)

複数名

: 18000円 (税別) / 19,800円 (税込) (案内をご希望の場合に限ります)

案内割引・複数名同時申込割引について

Eメール案内を希望する方
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 36,000円(税別) / 39,600円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 36,000円(税別) / 39,600円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 54,000円(税別) / 59,400円(税込)
Eメール案内を希望しない方
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 40,000円(税別) / 44,000円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 80,000円(税別) / 88,000円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 120,000円(税別) / 132,000円(税込)

アカデミック割引

1名様あたり 24,000円(税別) / 26,400円(税込)

学校教育法にて規定された国、地方公共団体、および学校法人格を有する大学、大学院の教員、学生に限ります。

ライブ配信対応セミナー / アーカイブ配信対応セミナー

「Zoom」を使ったライブ配信またはアーカイブ配信セミナーのいずれかをご選択いただけます。
お申し込み前に、視聴環境とテストミーティングへの参加手順をご確認いただき、テストミーティングにて動作確認をお願いいたします。
開催日前に、接続先URL、ミーティングID、パスワードを別途ご連絡いたします。
セミナー開催日時に、視聴サイトにログインしていただき、ご視聴ください。
タブレットやスマートフォンでも受講可能ですが、機能が制限される場合があります。
ご視聴は、お申込み者様ご自身での視聴のみに限らせていただきます。不特定多数でご覧いただくことはご遠慮下さい。
講義の録音、録画などの行為や、権利者の許可なくテキスト資料、講演データの複製、転用、販売などの二次利用することを固く禁じます。

ライブ配信セミナーをご希望の場合

Zoomのグループにパスワードを設定しています。お申込者以外の参加を防ぐため、パスワードを外部に漏洩しないでください。
万が一、部外者が侵入した場合は管理者側で部外者の退出あるいはセミナーを終了いたします。

アーカイブ配信セミナーをご希望の場合

当日のセミナーを、後日にお手元のPCやスマホ・タブレッドなどからご視聴・学習することができます。
配信開始となりましたら、改めてメールでご案内いたします。
視聴サイトにログインしていただき、ご視聴いただきます。
視聴期間は2024年11月19日〜25日を予定しております。
ご視聴いただけなかった場合でも期間延長いたしませんのでご注意ください。

本セミナーは終了いたしました。

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シリコンフォトニクス光集積回路技術の現状と課題およびその進化

admin — Fri, 19 Apr 2024 13:08:37 +0000

シリコンフォトニクス光集積回路技術の現状と課題およびその進化

～ハイブリッド集積、集積フォトニクス、異種材料集積、光電融合、光電コパッケージ、LiDAR、バイオセンシング、光ニューラルネットワーク etc.～

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ライブ配信セミナーには、特典としてアーカイブ配信が付きます。
アーカイブ配信の視聴期間は、2024年6月28日〜7月4日を予定しております。
ライブ配信を受講しない場合は、「アーカイブ配信」をご選択ください。

概要

本セミナーでは、シリコンフォトニクスについて取り上げ、光電子融合技術へ向けたデバイスの作製技術と開発状況を解説いたします。

開催日

2024年6月27日(木) 13時00分～ 16時30分

修得知識

シリコンフォトニクスへの光源集積方法
シリコンフォトニクス集積波長可変レーザの動作原理
シリコンフォトニクス集積波長可変レーザの設計方法
シリコンフォトニクス集積波長可変レーザの応用

プログラム

シリコンフォトニクスが求められる背景
1. コンピューティング/ネットワークへの大規模なフォトニクスの導入
2. プラガブルトランシーバーから光電コパッケージへ
3. ディスクリートデバイスから集積フォトニクスへ
シリコンフォトニクスの特徴と現状
1. 小型化、省エネルギー化、ハイブリッド集積による高機能化、光電融合
2. 情報通信以外への応用
  - LiDAR
  - バイオセンシング
3. 産業適用状況
  - プラガブルトランシーバーは商用化
  - コパッケージは絶賛開発中
フォトニクスのパラダイムシフトへ (シリコンフォトニクスの将来展望)
1. パラダイムシフト:桁違いの量的変革+インテリジェントなアーキテクチャ
2. 物理的限界
  - 加工誤差
  - キャリア移動度
  - 光非線形効果
  - 量子的限界
3. 更なる量的変革
  - 300mmウエハプロセス
  - 適応型チューニング
  - 異種材料集積
  - プラズモニクス
4. フォトニクスに適したアーキテクチャ
  - 光ニューラルネット
  - 光演算アクセラレーター
シリコンフォトニクスの産業展開
1. 自動化 (実装、評価、設計) &ファンドリー
2. 産業エコシステム, R&Dエコシステム
シリコンフォトニクスR&Dエコシステム
1. 産総研によるオープンイノベーション活動を例に

質疑応答

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講師

山田浩治氏
国立研究開発法人産業技術総合研究所量子・AI融合技術ビジネス開発グローバル研究センター

招聘研究員

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主催

サイエンス＆テクノロジー株式会社

お支払い方法、キャンセルの可否は、必ずお申し込み前にご確認をお願いいたします。

お問い合わせ

本セミナーに関するお問い合わせは tech-seminar.jpのお問い合わせからお願いいたします。

(主催者への直接のお問い合わせはご遠慮くださいませ。)

受講料

1名様

: 32400円 (税別) / 35,640円 (税込)

複数名

: 22500円 (税別) / 24,750円 (税込)

複数名受講割引

2名様以上でお申込みの場合、1名あたり 22,500円(税別) / 24,750円(税込) で受講いただけます。
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 32,400円(税別) / 35,640円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 45,000円(税別) / 49,500円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 67,500円(税別) / 74,250円(税込)
同一法人内 (グループ会社でも可) による複数名同時申込みのみ適用いたします。
受講券、請求書は、代表者にご郵送いたします。
請求書および領収書は1名様ごとに発行可能です。
申込みフォームの通信欄に「請求書1名ごと発行」とご記入ください。
他の割引は併用できません。
サイエンス&テクノロジー社の「2名同時申込みで1名分無料」価格を適用しています。

アカデミー割引

教員、学生および医療従事者はアカデミー割引価格にて受講いただけます。

1名様あたり 10,000円(税別) / 11,000円(税込)
企業に属している方(出向または派遣の方も含む)は、対象外です。
お申込み者が大学所属名でも企業名義でお支払いの場合、対象外です。

ライブ配信セミナーについて

本セミナーは「Zoom」を使ったライブ配信セミナーとなります。
お申し込み前に、視聴環境とテストミーティングへの参加手順をご確認いただき、テストミーティングにて動作確認をお願いいたします。
開催日前に、接続先URL、ミーティングID、パスワードを別途ご連絡いたします。
セミナー開催日時に、視聴サイトにログインしていただき、ご視聴ください。
セミナー資料は郵送にて前日までにお送りいたします。
開催まで4営業日を過ぎたお申込みの場合、セミナー資料の到着が、開講日に間に合わない可能性がありますこと、ご了承下さい。
ライブ配信の画面上でスライド資料は表示されますので、セミナー視聴には差し支えございません。
印刷物は後日お手元に届くことになります。
ご自宅への書類送付を希望の方は、通信欄にご住所・宛先などをご記入ください。
タブレットやスマートフォンでも受講可能ですが、機能が制限される場合があります。
ご視聴は、お申込み者様ご自身での視聴のみに限らせていただきます。不特定多数でご覧いただくことはご遠慮下さい。
講義の録音、録画などの行為や、権利者の許可なくテキスト資料、講演データの複製、転用、販売などの二次利用することを固く禁じます。
Zoomのグループにパスワードを設定しています。お申込者以外の参加を防ぐため、パスワードを外部に漏洩しないでください。
万が一、部外者が侵入した場合は管理者側で部外者の退出あるいはセミナーを終了いたします。

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シリコンフォトニクスに向けた要素技術の解説とデバイスへの応用展望

admin — Mon, 13 Nov 2023 13:20:49 +0000

シリコンフォトニクスに向けた要素技術の解説とデバイスへの応用展望

～実現に向けた微細加工プロセス、光電コパッケージ、異種材料集積技術を解説～

オンライン開催

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開催日

2024年1月16日(火) 10時30分～ 16時30分

プログラム

第1部シリコンフォトニクスを実現する微細加工、集積技術の解説

(2024年1月16日 10:30〜12:00)

これから半導体工場で働く人、半導体の開発に取り組む人に向けた包括的な微細加工プロセスの説明
微細加工プロセスを開発するさいに根本となるスキル、考え方、戦略を解説
世界最高Q値を持つシリコンフォトニック結晶ナノ共振器をプロセス改善により開発してきた経験からくる実践的な内容
製造工場における静電気対策の大切さ、難しさを説明

半導体製造装置を用いてシリコンフォトニクスチップを製作する一連のプロセスを説明
パターンを決めるフォトリソグラフィー、ナノ構造を形成するドライエッチング、現像・リンスなどの化学プロセス、アクティブ機能を付与するPNドーピングこれら各プロセスのエッセンス、今後の開発方針で重要となる戦略を解説
半導体チップの微細加工を行う現場現場における注意点
微細加工の例として高Q値シリコンフォトニック結晶ナノ共振器を取り上げる

質疑応答

第2部シリコンフォトニクスを用いた光電コパッケージ用パッケージ基板の開発動向

(2024年1月16日 13:00〜14:30)

　人工知能 (AI) の急速な発達に伴って、多数のサーバを用いた並列計算を実現する大容量、低遅延、低電力なネットワークが求められている。現在の半導体パッケージでは、電気配線部分でのエネルギー効率や遅延の問題から、入出力帯域幅に制限がある。光電コパッケージ技術はパッケージ上に光素子を実装する技術であり、電気配線部分を短くすることで、入出力帯域幅のボトルネックを解消すると期待されている。
　本講座では光電コパッケージの研究背景や世界的な研究動向について解説し、弊所にて開発を進めている、高密度な光電融合が可能な光電コパッケージ技術について紹介する。

光電コパッケージ技術の概要
1. なぜ光電コパッケージか?
2. 光電コパッケージのロードマップ
3. 最近の光電コパッケージ研究動向
シリコンフォトニクスを用いたパッケージ基板の開発
1. 光パッケージに足りない技術は?
2. シリコンフォトニクスを用いたパッケージ基板の概要
3. 各種要素技術
  1. シングルモードポリマー導波路
  2. 光コネクタ
  3. マイクロミラー光再配線構造
  4. 熱解析
  5. インプリントを用いた実装技術開発
4. 試作と信号伝送評価結果
5. 今後の課題
まとめ

質疑応答

第3部 Siプラットフォーム上光デバイスの最近の進展と集積・測定技術の解説

(2024年1月16日 14:40〜16:10)

　シリコンプラットフォーム上の光デバイスの現状を述べたのち、将来のさらなる高性能化のために、異種材料を組み合わせた光集積回路の必要性について、議論する。
　その後、具体的な異種材料集積技術とそれを利用したデバイスについて、現状を述べたい。また、シリコンフォトニクスの大量生産を支えるコア技術となるウェハレベル測定技術についてその特長と利用のためのポイントを概説する。

シリコンを利用した光デバイス
異種材料集積技術を中心とした集積・実装技術
異種材料集積技術を利用したシリコンプラットフォーム上光デバイス・集積回路
大規模一括測定のためのウェハレベルプロービング技術

質疑応答

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講師

高橋和氏
大阪公立大学大学院工学研究科電子物理系専攻

准教授
中村文氏
国立研究開発法人産業技術総合研究所プラットフォームフォトニクス研究センター光実装研究チーム

研究員
西山伸彦氏
東京工業大学工学院

教授

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主催

株式会社技術情報協会

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お問い合わせ

本セミナーに関するお問い合わせは tech-seminar.jpのお問い合わせからお願いいたします。

(主催者への直接のお問い合わせはご遠慮くださいませ。)

受講料

1名様

: 55000円 (税別) / 60,500円 (税込)

複数名

: 50000円 (税別) / 55,000円 (税込)

複数名同時受講割引について

2名様以上でお申込みの場合、1名あたり 50,000円(税別) / 55,000円(税込) で受講いただけます。
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 55,000円(税別) / 60,500円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 100,000円(税別) / 110,000円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 150,000円(税別) / 165,000円(税込)
同一法人内による複数名同時申込みのみ適用いたします。
受講券、請求書は、代表者にご郵送いたします。
他の割引は併用できません。

アカデミック割引

1名様あたり 30,000円(税別) / 33,000円(税込)

日本国内に所在しており、以下に該当する方は、アカデミック割引が適用いただけます。

学校教育法にて規定された国、地方公共団体、および学校法人格を有する大学、大学院、短期大学、附属病院、高等専門学校および各種学校の教員、生徒
病院などの医療機関・医療関連機関に勤務する医療従事者
文部科学省、経済産業省が設置した独立行政法人に勤務する研究者。理化学研究所、産業技術総合研究所など
公設試験研究機関。地方公共団体に置かれる試験所、研究センター、技術センターなどの機関で、試験研究および企業支援に関する業務に従事する方

支払名義が企業の場合は対象外とさせていただきます。
企業に属し、大学、公的機関に派遣または出向されている方は対象外とさせていただきます。

ライブ配信セミナーについて

本セミナーは「Zoom」を使ったライブ配信セミナーとなります。
お申し込み前に、視聴環境とテストミーティングへの参加手順をご確認いただき、テストミーティングにて動作確認をお願いいたします。
開催日前に、接続先URL、ミーティングID、パスワードを別途ご連絡いたします。
セミナー開催日時に、視聴サイトにログインしていただき、ご視聴ください。
セミナー資料は郵送にて前日までにお送りいたします。
開催まで4営業日を過ぎたお申込みの場合、セミナー資料の到着が、開講日に間に合わない可能性がありますこと、ご了承下さい。
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印刷物は後日お手元に届くことになります。
ご自宅への書類送付を希望の方は、通信欄にご住所・宛先などをご記入ください。
タブレットやスマートフォンでも受講可能ですが、機能が制限される場合があります。
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講義の録音、録画などの行為や、権利者の許可なくテキスト資料、講演データの複製、転用、販売などの二次利用することを固く禁じます。
Zoomのグループにパスワードを設定しています。お申込者以外の参加を防ぐため、パスワードを外部に漏洩しないでください。
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シリコンフォトニクスの最新動向と光集積回路の作製

admin — Tue, 12 Oct 2021 04:11:56 +0000

シリコンフォトニクスの最新動向と光集積回路の作製

オンライン開催

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概要

本セミナーでは、シリコンフォトニクスについて取り上げ、光電子融合技術へ向けたデバイスの作製技術と開発状況を解説いたします。

開催日

2021年12月7日(火) 10時30分～ 16時15分

修得知識

シリコンフォトニクスへの光源集積方法
シリコンフォトニクス集積波長可変レーザの動作原理
シリコンフォトニクス集積波長可変レーザの設計方法
シリコンフォトニクス集積波長可変レーザの応用

プログラム

第1部シリコンフォトニクス技術の現状と産業展開にむけたR&Dエコシステム

(2021年12月7日 10:30〜12:00)

　Society 5.0などの概念で代表される来るべき超情報接続社会においては,情報流通量の爆発的な増大が予想されている。そこで近年、光伝送技術を大規模に導入した経済性やエネルギー効率に優れるコンピューティングスシステムの開発が進みつつある。また、ネットワークシステムの経済性やエネルギー効率の向上にむけた光回路の超小型化や光電子回路融合化の技術開発も進みつつある。このような背景のもと、シリコン電子回路の製造技術をベースとした経済性とエネルギー効率に優れた超小型光電子融合集積回路技術であるシリコンフォトニクスの研究開発が世界中で進行中である。
　本稿では、このシリコンフォトニクス技術の開発状況と応用状況について述べるとともに、当該技術の幅広い産業展開を支援する研究開発エコシステムとして、産業技術総合研究所を中心とした産学官連携体制の例を紹介する。

背景
1. サイバーエコシステム化する社会・コンピューティングとネットワークの爆発成長
2. フォトニクスによる情報流通ハードウェアの省エネ化と大規模なフォトニクスの導入にむけた課題
シリコンフォトニクス～その特徴と現状～
1. シリコンフォトニクスの技術的特徴
2. シリコンフォトニクスの技術開発状況
シリコンフォトニクスの産業エコシステム化にむけて
1. スケーラブル実装技術・光源集積自動化・自動化ウエハーレベル検査・設計自動化
2. シリコンフォトニクスファブ
3. 自律的R&Dエコシステム
産業エコシステム構築にむけた産総研シリコンフォトニクス技術
1. 産総研のシリコンフォトニクス基礎技術
2. 標準シリコンフォトニクス
3. 先進シリコンフォトニクス
4. シリコンフォトニクスエコシステム

質疑応答

第2部シリコンフォトニクス集積波長可変レーザの開発動向

(2021年12月7日 13:00〜14:30)

　Ⅲ – Ⅴ属半導体を用いた従来のモノリシック半導体レーザを開発するためには、大型の製造装置と製造プロセスに関する膨大なノウハウの蓄積が不可欠であった。対してシリコンフォトニクス集積波長可変レーザは、ファウンドリーの利用によってファブレスで種々の機能性レーザを実現する事が可能である。本講演では、シリコンフォトニクス集積波長可変レーザの動作原理、設計手法を解説し、本レーザの大容量通信、自動運転への応用の取り組みについて紹介する。

シリコンフォトニクスデバイスへの光源集積
1. エッジ結合集積
2. エバネッセント結合集積
3. シリコン上への化合物半導体の直接成長
シリコンフォトニクス集積波長可変レーザ
1. 動作原理
2. 狭線幅波長可変レーザ
3. 広波長可変帯域レーザ
4. 高速波長切り替えレーザ
5. 量子ドット2波長レーザ
シリコンフォトニクス集積波長可変レーザの応用
1. デジタルコヒーレント光通信
2. Radio over Fiber用光源
3. レーザビームスキャナ
まとめ

質疑応答

第3部シリコンフォトニクスを用いた異種材料集積光変調器の開発

(2021年12月7日 14:45〜16:15)

　シリコンフォトニクスは、CMOS技術を用いてシリコン基板上に光集積回路を作製する技術体系である。CMOS技術の微細化の進展に伴い、2010年代に大きく技術が進展した結果、データセンター用光インターコネクション素子として実用化されるなど、今後一層の応用拡大が期待される。電気信号を光信号に変換するシリコン光変調器は光トランシーバーの作製に必須のデバイスである一方、シリコン中の自由キャリア効果を使った光変調器の性能向上は限界を迎えつつある。この課題を解決する手法として、様々な材料を組み合わせた異種材料集積光変調器が活発に研究されている。
　本講演では、シリコン光変調器の現状や課題について述べたのち、異種材料集積技術を用いた様々な光変調器の最新動向について紹介する。

シリコンフォトニクス概要
1. これまでに歴史
2. シリコン光変調器の課題
3. 異種材料集積を用いたシリコン光変調器の現状
III – V/SiハイブリッドMOS光変調器
1. キャリア蓄積型
2. 逆バイアス印加動作
3. リング共振器型
III – V CMOSフォトニクスを用いた光変調器
1. EA変調器
2. InP/EOポリマーハイブリッド変調器
3. グラフェン/InPハイブリッド光変調器
Ge CMOSフォトニクスを用いた光変調器
1. GeOIプラットフォーム概要
2. キャリア注入型吸収変調器
3. キャリア注入型位相変調器
まとめ

質疑応答

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講師

山田浩治氏
国立研究開発法人産業技術総合研究所量子・AI融合技術ビジネス開発グローバル研究センター

招聘研究員
北智洋氏
早稲田大学先進理工学研究科物理学及応用物理学専攻

准教授
竹中充氏
東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻

教授

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主催

株式会社技術情報協会

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お問い合わせ

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受講料

1名様

: 55000円 (税別) / 60,500円 (税込)

複数名

: 50000円 (税別) / 55,000円 (税込)

複数名同時受講割引について

2名様以上でお申込みの場合、1名あたり 50,000円(税別) / 55,000円(税込) で受講いただけます。
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 55,000円(税別) / 60,500円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 100,000円(税別) / 110,000円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 150,000円(税別) / 165,000円(税込)
同一法人内による複数名同時申込みのみ適用いたします。
受講券、請求書は、代表者にご郵送いたします。
他の割引は併用できません。

アカデミック割引

1名様あたり 30,000円(税別) / 33,000円(税込)

日本国内に所在しており、以下に該当する方は、アカデミック割引が適用いただけます。

学校教育法にて規定された国、地方公共団体、および学校法人格を有する大学、大学院、短期大学、附属病院、高等専門学校および各種学校の教員、生徒
病院などの医療機関・医療関連機関に勤務する医療従事者
文部科学省、経済産業省が設置した独立行政法人に勤務する研究者。理化学研究所、産業技術総合研究所など
公設試験研究機関。地方公共団体に置かれる試験所、研究センター、技術センターなどの機関で、試験研究および企業支援に関する業務に従事する方

ライブ配信セミナーについて

本セミナーは「Zoom」を使ったライブ配信セミナーとなります。
お申し込み前に、視聴環境とテストミーティングへの参加手順をご確認いただき、テストミーティングにて動作確認をお願いいたします。
開催日前に、接続先URL、ミーティングID、パスワードを別途ご連絡いたします。
セミナー開催日時に、視聴サイトにログインしていただき、ご視聴ください。
セミナー資料は郵送にて前日までにお送りいたします。
開催まで4営業日を過ぎたお申込みの場合、セミナー資料の到着が、開講日に間に合わない可能性がありますこと、ご了承下さい。
ライブ配信の画面上でスライド資料は表示されますので、セミナー視聴には差し支えございません。
印刷物は後日お手元に届くことになります。
ご自宅への書類送付を希望の方は、通信欄にご住所・宛先などをご記入ください。
タブレットやスマートフォンでも受講可能ですが、機能が制限される場合があります。
ご視聴は、お申込み者様ご自身での視聴のみに限らせていただきます。不特定多数でご覧いただくことはご遠慮下さい。
講義の録音、録画などの行為や、権利者の許可なくテキスト資料、講演データの複製、転用、販売などの二次利用することを固く禁じます。
Zoomのグループにパスワードを設定しています。お申込者以外の参加を防ぐため、パスワードを外部に漏洩しないでください。
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シリコンフォトニクスの基礎と光トランシーバの集積化・高密度化応用

admin — Tue, 08 Jun 2021 05:32:18 +0000

シリコンフォトニクスの基礎と光トランシーバの集積化・高密度化応用

～これからの時代に必要な大容量光インターコネクションのキーテクノロジー～

オンライン開催

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受講者特典 : アーカイブ (見逃し) 配信付き
視聴期間は終了翌営業日から7日間を予定 (2021年7月30日～8月5日)

開催日

2021年7月29日(木) 13時00分～ 16時00分

修得知識

シリコンフォトニクスの基礎
シリコンフォトニクスの今後の研究
シリコンフォトニクスのビジネス展開

プログラム

　IT化やDX化と言われる中で、LSIの高性能化が益々求められているが、その進化の限界も見え始めている。それに代わって、多数のLSIをつなぐことで並列化により性能を向上する方向へ変化しつつある。
　ここでは、そのLSIをつなぐ技術を牽引し、LSIと同様のシリコンを用いてフォトニクス回路を実現できるシリコンフォトニクス技術の基礎と、その代表的な応用である光トランシーバへの適用に関して、課題と展望を交えて解説する。

背景
1. 半導体の進化と課題
2. 光で何ができるのか?
3. シリコンフォトニクスとは?
4. シリコンフォトニクスのメリットは何か?
シリコンフォトニクスの基礎
1. シリコン光導波路の進化 – 損失との闘い –
2. 光変調器の種類と動作原理 – 高速性能を求めて –
3. 受光器の種類と動作原理
4. 光源の種類と実装 – 内部光源か外部光源か –
5. 光ファイバーの実装
シリコンフォトニクスによる光トランシーバの集積化・高密度化の進展
1. 光トランシーバとは?
2. 光トランシーバに求められているものは?
3. シリコンフォトニクスによる集積化の進展
4. 光トランシーバのスケーリングの課題と今後の展望
  - 光変調器のスケーリング
  - 光ファイバー実装のスケーリング
  - デザインのスケーリング
  - オペレーションのスケーリング
今後の展望
1. データセンタやハイパフォーマンスコンピューティングへの展開

質疑応答

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講師

中村隆宏氏
技術研究組合光電子融合基盤技術研究所研究統括部

研究統括部長

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主催

サイエンス＆テクノロジー株式会社

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受講料

1名様

: 30400円 (税別) / 33,440円 (税込)

複数名

: 20000円 (税別) / 22,000円 (税込)

複数名受講割引

2名様以上でお申込みの場合、1名あたり 20,000円(税別) / 22,000円(税込) で受講いただけます。
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 30,400円(税別) / 33,440円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 40,000円(税別) / 44,000円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 60,000円(税別) / 66,000円(税込)
同一法人内 (グループ会社でも可) による複数名同時申込みのみ適用いたします。
受講券、請求書は、代表者にご郵送いたします。
請求書および領収書は1名様ごとに発行可能です。
申込みフォームの通信欄に「請求書1名ごと発行」とご記入ください。
他の割引は併用できません。
サイエンス&テクノロジー社の「2名同時申込みで1名分無料」価格を適用しています。

アカデミー割引

教員、学生および医療従事者はアカデミー割引価格にて受講いただけます。

1名様あたり 10,000円(税別) / 11,000円(税込)
企業に属している方(出向または派遣の方も含む)は、対象外です。
お申込み者が大学所属名でも企業名義でお支払いの場合、対象外です。

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シリコンフォトニクスと光インターコネクト実装技術

editor — Tue, 05 Aug 2014 11:37:20 +0000

シリコンフォトニクスと光インターコネクト実装技術

東京都開催会場開催

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開催日

2014年10月31日(金) 13時00分～ 16時30分

プログラム

光インタコネクトの開発動向
1. 光インターコネクトとは
2. 背景
3. I/Oボトルネック
4. 領域、光トランシーバ、光配線の動向
Siフォトニクス
1. 背景
2. Siフォトニクスとは
3. Siフォトニクスを取り巻く環境、動向
4. PETRAの開発状況
  1. 目標
  2. 光エレクトロニクス実装の取り組み
  3. 実用化への取り組み
総括、展望

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講師

蔵田和彦氏
技術研究組合光電子融合基盤技術研究所サブプロジェクトリーダー光エレ実装基盤技術統轄

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会場

株式会社オーム社オームセミナー室

東京都千代田区神田錦町3-1

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主催

株式会社トリケップス

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1名様

: 43000円 (税別) / 46,440円 (税込)

1口

: 56000円 (税別) / 60,480円 (税込) (3名まで受講可)

割引特典について

複数名同時受講:
1口 56,000円(税別) / 60,480円(税込) (3名まで受講可能)

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次世代高速・高周波伝送部材の開発動向

admin — Wed, 18 Jun 2025 13:26:14 +0000

次世代高速・高周波伝送部材の開発動向

～低誘電樹脂、高周波回路基板、半導体パッケージ材料、光電融合～

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ご案内

低誘電損失材料の開発事例
- 低誘電化と接着性を両立したエポキシ樹脂の開発
- 次世代高速通信用多層積層板向けPPE樹脂の設計
- 低粗度銅箔への密着性に優れた溶剤可溶型ポリイミド樹脂
- 接着性を有するフッ素樹脂の設計と回路基板への適用
- 液晶ポリマーの成形加工とフィルム化技術
- オレフィン系低誘電フィルムの銅張積層板への応用
- 低誘電ハロゲンフリー難燃剤の特性と応用事例
- 次世代高速伝送対応ガラスクロスの開発技術動向
微細回路形成と密着性向上
- 半導体パッケージ基板に用いられる難接着材料の表面改質と密着性向上
- アドバンスドパッケージ用硫酸銅めっきプロセス
- 乾式工法による高密着Cuシード層と微細回路形成
- ガラス基板上への低抵抗・密着性Cu層形成技術
半導体パッケージ基板材料の開発事例
- 次世代パッケージ用有機コア材の開発と低低熱膨張化
- 高速通信向け感光性層間絶縁フィルムの要求特性、開発動向
- 先端半導体パッケージ用ソルダーレジストの要求特性、開発動向
- 再配線層向け感光性フィルムの開発事例
- ハイエンドコンピュータ用パッケージ基板の物性評価技術
- FO-WLP、FO-PLPにおけるコンプレッション成形と最新の封止技術
- 先端半導体パッケージの伝熱経路と熱設計
- WOWプロセス用高耐熱接着剤の開発事例
Co-Packaged Opticsと集積化技術
- Co-Packaged Opticsの適用形態開発動向、課題
- ポリマー光導波路を用いた小型・高密度な光実装技術
- 電気配線を極限まで削減した次世代光電コパッケージの開発
- シリコンフォトニクス高速光集積回路の開発状況
- 低消費電力・低遅延化へ向けた光トランシーバの最新動向
- 光インターコネクト向け光コネクタの開発動向

1.高速大容量伝送のトレンドとプリント基板の基礎知識
- 1.1 差動伝送方式を用いた高速シリアル伝送のトレンド
- 1.2 シングルエンド伝送方式を用いた高速シリアル伝送のトレンド
- 1.3 高速シリアル伝送の基本
- 1.4 高速大容量伝送
- 1.5 パラレル伝送とシリアル伝送の例
- 1.6 多値伝送方式
- 1.7 デジタル信号波形 (“1”“0”交番) と周波数成分
- 1.8 デジタル信号波形 (ランダムパターン) と周波数成分
- 1.9 特性インピーダンス
- 1.10 差動信号伝送
- 1.11 伝送損失 (インサーションロス)
- 1.12 反射 (リターンロス)
- 1.13 デシベル (dB)
2.プリント基板の材質の影響と選定方法
- 2.1 プリント基板の絶縁層が伝送損失に及ぼす影響
- 2.2 波形シミュレーションと精度
3.プリント基板の設計状態・構造の影響と対策
- 3.1 スルーホールのインピーダンスコントロールの効果
- 3.2 インピーダンス制御スルーホールのスタブの影響と対策
- 3.3 部品実装用パッドのインピーダンスコントロールの効果
- 3.4 リターンロス (S11) 規格の具体例
- 3.5 コネクタ実装部位の設計最適化によるリターンロスの改善とシミュレーション方法
- 3.6 べたプレーンの共振による伝送特性の劣化と対策
- 3.7 電磁界シミュレーションソフトウェア

第2節低伝送損失基板用低誘電・高接着ポリイミド樹脂の開発と応用事例

1.背景
2.樹脂設計
3.樹脂特性
4.FPC向け接着剤特性
- 4.1 用途例 (高速伝送FPC用FCCL)
- 4.2 用途例 (低誘電ボンディングシート)
- 4.3 用途例 (リジッド基板用銅箔プライマー)

第3節高周波基板向けオレフィン系低誘電フィルムの特性とその応用

1.オレフィン系低誘電フィルム「オイディス?」
- 1.1 低誘電特性
- 1.2 高周波配線板用フィルムの開発
2.高周波配線板用途への応用展開
- 2.1 銅張積層板の作製
- 2.2 基板信頼性評価
  - 2.2.1 線間絶縁抵抗試験 (JIS C5016 9.4)
  - 2.2.2 線間耐電圧試験 (JIS C5016 7.5)
  - 2.2.3 冷熱サイクル試験 (JIS C5016 9.1)
  - 2.2.4 ホットオイル試験 (JIS C5016 9.3)
  - 2.2.5 ピール試験 (JIS C5016 8.1)
  - 2.2.6 イオンマイグレーション試験 (JPCA-DG03)

第4節液晶ポリマーの成形加工とフィルム化技術

1.LCPの特徴
- 1.1 LCPの溶融状態での特徴
- 1.2 LCPの種類
  - 1.2.1 タイプの違いによるLCPの種類
  - 1.2.2 LCPの成形加工上の特性
2.LCP成形技術
- 2.1 射出成形
  - 2.1.1 射出成形で使用されるLCP組成物
  - 2.1.2 射出成形工程における問題
- 2.2 押出成形
  - 2.2.1 押出成形によるLCPフィルム
  - 2.2.2 Tダイ成形
  - 2.2.3 インフレーション成形
- 2.3 溶液キャスト成形
  - 2.3.1 溶液キャスト成形によるフィルム
- 2.4 分散液キャスト成形
- 2.5 特許から見るLCPフィルム化の試み
  - 2.5.1 Tダイで横方向に磁場をかける製膜方法
  - 2.5.2 2層Tダイの各層の吐出方向を交差させる製膜方法
  - 2.5.3 インレーション成形で皺を取るフィルム製膜

第5節高速高周波用フッ素系プリント基板材料の開発動向

1.高性能フッ素樹脂の進化とその特性、接着性フッ素樹脂の開発
- 1.1 フッ素樹脂の特性と利点・欠点
- 1.2 接着性フッ素樹脂の開発
2.既存の低損失基板材料とフッ素樹脂との比較
- 2.1 現行の低損失基板材料の課題
- 2.2 低損失材料の銅箔密着力と、導体損失とのトレードオフ
- 2.3 基板材料としてのフッ素樹脂の特性と使用の難点
- 2.4 基板材料として好適な接着性フッ素樹脂の開発
3.接着性フッ素樹脂を用いた複合材料の回路基板適用例
- 3.1 接着性フッ素樹脂のフレキシブル基板への適用例
- 3.2 リジッド基板への適用例

第6節 VUV処理による難接着材料の表面改質と密着性向上

1.半導体パッケージ技術
2.光の種類と光化学反応
3.エキシマランプによるVUV照射
4.パッケージ基板に用いられる難接着材料
5.VUV処理による表面改質事例
6. 難接着材料の表面改質と密着性向上

第7節化学溶液析出法によるガラス基板上への低抵抗・密着性Cu層形成技術

1.ガラス基板上へのCu層の化学的形成のための中間層設計
2.ガラス基板上への低抵抗・密着性Cu層の化学的形成
3.化学溶液析出 (Chemical Bath Deposition, CBD) 法の熱力学的理解
4.化学溶液析出 (CBD) 法によるCu (OH) 2/Cu (O,S) 積層体形成の熱力学

第8節プラズマ表面改質による接着剤・前処理フリー直接接着技術

1.プラズマの基礎と表面改質のメカニズム
- 1.1 プラズマとは
- 1.2 プラズマ処理とは
- 1.3 プラズマ表面改質
- 1.4 プラズマ表面改質に待望でされている領域
- 1.5 各種接合形成方法
2.表面改質の原理
- 2.1 今までの表面改質・前処理
2,2 表面改質プロセス
- 2.3 プラズマ表面改質の原理
3.表面改質処理、めっき作製及び評価
- 3.1 フッ素樹脂、LCP樹脂の表面改質処理およびめっき条件
- 3.2 特性評価
4.プラズマ表面改質の評価
- 4.1 表面改質による表面構造と接触角
- 4.2 プラズマ表面改質による表面の化学状態分析
5.表面改質による直接めっき
- 5.1 フッ素樹脂の直接めっき
- 5.2 LCP樹脂の直接めっき
- 5.3 ガラス基板への直接めっき
6.樹脂/金属、樹脂/樹脂の直接接着
- 6.1 フッ素樹脂、LCP樹脂とCuとの直接接着
- 6.2 樹脂同士の直接接着
7.プラズマ表面改質による直接接着の評価
8.信頼性・高周波特性評価
9.事例紹介
- 9.1 ビア、スルーホールへの高密着直接銅めっき
- 9.2 コアを用いた誘電体フイルムの多層膜形成
- 9.3 積層回路基板作製
- 9.4 細線回路形成例

第9節プラズマ表面改質と熱圧着による銅薄膜とPTFE基板の接合技術

1.プラズマとは
- 1.1 プラズマの基礎
- 1.2 プラズマの定義
- 1.3 プラズマの生成
2.プラズマによる表面改質
- 2.1 プラズマによる表面改質メカニズム
- 2.2 プラズマ技術を活用した分子結合による新規表面処理
- 2.3 銅薄膜に対するSAM形成表面改質による表面機能化
- 2.4 PTFEに対するSAM形成表面改質による表面機能化
3.銅薄膜とPTFE基板の接合
- 3.1 ダイレクトボンディング技術
- 3.2 接着層を介在しての接合

第10節プリント配線基板用ガラスクロスの要求特性と高速伝送への対応

1.プリント配線基板材料としてのガラスクロス
- 1.1 ガラスヤーン
- 1.2 ガラスクロス
2.高速伝送対応ガラスクロスの開発
- 2.1 低誘電ガラス組成開発
- 2.2 ガラスクロスの誘電率ばらつきの低減化
  - 2.2.1 ガラスクロスの開繊加工技術
  - 2.2.2 Glass Weave Skewの評価

第2章低誘電樹脂の開発動向と誘電率の評価

第1節エポキシ樹脂の低誘電化と接着性との両立

1.樹脂材料の低誘電化に向けた設計手法
2.誘電特性の観点から見た場合のエポキシ樹脂
3.低誘電エポキシ樹脂の開発事例
- 2.1 低分子タイプ
  - 2.1.1 フッ素原子の導入によるアプローチ
  - 2.1.2 分子設計、分子の回転運動の抑制によるアプローチ (フッ素原子非含有のエポキシ樹脂)
- 2.2 中分子タイプ
- 2.3 高分子タイプ

第2節次世代高速通信用多層積層板向けPPE樹脂の設計とその特性評価

1.VS-PPEの開発
- 1.1 開発コンセプト
- 1.2 VS-970の性状
- 1.3 VS-970の硬化物特性
2.VS-970系組成物の評価とモルホロジー解析
- 2.1 VS-970/SEBS系
  - 2.1.1 VS-970/SEBS系硬化物評価結果
  - 2.1.2 VS-970/SEBS系モルホロジー観察
  - 2.1.3 VS-970/SEBS系モルホロジー形成メカニズム
- 2.2 VS-970/反応性希釈剤系
  - 2.2.1 反応希釈剤の選定
  - 2.2.2 反応希釈剤の評価結果
- 2.3 VS-970/tBS/H1041系
3.積層板作製
- 3.1 VS-970配合系積層板の特性
4.補足評価
- 4.1 周波数依存性
- 4.2 組成物設計思想の検証
5.結論

第3節低誘電特性を有するマレイミド樹脂の設計と応用

1.マレイミド樹脂とは
2.マレイミド樹脂の反応性
3.マレイミドの単独重合における硬化性各種開始剤/硬化促進剤比較
4.マレイミド樹脂の硬化物性
5.マレイミド樹脂の構造と誘電特性
6.マレイミド樹脂の高周波領域、および高温領域における誘電特性
7.難燃性
8.高機能化各種の材料との配合
- 8.1 エポキシ樹脂との配合
- 8.2 ポリフェニレンエーテル類との配合
- 8.3 炭化水素樹脂の配合
9.マレイミド樹脂を超える高耐熱・低誘電樹脂開発の試み

第4節液状ビスマレイミドの開発とそれを利用した低線膨張複合材料への展開

1.高速通信における材料とその性質
- 1.1 電磁波の伝送速度と材料の関係
- 1.2 誘電率と材料の関係
- 1.3 低誘電材料と課題
2.液状ビスマレイミド LMIシリーズの開発
- 2.1 開発の経緯
- 2.2 LMIシリーズ
  - 2.2.1 LMIシリーズの熱硬化
  - 2.2.2 LMIシリーズの光硬化
- 2.3 LMIシリーズを用いたシリカ複合材料
  - 2.3.1 シリカとの複合化
  - 2.3.2 シリカ複合硬化物の機械・熱特性
  - 2.3.3 シリカ複合硬化物の硬化度

第5節芳香族ビニル化合物の精密重合技術と5G/6G時代の高周波基板向け芳香族ビニル系低誘電損失材料の開発

1.芳香族ビニル化合物と精密重合技術
2.ハーフチタノセンを用いたスチレンのシンジオ特異性リビング重合
- 2.1 芳香族ビニル化合物から誘導される機能材料に対する先端情報通信技術分野に於ける要求
- 2.2 次世代高速・高周波基板材料の材料設計
- 2.3 多分岐構造を有する可溶性ジビニルベンゼン系樹脂の合成
- 2.4 多分岐構造を有する可溶性ジビニルベンゼン系樹脂の特性
- 4.6G時代に向けた次世代低誘電材料の開発の取り組み
- 4.1 接着性の末端官能基を有する分岐ポリマーの開発

第6節 1,2-PB及び1,2-SBSの特性と高周波銅張積層板への応用

1.CCLの技術背景
2.高速通信CCL樹脂層に求められる特性
- 2-1 低誘電 (Df, Dk)
3.熱硬化性材料としてのポリブタジエン
- 3-1 ポリブタジエンユニットの硬化
- 3-2 ポリブタジエンユニットの架橋方法
- 3-3 ポリブタジエン硬化物の物性
- 3-4 スチレンブタジエンスチレン共重合体 (SBS)
- 3.5 分岐型二重結合含有難燃剤の添加
- 3.6 分岐型二重結合含有シランカップリング剤
4.熱硬化性ポリブタジエンの応用展開
- 4.1 ポリブタジエンユニットの酸化
- 4.2 部分的な水素化
- 4.3 1,2-ポリブタジエンユニットと機能性ユニットとの共重合体
  - 4.3.1 耐熱性を有するユニットとの共重合
  - 4.3.2 Tgに影響を及ぼす化学構造要素
  - 4.3.3 Tgに影響を及ぼす側鎖の化学構造
  - 4.3.4 CCLに必要とされる耐熱性ユニット
  - 4.3.5 PIBMAの立体効果
  - 4.3.6 共重合体への応用
  - 4.3.7 PB/PIBMA共重合体硬化物の物性
  - 4.3.8 PB共重合体溶解性試験
  - 4.3.9 PB/PIBMA共重合体の混合物の硬化

第7節アルカリ性水溶液で加工できる低誘電ポリマーの設計とその特性

1.アルカリ性水溶液を現像液に用いたネガ型感光性絶縁材料と誘電特性
2.β-ケト酸を含むポリマーの設計
3.サンプルの作製
- 3.1 β-ケト酸を含むポリマー (PHEMAMal) の合成
- 3.2 β-ケト酸を含むポリマー (PHEMAMal) の成膜
4.β-ケト酸を含むポリマー (PHEMAMal) の熱誘起脱炭酸反応
- 4.1 熱重量測定 (TGA) による解析
5.β-ケト酸を含むポリマー (PHEMAMal) の誘電特性

第8節低誘電ポリマー/セラミックスのハイブリッド化と発泡・多孔質化技術

1.社会的背景
2.基板材料の開発状況
3.コンパウンディングの意味
- 3.1 COP-アルミナ複合材料
4.多孔質化による低誘電、低損失化のアプローチ
5.国際競争と目標スペック

第9節構造制御シルセスキオキサンの合成法と低誘電率材料への応用

1.構造制御シルセスキオキサン (SQ) の合成
- 1.1 かご型SQの合成
  - 1.1.1 一種類の置換基を有するT8化合物 (T8R8) の合成
  - 1.1.2 二種類の置換基を有するT8化合物 (T8RxR’ (8-x) ) の合成
  - 1.1.3 大型POSS (Tn、n > 8) の合成
- 1.2 ダブルデッカー型SQ (DDSQ) の合成
  - 1.2.1 四つの同一反応基を有するDDSQ
  - 1.2.2 二つの同一反応基を有するDDSQ
  - 1.2.3 非対称DDSQ (ヤヌスDDSQ) の合成
- 1.3 ラダー型SQ (LDSQ) の合成
  - 1.3.1 二環式LDSQの合成
  - 1.3.2 三環式LDSQの合成
  - 1.3.3 多環式LDSQ (三つ以上の縮合環をもつ) の合成
2.構造制御SQに基づく低誘電率材料
- 2.1 POSSに基づく低誘電率材料
- 2.2 DDSQに基づく低誘電率材料

第10節低誘電ハロゲンフリー難燃剤の特性と応用技術

1.伝送遅延と伝送損失
2.誘電理論と分子設計
- 2.1 比誘電率と Clausius-Mossotti の式
- 2.2 誘電正接とデバイ緩和
3.PQ-60難燃劑の特?
4.PQ-60難燃劑の応用例

第11節 5G, 6Gへ向けた低誘電性材料の3Dプリンティング技術

1.低誘電性材料の3Dプリンティング
- 1.1 低誘電性材料を用いる材料押出し法 (MEX法)
- 1.2 低誘電性材料を用いる粉末床溶融法 (PBF法)
- 1.3 低誘電性材料を用いる液槽光重合法 (VPP法)

第12節ミリ波での誘電率・導電率測定手法と装置の性能評価

1.ミリ波誘電率・導電率測定の重要性
- 1.1 誘電率とは
  - 1.1.1 ミリ波における誘電率測定の重要性
- 1.2 導電率とは
  - 1.2.1 ミリ波における導電率測定の重要性
2.誘電率と導電率が伝送に及ぼす影響
- 2.1 基板内の伝送損失
  - 2.1.1 ミリ波の誘電率・導電率と性能の関係
  - 2.1.2 誘電損失
  - 2.1.3 導電損失
3.誘電率・導電率の実測
- 3.1 誘電正接と比導電率の周波数特性
- 3.2材料測定の基本装置
  - 3.2.1 ミリ波における材料測定において重要な3つの物
  - 3.2.2 ネットワークアナライザ
  - 3.2.3 治具
  - 3.2.4 ソフトウェア
- 3.3 誘電率測定装置
  - 3.3.1 スプリットシリンダ共振器
  - 3.3.2 ファブリペロー共振器
  - 3.3.3 空洞共振器 (TM共振器)
  - 3.3.4 フリースペース法
- 3.4 導電率測定装置
  - 3.4.1 ファブリペロー共振器 (導電率)
4.ミリ波誘電率測定治具の見極め方
- 4.1 装置の見極めはとても重要
  - 4.1.1 委託測定で同じ試料を複数社に依頼したら値が異なった?
- 4.2 測定器選定の時に注意して見る点
  - 4.2.1 周波数特性が載っていない場合
  - 4.2.2 簡単に測定できる値しか載せていない
  - 4.2.3 スケールが意味もなく大きい
  - 4.2.4 複数種の測定治具で同じ値が出るか?
- 4.3 ミリ波導電率測定治具の見極め方
  - 4.3.1 周波数特性が載っていない場合
  - 4.3.2 簡単に測定できる値しか載っていない場合

第13節自由空間法を用いたミリ波/テラヘルツ波帯誘電率計測技術と高確度化

1.自由空間法を用いた誘電率測定
2.測定系と測定方法
3.角スペクトル法を用いた解析手法
4.電磁界解析シミュレーションによる解析手法の妥当性検証
5.不確かさ解析
6.低損失材料の誘電率測定結果

第3章先端半導体パッケージの材料開発

第1節マイクロプロセッサパッケージの構造、伝熱経路と熱シミュレーション

1.マイクロプロセッサパッケージの構造
- 1.1 マイクロプロセッサパッケージ
- 1.2 チップレットアーキテクチャ
2.マイクロプロセッサの伝熱経路と熱設計
- 2.1 マイクロプロセッサの伝熱経路
- 2.2 マイクロプロセッサのTDPと熱設計
- 2.3 マイクロプロセッサに使用される放熱機構
3.三次元熱シミュレーション
- 3.1 三次元熱シミュレーションの流れ
- 3.2 マイクロプロセッサパッケージの熱モデル
4.チップレットアーキテクチャを採用したマイクロプロセッサの熱シミュレーション
- 4.1 チップレットアーキテクチャを採用したマイクロプロセッサパッケージとモデル領域
- 4.2 シミュレーション結果
- 4.3 熱回路網によるシミュレーション結果の考察

第2節先端半導体パッケージ向け低熱膨張有機コア材の開発と要求特性

1.半導体パッケージの市場動向
2.FC-BGAから次世代パッケージへ
3.次世代パッケージに必要な要素技術と技術トレンド
4.有機コアの構成材料
5.次世代パッケージ用有機コア材の課題と開発動向
- 5.1 2.xD、3Dパッケージングにおける課題:基板の大面積化と反り
- 5.2 コア材の物性と基板の反りに関するシミュレーション
- 5.3 有機コア材の低CTE化
- 5.3 低熱膨張有機コア材の技術の方向性
- 6.2.XDパッケージの構造との平坦化・高板厚精度を追求した「TYPE-F」コア特性
7.NEDOのJOINT2 100×100 mm 2.5Dパッケージ信頼性評価
8.次世代有機コアと次世代ガラスコアの特性比較

第3節三次元半導体パッケージに向けた耐熱樹脂材料

1.ハイブリッドボンディング用接合材料
2.封止樹脂の開発動向
3.感光性材料の開発動向
4.低誘電損失材料
5.高熱伝導材料
6.基板材料
7.将来に向けてシリコンフォトニクスなど

第4節高速通信半導体パッケージ基板向け感光性層間絶縁フィルムの開発動向

1.高速移動通信システムの動向と課題
2.プリント配線板の動向
3.ビア形成手法
- 3.1 レーザー開口の課題
- 3.2 フォトリソグラフィーの適用
4.配線形成手法
5.感光性層間絶縁フィルムの開発状況
- 5.1 誘電損失の低減
  - 5.1.1 極性基の低減
  - 5.1.2 極性基の発生抑制
  - 5.1.3 低誘電樹脂の適用 (今後の展望)
- 5.2 ビアの形成性
- 5.3 めっき銅接着力の向上
  - 5.3.1 めっき銅接着力の課題
  - 5.3.2 界面接着力の向上
  - 5.3.3 界面接着力の向上に関する弊社の取り組み
  - 5.3.4 機械的強度の向上

第5節先端半導体パッケージ用ソルダーレジストと再配線層向けフィルム

1.半導体パッケージ用ソルダーレジスト
- 1.1 ソルダーレジストについて
- 1.2 半導体パッケージ用ソルダーレジスト
2.再配線層用フィルム

第6節ハイエンドコンピュータ用CPUパッケージ基板の物性評価技術

1.熱機械物性評価
- 1.1 熱膨張
- 1.2 粘弾性
  - 1.2.1 熱硬化樹脂硬化状態評価への応用
  - 1.2.2 BU絶縁樹脂フィルム材料ラミネート条件検討への応用
- 1.3 実装シミュレーションへの適用
2.耐熱性評価

第7節先端半導体パッケージにおけるモールディング技術の最新動向

1.パッケージ技術の要求課題
- 1.1 大判化要求サイズ
- 1.2 大判化パッケージの課題
2.パッケージングの大判化技術
- 2.1 コンプレッション成形技術
- 2.2 キャビティダウン成形技術
- 2.3 真空成形技術
3.その他WLP/PLP品質要求
- 3.1 クリーンレベルの要求
- 3.2 樹脂封止装置サイズ大型化の抑制
4.先端パッケージ封止技術
- 4.1 AI半導体、GPU

第8節中真空PVDプロセスによる微細回路形成と密着性評価

1.中真空PVD装置について
- 1.1 装置原理
- 1.2 装置概要
2.プリント配線基板への応用について
- 2.1 プリント配線基板シード層への技術要求
- 2.2 プリント配線基板プロセス
- 2.3 プリント配線基板材料への密着評価方法
- 2.4 プリント配線基板材料への密着評価結果
- 2.5 樹脂リジッド基板材料への密着評価結果
- 2.6 樹脂リジッド基板材料への回路形成と評価
- 2.7 樹脂リジッド量産基板サイズへの微細回路作製
- 2.8 フィルム材への配線形成
3.前工程のドライプロセス化に向けて
- 3.1 はじめに
- 3.2 ドライ方式のデスミア検討
- 3.3 ドライアイスブラスト後基板への密着評価結果
- 3.4 ルースフィラー除去モデル

第9節 Advanced Packaging 用硫酸銅めっきプロセスの開発動向

1.半導体集積回路における硫酸銅めっき技術の利用
2.パッケージ基板の配線形成技術
3.Advanced Packaging用硫酸銅めっきプロセスの開発
- 3.1 TSV用硫酸銅めっきプロセス
- 3.2 有機インターポーザー用硫酸銅めっきプロセス
- 3.3 TGV用硫酸銅めっきプロセス
- 3.4 Hybrid bonding 用硫酸銅めっきプロセス
- 3.5 Cuピラー用硫酸銅めっきプロセス

第10節負熱膨張材料による三次元集積回路の熱応力制御

1.金属マイクロバンプとアンダーフィル間の熱膨張係数差による熱応力
- 1.1 熱応力の評価
- 1.2 半導体素子への熱応力の影響
- 1.3 負熱膨張微粒子によるアンダーフィルの熱膨張係数低減
2.TSV形成プロセスに起因した熱応力
- 2.1 TSV形成プロセス起因の熱応力が半導体素子へ与える影響
- 2.2 負熱膨張材料によるTSV起因熱応力の抑制手法の検討

第11節ヘテロジニアス集積化へ向けた常温・低温接合技術の最新動向

1.半導体デバイス製造に用いられる接合技術
- 1.1 半導体の直接接合技術
- 1.2 中間層を介した半導体の接合技術
2.表面活性化接合技術
- 2.1 半導体の直接接合
- 2.2 金属薄膜の直接接合

第12節 Wafer-On-Waferプロセス用高耐熱樹脂の設計とその評価

1.耐熱性樹脂の設計
- 1.1 耐熱性とは
- 1.2 有機樹脂の耐熱性
- 1.3 有機-無機ハイブリッド樹脂の耐熱性
2.熱安定性評価
- 2.1 耐熱分解性
- 2.2 接着性
3.加工性評価
- 3.1 軟化性評価
- 3.2 実プロセスでの検証

第4章高速高周波通信向け電子部品の開発動向

第1節大容量高速通信へ向けた積層セラミックコンデンサの小型大容量化

1.高速大容量通信とMLCC
2.MLCCの基本構造
3.MLCCの製造方法
4.MLCCの基本特性
5.小型化
6.dcバイアス特性
7.高耐圧化
8.高容量化
9.高周波化

第2節チタン酸バリウムナノキューブによるMLCC薄層化技術の開発

1.誘電層の薄層化における課題
- 1.1 誘電体粒子のナノ粒子化
- 1.2 従来プロセスにおける誘電層の薄層化
2.チタン酸バリウムナノキューブ
3.ナノキューブの単層膜集積技術
4.ナノキューブ単層膜の結晶構造及び圧電特性評価
5.ナノキューブ単層膜を誘電層とする超薄層キャパシタ構造の開発

第3節 5G、6Gに向けた高周波弾性波デバイスの技術動向と今後の課題

1.SAWデバイス
- 1.1 高次モードSAW
- 1.2 高音速LLSAWを用いた高周波化
- 1.3 ハーモニックSAW
  - 1.3.1 IDTの電極幅を変更したハーモニックSAW
  - 1.3.2 基板中へIDT電極を埋め込み構造
2.BAW
- 2.1 圧電膜の薄膜化
- 2.2 オーバートーン高周波BAWデバイス
- 2.3 分極反転構造高周波BAWデバイス
- 2.4 XBAWとYBAW
3.板波
- 3.1 LN薄板
- 3.2 LT薄板
- 3.3 AlN、ScAlN薄膜
- 3.4 LN薄板積層構造

第4節高速・高周波信号向けZnOバリスタの開発動向

1.要求される特性と課題
- 1.1 なぜ低静電量化が必要か
- 1.2 バリスタの静電容量の成り立ちと高周波対応の課題
- 1.3 内部電極 (貴金属) の卑金属化
2.高周波対応および卑金属化
- 2.1 新種のバリスタ材料の開発経緯
- 2.2 放電原理内蔵による超低容量化
- 2.3 卑金属内部電極の積層バリスタ
- 2.4 フィルタ機能付きバリスタ

第5節 Beyond 5G/6G向け広帯域GaN増幅器モジュール

1.5G基地局向け送信用GaN増幅器モジュール
1.1 ドハティ増幅器の基礎と広帯域化
1.2 ドハティ増幅器の小型・広帯域化の両立
- 1.2.1 集中定数で構成する小型周波数補償回路
- 1.2.2 寄生容量を負荷変調回路に吸収する設計手法

2.Beyond 5G/6G向け超広帯域デジタル制御GaN増幅器

第6節高周波向け熱硬化型磁性インキの開発と磁気特性の向上

1.開発の背景
- 1.1 5Gの普及と電子材料への要求特性
- 1.2 インキタイプの磁性材料
2.磁性インキに求められる特性
- 2.1 磁気特性
- 2.2 作業性
- 2.3 高信頼性
- 2.4 目標スペックまとめ
3.磁性材料の開発1 磁気特性の向上
- 3.1 試験方法
- 3.2 磁性インキの基本設計
- 3.3 フィラーの選定
- 3.4 磁性フィラーの高充填化
- 3.5 インキの高密度化
  - 3.5.1 硬化温度と磁気特性の関係
  - 3.5.2 分散性モノマーの導入
5.磁性材料の開発2 作業性と高信頼性
- 4.1 粘度安定性の向上
- 4.2 硬化後の反り
- 4.3 絶縁抵抗値の向上
6.まとめ現状の磁性インキの特性

第7節表面実装抵抗器の使いこなし方と熱設計手法の最新動向

1.半導体と抵抗器の熱的仕様の考え方の違い
- 1.1 半導体の熱的仕様と負荷軽減曲線
- 1.2 リード線形抵抗器の放熱先
- 1.3 リード線形抵抗器の熱的仕様と負荷軽減曲線
- 1.4 抵抗器のカテゴリ電力
2.表面実装抵抗器の規格であるIEC60115-8の改訂
- 2.1 規格改訂の背景
  - 2.1.1 表面実装抵抗器温度の基板依存性
  - 2.1.2 表面実装抵抗器の温度管理部位を周囲温度とした場合の問題点
  - 2.1.3 表面実装抵抗器が誕生したころの定格電力と近年の定格電力アップ
  - 2.1.4 IEC60115-8旧版で定められていた推奨試験基板
- 2.2 端子部温度規定とIEC60115-8新版への適用
  - 2.2.1 端子部温度規定は多様化したあらゆるプリント配線板に対応可能
  - 2.2.2 推奨試験基板の刷新
  - 2.2.3 推奨試験基板の特性の開示
  - 2.2.4 抵抗器メーカーが推奨試験基板以外の試験基板を使って試験を実施した場合の対応
  - 2.3.5 新版に沿って抵抗器メーカー試験時の端子部温度を確認するフローチャート
  - 2.2.6 壁付け (筐体放熱) など新しい放熱方式への対応
  - 2.2.7 表面実装抵抗器におけるカテゴリ電力
3.基板放熱型熱設計
- 3.1 プリント配線板の放熱能力限界
- 3.2 単体熱抵抗と目標熱抵抗による放熱対策の仕分け
- 3.3 目標熱抵抗を満たすプリント配線板上の専有面積の見積もり手法1
- 3.4 目標熱抵抗を満たすプリント配線板上の専有面積の見積もり手法2

第5章光インターコネクトの開発動向と集積化技術

第1節 Co-Packaged Opticsの開発動向とポリマー導波路を用いた小型・高効率光結合技術

1.Co-Packaged Opticsの適用形態と課題
- 1.1 データ伝送速度の高速化と高速電気伝送への影響
- 1.2 Co-Packaged Opticsの適用形態
- 1.3 Co-Packaged Opticsと技術課題
2.ポリマー光導波路を用いた小型・高効率光結合
- 2.1 90°曲げ円形GIコアポリマー光導波路を用いた光実装構造
- 2.2 NA制御による小径90°曲げ導波路の高効率光結合
- 2.3 導波路構造の最適化検討
- 2.4 光導波路の試作と光伝送評価
- 2.5 今後の展望

第2節三次元配線を用いた次世代光電コパッケージの開発

1.アクティブオプティカルパッケージ基板の製作
- 1.1 概要
- 1.2 ポリマー光導波路形成技術
- 1.3 曲面マイクロミラー形成技術
  - 1.3.1 リソグラフィー技術による下部ミラーの製作
  - 1.3.2 ナノインプリント技術による上部ミラーの製作
2.アクティブオプティカルパッケージ基板の光リンク評価
- 2.1 熱解析シミュレーション及び高温環境下での動作実証
- 2.2 10テラビット級の大容量光伝送を実現するAOP基板の製作

第3節有限要素法による光導波路解析とその効率化

1.有限要素法による光導波路解析
- 1.1 導波路伝搬解析
- 1.2 固有モード解析
- 1.3 要素次数と解析精度
2.伝搬演算子を用いた光導波路不連続問題の効率的な解析法
- 2.1 有限要素法に基づく伝搬演算子法
- 2.2 平方根行列の計算方法
3.緩慢変化包絡線近似を利用した導波路伝搬解析の効率的な解析法
- 3.1 有限要素ビーム伝搬法
- 3.2 緩慢変化包絡線近似有限要素法 (SVEA-FEM)
- 3.3 構造不連続部を有する導波路の伝搬解析法
4.任意構造に対する光導波路の効率的な解析法
- 4.1 開領域問題を扱うための境界条件
- 4.2 有限要素法に基づく散乱演算子法

第4節データセンター向け光トランシーバの最新動向

1.急速に拡大するクラウドデータセンターマーケットの背景とトレンド
- 1.1 高速化のトレンド
- 1.2 低消費電力化及び低遅延化のトレンド
2.データコム系光トランシーバの最新動向
- 2.1 次世代イーサネット光インターフェース規格化の最新動向
- 2.2 800Gbps及び1.6Tbpsプラガブル光トランシーバモジュール
- 2.3 高消費電力効率及び低遅延へ向けたアプローチ
  - 2.3.1 Linear Drive Pluggable Optics (LPO)
  - 2.3.2 Co-Packaged Optics (CPO)
- 2.3 低消費電力化のロードマップ
- 2.4 LPO及びCPO普及への見通し

第5節光ファイバ無線システム用アンテナ集積型量子井戸光位相変調器

1.デバイス構造および理論
- 1.1 化合物半導体光変調器
- 1.2 アンテナ集積型量子井戸光位相変調器デバイスの概要
- 1.3 五層非対称結合量子井戸 (FACQW)
- 1.4 光導波路構造
- 1.5 アンテナ構造
2.デバイス作製プロセス
3.アンテナ集積量子井戸光変調器の変調特性
- 3.1 キャリア対サイドバンド比 (CSR)
- 3.2 60GHz帯信号照射下での変調特性
- 3.3 60GHz帯無線信号復調特性

第6節光インターコネクト向け光コネクタの開発動向

1.光配線・光インターコネクションについて
2.フロントパネルにおける高密度実装
3.On-board Optics (OBO) における接続形態
4.Co-packaged Optics (CPO) における接続形態
5.その他接続技術

第7節シリコンフォトニクスプラットフォームの高速光集積回路の開発状況と今後の展望

1.データセンタにおける高速光集積回路
- 1.1 並列光トランシーバ
- 1.2 高速化の現状と展望
- 1.3 高速化の制限要因
  - 1.3.1 電子回路との接続
  - 1.3.2 光集積回路における制限要因
2.高速化に向けた光・電子集積
- 2.1 二次元集積
- 2.2 2.5次元集積
- 2.3 再配置層を介した集積
3.光変調器の高速化:制限要因
- 3.1 光変調器の構成
  - 3.1.1 光変調器の動作原理
  - 3.1.2 光変調器の構成
  - 3.1.3 III-V系変調器
- 3.2 高速化の制限要因
  - 3.2.1 移動時間
  - 3.2.2 速度不整合
  - 3.2.3 RC時定数
4.光変調器の高速化:CMOSベースの視点から
- 4.1 CMOSベースの高速位相変調部

第8節異種材料を用いたシリコンフォトニクスデバイスの集積化技術

1.異種化合物半導体集積シリコンフォトニクスデバイス
- 1.1 III-V族化合物半導体集積技術
- 1.2 Si上への異種半導体結晶成長
- 1.3 薄膜転写法 (μ-トランスファープリンティング)
2.薄膜ニオブ酸リチウム光変調器
3.機能性有機材料集積導波路型光デバイス
- 3.1 EOポリマー集積Si光変調器
- 3.2 液晶装荷導波路型光デバイス
4.磁気光学材料集積光非相反デバイス
- 4.1 直接接合法による集積型光非相反デバイス
- 4.2 薄膜転写法μ-トランスファープリンティング
- 4.3 堆積技術を用いた光アイソレータ

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ISBNコード

978-4-86798-054-5

発行年月

2024年12月

販売元

tech-seminar.jp

価格

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次世代高速通信に対応する光回路実装、デバイスの開発

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- 4.2 Co-Packaged Opticsを用いたサーバアーキテクチャ
- 4.3 CPO光トランシーバ
- 4.4 Co-Packaged Opticsの進展

第5節電気光学 (EO) ポリマーを用いたBeyond 5G無線通信に向けた無線-光信号変換デバイスの研究開発

1. はじめに
2. EOポリマーの転写技術とスラブ導波路型デバイス
3. 無線-光信号変換デバイス
4. まとめと展望

第3章高速光制御に向けた電気光学ポリマー (EO) 、透明樹脂材料の開発

第1節電気光学 (EO) ポリマーに向けた分極したπ共役化合物の合成

1. EO色素の構成
2. EO色素のポリマーへの分散,結合

第2節ポリマー光導波路向け感光性樹脂組成物の設計と微細加工技術

1. 光導波路用感光性樹脂の材料設計
- 1.1 光導波路用材料に求められる物性と課題因子
- 1.2 光学特性の付与
  - 1.2.1 低損失
  - 1.2.2 光閉じ込め性
- 1.3 耐熱特性の付与
  - 1.3.1 光導波路の黄変
  - 1.3.2 酸化防止剤添加の効果
- 1.4 機械特性の付与
- 1.5 微細加工性の付与
  - 1.5.1 ネガ型フォトリソグラフィーによる光導波路の作製
  - 1.5.2 感光性樹脂組成物の設計
  - 1.5.3 パターニングエラーのモードと改善策
2. 特色ある光導波路の作製方法
- 2.1 フォトブリーチング法
- 2.2 フォトアドレス法
- 2.3 リアクティブイオンエッチング (RIE) 法
3. 光導波路材料の設計における留意点

第4章精密光デバイス作製に向けた加工、研磨技術

第1節マイクロ非球面光学部品の超精密加工

1. ガラス製マイクロレンズの成形
- 1.1 光通信用マイクロガラスレンズ
- 1.2 ガラスレンズ量産成形の原理
- 1.3 ガラスレンズ成形装置およびシステム
- 1.4 凝固収縮過程おける変形補正システム
- 1.5 マイクロガラスレンズ試作成形事例
  - 1.5.1 成形条件
  - 1.5.2 成形レンズの形状精度
2. マイクロ軸対称非球面の研削
- 2.1 マイクロ非球面研削システム
- 2.2 砥石摩耗を考慮に入れた砥石軌跡計算
- 2.3 研削結果
3. 非軸対称非球面の研削加工
- 3.1 自由局面の研削加工の原理

第2節小型・精密光学素子の開発と製造、加工技術

1. 光学部品用材料と加工方法
- 1.1 光学用材料と代表的な光学部材加工例
- 1.2 硬化性樹脂の特徴
- 1.3 硬化性樹脂の硬化条件
- 1.4 硬化性樹脂の加工による屈折率変動
- 1.5 硬化性樹脂を用いた光学部品の加工方法
2. 高耐熱・小型・精密光学部品について
- 2.1 小型精密部品の加工方法に関する硬化性樹脂の優位性
- 2.2 光学部品に対する耐熱要求
- 2.3 リフロー対応の小型光学部品について
3. 硬化性樹脂を用いた光学部品の事例
- 3.1 ハイブリッド型
- 3.2 LIMレンズ
- 3.3 耐熱反射防止コート

第5章シリコンフォトニクスの光デバイスへの応用

第1節シリコンフォトニクス集積回路の製造・評価プラットフォームの開発

1. シリコンフォトニクス集積プロセスの構成と特徴
- 1.1 集積プロセスに要求されるもの
- 1.2 集積プロセスの構成
2. シリコンフォトニクス集積デバイスの評価
- 2.1 光ウェーハプロービングシステム
- 2.2 受光器
- 2.3 変調器
- 2.4 プロセスモニタリング

第2節シリコンフォトニクスを用いた光通信帯域対応光渦多重器の開発

1. シリコンフォトニクスを用いた光渦多重
2. 光渦・偏波多重素子の構成
3. 開発素子の評価

第3節シリコンフォトニクスを用いたハイブリッド集積波長可変レーザの開発

1. シリコン外部共振器を用いたハイブリッド波長可変レーザ
- 1.1 二重リング構造を用いた波長可変フィルタ
- 1.2 ハイブリッド波長可変レーザの発振特性
  - 1.2.1 L-I特性、波長可変動作
  - 1.2.2 ハイブリッド集積波長可変レーザの狭線幅発振
2. 集積二波長可変レーザ
- 2.1 二波長可変フィルタ
- 2.2 二波長可変レーザの発振特性

第4節量子ドット半導体レーザとその光集積回路への応用

1. 光デバイスのモノリシック集積とハイブリッド (ヘテロジニアス) 集積
2. 組成混晶化を用いたモノリシック集積
- 2.1 組成混晶化技術
- 2.2 組成混晶化の1.55μm帯量子ドット構造への応用
  - 2.2.1 フォトルミネッセンスによるバンドギャップ変化の評価
  - 2.2.2 TEMによる量子ドット構造の分析
- 2.3 組成混晶化を用いた量子ドットレーザの特性
- 2.4 集積素子

第5節シリコンフォトニクスにおけるゲルマニウム集積受光器技術

1. Ge層のエピタキシャル成長と光吸収スペクトル
- 1.1 エピタキシャル成長
- 1.2 面内引張格子ひずみと光吸収スペクトル
2. Ge集積受光器
- 2.1 カットオフ周波数
- 2.2 集積受光器の構造
- 2.3 Ge集積受光器の特性例

第6節光ニューラルネットワークとリザバー計算回路による光アクセラレーション

1. 光コンピューティングについて
- 1.1 ポストムーア時代と光コンピューティング
- 1.2 光通信と光コンピューティグ
- 1.3 光通信から光演算へ、そして光通信へ
2. ニューラルネットワークの概要とその分類
3. NNと行列・ベクトル積
4. 光NNの分類と研究動向
- 4.1 Mach-Zehnder interferometer (MZI) を用いた方式
- 4.2 光波長多重化とマイクロリングを用いた方式
- 4.3 回折による波面変換を用いた方式
5. リザバー計算:学習を“サボる“新しい計算パラダイム
- 5.1 リザバー計算とは
- 5.2 シリコンフォトニック光リザバー計算回路
6. 光ファイバ通信への応用

第6章高出力・高効率なレーザ光源の開発

第1節デジタルヒーレント通信を支える光半導体デバイス技術の最新動向

1. 光ファイバ増幅器用高出力光半導体励起光源の進展
- 1.1 エルビウム添加光ファイバ増幅器 (EDFA) 用励起光源
- 1.2 ファイバラマン増幅器用励起光源
- 1.3 光ファイバ増幅器用励起光源の高出力化
- 1.4 光ファイバ増幅器用励起光源の構成
- 1.5 1480/14xx-nm帯光ファイバ増幅器用励起光源の高出力化
- 1.6 新しい励起光源 (前方励起ラマン増幅器用励起光源) への取り組み
- 1.7 今後の進展
2. 高出力狭線幅波長可変光源の進展
- 2.1波長可変レーザの種類
- 2.2 DFBアレイ型狭線幅波長可変レーザ
- 2.3 モノリシック集積DBR型狭線幅波長可変レーザ
- 2.4 高集積広帯域小型トランシーバ実現への取り組み

第2節第5世代移動通信システム基地局用100Gbps EML CANの開発

1. EML設計
2. EML CAN設計
- 2.1 従来構造と開発目標の比較
- 2.2 広帯域化設計
  - 2.2.1 ステムとFPC間のGND強化
  - 2.2.2 内部構造のインピーダンス整合
3. EML CAN 評価結果
- 3.1 周波数応答特性
- 3.2 光波形
- 3.3 BER
- 3.4 消費電力

第3節高Q値ナノ共振器を用いた低閾値シリコンラマンレーザーの開発と今後の展望

1. シリコンラマンレーザー研究
- 1.1 ラマン散乱
- 1.2 誘導ラマン散乱
- 1.3 シリコン細線導波路を用いたラマンレーザー
- 1.4 ラマンシリコンレーザー発振に重要となる3要素
2. 高Q値ナノ共振器を用いた超低閾値シリコンラマンレーザー
- 2.1 高Q値ナノ共振器構造
- 2.2 レーザー発振特性
- 2.3 誘導ラマン散乱の増強方法
3. ナノ共振器シリコンラマンレーザーの高機能化
- 3.1 1.2 μm帯ナノ共振器シリコンラマンレーザー
- 3.2 デュアル動作波長1.31/1.55 ?mを持つナノ共振器シリコンラマンレーザーチップ
- 3.3 CMOS互換プロセスによる作製
4. ナノ共振器シリコンラマンレーザーを利用した応用の研究
- 4.1 空間電荷の検知
- 4.2 ブロードな光によるラマンレーザー発振の探求

第4節超短パルスファイバーレーザー光源の開発と光通信波長帯における極短パルス生成

1. ファイバレーザー
2. 高繰り返し能動モード同期ファイバレーザー
3. 受動モード同期超短パルスファイバレーザー
- 3.1 ファイバ非線形効果を用いたファイバレーザー
- 3.2 可飽和吸収体を用いたファイバレーザー
4. ファイバレーザーを用いた超短パルス発生
- 4.1 13 fs 極短パルスの発生
- 4.2 シミラリトン増幅器を用いた高出力超短パルス光の発生
5. 広帯域超短パルス光源の開発

第5節半導体量子ドットを用いたレーザ光源の開発と応用展望

1. 半導体量子ドットの特徴と形成方法
2. 量子ドットの実現方法
3. 量子ドットレーザ開発の進展
4. シリコンフォトニクスへの適用

第7章光導波路の作製技術と光デバイスへの応用

第1節マルチコア光ファイバ作製技術の開発動向

1. MCF母材の各種製造技術
- 1.1 穿孔法
- 1.2 スタック法
- 1.3 クラッド一括合成法
- 1.4 スラリーキャスト法
- 1.5 非開削法
2. 非開削法
- 2.1 非開削法によるMCF母材の設計
- 2.2 非開削法により作製したMCFの特性

第2節光渦を安定して空間伝搬する螺旋ポリマーファイバーの開発

1. 光誘起ファイバー形成
2. ラゲールガウスモードとベッセルビーム
3. 螺旋ファイバー

第3節ポリマー光導波路の開発状況と展望

1. 様々なポリマー光導波路
- 1.1 ポリマー光導波路のためのポリマー材料とその要求仕様
- 1.2 ポリマー材料の光学特性
2. ポリマー光導波路の作製法
- 2.1 光導波路構造
- 2.2 矩形コア導波路
- 2.3 円形コア導波路
3. モスキート法により作製されたポリマー光導波路の応用例
- 3.1 マルチモード・シングルモード導波路
- 3.2 3次元導波路
- 3.3 テーパ導波路の作製とスポットサイズコンバータ (SSC) 機能の評価
- 3.4 SiPhチップとの実装形態

第4節シリコン基板上における化合物半導体の集積化技術と半導体レーザへの応用

1. InP-シリコン基板を用いた集積化技術
2. InP-シリコン基板の作製技術
3. InP-シリコン基板上への有機金属気相成長法による結晶成長
4. InP-シリコン基板上GaInAsP系半導体レーザの特性
- 4.1 InP-シリコン基板上ダブルヘテロ (DH) レーザ
- 4.2 InP-シリコン基板上量子井戸レーザ
- 4.3 InP-シリコン酸化膜/シリコン基板上表面電極構造レーザ
- 4.4 InP-シリコン基板上埋込構造レーザ

第5節フォトニック結晶を用いた光信号処理回路と精密分光応用

1. フォトニック結晶
- 1.1 フォトニック結晶
- 1.2 フォトニック・バンドギャップ
- 1.3 フォトニック結晶を用いた基本的な光学素子
  - 1.3.1 フォトニック結晶導波路
  - 1.3.2 フォトニック結晶共振器
2. フォトニック結晶を用いたパッシブ・アクティブ素子
- 2.1 分波器・分光器
- 2.2 変調器
  - 2.2.1 多波長選択フィルタ (DeMUXフィルタ)
  - 2.2.2 光スイッチ
  - 2.2.3 電気光変調器
  - 2.2.4 光レシーバ
  - 2.2.5 光送受信回路
3. 構造揺らぎを利用した機能素子
- 3.1 電気光変調器
- 3.2 超小型分光器

第6節ポリマー光回路を用いた光電コパッケージ技術の開発

1. ポリマー光導波路を用いた光電コパッケージ
- 1.1 背景
- 1.2 アクティブオプティカルパッケージ基板の提案
- 1.3 ポリマー光導波路の利点とその特性
2. アクティブオプティカルパッケージ基板の作製と光伝送特性

第7節有限要素法を用いた光導波路デバイスの最適設計

1. 光導波路デバイスの自動最適設計
- 1.1 自動最適設計法の分類
- 1.2 問題設定と最適設計の流れ
- 1.3 設計領域内の構造表現
  - 1.3.1 密度法
  - 1.3.2 関数展開法
- 1.4 有限要素法による特性解析と随伴変数法による感度の評価
  - 1.4.1 有限要素法の定式化
  - 1.4.2 随伴変数法による感度解析
- 1.5 設計変数の最適化手法
  - 1.5.1 勾配法
  - 1.5.2 進化的手法
2. 光導波路デバイスの最適設計例
- 2.1 曲り導波路
- 2.2 波長分離素子
- 2.3 プラズモニックダイオード

第8節トポロジーを活用したフォトニック結晶導波路の基礎とその設計

1. トポロジカルフォトニクス
2. トポロジカル光導波路
- 2.1 トポロジカル光導波路設計の流れ
- 2.2 様々なトポロジカル光導波路
  - 2.2.1 光量子ホール系
  - 2.2.2 光量子スピンホール系
  - 2.2.3 光量子バレーホール系
3. バレーフォトニック結晶導波路

第8章大容量、高速伝送に向けた光接続材料、コネクタの開発

第1節マルチコアファイバを用いた光デバイスの実用化に向けた課題と対策

1. 実用化に適したマルチコアファイバの種類とトレンド
2. 空間結合方式によるマルチコアファイバを用いたファイバコリメータ対向系の基本原理
3. マルチコアファイバを用いた光デバイスにおける固有の損失発生要因
4. マルチコアファイバを用いた光デバイスにおける固有の損失発生要因に対する対策
5. まとめ

第2節 UV硬化樹脂を用いた光結合デバイス作製技術とシリコンフォトニクスへの応用

1. 自己形成光導波路技術
2. 結合効率の改善アプローチ
3. テーパ型結合デバイス
4. ピラーとマイクロレンズからなる結合デバイス
6. SiPhチップ側へ作製するスポットサイズエキスパンダ
7. 1次元および2次元ファイバアレイへの適用

第3節シリコン光導波路と高効率な光ファイバ接続を実現するスポットサイズ変換光ファイバ

1. TEC-SMFおよびTEC-PMFの開発
- 1.1 TECファイバの構造・原理
- 1.2 TEC-SMFの開発
- 1.3 TEC-PMFの開発
- 1.4 SiPhデバイスとの結合効率の評価
2. TECファイバのはんだリフロー対応化

第4節ファイバヒューズから光伝送路を守る空孔構造光ファイバ部品の開発

1. 通信用SMFにおけるファイバヒューズ伝搬特性
2. HAF構造とヒューズ伝搬の関係

第5節マイクロミラーを用いたシリコン・ポリマー導波路間光接続技術の開発

1. AOP基板の概要
2. マイクロミラーを用いたシリコン導波路とポリマー導波路の光結合構造
3. 曲面マイクロミラー技術
4. マイクロミラーを用いたシリコン・ポリマー導波路間光接続技術

第9章高速伝送、低遅延通信に向けた光スイッチ技術の開発

第1節高分子材料を用いた熱光学 (TO) スイッチの開発

1. 序論
2. 構成と設計における留意点
- 2.1 シングルモードの場合
- 2.2 マルチモードの場合
  - 2.2.1 消光型
  - 2.2.2 光路選択型
3. 高速化への試み
- 3.1 材料の熱光学係数測定
- 3.2 プッシュプル型TOスイッチ
  - 3.2.1 チャネル型の製作工程
  - 3.2.2 チャネル型TOスイッチ動作の確認
  - 3.2.3 分岐型プッシュプルTOスイッチ

第2節ナノカーボン材料を用いたシリコンチップ上集積光デバイス開発

1. グラフェンマイクロヒーターによるシリコンフォトニクス光スイッチ
2. カーボンナノチューブとシリコンフォトニクス共振器による狭線幅発光

第3節磁気光学効果を用いた自己保持型光スイッチの開発

1. 自己保持型光スイッチ
2. 素子構造と設計
- 2.1 動作原理
- 2.2 磁気光学位相シフタ
- 2.3 薄膜磁石
3. 素子の特性評価
- 3.1 マッハツェンダー干渉計を用いた2×2光スイッチ
- 3.2 リング共振器を用いた1×1光スイッチ (可変光減衰器)
4. 集積化に向けた検討

第4節シリコンフォトニクススイッチの開発と今後の展望

1. スイッチネットワーク
- 1.1 背景
- 1.2 高スループットスイッチの現状
2. シリコンフォトニクススイッチ
- 2.1 産総研におけるシリコンフォトニクススイッチの開発変遷
- 2.2 大規模32×32シリコンフォトニクススイッチ
  - 2.2.1 低損失化
  - 2.2.2 広帯域化 (クロストーク低減)
3. 大規模光スイッチネットワーク
- 3.1 Clos構成
- 3.2 多段光スイッチ伝送
4. 今後の展望
- 4.1 偏波無依存化
- 4.2 広帯域化
- 4.3 低損失化・高機能化

第5節空間チャネルネットワーク実現に向けたコア選択スイッチの研究開発

1. SXCアーキテクチャ
- 1.1 従来のファイバスイッチに基づくSXCアーキテクチャ
- 1.2 CSSに基づくSXCアーキテクチャ
2. CSSの動作原理とプロトタイプの設計
- 2.1 CSSの構成と動作原理
- 2.2 CSSプロトタイプの設計
  - 2.2.1 5-CF コリメータアレイの設計
  - 2.2.2 4-f光学系とMEMSミラーの設計
3. CSSプロトタイプの性能評価
- 3.1 5-CFコリメータアレイの評価
- 3.2 CSSのILとPDLの評価
- 3.3 CSS の MCF 内および MCF 間 XTの評価
- 3.4 CSS によってルーティングされた光信号の BER 測定
- 3.5 CSS の超広波長帯域特性の評価
4. まとめと今後の展開

第10章高速通信に向けた光トランシーバの開発

第1節高速通信に向けた光トランシーバの標準化動向について

1. ICT市場の動向と高速光トランシーバへの期待
2. ラインサイドの標準化動向
- 2.1 現在までの審議状況
- 2.2 今後の動向
3. クライアントサイドの標準化動向
- 3.1 現在までの審議状況
- 3.2 今後の動向

第2節次世代イーサネットの規格化動向とそれに準拠する光トランシーバ、デバイス技術の最新動向

1. 次世代イーサネット関連規格の最新動向
2. データコム系光トランシーバの最新動向
- 2.1 800Gb/s及び1.6Tb/sプラガブル光トランシーバモジュールのMSA
- 2.2 800Gb/s超級の伝送に向けた将来の技術動向:Co-Packaged Optics (CPO)
- 2.3 CPO普及への見通し
3. 注目すべきデバイス技術の最新動向
- 3.1 EA-DFBレーザー
- 3.2 シリコンフォトニクスリング変調器
- 3.3 薄膜Lithium Niobate変調器

第3節次世代コヒーレント通信に向けた高集積光モジュールの開発

1. DBR/Ringレーザチップ
2. 集積光モジュール
- 2.1 超小型ITLA (Nano-ITLA)
  - 2.2.1 レーザモジュール
  - 2.2.2 制御基板の集積
- 2.2 IC-TROSA type2

第4節 6Gに向けたマルチビーム光アンテナシステムの開発と評価

1. 光無線通信での回線設計
2. 光漏れ波アンテナの動作原理
- 2.1 設計条件及び位相整合条件
- 2.2 アンテナ利得と放射効率
3. ワッフル及びワッフルアイロン導波路
4. 光漏れ波アンテナの励振系
- 4.1 テーパアレー導波路
- 4.2 フォトニックバンドギャップを用いた反射鏡
5. 光マルチビームおよびビーム走査アンテナ

第11章高速光変調器、増幅器の開発

第1節無線信号を光信号に変換するLN高速光変調器の技術開発

1. 光変調器の種類と特徴
2. 高周波対応光変調器への取組み
3. ミリ波対応LN光変調器
4. LN変調器の小型化・低駆動電圧化

第2節クラッド励起マルチコア・エルビウム添加光ファイバ増幅器の開発

1. クラッド励起MC-EDFAの構成
- 1.1 ダブルクラッド構造MC-EDF
- 1.2 側方結合型クラッド励起光合波器
- 1.3 増幅器構成
2. 増幅特性
- 2.1 Cバンド増幅特性
- 2.2 Lバンド増幅特性
3. クロストーク

第3節量子ナノ構造、シリコン細線光導波を活用した光変調器の開発

1. シリコン微小リング共振器装荷マッハ・ツェンダー変調器
- 1.1 シリコン光変調器
- 1.2 シリコン微小リング共振器装荷マッハ・ツェンダー変調器の開発
  - 1.2.1 微小リング共振器における位相変化増大効果と動作原理
  - 1.2.2 変調特性
2. 量子井戸光変調器
- 2.1 量子井戸光変調器
- 2.2 InGaAs/InAlAsポテンシャル制御量子井戸マッハ・ツェンダー光変調器
  - 2.2.1 5層非対称量子井戸 (FACQW) における電界誘起屈折率変化特性
  - 2.2.2 FACQW MZM
  - 2.2.3 FACQW MRR装荷 MZM

第4節高速動作、高速・大容量通信に向けた歪み補償変調のための光変調器

1. マッハツェンダー型電気光学変調器の特性と3次相互変調歪み
2. マッハツェンダー型電気光学変調器による3次相互変調歪み抑圧
- 2.1 マッハツェンダー型電気光学変調器の波長チャープ
- 2.2 波長チャープ変調を用いた歪み補償
- 2.3 DPMZMとマイクロ波分配回路を用いた歪補償光変調実験
3. マイクロ波分配回路を一体化した歪み補償光変調器
- 3.1 素子構造設計と作製
- 3.2 実験

第5節高線形性・高速光変調デバイスの開発

1. 光変調の線形性
- 1.1 マッハ・ツェンダ変調器の動作と変調歪み
- 1.2 高消光比光変調
- 1.3 高線形性光変調

第6節シリコンフォトニクス技術を用いた高速光変調器

1. 高速シリコン変調器の設計
- 1.1 PIN型位相シフタ
- 1.2 RCイコライザを用いた帯域拡張技術
2. シリコン変調器の高速動作
- 2.1 シリコン変調器の帯域拡張技術
- 2.2 シリコン変調器の大信号応答

第7節強誘電体薄膜を用いた光変調器とテスト機能を集積した光集積回路

1. 背景
2. 光テストシステムとPLZT薄膜を用いたPIC
3. エピタキシャルPLZT薄膜
- 3.1 エピタキシャルPLZT薄膜の作製
- 3.2 加圧焼成法によるPLZT (8/65/35) 薄膜の成膜方法と評価
4. エピタキシャルPLZT (8/65/35) 薄膜を用いたPICの作製
5. PLZT -PICチップの設計
- 5.1 PLZT光変調器の設計
- 5.2 スポット・サイズ・コンバータ
6. PLZT PICの作製
7. PLZT PICの評価

第12章低遅延、高速通信に向けた光通信技術の開発

第1節 5G/Beyond 5Gに向けた光アクセス (BiDi/PON) システムの標準化動向

1. 5G/Beyond 5Gに向けた光アクセスシステム
2. 10/25/50 Gb/s BiDi標準化動向
- 2.1 高速BiDiに向けた標準化
- 2.2 25Gb/s BiDi物理層仕様
- 2.3 50Gb/s BiDi物理層仕様
3. 50Gb/s級PON物理層標準化動向
- 3.1 50Gb/s級PONシステムの標準化動向)
- 3.2 IEEEでの標準化動向 (IEEE Std 802.3ca-2020)
- 3.3 ITU-Tでの標準化動向 (ITU-T G.9804.3)
4. PON低遅延化技術標準化動向

第2節コヒーレント光伝送システムにおける符号化変調技術

1. 背景
2. 誤り訂正技術
- 2.1 ビット演算型誤り訂正符号のコンセプトと限界性能
- 2.2 復号器のモデル化と繰り返し復号
- 2.3 LDPC符号の性能
3. 符号化変調
- 3.1 ビットインターリーブ符号化変調
- 3.2 トレリス符号化変調
- 3.3 確率分布整形符号化変調
- 3.4 符号化変調技術の課題
- 3.5 振幅確率分布整形

第3節光単側波帯変調光ファイバー通信技術の進展と展望

1. 光単側波帯変調とその研究の経過
- 1.1 光単側波帯変調と期待される優位性
- 1.2 光単側波帯変調研究の経過
2. 光単側波帯変調の方法と種類・分類
- 2.1 側波帯と単側波帯変調
- 2.2 単側波帯変調信号の生成法:フィルタ法と位相シフト法
- 2.3 処理領域:電気領域処理と光領域処理
- 2.4 光SSB変調信号の搬送波の有無
3. 光単側波帯変調特性と光ファイバ伝送特性
- 3.1 残留側波帯とその低減方法
- 3.2 ファイバ分散の光SSB変調信号への影響
- 3.3 ファイバ非線形光学効果の光SSB変調信号への影響と改善方法
- 3.4 光ピーク対平均電力比PAPRの低減
4. 光単側波帯変調に関連する光回路・光デバイス

第4節 Beyond 5Gに向けた光ファイバ無線伝送技術を利用した大容量無線信号の高効率伝送

1. Beyond 5Gモバイル通信システムの要件
2. モバイルフロントホール (MFH)
3. 光ファイバ無線伝送技術をベースとしたMFH
- 3.1 光ファイバ無線伝送技術の概要
- 3.2 光ファイバ無線伝送技術を用いたMFH
- 3.3 光ファイバ無線伝送と無線アンテナを融合した光・無線融合技術

第5節 Beyond 5G/6G に向けたデジタルコヒーレント伝送技術

1. デジタルコヒーレント伝送技術
- 1.1 デジタルコヒーレント伝送とは
- 1.2 デジタルコヒーレント受信機の構成
- 1.3 デジタルコヒーレントトランシーバの構成
2. 標準化動向
- 2.1 OIF
- 2.2 IEEE
- 2.3 MSA
- 2.4 IOWN Global Forum

第6節超高速・大容量伝送を実現するための光信号処理技術

1. 光非線形効果を用いた光信号処理技術
- 1.1 光非線形効果
- 1.2 光非線形デバイス
2. 光波長変換
- 2.1 超高速光波長変換
- 2.2 多波長一括・広波長域光波長変換
- 2.3 光波長帯域一括変換による広帯域光伝送技術
3. 光信号再生
- 3.1 Mamyshev光信号再生
- 3.2 多波長一括光信号再生
- 3.3 超高速光信号再生
4. 光パラメトリック増幅
- 4.1 低雑音光増幅
- 4.2 広帯域光増幅

第7節光通信への直交振幅変調 (QAM) 、直交周波数分割多重 (OFDM) の応用

1. 多値変調を用いた高密度化技術
- 1.1 光QAM
- 1.2 光OFDM
2. さらなる周波数利用効率の向上に向けて
3. 光通信と無線通信のコヒーレント融合技術

第8節光直接検波信号からの位相情報の読み取り技術

1. クラマース・クローニヒの関係を用いる光信号の位相読み取り
2. 時間領域強度輸送方程式を用いる光信号の位相読み取り
- 2.1 強度輸送方程式
- 2.2 分散を利用した位相抽出
- 2.3 時間領域強度輸送方程式の解法
- 2.4 16QAM信号の位相読み取りの数値計算
3. 反復的位相回復法による直接検波受信信号からの位相読み取り
- 3.1 背景
- 3.2 反復計算によるPAM4信号の位相回復と分散補償
- 3.3 数値計算

第13章遠隔医療、手術、支援ロボットに向けた通信技術の動向

第1節 5Gの遠隔医療への応用と実証試験の取り組み

1. 移動通信システムの進化と5G
- 1.1 移動通信システムの進化
- 1.2 5Gの概要
  - 1.2.1 5Gの想定サービス
  - 1.2.2 5Gのシステム要求条件
  - 1.2.3 5G商用サービス開始
2. 5Gの遠隔医療への応用
- 2.1 5G遠隔医療の概要
- 2.2 地域医療における5G遠隔診療と実証事例
  - 2.2.1 地域における遠隔医療の意義
  - 2.2.2 山間部診療所における遠隔診療
  - 2.2.3 患者宅における遠隔訪問診療
  - 2.2.4 医師に対する遠隔教育
- 2.3 5Gを活用するモバイル診療車
  - 2.3.1 概要
  - 2.3.2 診療所とモバイル診療車の連携による遠隔診療
  - 2.3.3 5Gモバイル診療車による遠隔妊婦健診
- 2.4 救急医療における5G遠隔診療と実証事例
  - 2.4.1 救急医療の現状と課題
  - 2.4.2 3拠点連携による救急搬送高度化の実証
  - 2.4.3 4拠点連携による救急搬送高度化の実証
3. 5Gを応用する遠隔医療の将来展望

第2節スマート治療室の開発、適用動向と通信技術への期待

1. 先端工学外科学分野が目指す精密誘導治療
2. スマート治療室の開発
3. 遠隔医療を目指す戦略デスクと移動型スマート治療室 (モバイル SCOT)

第14章電磁波反射体を活用した障害物を迂回する通信技術の展望

1. IRSとは

2. IRSにより構築される電波伝搬環境の解析方法

2.1 レイトレース法

2.2 Wireless InSiteとメタマテリアルIRS伝搬評価ツール

2.3 シミュレーションによる検証評価

3. 透明フレキシブル電波反射フィルムを用いた伝搬環境改善に関する検証実験

3.1 使用機器と測定環境

3.2 実験の概要

3.3 測定結果

4. IRSを用いた無線通信への量子コンピューティング応用

4.1 量子コンピューティングによる組合せ最適化

4.2 研究事例紹介

4.2.1 適用例1:IRSを用いたセルフリーネットワークの最適制御

4.2.2 適用例2:IRSリソースの割当最適化

4.2.3 適用例3:伝搬路特性測定処理のオーバーヘッド削減

4.3.4 適用例4:自律型IRSを用いた無線通信システムにおける無線リソース割当最適化

第15章高精細仮想空間、4K/8K映像配信に向けた通信技術の開発動向

第1節 4K/8K番組制作に向けた光・IP伝送技術の開発

1. 関連する周辺技術の発展経緯
- 1.1 放送メディアの進展と機器間インターフェースの変遷
- 1.2 光ファイバー通信技術の変遷
  - 1.2.1 基幹網系
  - 1.2.2 LAN系
2. ライブ番組制作における光・IP伝送活用の経緯
- 2.1 光伝送技術活用の経緯
- 2.2 LAN技術・IP技術活用の経緯
3. 8K映像伝送および番組制作の効率化に向けた課題
- 3.1 8K映像伝送における課題
- 3.2 IP技術を活用したライブ番組制作の効率化に向けた課題
4. 8K素材信号の長距離伝送技術の研究開発動向
5. ライブ番組制作の効率化を目指すIP制作システムの研究開発動向

第2節 4K/8K映像の「ゼロ遅延」に向けた伝送技術の開発

1. 高精細映像
- 1.1 解像度
- 1.2 プログレッシブ/インタレース
- 1.3 フレームレート
- 1.4 色情報
- 1.5 色間引き
- 1.6 情報量・帯域幅
2. 映像伝送
- 2.1 圧縮と非圧縮
- 2.2 インターネットと専用線
- 2.3 光トランシーバ
- 2.4 光ファイバ
- 2.5 映像伝送規格
3. 双方向映像伝送:テレセッション
- 3.1 4Kテレセッション
- 3.2 イーサネット網の利用
- 3.3 8Kテレセッション
4. 低遅延映像伝送の関連技術
- 4.1 指揮者モニタ
- 4.2 遅延時間測定

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執筆者

国立研究開発法人産業技術総合研究所並木周
NTTアドバンステクノロジ株式会社村上雅之
東北大学佐藤昭
三重大学村田博司
古河電気工業株式会社那須秀行
国立研究開発法人情報通信研究機構梶貴博
山形大学岡田修司
九州産業大学平山智之
中部大学鈴木浩文
株式会社精工技研平尾朋三
東京工業大学堀川剛
東京工業大学雨宮智宏
早稲田大学北智洋
国立研究開発法人情報通信研究機構松本敦
豊橋技術科学大学石川靖彦
東北大学松田信幸
金沢大学砂田哲
古河電気工業株式会社吉田順自
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古河電気工業株式会社高橋正典
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国立研究開発法人産業技術総合研究所須田悟史
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東京大学岩本敏
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東海大学藤川知栄美
株式会社フジクラ小田拓弥
日本電信電話株式会社中島和秀
国立研究開発法人産業技術総合研究所乗木暁博
静岡大学冨木政宏
慶應義塾大学牧英之
東京工業大学庄司雄哉
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東北大学川本雄一
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A4判 628ページ

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978-4-86798-110-8

発行年月

2022年11月

販売元

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